本發(fā)明涉及實(shí)驗(yàn)器具領(lǐng)域，尤其是涉及一種防止堵塞的坩堝，該坩堝主要用于oled有機(jī)鍍膜工藝中蒸發(fā)金屬電極材料鎂。

背景技術(shù)：

在oled有機(jī)發(fā)光器件中，為了將電子有效地注入有機(jī)材料，陰極必須是低功函數(shù)的金屬，具有較低功函數(shù)的金屬鎂是oled器件中常用的陰極材料。通過真空蒸鍍工藝，鎂料從坩堝中受熱蒸發(fā)，在襯底上制備得到鎂薄膜(陰極)，但在鎂蒸發(fā)過程中，如圖1所示，會(huì)出現(xiàn)鎂顆粒局部受熱不均彈出坩堝(即“跳舟”)并在坩堝口持續(xù)聚集現(xiàn)象，坩堝口口徑變化甚至堵死，影響鍍膜速率的控制，導(dǎo)致膜厚偏差，最終引起器件色坐標(biāo)和亮度發(fā)生偏移。堵塞發(fā)生后，還需要開腔室處理，嚴(yán)重影響設(shè)備的產(chǎn)能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種新的坩堝結(jié)構(gòu)，可有效地解決蒸鍍工藝過程中堵塞的問題，提高工藝穩(wěn)定性和設(shè)備產(chǎn)能。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種防止堵塞的坩堝，包括坩堝本體，還包括設(shè)在坩堝本體上的阻隔部件，阻隔部件上設(shè)有貫穿上下表面的開口，開口的尺寸小于在坩堝本體中的材料的尺寸，阻隔部件將在坩堝本體中的材料與外界隔開。

優(yōu)選地，阻隔部件設(shè)在坩堝本體內(nèi)側(cè)并與坩堝本體內(nèi)表面配合。

優(yōu)選地，阻隔部件設(shè)在坩堝本體3/4高度的位置。

優(yōu)選地，坩堝本體內(nèi)側(cè)壁設(shè)有凸出的用于支承阻隔部件的支承部。

優(yōu)選地，支承部為環(huán)形臺階。

優(yōu)選地，阻隔部件呈片狀。

優(yōu)選地，開口包括陣列分布在阻隔部件上的若干開口。

優(yōu)選地，開口為小孔。

優(yōu)選地，阻隔部件的材料與坩堝本體材料相同。

實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，至少具有以下的有益效果：阻隔部件可以確保鎂蒸氣能有效通過的基礎(chǔ)上，阻擋鎂顆粒彈出。而且這樣的結(jié)構(gòu)不需改變坩堝本體結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，容易加工，坩堝本體外部尺寸不變，完全兼容原有的加熱源和蒸鍍工藝，而且防堵塞效果顯著。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是現(xiàn)有的坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖(鎂顆粒局部受熱不均彈出坩堝)。

圖2是本技術(shù)方案的一優(yōu)選實(shí)施例中的防止堵塞的坩堝的剖視示意圖。

圖3是圖2中的防止堵塞的坩堝的阻隔部件的俯視圖。

其中，1.坩堝本體，1a.坩堝出口，2.阻隔部件，3.支承部，4.彈起的鎂顆粒，5.鎂料顆粒，6.開口。

具體實(shí)施方式

為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。在本發(fā)明的防止堵塞的坩堝的描述中，需要理解的是，“前”、“后”、“上”、“下”、“正面”、“背面”等術(shù)語僅是為了便于描述本發(fā)明的技術(shù)方案，而不是指示所指的裝置或元件必須具有特定的方位，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

如圖2-3所示，本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中的防止堵塞的坩堝，包括坩堝本體1，還包括設(shè)在坩堝本體1上的阻隔部件2，阻隔部件2上設(shè)有貫穿上下表面的開口6，開口6的尺寸小于在坩堝本體1中的材料的尺寸，阻隔部件2將在坩堝本體1中的材料與外界隔開，以確保鎂蒸氣能有效通過的基礎(chǔ)上，阻擋鎂顆粒彈出。而且這樣的結(jié)構(gòu)不需改變坩堝本體1結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，容易加工，坩堝本體1外部尺寸不變，完全兼容原有的加熱源和蒸鍍工藝，而且防堵塞效果顯著。圖2示出了彈起的鎂顆粒4。

優(yōu)選地，阻隔部件2設(shè)在坩堝本體1內(nèi)側(cè)并與坩堝本體1內(nèi)表面配合，換言之，對于圓形的坩堝，阻隔部件2也呈圓形。該遮擋簾能夠阻擋蒸鍍工藝過程中彈起的鎂顆粒44，而鎂蒸氣流則可以順利地通過小孔6，然后從坩堝出口1a處蒸發(fā)出來；該坩堝使用時(shí)，先用鑷子取出阻隔部件2，往坩堝本體1內(nèi)加入實(shí)驗(yàn)材料后，將阻隔部件2放回坩堝本體1中，即可像原有坩堝一樣，放入加熱源中使用。阻隔部件2的設(shè)置方式除此之外，也可以設(shè)在坩堝出口1a中或覆蓋在坩堝出口1a上。

阻隔部件2設(shè)在坩堝本體1的3/4高度的位置，以留有足夠的空間給實(shí)驗(yàn)材料。

坩堝本體1內(nèi)側(cè)壁設(shè)有凸出的用于支承阻隔部件2的支承部3。優(yōu)選地，支承部3為環(huán)形臺階，臺階位于坩堝本體1的3/4高度的位置。該坩堝使用時(shí)，先用鑷子取出阻隔部件2，往坩堝本體1內(nèi)加入實(shí)驗(yàn)材料后，將阻隔部件2放置到凸起的環(huán)形臺階上，然后蓋上蓋子，即可像原有坩堝一樣，放入加熱源中使用。

阻隔部件2呈片狀。開口6包括陣列分布在阻隔部件2上的若干開口6。開口6為小孔。例如，阻隔部件2可以是分布有一定數(shù)量小孔的遮擋簾。

阻隔部件2的材料與坩堝本體1材料相同，以便創(chuàng)造符合條件的實(shí)驗(yàn)條件。

綜上所述，本技術(shù)方案中的防止堵塞的坩堝，能夠確保鎂蒸氣能有效通過的基礎(chǔ)上，阻擋鎂顆粒彈出。而且這樣的結(jié)構(gòu)不需改變坩堝本體1結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，容易加工，坩堝本體1外部尺寸不變，完全兼容原有的加熱源和蒸鍍工藝，而且防堵塞效果顯著。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改、組合和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種防止堵塞的坩堝，包括坩堝本體，其特征在于，還包括設(shè)在所述坩堝本體上的阻隔部件，所述阻隔部件上設(shè)有貫穿上下表面的開口，所述開口的尺寸小于在坩堝本體中的材料的尺寸，所述阻隔部件將在坩堝本體中的材料與外界隔開。實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，阻隔部件可以確保鎂蒸氣能有效通過的基礎(chǔ)上，阻擋鎂顆粒彈出。而且這樣的結(jié)構(gòu)不需改變坩堝本體結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，容易加工，坩堝本體外部尺寸不變，完全兼容原有的加熱源和蒸鍍工藝，而且防堵塞效果顯著。

技術(shù)研發(fā)人員：茆勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：茆勝
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.10.24