本實用新型的實施例涉及一種掩膜板和蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

蒸鍍工藝被廣泛地應(yīng)用于電子器件的鍍膜過程中，其原理是將待蒸鍍的基板放置于真空環(huán)境中，使蒸鍍材料沉積在待蒸鍍的基板表面而完成鍍膜，而待蒸鍍基板的鍍膜區(qū)域通常通過掩膜條來限定。

在蒸鍍工藝中，如果基板邊緣被刮傷易造成周邊線路斷路、封裝失效等問題，從而影響產(chǎn)品良率和產(chǎn)品壽命。基板邊緣的刮傷通常是掩膜條與玻璃基板接觸時的相對運動引起的。

目前，解決上述基板邊緣易被刮傷的問題主要從兩個方面入手，一是有效控制掩膜條邊緣的鋒利程度和粗糙度；二是減緩掩膜條與玻璃基板的相對運動，減弱二者的相互作用力。但是，為了確保掩膜條與玻璃基板接觸時的平整度要求，掩膜條的厚度通常薄至100um或者更薄，這樣不可避免的掩膜條的邊緣會很鋒利。而掩膜條是通過刻蝕工藝制成的，通過調(diào)整刻蝕工藝的參數(shù)來控制掩膜條邊緣的鋒利程度和粗糙度的難度很大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型至少一實施例提供一種掩膜板以及蒸鍍裝置。該掩膜板通過改變框架的結(jié)構(gòu)將其設(shè)計成具有不同高度的兩個平面由此形成臺階，然后將該第一掩膜條搭接在該框架上，使其主體部分與框架隔離開，避免了第一掩膜條給玻璃基板帶來的刮傷的問題，有效提升了后續(xù)產(chǎn)品的良率和壽命。

本實用新型至少一個實施例中，掩膜板包括框架和設(shè)置在所述框架內(nèi)側(cè)的第一掩膜條，其中，所述框架包括外框和內(nèi)框，所述外框位于外側(cè)且具有第一平面，所述內(nèi)框位于內(nèi)側(cè)且具有第二平面，所述第一平面高于所述第二平面由此形成臺階；所述第一掩膜條通過兩端固定在所述外框上且在所述外框內(nèi)沿所述框架的一側(cè)邊延伸，且所述第一掩膜條在所述第二平面上的正投影與所述內(nèi)框在所述側(cè)邊至少部分交疊。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第一平面和所述第二平面之間的高度差為1-10mm。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第一平面和所述第二平面之間的高度差為5mm。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，在所述第一平面上且與所述第一掩膜條延伸方向垂直的方向上，所述第一掩膜條的主體部分與所述外框之間的距離為0.5mm-2mm。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，還包括設(shè)置在所述框架內(nèi)側(cè)的第二掩膜條。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第二掩膜條通過兩端固定在所述外框上且在所述外框內(nèi)沿所述框架的另一側(cè)邊延伸，且所述第二掩膜條在所述第二平面上的正投影與所述內(nèi)框在所述另一側(cè)邊至少部分交疊。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第二掩膜條與所述第一掩膜條具有交叉區(qū)域。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第二掩膜條通過兩端固定在所述外框上且與所述第一掩膜條的中部交叉，將所述框架所包圍的區(qū)域劃分為多個子區(qū)域。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條的厚度相等。

例如，在本實用新型一實施例中，在該掩膜板中，所述第一掩膜條和所述第二掩膜條的厚度均為50-100μm。

本實用新型至少一個實施例中，該蒸鍍裝置包括上述中的掩膜板。

例如，在本實用新型一實施例中，該蒸鍍裝置還包括與所述掩膜板相對設(shè)置的磁體，所述第一掩膜條具有磁性，所述第一掩膜條可被所述磁體吸附而移動。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實用新型的一些實施例，而非對本實用新型的限制。

圖1為一種掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a-2b為圖2中所示掩膜板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實用新型實施例提供的掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為圖3中所示掩膜板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型實施例提供的框架的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a-4d為圖4中所示框架的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a為一種掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為將圖5a中的掩膜板用于蒸鍍裝置中的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

100-掩膜板；101-框架；1011-外框；1012-內(nèi)框；102-掩膜條；1021-第一掩膜條；1022-第二掩膜條；103-第一平面；104-第二平面；105-臺階；201-磁體；202-待蒸鍍的玻璃基板。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋緦嵱眯滦偷膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本實用新型所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

圖1為一種掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該掩膜板100包括框架101和固定在框架101上的掩膜條102。從圖1中可以看出，該掩膜板100包括六條掩膜條102，其中四條掩膜條固定在框架101的周邊并與框架直接接觸，該四條掩膜條在與框架接觸的平面上的正投影與該框架交疊，另外兩條掩膜條搭接在框架101上。發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)：固定在框架101周邊的四條掩膜條是造成基板被刮傷的關(guān)鍵因素，由于周邊的掩膜條的主體部分與框架101直接接觸，周邊的掩膜條在受到磁體的磁力吸引作用力時，其翻轉(zhuǎn)運動會受到限制，會造成掩膜條向上運動與玻璃基板刮擦的幾率增大，即掩膜條自身的自由度會受到很多限制，造成掩膜條與玻璃基板的相互作用力增加，從而造成對玻璃基板的刮傷。如果從增強掩膜條自身的自由度入手，可減緩掩膜條與玻璃基板的相對運動來解決基板邊緣被刮傷問題。例如，將周邊的四條掩膜條與另外兩條掩膜條一樣制作成與框架搭接的形式，掩膜條對玻璃基板的刮傷問題會得到明顯的改善。但這樣又會造成蒸鍍時的漏膜現(xiàn)象，從而降低了產(chǎn)品的良率。針對上述問題，本實用新型通過改變框架的結(jié)構(gòu)將其設(shè)計成具有不同高度的兩個平面由此形成臺階，然后將該第一掩膜條搭接在該框架的外框上，使其主體部分與框架不接觸，避免了第一掩膜條給玻璃基板帶來的刮傷的問題，有效提升了后續(xù)產(chǎn)品的良率和壽命。

本實用新型至少一實施例提供一種掩膜板，該掩膜板包括框架和設(shè)置在框架內(nèi)側(cè)的第一掩膜條，框架包括位于外側(cè)且具有第一平面的外框和位于內(nèi)側(cè)且具有第二平面的內(nèi)框，第一平面高于第二平面由此形成臺階；第一掩膜條通過兩端固定在外框上且在該外框內(nèi)沿框架的一側(cè)邊延伸，且第一掩膜條在第二平面上的正投影與內(nèi)框在側(cè)邊至少部分交疊。

下面通過幾個實施例進(jìn)行說明。

實施例一

本實施例提供一種掩膜板，圖2為本實用新型實施例提供的掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2a和圖2b為圖2中所示掩膜板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2和圖2a、圖2b所示，該掩膜板100包括框架101和設(shè)置在框架101內(nèi)側(cè)的第一掩膜條1021，框架101包括外框1011和內(nèi)框1012，外框1011位于外側(cè)且具有第一平面103，內(nèi)框1012位于內(nèi)側(cè)且具有第二平面104，相對于該框架101的底面第一平面103高于第二平面104由此形成臺階105，第一掩膜條1021通過兩端固定在外框1011上且在外框1011內(nèi)沿框架101的一側(cè)邊延伸，第一掩膜條1021在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在側(cè)邊有部分交疊區(qū)域。在圖2中，在縱向設(shè)置了兩條第一掩膜條1021，分別位于框架101的左側(cè)和右側(cè)，每一第一掩膜條1021分別通過兩個端部固定在外框1011上，且分別位于框架101在左側(cè)和右側(cè)的外框內(nèi)(即除端部外的主體部分位于外框內(nèi))，由此第一掩膜條1021在第二平面104上的正投影與外框1011沒有交疊區(qū)域。該第一掩膜條1021的端部的固定方式可以為焊接或鉚接等。

例如，內(nèi)框1012和外框1011一體成型，形成框架本體后再將外框靠近其限定區(qū)域的一側(cè)刻蝕掉一定的厚度由此形成具有第一平面103和第二平面104的臺階105，且第一平面103高于第二平面104?；蛘撸蚣?01可以通過沖壓一次成型。亦或者，內(nèi)框1012和外框1011分別成型后再將二者連接(例如焊接)成包含第一平面103和第二平面104的整體，且第一平面103高于第二平面104由此形成臺階105。

例如，根據(jù)第一掩膜條1021在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在側(cè)邊交疊區(qū)域大小的不同，沿圖2中的A-A1的截面圖也不同。需要注意的是，剖面線A-A1位于第一掩膜條1021的中心線。例如，如圖2a所示，當(dāng)?shù)谝谎谀l1021與內(nèi)框1012的交疊區(qū)域較小而沒有超出其中心線時，第一掩膜條1021兩端的部分在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在該側(cè)邊有部分交疊區(qū)域，即第一掩膜條1021的端部在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在該側(cè)邊有交疊。如圖2b所示，當(dāng)?shù)谝谎谀l1021與內(nèi)框1012的交疊區(qū)域較大從而超出其中心線時，第一掩膜條1021的主體部分和兩端部分在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在側(cè)邊處均有交疊區(qū)域。結(jié)合圖2a和圖2b可以看出，第一掩膜條1021搭接在外框1011上，架設(shè)在內(nèi)框1012和臺階105之上，在垂直于第一掩膜條1021延伸方向的方向上，第一掩膜條1021在第二平面104上的正投影的一部分與內(nèi)框1012在側(cè)邊交疊，另一部分落在內(nèi)框1012限定的區(qū)域內(nèi)。

例如，如圖2a或2b所示，第一平面103和第二平面104之間的高度差h為1-10mm。示例性地，第一平面103和第二平面104之間的高度差h為5mm。在這樣的高度差范圍內(nèi)，當(dāng)?shù)谝谎谀l1021受到外界作用力運動時，其主體部分不與內(nèi)框接觸，其自由度不會受到限制。

例如，如圖2所示，在第一平面103上且與第一掩膜條1021延伸方向垂直的方向上，第一掩膜條1021的主體部分與外框1011之間的距離L為0.5mm-2mm，示例性地，L為1mm。L在上述范圍內(nèi)不會因為第一掩膜條1021受到外界的作用力時與外框1011接觸而造成對玻璃基板的刮傷程度增大的問題。

例如，第一掩膜條1021通過焊接的方式固定在外框上，該焊接的方式包括點焊等。

例如，如圖2所示，該掩膜板100還可以包括設(shè)置在框架101內(nèi)側(cè)的第二掩膜條1022。該第二掩膜條1022固定在外框1011上且在外框1011內(nèi)沿框架101的另一側(cè)邊延伸。與如上所述的第一掩膜條1021類似地，第二掩膜條1022在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在另一側(cè)邊至少部分交疊，例如，此處的部分交疊包括第二掩膜條1022的端部在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在另一側(cè)邊的交疊和第二掩膜條1022的主體部分在第二平面104上的正投影與內(nèi)框1012在另一側(cè)邊的交疊。

在圖2中，分別在框架101的上側(cè)和下側(cè)橫向設(shè)置了兩條第二掩膜條1022，每條第二掩膜條1022分別通過兩個端部固定在外框1011上，且分別位于框架101在上側(cè)和下側(cè)的外框內(nèi)(即除端部外的主體部分位于外框內(nèi))，由此第二掩膜條1022在第二平面104上的正投影與外框1011沒有交疊區(qū)域。該第二掩膜條1022的端部的固定方式可以為焊接或鉚接等。

例如，如圖2所示，在框架101的中部還包括其他橫向延伸的第二掩膜條1022，這些第二掩膜條1022通過兩個端部固定在外框1011上且與第一掩膜條1021的中部交叉，由此將框架101所包圍的區(qū)域劃分為多個子區(qū)域。根據(jù)實際需要，此處形成的子區(qū)域的大小可以相同，也可以不相同。例如，還可以在外框上固定多個第一掩膜條1021，將圖2中框架101所包圍的區(qū)域劃分為更多的子區(qū)域。

例如，如圖2所示，第二掩膜條1022與第一掩膜條1021具有交叉區(qū)域。交叉區(qū)域處的厚度為第二掩膜條1022與第一掩膜條1021的厚度之和，即第二掩膜條1022與第一掩膜條1021彼此接觸。

例如，如圖3和圖3a所示，第一掩膜條1021和第二掩膜條1022的厚度相等，在交叉區(qū)域第一掩膜條1021和第二掩膜條1022分別被刻蝕掉一半的厚度，交叉區(qū)域處的厚度為一個掩膜條的厚度，由此當(dāng)?shù)谝谎谀l1021和第二掩膜條1022緊貼待蒸鍍的基板時不會因為交叉區(qū)域處不平整造成基板上蒸鍍膜不均勻的問題。

例如，第一掩膜條1021和第二掩膜條1022的厚度均為50-100μm，例如50μm、75μm、100μm等。

需要說明的是，圖2和圖3中示出的第一掩膜條1021和第二掩膜條1022的條數(shù)只是示例性的，很顯然并不限于圖2中所示。根據(jù)需要，還可以在框架的限定區(qū)域內(nèi)設(shè)置多個第一掩膜條1021，或者設(shè)置多個第二掩膜條1022，以形成所需的成膜區(qū)域的大小，例如還可以在框架橫向的中部設(shè)置其他第一掩膜條1021。

圖4為本實用新型實施例提供的框架的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖4a-4d為圖4中所示框架的截面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4a所示，內(nèi)框在第一平面上的正投影與外框的一側(cè)邊對接，或者如圖4b和4c所示,內(nèi)框在第一平面上的正投影與外框的一側(cè)邊至少部分重疊，再或者如圖4d所示，內(nèi)框的與第二平面相對的一面設(shè)置成斜坡狀，這樣在蒸鍍過程中更利于在邊沿區(qū)域的均勻涂覆蒸鍍材料。

實施例二

本實用新型的實施例還提供一種蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置包括實施例一中的掩膜板。

例如，圖5a為一種掩膜板的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖5b為將圖5a中的掩膜板用于蒸鍍裝置中的截面結(jié)構(gòu)示意圖，例如，圖5b中掩膜板的截面是從圖5a中D-D1線切割。

例如，圖5b所示，該蒸鍍裝置還包括與所述掩膜板相對設(shè)置的磁體201。此時磁體和掩膜板100分別位于待蒸鍍的玻璃基板202的兩側(cè)。在此情形，第一掩膜條1021由具有磁性的材料制成，例如Fe、Ni或者二者形成的合金材料，通過磁體201對第一掩膜條的磁力吸引作用而讓第一掩膜條緊貼待蒸鍍的玻璃基板。

例如，第二掩膜條也具有磁性，第二掩膜條通過兩端固定在外框上，還可以設(shè)置多個第二掩膜條，第二掩膜條可以與第一掩膜條的中部交叉，將框架所包圍的區(qū)域劃分為多個子區(qū)域，通過磁體對第一掩膜條和第二掩膜條的磁力吸引作用讓二者緊貼待蒸鍍的玻璃基板，從而形成多個成膜區(qū)。

本實用新型的實施例提供的掩膜板和蒸鍍裝置具有以下有益效果：通過改變框架的結(jié)構(gòu)將其設(shè)計成具有不同高度的兩個平面由此形成臺階，然后將該第一掩膜條搭接在該框架上，使其兩端固定在外框上，而主體部分與框架不接觸，避免了第一掩膜條給玻璃基板帶來的刮傷的問題，有效提升了后續(xù)產(chǎn)品的良率和壽命。

有以下幾點需要說明：

(1)本實用新型實施例附圖只涉及到與本實用新型實施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。

(2)為了清晰起見，在用于描述本實用新型的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實際的比例繪制?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(3)在不沖突的情況下，本實用新型的實施例及實施例中的特征可以相互組合以得到新的實施例。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。