本發(fā)明涉及澆注包配件，具體地，涉及澆注包定型包嘴。

背景技術：

熔融金屬澆注包指的是一貯存、運輸和澆注高溫熔融金屬的容器。熔融金屬澆注包的外殼由結構鋼板制成，以支撐熔融金屬的重量，其內襯覆著耐火材料，以隔離熔融金屬的熱量。澆注包定型包嘴位于熔融金屬澆注包的上部，以便于將熔融金屬澆注到鑄模中。

現有的澆注包定型包嘴是由混凝土制造而成，這種澆注包定型包嘴雖然能夠起到金屬熔液引流的作用，但是該澆注包定型包嘴上往往會出現大量的掛渣，同時包嘴長時間使用后也極易出現裂痕。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的是提供一種澆注包定型包嘴，該澆注包定型包嘴具有優(yōu)異的耐高溫和低掛渣的性能，進而提高壽命。

為了實現上述目的，本發(fā)明提供了一種澆注包定型包嘴，包括斜劈狀的基體，基體自高端至低端的中部向下凹陷有澆注槽，澆注槽的頂部的兩側向上延伸有阻隔板；其中，澆注包定型包嘴包括耐火磚和耐火磚的上方的包覆層，包覆層自下而上依次包括第一粘結層、石棉層、第二粘結層、硫酸鋇晶須層、第三粘結層和納米碳化硅層。

優(yōu)選地，澆注槽為弧形槽。

優(yōu)選地，硫酸鋇晶須層中硫酸鋇晶須至少滿足以下條件：直徑為1-8um，長度為30-200um，長徑比為10-200。

優(yōu)選地，納米碳化硅層11中納米碳化硅的粒徑為30-60nm。

優(yōu)選地，第一粘結層、第二粘結層、第三粘結層均為混凝土層。

優(yōu)選地，第一粘結層、第二粘結層、第三粘結層的厚度各自獨立為0.8-1.2cm。

優(yōu)選地，石棉層、硫酸鋇晶須層和納米碳化硅層的厚度比為1：0.4-0.8：0.2-0.4。

優(yōu)選地，石棉層的厚度為0.4-0.6cm。

根據上述技術方案，本發(fā)明提供的澆注包定型包嘴通過第一粘結層、石棉層、第二粘結層、硫酸鋇晶須層、第三粘結層和納米碳化硅層的協(xié)同作用使得該澆注包定型包嘴具有優(yōu)異的耐高溫和低掛渣的性能，進而提高壽命；其中，納米碳化硅層通過其納米結構以及碳化硅的高穩(wěn)定性減少澆注包定型包嘴的表面的掛渣量，同時也能夠起到隔溫保護第三粘結層的作用；硫酸鋇晶須層和石棉層能夠進一步地起到隔溫保護第一粘結層、第二粘結層的作用。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

附圖說明

附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是本發(fā)明提供的澆注包定型包嘴的結構示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的澆注包定型包嘴的內部結構剖視圖。

附圖標記說明

1、基體 2、高端

3、澆注槽 4、阻隔板

5、耐火磚 6、第一粘結層

7、石棉層 8、第二粘結層

9、硫酸鋇晶須層 10、第三粘結層

11、納米碳化硅層

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

在本發(fā)明中，在未作相反說明的情況下，“上、下、高、低”等包含在術語中的方位詞僅代表該術語在常規(guī)使用狀態(tài)下的方位，或為本領域技術人員理解的俗稱，而不應視為對該術語的限制。

本發(fā)明提供了一種澆注包定型包嘴，如圖1和圖2所示，包括斜劈狀的基體1，基體1自高端2至低端的中部向下凹陷有澆注槽3，澆注槽3的頂部的兩側向上延伸有阻隔板4；其中，澆注包定型包嘴包括耐火磚5和耐火磚5的上方的包覆層，包覆層自下而上依次包括第一粘結層6、石棉層7、第二粘結層8、硫酸鋇晶須層9、第三粘結層10和納米碳化硅層11。

上述的澆注包定型包嘴通過第一粘結層6、石棉層7、第二粘結層8、硫酸鋇晶須層9、第三粘結層10和納米碳化硅層11的協(xié)同作用使得該澆注包定型包嘴具有優(yōu)異的耐高溫和低掛渣的性能，進而提高壽命；其中，納米碳化硅層11通過其納米結構以及碳化硅的高穩(wěn)定性減少澆注包定型包嘴的表面的掛渣量，同時也能夠起到隔溫保護第三粘結層10的作用；硫酸鋇晶須層9和石棉層7能夠進一步地起到隔溫保護第一粘結層6、第二粘結層8的作用。

在本發(fā)明中，澆注槽3的具體形狀可以在寬的范圍內選擇，但是為了使金屬熔液能夠更快捷地自澆注包定型包嘴中流出，進而減小澆注包定型包嘴的表面的掛渣量，優(yōu)選地，澆注槽3為弧形槽。

同時，在本發(fā)明中，硫酸鋇晶須層9中硫酸鋇晶須的尺寸可以在寬的范圍內選擇，但是為了使金屬熔液能夠更快捷地自澆注包定型包嘴中流出，進而減小澆注包定型包嘴的表面的掛渣量，優(yōu)選地，硫酸鋇晶須層9中硫酸鋇晶須至少滿足以下條件：直徑為1-8um，長度為30-200um，長徑比為10-200。

在本發(fā)明中，納米碳化硅層11中納米碳化硅的粒徑可以在寬的范圍內選擇，但是為了更好地起到隔溫的作用，優(yōu)選地，納米碳化硅層11中納米碳化硅的粒徑為30-60nm。

此外，在本發(fā)明中，第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10的具體材質可以在寬的范圍內選擇，但是從成本上考慮，優(yōu)選地，第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10均為混凝土層。

另外，在本發(fā)明中，第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10的厚度可以在寬的范圍內選擇，但是為了使第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10之間能夠發(fā)揮出更優(yōu)異的協(xié)同作用，優(yōu)選地，第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10的厚度各自獨立為0.8-1.2cm。

在上述實施方式的基礎上，在本發(fā)明中，石棉層7、硫酸鋇晶須層9和納米碳化硅層11的厚度比可以在寬的范圍內選擇，但是為了使第一粘結層6、第二粘結層8、第三粘結層10之間能夠發(fā)揮出更優(yōu)異的協(xié)同作用，優(yōu)選地，石棉層7、硫酸鋇晶須層9和納米碳化硅層11的厚度比為1：0.4-0.8：0.2-0.4。

最后，在上述內容的基礎上，石棉層7的厚度可以在寬的范圍內選擇，但是為了使各層能夠發(fā)揮出最優(yōu)的作用，優(yōu)選地，石棉層7的厚度為0.4-0.6cm。

以上結合附圖詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內容。