技術總結
本發(fā)明涉及用于改善流動均勻性的具有面板孔的低體積噴頭。在半導體處理裝置中的噴頭可包括配置成改善原子層沉積期間的流動均勻性的面板通孔。該噴頭可包括用于分配氣體到襯底上的具有多個通孔的面板，其中所述面板包括小直徑的通孔。例如，所述通孔中的每一個的直徑可小于約0.04英寸。此外或可替代地，該噴頭還可包括邊緣通孔，這些邊緣通孔沿具有大于正在處理的襯底直徑的直徑的環(huán)被周向地定位。該噴頭可以是低體積噴頭并且可包括鄰近與噴頭的充氣容腔連通的一個或多個氣體入口的擋板。具有小直徑通孔和/或邊緣通孔的面板能夠改善總的膜非均勻性，能夠改善在襯底邊緣處的方位角膜非均勻性，并且能夠在較高RF功率下執(zhí)行操作。

技術研發(fā)人員：拉梅什·錢德拉塞卡拉;薩昂格魯特·桑普朗;尚卡爾·斯娃米納森;弗蘭克·L·帕斯夸里;康胡;阿德里安·拉瓦伊;愛德華·奧古斯提尼亞克;行則崎山;克洛伊·巴爾達賽羅尼;薩沙撒耶·瓦拉達拉簡;巴莎·薩賈德;詹妮弗·L·彼得拉利亞
受保護的技術使用者：朗姆研究公司
文檔號碼：201610345779
技術研發(fā)日：2016.05.23
技術公布日：2016.11.30