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一種PECVD鍍膜的氣體控制方法以及設備與流程

文檔序號:12900962閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結
本發(fā)明涉及太陽能電池制造技術領域,尤其是涉及一種PECVD鍍膜的氣體控制方法以及設備。該方法包括如下步驟:將硅烷供氣管路、氨氣供氣管路和笑氣供氣管路分別連接于PECVD的反應腔,并在每種供氣管路上配置有一氣體流量控制器;根據(jù)每層待鍍的膜層結構設定硅烷、氨氣和笑氣三種氣體的流量參數(shù);氣體流量控制器分別按照所設定的流量參數(shù)控制輸入對應的氣體至PECVD的反應腔中。該方法通過氣體流量控制器既能實現(xiàn)定量控制氣體的流量,又能實現(xiàn)變量控制氣體的流量,而且在鍍膜時分別向PECVD的反應腔中通入氨氣、硅烷和笑氣三種氣體,因此該方法生產(chǎn)的膜層結構具有較好的光學特性。

技術研發(fā)人員:袁中存;黨繼東
受保護的技術使用者:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
技術研發(fā)日:2017.08.07
技術公布日:2017.11.10
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