1.一種磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述減薄拋光方法包括如下步驟：
S1、物理研磨步驟，將磷化銦晶圓片在研磨盤上進(jìn)行物理研磨，將磷化銦晶圓片厚度從300～500μm減薄至180～240μm；
S2、化學(xué)腐蝕步驟，將經(jīng)過物理研磨的磷化銦晶圓片放置于化學(xué)腐蝕裝置中，在濃鹽酸中進(jìn)行化學(xué)腐蝕；
S3、化學(xué)機(jī)械拋光步驟，將經(jīng)過化學(xué)腐蝕后的磷化銦晶圓片在尼龍絨布上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述物理研磨步驟中，使用主要成分為氧化鋁粉的研磨液，將磷化銦晶圓片在石英研磨盤上進(jìn)行物理研磨。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述物理研磨步驟中，減薄速率為5～10μm/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述化學(xué)腐蝕步驟中，在30℃～40℃的濃鹽酸中，在磁力攪拌下進(jìn)行化學(xué)腐蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述化學(xué)腐蝕步驟中，減薄速率為20～30μm/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光步驟中，使用NaOH-H2O2系列拋光液，將經(jīng)過化學(xué)腐蝕后的磷化銦晶圓片在尼龍絨布上進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的磷化銦晶圓片減薄拋光方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光步驟中，所述拋光速率為0.3～0.6μm/min。
8.一種化學(xué)腐蝕裝置，其特征在于，所述化學(xué)腐蝕裝置包括底座和把手；
所述底座的底部鏤空設(shè)置，且所述底座的四周邊緣垂直設(shè)置有邊框，所述底座的底部和邊框限定磷化銦晶圓片的收容腔；所述邊框上還設(shè)置有安裝耳，所述把手的兩端分別凹陷設(shè)置有形狀與所述安裝耳形狀相對(duì)應(yīng)的安裝槽，所述把手通過所述安裝耳和安裝槽拆卸地安裝于所述底座上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)腐蝕裝置，其特征在于，所述底部開設(shè)有若干鏤空通孔，所述若干鏤空通孔以環(huán)形陣列形式排布于所述底座的底部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)腐蝕裝置，其特征在于，所述安裝耳包括連接部和安裝部，所述安裝部通過所述連接部設(shè)置于所述邊框的頂面，所述連接部的厚度和寬度分別小于所述安裝部的厚度和寬度。