本發(fā)明涉及加工領(lǐng)域，具體是一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置。

背景技術(shù)：

隨著人民生活水平的不斷提高，繼Si、GaAs之后，GaN成為第三代半導體材料，它使激光二極管和發(fā)光二極管又上了一個新臺階，但它本身不易制成體材料，必須在其他襯底材料上生長薄膜，而玉石就是其最主要的襯底材料，作為襯底材料對晶體表面有著超光滑的要求，研究表明襯底的表面加工水平?jīng)Q定了器件的質(zhì)量，尤其是用于GaN生長的玉石襯底片的精密加工技術(shù)是目前研究的重點；目前玉石在切割前只有減薄和拋光兩個粗略的步驟，而此法生產(chǎn)的玉石片粗糙度較大，表面還有較深劃傷，需要從新研磨拋光，增加了玉石片的成本。

發(fā)明專利內(nèi)容

本發(fā)明專利提供一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的不節(jié)能環(huán)保的問題。

技術(shù)方案：一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置，包括以下步驟：A.粘片將玉石片長有器件的一面用粘片設(shè)備粘在玻璃片上；B.粗磨利用粗磨機將玉石襯底的厚度減薄至150μm左右，粗糙度為2.0μm左右；在加工條件為溫度25-35℃，壓力1-5kgC.細磨用細磨機將玉石襯底的厚度減薄至90～100μm，粗糙度為0.5μm左右，厚度均勻度在2.0μm以內(nèi)；D.粗拋用粗拋機和粗拋液對玉石襯底進行拋光，粗糙度0.1μm，厚度均勻度1.0μm以內(nèi)；E.精拋用精拋機和精拋液對玉石襯底進行拋光，使粗糙度到20μm以下。作為優(yōu)化，所述加工方法的加工條件為溫度25-35℃，壓力1-5kg。

有益效果：本發(fā)明所述的一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置，使玉石在切割時表面平整度得到加強，降低了加工成本。

附圖說明

無

具體實施方式

實施例：

本實施例包括：本發(fā)明專利所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：本發(fā)明屬于一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置，一種帶保溫復位補償外壓型膨脹節(jié)裝置，包括以下步驟：粘片，粗磨，細磨，粗拋，精拋；在加工條件為溫度25℃，壓力1kg的情況下，將玉石片長有器件的一面用粘片設(shè)備粘在玻璃片上，利用粗磨機將玉石襯底的厚度減薄至150μm左右，粗糙度為2.0μm左右，用細磨機將玉石襯底的厚度減薄至90μm，粗糙度為0.5μm左右，厚度均勻度在2.0μm以內(nèi)，用粗拋機和粗拋液對玉石襯底進行拋光，粗糙度0.1μm，厚度均勻度1.0μm以內(nèi)，用精拋機和精拋液對玉石襯底進行拋光，使粗糙度到20μm以下。

顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對本發(fā)明的實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。