技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，包括真空室、非平衡磁控電極、輔助磁極和襯底承載架，襯底承載架設(shè)置在真空室的下側(cè)，非平衡磁控電極設(shè)置在真空室上側(cè)的中心位置處，輔助磁極設(shè)置在非平衡磁控電極的兩側(cè)；或者非平衡磁控電極均勻分布在以真空室上側(cè)中心為圓心的同一圓周上，輔助磁極均勻分布在真空室內(nèi)壁的等高線上和/或設(shè)置在真空室上側(cè)的中心位置處，當(dāng)存在偶數(shù)個(gè)非平衡磁控電極時(shí)，至少一對(duì)并排設(shè)置的非平衡磁控電極的兩側(cè)設(shè)置有輔助磁極，當(dāng)存在奇數(shù)個(gè)非平衡磁控電極時(shí)，均勻分布在真空室內(nèi)壁的等高線上的輔助磁極的個(gè)數(shù)等于非平衡磁控電極的個(gè)數(shù)。通過(guò)本發(fā)明可以提高沉積薄膜在成分、微觀結(jié)構(gòu)及厚度上的均勻性高。

技術(shù)研發(fā)人員：石永敬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶科技學(xué)院
文檔號(hào)碼：201610906281
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.18
技術(shù)公布日：2017.05.10