技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的硅酸釔镥晶體的表面修形方法，包括以下步驟：分別利用磨料對硅酸釔镥晶體進(jìn)行N次研磨，再利用拋光料進(jìn)行拋光，N為≥2的正整數(shù)。磨料中含有粒徑為5微米～80納米的剛玉，且第N次研磨采用的磨料中的剛玉的粒徑小于第N?1次研磨采用的磨料中的剛玉的粒徑。拋光料含有粒徑為1～3微米的二氧化鈰。利用本發(fā)明中的加工方法，可以將硅酸釔镥晶體表面的面形精度控制在100nm以下，并且表面粗糙度低于<0.5nm，可滿足正電子發(fā)射計算機(jī)斷層掃描裝置對其的要求。

技術(shù)研發(fā)人員：李亞國;袁志剛;許劍鋒;孫權(quán)權(quán);王健;許喬;徐曦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都精密光學(xué)工程研究中心
文檔號碼：201610556656
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.15
技術(shù)公布日：2016.12.07