技術(shù)總結(jié)
低溫低壓類金剛石膜化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔，其特征在于它由腔體內(nèi)的配氣盤、腔體、氣體流量控制器、靜電吸盤、8英寸晶圓和托盤組成，所述配氣盤放置于腔體內(nèi)部上方，用于生產(chǎn)中輸入反應(yīng)氣體；所述靜電吸盤放置于配氣盤下方，用于吸附晶圓和控制晶圓在反應(yīng)過程中的溫度；所述托盤和晶圓置于靜電吸盤上；此反應(yīng)刻蝕腔可大規(guī)模用來生長類金剛石薄膜。將應(yīng)用材料的MxP刻蝕腔作為基本腔體，并在它的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，使之成為大規(guī)模生產(chǎn)類金剛石薄膜的專用設(shè)備。并在此基礎(chǔ)上研究類金剛石薄膜在不同條件下的成分，晶體結(jié)構(gòu)，和物理特性。由于所用的晶圓是6英寸或更小的晶圓，因此8英寸的MxP腔需要有下列的改進(jìn)：晶圓托盤和對晶圓托盤的溫度控制。

技術(shù)研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司
文檔號碼：201620672597
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.30
技術(shù)公布日：2016.12.28