本發(fā)明涉及一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，屬于藍寶石加工設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
：藍寶石晶體因其具有高硬度、高熔點等優(yōu)良特性，廣泛應(yīng)用于國防、航空航天、工業(yè)以及生活領(lǐng)域，如用作半導(dǎo)體襯底片、精密耐磨軸承等高
技術(shù)領(lǐng)域：
中的零件，藍寶石晶片的質(zhì)量直接影響相應(yīng)產(chǎn)品的技術(shù)性能。藍寶石晶片加工銅拋制程需要使用樹脂銅盤加拋光液對晶片進行表面研磨，銅拋過程中，由于晶片與銅盤研磨會產(chǎn)生熱量，樹脂銅盤有一定的膨脹系數(shù)，當(dāng)盤面溫度會逐步升高時，銅盤在中間膨脹，盤型的變化則會影響到整個晶片的面型，所以對于拋光溫度的控制要求比較高，工藝難度較大，在傳統(tǒng)的盤面修整中，采用溝距2～8mm的螺旋狀車盤方式，傳統(tǒng)銅盤能夠存儲的拋光液比較有限，對于移除率的提高比較有限，且盤體為一體式結(jié)構(gòu)，難以拆卸更換。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，拆卸方便、受溫度的變化后盤型形變小，利于降低工藝難度，保證良率，提高效益。本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案予以實現(xiàn)的：一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，包括銅盤本體和底座，其中，所述銅盤本體底部與底座頂部相連，所述銅盤本體包括若干同心設(shè)置的樹脂銅環(huán)，相鄰樹脂銅環(huán)之間設(shè)有間隙，所述間隙頂部寬度d1為2±0.2mm。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，所述銅盤本體的厚度h為15~20mm。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，所述銅盤本體的內(nèi)邊緣半徑為r1，外邊緣半徑為r2，r1：r2=1：（3.4~3.6）。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，優(yōu)選地，r1為180±2mm，r2為625±2mm。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，所述樹脂銅環(huán)的數(shù)目為12個，由銅盤本體內(nèi)部向外部方向，樹脂銅環(huán)依次為第一銅環(huán)、第二銅環(huán)、第三銅環(huán)、第四銅環(huán)、第五銅環(huán)、第六銅環(huán)、第七銅環(huán)、第八銅環(huán)、第九銅環(huán)、第十銅環(huán)、第十一銅環(huán)、第十二銅環(huán)，所述第一銅環(huán)、第二銅環(huán)和第三銅環(huán)的寬度均為d2，所述第四銅環(huán)、第五銅環(huán)和第六銅環(huán)的寬度均為d3，所述第七銅環(huán)、第八銅環(huán)和第九銅環(huán)的寬度均為d4，所述第十銅環(huán)、第十一銅環(huán)和第十二銅環(huán)的寬度均為d5，d2<d3<d4<d5。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，優(yōu)選地，d2=24±0.2mm，d3=29±0.2mm，d4=34±0.2mm，d5=54±0.2mm。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，所述間隙底部呈圓弧形，所述間隙側(cè)壁包括傾斜壁、弧形壁和過渡壁，所述傾斜壁一側(cè)與樹脂銅環(huán)頂表面傾斜相連，另一側(cè)與弧形壁之間設(shè)有圓弧角，所述過渡壁兩側(cè)分別與弧形壁和間隙底部相連。上述一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，其中，所述傾斜壁與樹脂銅環(huán)頂表面之間的傾斜夾角a為113°。本發(fā)明的有益效果為：1）本發(fā)明采用將由若干同心設(shè)置的樹脂銅環(huán)構(gòu)成的銅盤本體，與底座相連，易于快速拆卸更換樹脂銅環(huán)，經(jīng)濟耐用；2）采用多個同心樹脂銅環(huán)使得在盤面升溫后，降低整個銅盤的膨脹系數(shù)，從而降低溫度對盤型影響，達到降低拋光工藝溫控難度、提高整個晶片面型良率的目的；3）間隙結(jié)構(gòu)設(shè)計獨特，存容量、耐磨性和抗變形性更佳；4）尺寸設(shè)計合理，在盤面修整過程中，易于采用更密集的螺旋狀修盤方式，在間隙的作用下，更有利于拋光液的流動和存儲更多的拋光液，提高拋光液的利用率，從而達到提高移除率，提高拋光效率的目的。附圖說明圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明側(cè)視圖。圖3為本發(fā)明間隙結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明測量示意圖。圖5為貼片示意圖。圖6為本發(fā)明較傳統(tǒng)樹脂銅盤盤型隨溫度變化對比圖。（圖中，銅盤本體1,底座2,樹脂銅環(huán)25，第一銅環(huán)3、第二銅環(huán)4、第三銅環(huán)5、第四銅環(huán)6、第五銅環(huán)7、第六銅環(huán)8、第七銅環(huán)9、第八銅環(huán)10、第九銅環(huán)11、第十銅環(huán)12、第十一銅環(huán)13、第十二銅環(huán)14,間隙15，傾斜壁16、弧形壁17和過渡壁18，圓弧角19，量表20，量表針頭26，藍寶石晶片21，陶瓷盤22，藍寶石晶片內(nèi)點b，藍寶石晶片中點c，藍寶石晶片外點d，本發(fā)明盤型隨溫度變化曲線23，傳統(tǒng)盤型隨溫度變化曲線24）。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。一種藍寶石晶片拋光用快拆式樹脂銅盤，包括銅盤本體和由不銹鋼材質(zhì)制成的圓柱形底座，其中，所述銅盤本體底部與底座頂部通過粘和膠與固定相連，所述銅盤本體的厚度h為15~20mm，所述銅盤本體的內(nèi)邊緣半徑為r1為180±2mm，外邊緣半徑為r2，r2為625±2mm，所述銅盤本體包括12個同心設(shè)置的樹脂銅環(huán)，由銅盤本體內(nèi)部向外部方向，樹脂銅環(huán)依次為第一銅環(huán)、第二銅環(huán)、第三銅環(huán)、第四銅環(huán)、第五銅環(huán)、第六銅環(huán)、第七銅環(huán)、第八銅環(huán)、第九銅環(huán)、第十銅環(huán)、第十一銅環(huán)、第十二銅環(huán)；所述第一銅環(huán)、第二銅環(huán)和第三銅環(huán)的寬度均為d2，所述第四銅環(huán)、第五銅環(huán)和第六銅環(huán)的寬度均為d3，所述第七銅環(huán)、第八銅環(huán)和第九銅環(huán)的寬度均為d4，所述第十銅環(huán)、第十一銅環(huán)和第十二銅環(huán)的寬度均為d5，d2=24±0.2mm，d3=29±0.2mm，d4=34±0.2mm，d5=54±0.2mm；相鄰樹脂銅環(huán)之間設(shè)有間隙，所述間隙頂部寬度d1為2±0.2mm；所述間隙底部呈圓弧形，所述間隙側(cè)壁包括傾斜壁、弧形壁和過渡壁，所述傾斜壁一側(cè)與樹脂銅環(huán)頂表面傾斜相連，另一側(cè)與弧形壁之間設(shè)有圓弧角，所述傾斜壁與樹脂銅環(huán)頂表面之間的傾斜夾角a為113°，所述過渡壁兩側(cè)分別與弧形壁和間隙底部相連。將本發(fā)明所述的樹脂銅盤與傳統(tǒng)銅盤，安裝于具有冷卻和升溫系統(tǒng)的拋光機中，采用螺旋狀修盤方式，在溝深：300um，溝距：1mm下進行修整作業(yè)，檢測溫度對盤型影響，測量方法如附圖4所示，將校零量的表標(biāo)尺放與盤面上，根據(jù)盤溫的變化，記錄量表的變化值，分析出盤型受溫度變化，溫變情況如下表1：表1本發(fā)明所述的樹脂銅盤與傳統(tǒng)樹脂銅盤盤型隨溫度變化情況表　本發(fā)明傳統(tǒng)樹脂銅盤盤溫（℃）量表數(shù)據(jù)（um)量表數(shù)據(jù)(um)18-50-5019-47-4120-46-2921-43-2022-40-1023-39024-37925-352226-333027-324128-315029-306130-306931-298032-289033-2710134-2711235-26120將上表1繪制為曲線圖如附圖6所示，按盤型隨溫度變化系數(shù)k=（盤型變化值）/（溫度變化值）計算，本發(fā)明所述的樹脂銅盤k為1.41，傳統(tǒng)樹脂銅盤k為10，由此可見，本發(fā)明明顯降低了溫度對盤型影響，從而解決了傳統(tǒng)樹脂銅盤在拋光中，溫度控制較難的問題。將本發(fā)明所述的樹脂銅盤與傳統(tǒng)樹脂銅盤做拋光對比分析，拋光工藝過程如下：（1）取40片4吋藍寶石晶片，藍寶石晶片要求：40片整體厚度差異小于3um，單片的整體厚度差異小于3um；（2）如圖5所示，使用液態(tài)蠟將藍寶石晶片貼于平坦的陶瓷盤上，陶瓷盤規(guī)格：直徑485mm，平坦度小于2um，每個陶瓷盤粘貼10片，共粘貼4個陶瓷盤；（3）使用三角量表量取陶瓷盤上每片藍寶石晶片的中心厚度，以及單片厚度差，單片厚度差：單片晶片的內(nèi)中外三點厚度，計算出最大的厚度差異；（4）盤面布粉：采用粒徑為3~4um的鉆石拋光液，均勻噴灑在樹脂銅盤表面，保證樹脂銅盤上布滿鉆石液；（5）將步驟（2）貼好藍寶石晶片的陶瓷盤放置于樹脂銅盤上，按上軸轉(zhuǎn)速25rpm，小盤轉(zhuǎn)速40rpm，在150kg壓力下進行拋光作業(yè)30min。拋光作業(yè)過程中，每5min測量一次盤面溫度，情況如下表2：表2本發(fā)明所述的樹脂銅盤與傳統(tǒng)樹脂銅盤盤溫變化情況表本發(fā)明傳統(tǒng)樹脂銅盤拋光時間（分鐘)溫度（度）溫度（度）0181852221102422152624202826252928303029拋光作業(yè)結(jié)束后，采用本發(fā)明所述的樹脂銅盤，藍寶石晶片拋光前后厚度對比表如下表3：拋光作業(yè)結(jié)束后，采用本傳統(tǒng)樹脂銅盤，藍寶石晶片拋光前后厚度對比表如下表4：對比分析表3與表4：　拋光時間去除量去除率拋前厚度差拋后厚度差新樹脂銅盤3041.641.3881.5751.4傳統(tǒng)樹脂銅盤3027.050.9021.4755.975由此可見，本發(fā)明所述的樹脂銅盤拋光效率明顯高于傳統(tǒng)樹脂銅盤，且拋光后藍寶石晶片面型質(zhì)量更佳，良率更優(yōu)。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護范圍為準。當(dāng)前第1頁12