1.一種研磨方法，是對(duì)在表面形成有凸部的晶片進(jìn)行研磨的方法，其特征在于，
該研磨方法包括如下工序：
使支承研磨墊的研磨臺(tái)旋轉(zhuǎn)，
將晶片的表面按壓于所述研磨墊，
在所述研磨臺(tái)最近的規(guī)定次數(shù)的旋轉(zhuǎn)期間內(nèi)取得來(lái)自設(shè)置于所述研磨臺(tái)的膜厚傳感器的多個(gè)膜厚信號(hào)，
根據(jù)所述多個(gè)膜厚信號(hào)決定多個(gè)測(cè)定膜厚，
基于所述多個(gè)測(cè)定膜厚決定所述凸部的最頂部的推定膜厚，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚對(duì)晶片的研磨進(jìn)行監(jiān)視。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
對(duì)由所述最近的多個(gè)測(cè)定膜厚和所對(duì)應(yīng)的所述研磨臺(tái)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)特定的多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定回歸線，
通過(guò)將所述研磨臺(tái)的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述回歸線的函數(shù)來(lái)決定推定膜厚。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序還包括如下工序：
在決定了所述回歸線之后將位于所述回歸線下側(cè)的數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少1個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)從所述多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)排除，
對(duì)所述多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)中的將所述至少1個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)排除后所剩余的數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定新的回歸線，
通過(guò)將所述研磨臺(tái)的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述新的回歸線的函數(shù)來(lái)決定推定膜厚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
對(duì)由所述最近的多個(gè)推定膜厚和所對(duì)應(yīng)的所述研磨臺(tái)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)特定的多個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定回歸線，
通過(guò)將規(guī)定的偏置值與將所述研磨臺(tái)的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述回歸線的函數(shù)而獲得的值相加，來(lái)決定推定膜厚。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
生成所述最近的多個(gè)測(cè)定膜厚的概率分布，
決定更小的測(cè)定膜厚的概率成為規(guī)定的值的推定膜厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述膜厚傳感器是具有脈沖點(diǎn)亮光源的光學(xué)式傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述膜厚傳感器是渦電流傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚決定晶片的研磨終點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚變更晶片的研磨條件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚的當(dāng)前值和過(guò)去值，在所述膜厚傳感器接下來(lái)取得膜厚信號(hào)之前，對(duì)所述凸部的最頂部的膜厚進(jìn)行預(yù)測(cè)，基于預(yù)測(cè)出的所述膜厚決定晶片的研磨終點(diǎn)。