本發(fā)明涉及濺射鍍膜，較為具體的，涉及到一種應(yīng)用于真空濺射鍍膜的清潔輔助裝置。

背景技術(shù)：

1、濺射沉積是一種物理氣相沉積(physical?vapor?deposition，pvd)工藝，廣泛應(yīng)用于薄膜制備。濺射沉積的原理是通過高能粒子轟擊靶材，并將靶材上的靶材顆粒撞擊出去，使靶材顆粒沉積形成薄膜。然而，在高能粒子轟擊靶材后，靶材上會附著有高能粒子，導(dǎo)致在使用另一種粒子再次轟擊靶材時，形成的薄膜會摻雜有其他粒子，影響濺射沉積的可靠性。

2、故而需要在下一次鍍膜時，對靶材上的其他粒子進(jìn)行清洗，但是在清洗過程中，由于工作氣體輸入通道一直處于連通狀態(tài)，靶材或者氣體材質(zhì)落入至工作氣體輸入通道，造成工作氣體輸入通道的污染。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種應(yīng)用于真空濺射鍍膜的清潔輔助裝置，包括工藝鍍膜腔體10，所述工藝鍍膜腔體10的一側(cè)設(shè)有過渡腔體20，所述工藝鍍膜腔體10的相鄰過渡腔體20一側(cè)還設(shè)有晶圓或者遮板60進(jìn)出口，所述工藝鍍膜腔體10的底部設(shè)有工作氣體輸入通道30，所述過渡腔體20與所述工藝鍍膜腔體10連通，所述工藝鍍膜腔體10內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)遮蔽機構(gòu)40和頂升機構(gòu)100，當(dāng)需要進(jìn)行工藝鍍膜腔體10的清潔時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至工作氣體輸入通道30上部，用于遮擋工作氣體輸入通道30，防止在清洗的過程中，靶材或者氣體材質(zhì)落入至工作氣體輸入通道30，造成工作氣體輸入通道30的污染，當(dāng)進(jìn)行工藝鍍膜時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至過渡腔體20，以防止遮板60影響工作氣體輸入通道30的工作氣體的輸入，造成濺射鍍膜的不均勻，當(dāng)需要更換遮板60，則通過所述升降裝置101的頂升爪103將遮板60頂起后輸出晶圓或者遮板60進(jìn)出口自動更換。

2、一種應(yīng)用于真空濺射鍍膜的清潔輔助裝置，包括工藝鍍膜腔體10，其特征在于：所述工藝鍍膜腔體10的一側(cè)設(shè)有過渡腔體20，所述工藝鍍膜腔體10的相鄰過渡腔體20一側(cè)還設(shè)有晶圓或者遮板60進(jìn)出口，所述工藝鍍膜腔體10的底部設(shè)有工作氣體輸入通道30，所述過渡腔體20與所述工藝鍍膜腔體10連通，所述工藝鍍膜腔體10內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)遮蔽機構(gòu)40和頂升機構(gòu)100，所述旋轉(zhuǎn)遮蔽機構(gòu)40包括遮板60、承托板70和旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41，所述遮板60與承托板70卡接，所述承托板70的一側(cè)下部設(shè)有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41，通過旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41使得承托盤轉(zhuǎn)動，從而使得所述承托板70運載所述遮板60，所述承托板70為異型結(jié)構(gòu)，所述承托板70包括主承載板72和向外延伸的第一承托爪73和第二承托爪74，所述第一承托爪73與第二承托爪74與主承載板72一體成型，所述第一承托爪73與第二承托爪74與主承載板72的連接處設(shè)有避位，所述頂升機構(gòu)100包括升降裝置101和頂升環(huán)102，所述升降裝置101與頂升環(huán)102的下部連接，所述頂升環(huán)102位于所述承托板70的下部且頂升環(huán)102上間隔設(shè)置的多個頂升爪103，所述頂升爪103能夠穿過避位并做升降運動，當(dāng)需要進(jìn)行工藝鍍膜腔體10的清潔時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至工作氣體輸入通道30上部，用于遮擋工作氣體輸入通道30，防止在清洗的過程中，靶材或者氣體材質(zhì)落入至工作氣體輸入通道30，造成工作氣體輸入通道30的污染，當(dāng)進(jìn)行工藝鍍膜時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至過渡腔體20，以防止遮板60影響工作氣體輸入通道30的工作氣體的輸入，造成濺射鍍膜的不均勻，當(dāng)需要更換遮板60，則通過所述升降裝置101的頂升爪103將遮板60頂起后輸出晶圓或者遮板60進(jìn)出口自動更換。

3、進(jìn)一步的，所述過渡腔體20處設(shè)有位置檢測機構(gòu)21，當(dāng)旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至過渡腔體20，所述位置檢測機構(gòu)21檢測到遮板60，用于給所述工藝鍍膜腔體10一個能夠開啟鍍膜工藝的信號。

4、進(jìn)一步的，所述遮板60的面積大于工作氣體輸入通道30的直徑，用于將工作氣體輸入通道30完全遮擋。

5、進(jìn)一步的，所述工作氣體輸入通道30的頂部連接晶圓承載盤，所述晶圓承載盤上設(shè)有多個通氣孔31，工作氣體輸入通道30連通通氣孔31，當(dāng)需要進(jìn)行工藝鍍膜腔體10的清潔時所述遮板60遮蓋于通氣孔31上方。

6、進(jìn)一步的，所述遮板60為圓盤型結(jié)構(gòu)，所述圓盤型結(jié)構(gòu)的下表面外圓凸出的環(huán)形限位凸臺61，所述承托板70的上表面設(shè)有多個限位柱71，所述限位柱71圍設(shè)形成的圓的外徑正好與環(huán)形限位凸臺61的內(nèi)徑匹配，所述多個限位柱71的外側(cè)與所述環(huán)形限位凸臺61的內(nèi)壁接觸，從而使得所述承托板70的轉(zhuǎn)動時，所述遮板60與承托板70為相對靜止?fàn)顟B(tài)。

7、在一些實施例中，所述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41包括磁流體42以及磁流體42內(nèi)部套接的旋轉(zhuǎn)軸44、連桿46和氣缸48，所述旋轉(zhuǎn)軸44的一端通過承托板安裝立柱90與承托板70鎖接，另一端通過第一連桿軸夾塊45與連桿46的一端轉(zhuǎn)動連接，所述連桿46的另一端通過第二連桿軸夾塊47與所述氣缸48的氣缸軸49連接，所述磁流體42的本體與所述工藝鍍膜腔體10的外殼底部鎖接，通過氣缸48帶動磁流體42的旋轉(zhuǎn)軸44轉(zhuǎn)動帶動承托板70轉(zhuǎn)動。

8、進(jìn)一步的，所述氣缸48的本體下部鎖接有光電開關(guān)安裝支架52，所述光電開關(guān)安裝支架52的兩端均設(shè)有一光電開關(guān)53，兩個光電開關(guān)53設(shè)置在氣缸軸49外圈，所述氣缸軸49的一側(cè)設(shè)有限位塊51，當(dāng)限位塊51旋轉(zhuǎn)至其中一個光電開關(guān)53的槽內(nèi)時，光電開關(guān)53接收到信號并將信號傳輸給氣缸48控制器，以此來停止氣缸軸49的旋轉(zhuǎn)，所述光電開關(guān)53起到精準(zhǔn)定位的作用。

9、進(jìn)一步的，其中一個光電開關(guān)53設(shè)置的位置為氣缸48能夠帶遮板60旋轉(zhuǎn)至過渡腔體20的位置，另一個光電開關(guān)53設(shè)置的位置為氣缸48能夠帶遮板60旋轉(zhuǎn)至工作氣體輸入通道30上部的位置。

10、進(jìn)一步的，所述磁流體42的本體上設(shè)有第一水冷機構(gòu)43，由于所述工藝鍍膜腔體10的加工工藝需要加熱，避免磁流體42受熱造成損壞，故需要對磁流體42的本體進(jìn)行冷卻。

11、進(jìn)一步的，所述氣缸48上部設(shè)有第二水冷機構(gòu)80，由于所述工藝鍍膜腔體10的加工工藝需要加熱，所述氣缸48與所述工藝鍍膜腔體10的底部較為接近，避免氣缸48受熱造成損壞，故需要對氣缸48與所述工藝鍍膜腔體10的底部進(jìn)行水冷隔絕。

12、本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提出一種應(yīng)用于真空濺射鍍膜的清潔輔助裝置，包括工藝鍍膜腔體10，所述工藝鍍膜腔體10的一側(cè)設(shè)有過渡腔體20，所述工藝鍍膜腔體10的相鄰過渡腔體20一側(cè)還設(shè)有晶圓或者遮板60進(jìn)出口，所述工藝鍍膜腔體10的底部設(shè)有工作氣體輸入通道30，所述過渡腔體20與所述工藝鍍膜腔體10連通，所述工藝鍍膜腔體10內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)遮蔽機構(gòu)40和頂升機構(gòu)100，當(dāng)需要進(jìn)行工藝鍍膜腔體10的清潔時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至工作氣體輸入通道30上部，用于遮擋工作氣體輸入通道30，防止在清洗的過程中，靶材或者氣體材質(zhì)落入至工作氣體輸入通道30，造成工作氣體輸入通道30的污染，當(dāng)進(jìn)行工藝鍍膜時，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)41將遮板60旋轉(zhuǎn)至過渡腔體20，以防止遮板60影響工作氣體輸入通道30的工作氣體的輸入，造成濺射鍍膜的不均勻，當(dāng)需要更換遮板60，則通過所述升降裝置101的頂升爪103將遮板60頂起后輸出晶圓或者遮板60進(jìn)出口自動更換。