技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種通過化學(xué)氣相沉積生長石墨烯的方法，包括：裝載至少一基板至爐管中；引入至少含有含氧碳源的反應(yīng)氣體至爐管中；加熱反應(yīng)氣體，且使用紫外光源對反應(yīng)氣體照射紫外光，以分解含氧碳源；以及通過碳源的分解釋放出的碳原子來沉積石墨烯膜于所述至少一基板的表面上。本發(fā)明可以將低缺陷的石墨烯膜直接生長于基板的表面。

技術(shù)研發(fā)人員：邱壬官;葉昭輝;邱博文
受保護(hù)的技術(shù)使用者：炬力奈米科技有限公司
文檔號碼：201610471854
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.24
技術(shù)公布日：2017.05.31