本申請屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種溫度控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在例如物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,pvd)設(shè)備等半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，在真空環(huán)境下控制加熱基座升溫到設(shè)定溫度，利用高能量粒子轟擊靶材表面使靶材中的原子沉積到硅片的過程中，腔室基座的溫度高低和波動都會影響硅晶片鍍膜工藝的質(zhì)量。

2、但在對腔室基座的溫度進(jìn)行控制過程中，承載面上各溫度控制區(qū)獨(dú)立控制，在需要升溫和降溫的時(shí)候每個溫度控制區(qū)根據(jù)自己的控制回路獨(dú)立控制，導(dǎo)致各溫度控制區(qū)的溫度變化速度不一致，各溫度控制區(qū)的溫度存在較大差異，導(dǎo)致加熱承載面上的晶圓受熱不均、發(fā)生碎裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例的目的是提供一種溫度控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，能夠保證承載面上各溫度控制區(qū)以一定的步長基本實(shí)現(xiàn)同步控溫，保證加熱承載面上的半導(dǎo)體器件受熱均勻，避免碎裂。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本申請是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本申請實(shí)施例提供了一種溫度控制方法，用于晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置的晶圓承載面包括多個溫度控制區(qū)，所述方法包括：獲取當(dāng)前溫度設(shè)定值；根據(jù)所述當(dāng)前溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述當(dāng)前溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當(dāng)前溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)；重復(fù)獲取下一溫度設(shè)定值，根據(jù)所述下一溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述下一溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)，直至所述晶圓承載面達(dá)到目標(biāo)溫度。

4、第二方面，本申請實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

5、第三方面，本申請實(shí)施例提供了一種可讀存儲介質(zhì)，所述可讀存儲介質(zhì)上存儲程序或指令，所述程序或指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

6、第四方面，本申請實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括：工藝腔室、加熱基座和控制器，所述加熱基座設(shè)置在所述工藝腔室內(nèi)，所述控制器包括至少一個處理器和至少一個存儲器，存儲器中存儲有計(jì)算機(jī)程序，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如第一方面所述的方法的步驟。

7、在本申請實(shí)施例中，通過獲取當(dāng)前溫度設(shè)定值；根據(jù)所述當(dāng)前溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述當(dāng)前溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當(dāng)前溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)；重復(fù)獲取下一溫度設(shè)定值，根據(jù)所述下一溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述下一溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)，直至所述晶圓承載面達(dá)到目標(biāo)溫度，能夠保證承載面上各溫度控制區(qū)基本實(shí)現(xiàn)同步控溫，保證加熱承載面上的半導(dǎo)體器件受熱均勻，避免碎裂。

技術(shù)特征：

1.一種溫度控制方法，用于晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置的晶圓承載面包括多個溫度控制區(qū)，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取下一溫度設(shè)定值，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述晶圓承載面的初始溫度和所述目標(biāo)溫度之間的差值大于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為1；在所述晶圓承載面的初始溫度和目標(biāo)溫度之間的差值小于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為-1；在所述晶圓承載面的初始溫度和目標(biāo)溫度之間的差值等于0的情況下，所述步長變化系數(shù)為0。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述獲取當(dāng)前溫度設(shè)定值之前，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在重復(fù)獲取下一溫度設(shè)定值之前，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，獲取各所述溫度控制區(qū)的采樣溫度濾波值，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述采樣溫度濾波值和所述當(dāng)前溫度設(shè)定值，確定對各所述溫度控制區(qū)進(jìn)行溫度控制的固態(tài)繼電器通斷的占空比，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括處理器，存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運(yùn)行的程序或指令，所述程序或指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法的步驟。

10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括：工藝腔室、加熱基座和控制器，所述加熱基座設(shè)置在所述工藝腔室內(nèi)，所述控制器包括至少一個處理器和至少一個存儲器，存儲器中存儲有計(jì)算機(jī)程序，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種溫度控制方法、電子設(shè)備及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：獲取當(dāng)前溫度設(shè)定值；根據(jù)所述當(dāng)前溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述當(dāng)前溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述當(dāng)前溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)；重復(fù)獲取下一溫度設(shè)定值，根據(jù)所述下一溫度設(shè)定值對各個所述溫度控制區(qū)進(jìn)行控溫，對達(dá)到所述下一溫度設(shè)定值的所述溫度控制區(qū)進(jìn)行保溫，直至全部所述溫度控制區(qū)的溫度與所述下一溫度設(shè)定值之間的溫差在預(yù)定范圍內(nèi)的步驟，直至所述晶圓承載面達(dá)到目標(biāo)溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：劉東亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19