本實(shí)用新型涉及一種高清顯示行業(yè)用旋轉(zhuǎn)硅鋯鈦靶材，是高清顯示行業(yè)中用來(lái)生產(chǎn)功能薄膜的產(chǎn)品，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

磁控濺射靶材是通過(guò)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，而具有各種功能的薄膜是觸摸屏的必要組成部分。旋轉(zhuǎn)靶材的材料利用率能達(dá)到80%，是平面靶材利用率的2-3倍，并且濺射效率高，得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。旋轉(zhuǎn)靶材在工作時(shí)，外面是2000多度的高溫和近似于真空的環(huán)境，內(nèi)部需要通10公斤壓力的冷卻水，旋轉(zhuǎn)靶材的端口需要適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)，才能夠安裝到真空磁控濺射鍍膜設(shè)備上，滿(mǎn)足濺射工藝苛刻的要求。

高端智能型觸摸屏在生產(chǎn)過(guò)程中需要用氧化硅來(lái)作玻璃和其他功能膜層之間的過(guò)渡層，來(lái)增加兩者之間的結(jié)合力，或者作為屏蔽層，阻止玻璃中的鈉離子進(jìn)入到液晶中。并且需要氧化鈮層和氧化鈦層配合來(lái)作消影層。目前普遍采用的生產(chǎn)工藝是用真空磁控濺射鍍膜設(shè)備，分別用硅靶材、氧化鈦靶和氧化鈮靶材來(lái)在觸摸屏玻璃上鍍膜，這幾種膜層組合起來(lái)，可以把ITO層由于折射率不同產(chǎn)生的影子痕跡消除。由于純硅的導(dǎo)電性很差， 濺射困難，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低下。氧化鈦靶材容易開(kāi)裂，生產(chǎn)難度大，成本高。單獨(dú)用金屬鈦靶在氧化氣氛下濺射雖然成本低，但是工藝很難控制，膜層質(zhì)量不穩(wěn)定。為了增加硅靶材的導(dǎo)電性，有些廠家采用低純度的硅粉做原料，含鐵和鋁等雜質(zhì)元素較多，甚至還有一些廠家人為的向原料硅粉里面混入一定量的鋁粉。這樣做雖然增加了導(dǎo)電性，但是其大量含有的雜質(zhì)會(huì)影響膜層的顏色，還會(huì)造成膜層不均勻，甚至產(chǎn)生花斑使產(chǎn)品報(bào)廢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足之處，提供一種高清顯示行業(yè)用旋轉(zhuǎn)硅鋯鈦靶材。

按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，一種高清顯示行業(yè)用旋轉(zhuǎn)硅鋯鈦靶材，包括背管本體、打底層和混合層；所述背管本體上設(shè)置一層打底層，打底層上噴涂混合層；所述背管本體內(nèi)部?jī)啥司O(shè)有密封槽，背管本體外部?jī)啥艘来卧O(shè)有緊固卡槽和支撐卡槽。

所述背管本體為304不銹鋼背管。所述打底層為鋁鈦鎳打底層。

所述混合層為硅鋯鈦混合層。

所述背管本體外與打底層連接處設(shè)有承載區(qū)；所述承載區(qū)低于背管本體端口部位0.5-1.5mm。

所述承載區(qū)兩端部設(shè)置有與承載區(qū)深度尺寸相等的圓倒角，兩圓同時(shí)與背管的內(nèi)徑和承載區(qū)的外徑相切。

所述混合層的厚度為2-20mm，具體為鍍膜材料，其中鋯含量為1%-30%，鈦含量為5%-40%，其余為硅。

其原材料為高純度的硅塊、鋯塊和鈦塊在真空條件下熔化，澆鑄成合金，然后通過(guò)破碎和篩分制成一定粒度的粉末，再經(jīng)過(guò)低壓等離子噴涂制成靶材。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型端口的緊固可靠性高，在長(zhǎng)時(shí)間的旋轉(zhuǎn)中，不會(huì)發(fā)生滲漏，并且避免靶材在工作時(shí)發(fā)生晃動(dòng)；由于增加了承載區(qū)，可以使背管內(nèi)部磁鐵的磁場(chǎng)穿透性增強(qiáng)，相應(yīng)的靶材的最大可用厚度得到增加。設(shè)置的兩個(gè)相切的圓倒角，能有效的避免應(yīng)力集中導(dǎo)致的背管損壞。

本實(shí)用新型產(chǎn)品裝卸方便，可靠性高，容易濺射，膜層均勻，提高了鍍膜生產(chǎn)效率，同時(shí)提高了鍍膜質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1、背管本體；2、密封槽；3、緊固卡槽；4、支撐卡槽；5、混合層；6、承載區(qū)；7、圓倒角；8、打底層。

具體實(shí)施方式

如圖1所示：一種高清顯示行業(yè)用旋轉(zhuǎn)硅鋯鈦靶材，包括背管本體1、打底層8和混合層5；所述背管本體1上設(shè)置一層打底層8，打底層8上噴涂混合層5；所述背管本體1內(nèi)部?jī)啥司O(shè)有密封槽2，背管本體1外部?jī)啥艘来卧O(shè)有緊固卡槽3和支撐卡槽4。

所述背管本體1為304不銹鋼背管。所述打底層8為鋁鈦鎳打底層。所述混合層5為硅鋯鈦混合層。

所述背管本體1外與打底層8連接處設(shè)有承載區(qū)6；所述承載區(qū)6低于背管本體1端口部位0.5-1.5mm。

所述承載區(qū)6兩端部設(shè)置有與承載區(qū)6深度尺寸相等的圓倒角7，兩圓同時(shí)與背管1的內(nèi)徑和承載區(qū)6的外徑相切。

所述混合層5的厚度為2-20mm。

本實(shí)用新型采用304不銹鋼作背管，此種材料價(jià)格低廉，并且既不會(huì)生銹，也沒(méi)有磁性，不會(huì)影響到使用時(shí)放置在內(nèi)部的磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度。304不銹鋼背管的兩端設(shè)有密封槽、緊固槽和支撐槽，以便和生產(chǎn)設(shè)備連接。背管外部加工有承載區(qū)，在承載區(qū)底面噴涂有鋁鈦鎳合金打底層，在鋁鈦鎳合金打底層外面噴涂有硅鋯鈦混合層。鋁鈦鎳合金打底層用來(lái)增加304不銹鋼背管和硅鋯鈦混合層之間的結(jié)合強(qiáng)度，其厚度為0.1-1毫米。硅鋯鈦混合層采用等離子噴涂工藝制作。其厚度為厚度2-20毫米，其中鋯含量為1%-30%，鈦含量為5%-40%，其余為硅。

本實(shí)用新型在長(zhǎng)時(shí)間的旋轉(zhuǎn)中，不會(huì)發(fā)生滲漏，并且避免靶材在工作時(shí)發(fā)生晃動(dòng)；由于增加了承載區(qū)，可以使背管內(nèi)部磁鐵的磁場(chǎng)穿透性增強(qiáng)，相應(yīng)的靶材的最大可用厚度得到增加。設(shè)置的兩個(gè)相切的圓倒角，能有效的避免應(yīng)力集中導(dǎo)致的背管損壞。其原材料為高純度的硅塊、鋯塊和鈦塊在真空條件下熔化，澆鑄成合金，然后通過(guò)破碎和篩分制成一定粒度的粉末，再經(jīng)過(guò)低壓等離子噴涂制成靶材。