發(fā)明背景本發(fā)明涉及具有增強(qiáng)的屏蔽性質(zhì)的塑料容器，特別是在熱處理后例如在將容器及其內(nèi)含物加熱至高達(dá)270℉的應(yīng)用中保留有增強(qiáng)的屏蔽性質(zhì)的塑料容器。這些應(yīng)用包括滅菌、巴氏消毒或釜式滅菌過程。本發(fā)明還涉及制造這些塑料容器的方法。
背景技術(shù)：
：用于形成pet容器的吹塑模制法在本領(lǐng)域中是公知的。對于許多應(yīng)用來說，pet塑料容器已代替玻璃容器或提供了玻璃容器的可替代物。某些包裝在吹塑模制的pet容器中的食品必須至少在高溫即高達(dá)195℉下裝填，并且在某些情況下，必須在高達(dá)230℉和更高溫度下使用巴氏消毒或釜式滅菌進(jìn)行處理。巴氏消毒和釜式滅菌方法通常用于消毒固體或半固體食品例如腌菜和泡菜。所述食品可以在低于180℉的溫度下與液體一起包裝在容器中，然后密封并加蓋，或者可以將所述食品置于容器中，然后裝填以前可能已加熱過的液體，隨后將密封并加蓋的容器的整個(gè)內(nèi)含物加熱至較高溫度。當(dāng)在本文中使用時(shí)，“高溫”巴氏消毒和釜式滅菌是將產(chǎn)品暴露于約176℉至約270℉的溫度下的滅菌過程。巴氏消毒和釜式滅菌與熱填充加工的區(qū)別在于包括將所述裝填的容器加熱至通常高于200℉的指定溫度，直至所述裝填的容器的內(nèi)含物達(dá)到指定溫度例如175℉預(yù)定的時(shí)間長度。也就是說，熱填充的容器的外部溫度可能高于200℉，使得固體或半固體產(chǎn)品的內(nèi)部溫度達(dá)到約175℉。巴氏消毒和釜式滅菌過程也可以包括向容器施加超壓。對于對流體例如氧(進(jìn)入)和二氧化碳(外出)具有高的氣體屏蔽要求的塑料容器的使用來說，這種加工的苛刻性提出了顯著挑戰(zhàn)。一種出色的屏蔽材料是基于氧化硅的屏蔽涂層，其通常使用商業(yè)上可用的真空化學(xué)氣相沉積方法施加到容器的內(nèi)部。與沒有所述氧化硅涂層的相同容器相比，這些新鮮涂層的容器的屏蔽改善因子(bif)可以高達(dá)200x或更高。在巴氏消毒和釜式滅菌過程中，容器通常被容器內(nèi)的高溫和內(nèi)部壓力扭曲，這可以對所述氧化硅涂層施加應(yīng)力并在所述涂層中形成微裂縫。這導(dǎo)致bif劣化了20x或更多，由此產(chǎn)生bif不超過10x的凈結(jié)果。當(dāng)然，劣化的bif最終反映到被包裝產(chǎn)品的保質(zhì)期縮短。因此，在本領(lǐng)域中，對具有基于氧化硅的屏蔽涂層的吹塑模制的pet容器的生產(chǎn)方法，存在著需求，其中所述屏蔽涂層能夠抵抗巴氏消毒或釜式滅菌過程的苛刻性而不犧牲顯著部分的通過施加所述涂層獲得的bif。發(fā)明概述一方面，本發(fā)明提供了一種用于向pet容器施加氧化硅屏蔽涂層的方法，其中所述pet容器包含具有內(nèi)表面和外表面的壁，所述方法包括下述步驟：(a)加熱pet容器以使得至少所述外表面處于約200℉至約383℉的溫度；(b)在所述pet容器的至少所述外表面的溫度處于約200℉至約383℉的溫度時(shí)，通過在所述pet容器的至少所述內(nèi)表面上施加至少一層氧化硅屏蔽層，形成涂層的pet容器；以及(c)在步驟b后冷卻所述涂層的pet容器。另一方面，本發(fā)明提供了一種包含氧化硅屏蔽涂層并且作為所述氧化硅屏蔽涂層的結(jié)果而具有屏蔽改善因子(bif)的pet容器，其中所述pet容器在暴露于熱滅菌過程后保留至少17％的bif。另一方面，本發(fā)明提供了一種涂層的pet容器，其中所述pet容器包含具有內(nèi)表面和外表面的壁，并通過包含下述步驟的方法來制造：(a)加熱pet容器以使得至少所述外表面處于約200℉至約383℉的溫度；(b)在所述pet容器的至少所述外表面的溫度處于約200℉至約383℉的溫度時(shí)，在所述pet容器的至少所述內(nèi)表面上施加至少一層氧化硅屏蔽層，以形成所述涂層的pet容器；以及(c)在步驟b后冷卻所述涂層的pet容器，其中所述涂層的pet容器對氧具有屏蔽改善因子(bif)，并且其中在所述涂層的pet容器暴露于熱滅菌過程后，所述對氧的bif基本上得以保留。附圖簡述正如在附圖中說明的，從下面本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的更具體的描述，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，在所述附圖中相似的指稱數(shù)字通常指示一致的、功能上相似的和/或結(jié)構(gòu)上相似的要素。圖1是符合本發(fā)明的罐型pet容器的透視圖；圖2是形成15oz容器的圓筒段的pet材料的dsc熱譜圖；并且圖3是從其獲取圖3中所分析的樣品的同一容器的門附近的底部區(qū)的dsc熱譜圖。發(fā)明詳述下面詳細(xì)討論本發(fā)明的實(shí)施方式。在描述實(shí)施方式中，為清楚起見使用了特定術(shù)語。然而，本發(fā)明不打算受限于所選的特定術(shù)語。盡管討論了特定示例性實(shí)施方式，但應(yīng)該理解這樣做僅僅是出于說明的目的。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將會認(rèn)識到可以使用其他組分和配置，而不背離本發(fā)明的精神和范圍。本文中引用的所有參考文獻(xiàn)通過參考并入本文，如同每個(gè)參考文獻(xiàn)被單個(gè)地并入。本發(fā)明提供了一種用于向pet容器施加氧化硅屏蔽涂層的方法，其中所述pet容器包含具有內(nèi)表面和外表面的壁，所述方法包括下述步驟：(a)加熱pet容器以使得至少所述外表面處于約200℉至約383℉的溫度；(b)在所述pet容器的至少所述外表面的溫度處于約200℉至約383℉的溫度時(shí)，通過在所述pet容器的至少所述內(nèi)表面上施加至少一層氧化硅屏蔽層，形成涂層的pet容器；以及(c)在步驟(b)后冷卻所述涂層的pet容器。本發(fā)明的方法可以在由具有增強(qiáng)的熱性能并同時(shí)為容器提供高澄清度的聚酯樹脂例如聚對苯二甲酸乙二酯(pet)制成的任何容器上進(jìn)行。適合的聚酯樹脂包括例如聚鄰苯二甲酸乙二酯的均聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯和聚對苯二甲酸二甲酯、聚對苯二甲酸丁二酯的共聚物。在優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明的容器包含pet。優(yōu)選地，所述pet具有約0.72dl/g至約0.86dl/g的特性粘度。適合的pet樹脂包括制瓶級pet樹脂例如由dakamericas銷售的任何樹脂和由m&gpolymers銷售的clear樹脂。本發(fā)明的pet容器可以具有任何幾何構(gòu)造、形狀或尺寸。例如，符合本發(fā)明的pet容器可以是圓的、橢圓的、多邊形的和不規(guī)則的。適合的容器可以是壇型、罐型、濾酒器型、廣口和本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任何其他類型的容器。容器的適合的特點(diǎn)可以包括壓力吸收特點(diǎn)、抓握加強(qiáng)特點(diǎn)、肩、減震器、表面漆、諧音(chime)、固定環(huán)(standingring)、頸和本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的其他特點(diǎn)。這些容器包含具有被所述pet聚合物的厚度分隔開的內(nèi)表面和外表面的壁。本發(fā)明的方法可以在新鮮制造的pet容器上或在已被制造、冷卻、儲存和/或運(yùn)輸?shù)膒et容器上進(jìn)行。在優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法利用按照美國專利申請公開號2012/0076965和美國專利號8,507,063制造的在結(jié)構(gòu)上抵抗巴氏消毒和釜式滅菌過程的吹塑模制的pet容器，所述專利申請和專利的內(nèi)容整體通過參考并入本文。這些容器通常包含密度在約1.370g/cc至1.385g/cc之間、熱誘導(dǎo)的結(jié)晶度為約18％至約25％并且應(yīng)變誘導(dǎo)的結(jié)晶度為約55％至約75％的壁，其在裝填有溫度為約212℉至約270℉的液體之后，經(jīng)歷的體積變化不超過3％，更優(yōu)選地不超過2％，最優(yōu)選地不超過1％。本發(fā)明的方法包括在施加氧化硅屏蔽涂層之前將pet容器加熱到約200℉至約383℉的表面溫度的步驟。這個(gè)步驟在本文中也被稱為“調(diào)制”步驟。用于所述調(diào)制步驟的熱可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何手段來施加，例如由熱風(fēng)槍產(chǎn)生的熱空氣、紅外加熱器或其組合。在本發(fā)明的方法的加熱步驟中使用的熱的優(yōu)選來源是“通道”或倉室中的紅外加熱器或一系列紅外加熱器，以更好地包容發(fā)射出的熱。適合與本發(fā)明相結(jié)合使用的示例性紅外加熱裝置包括例如可以從prothermtm(brandon,mn)商購的紅外加熱裝置和axon的輻射thermoraytm熱通道(axonstyrotech(usa),raleigh,nc)。在優(yōu)選實(shí)施方式中，在施加氧化硅涂層之前，可以將所述pet容器加熱以將所述容器的壁的至少外表面溫度升高到至少200℉，更優(yōu)選地高達(dá)383℉。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，將熱均勻地施加在容器周圍。為了實(shí)現(xiàn)這種加熱，可以利用裝備有旋轉(zhuǎn)元件的加熱通道為所述容器提供旋轉(zhuǎn)，以確保圍繞容器周邊的熱暴露的均勻性。在其他優(yōu)選實(shí)施方式中，所述加熱(即調(diào)制)步驟包括將所述pet容器加熱到整個(gè)壁優(yōu)選地約200℉至約383℉的溫度，更優(yōu)選地加熱到整個(gè)壁約225℉至約383℉的溫度，最優(yōu)選地加熱到整個(gè)壁約250℉至約383℉的溫度。當(dāng)在本文中使用時(shí)，短語“整個(gè)壁”意味著對于特定溫度區(qū)來說，從所述壁的外表面到所述壁的內(nèi)表面均實(shí)現(xiàn)該溫度。所述加熱元件可以被設(shè)定到相同溫度或沿著所述容器的豎直軸不同的溫度，以產(chǎn)生不同的加熱“區(qū)”。不同的加熱區(qū)可以允許為容器的不同區(qū)段“定制”加熱，以最終產(chǎn)生實(shí)現(xiàn)最大bif保留所需的最大益處。例如，參考圖1，pet“壇”容器10可以包含表面漆12、肩14、圓筒16、后跟18和底面20。較厚的區(qū)段例如肩14、圓筒16和后跟18可能需要較高的表面溫度以更好地調(diào)制所述容器，以備施加氧化硅涂層。例如，肩14、圓筒16和后跟18區(qū)段可以暴露于超過275℉且最高383℉的溫度，而所述底面只能被加熱到212℉，并且所述表面漆只能被加熱到140℉。其他包裝物品可能需要不同的溫度區(qū)，這可以由普通技術(shù)人員確定。作為指導(dǎo)，優(yōu)選地將所述區(qū)加熱至不超過利用差示掃描量熱術(shù)(dsc)通過焓變所測量的顯著分子變化的起始溫度的溫度。當(dāng)在本文中使用時(shí)，術(shù)語“焓變”是指當(dāng)發(fā)生分子變化時(shí)被所述物質(zhì)釋放(放熱，負(fù)值)或吸收(吸熱，正值)的能量的量。這種焓變的實(shí)例是聚合物的熔點(diǎn)和/或玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，其作為每個(gè)區(qū)段中聚合物形態(tài)差異的結(jié)果，在同一pet容器的不同區(qū)段中可以不同。dsc是可用于確定容器的不同區(qū)中的目標(biāo)調(diào)制溫度、使得所述調(diào)制溫度不超過所述pet容器的相應(yīng)區(qū)段的顯著焓變的工具。例如，圖2是形成按照美國專利申請公開號2012/0076965中公開的方法制造的15oz容器的圓筒區(qū)段的pet材料的dsc熱譜圖。圖2示出了聚合物中第一次可察覺的轉(zhuǎn)變(通常為熔化開始)發(fā)生在約383℉(顯示為194.79℃)；因此，該區(qū)域可以被加熱至最高383℉而不影響所述容器的完整性。圖3是從其獲取圖2中分析的樣品的相同容器的門周圍的底部區(qū)的dsc熱譜圖。圖3的熱譜圖示出了聚合物中第一次可察覺的轉(zhuǎn)變、即玻璃化轉(zhuǎn)變，發(fā)生在約212℉(顯示為100.22℃)；因此，容器的該區(qū)域可以被加熱至約212℉或更低，而不影響所述容器的完整性。沿著所述pet容器的豎直區(qū)段的這種“剖面分析”的目的是在施加所述氧化硅屏蔽涂層之前最大化所述pet容器的每個(gè)區(qū)段中所述聚合物的熱膨脹，正如在下面解釋的。本發(fā)明的方法包括在所述pet容器的至少所述外表面的溫度處于約200℉至約383℉的溫度時(shí)在所述pet容器的壁的至少所述內(nèi)表面上形成至少一層氧化硅屏蔽涂層的步驟。通常，通過化學(xué)氣相沉積(cvd)方法，優(yōu)選地通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)方法這種沉積氧化硅屏蔽薄膜的技術(shù)，將氧化硅屏蔽涂層施加到pet容器。所述方法通常包括將所需屏蔽材料或所需屏蔽材料的前體以氣體形式導(dǎo)向pet容器附近并添加能量，直至所述屏蔽氣體或前體氣體解離成等離子體狀態(tài)?？梢源嬖谡婵諚l件以允許所述過程在低得足以防止pet容器熱損壞的溫度下發(fā)生。不打算受到任何特定理論限制，據(jù)信解離的粒子在撞擊pet容器的表面后，由于與試劑的化學(xué)反應(yīng)而固化并附著于容器表面，并且受到聚合物極性的促進(jìn)以產(chǎn)生所述氧化硅屏蔽層。另外，也可以使用其他適合類型的沉積方法向所述容器施加屏蔽涂層。所述氧化硅屏蔽涂層優(yōu)選被沉積在所述pet容器的內(nèi)壁上。然而，也可以提供外部屏蔽涂層。另外，優(yōu)選地向所述容器提供氧化硅屏蔽薄膜，盡管也可以使用其他類型的薄膜，例如利用乙炔或多種環(huán)氧熱固性材料生產(chǎn)的薄膜。在本發(fā)明中可以利用本領(lǐng)域中已知的任何適合的手段來引發(fā)等離子體。適合用于本發(fā)明的一種pecvd方法描述在美國專利號5,670,224中，所述專利通過參考并入本文。美國專利號5,670,224中描述的方法包括通過微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積將改性的氧化硅屏蔽涂層沉積在pet容器基材上的方法。所述方法包括下述步驟：1)提供可抽空的沉積倉室，其具有限定在其中的沉積區(qū)；2)提供微波能量源；3)將pet基材(例如容器)提供在所述沉積倉室中的沉積區(qū)內(nèi)；4)抽空所述沉積倉室至低于大氣壓；5)進(jìn)行所述pet基材的等離子體預(yù)處理；6)將前體氣態(tài)混合物引入到所述沉積倉室內(nèi)的沉積區(qū)中，所述混合物至少包含含有硅-氫的氣體、含有氧的氣體和含有選自鍺、錫、磷和硼的至少一種元素的氣體；7)將微波能量從所述微波能量源導(dǎo)向所述沉積區(qū)，由此在所述沉積區(qū)中通過所述微波能量與所述前體氣態(tài)混合物的相互作用產(chǎn)生等離子體；8)將材料涂層從所述等離子體沉積在所述pet基材上，所述材料涂層為涂層的基材提供了比未涂層的基材更好的屏蔽性質(zhì)；以及9)將足夠流速的含氧氣體引入到所述前體氣態(tài)混合物中，以消除所述沉積的涂層中包含的硅-氫鍵。然而，美國專利號5,670,224公開了由于等離子體沉積固有地是高溫過程，因此基材必須被間歇地冷卻以便避免基材的破壞。此外，美國專利號5,670,224沒有提到在施加所述屏蔽涂層之前基材的表面溫度。適合用于本發(fā)明的另一種pecvd方法描述在美國專利申請公開號2012/0231182中，所述申請通過參考并入本文。美國專利申請公開號2012/0231182公開了一種處理容器的方法，所述方法使用射頻能量來解離化學(xué)前體，其重新結(jié)合將薄膜沉積在所述反應(yīng)附近的表面上或處理所述容器的表面(例如滅菌、組織化處理等)。開發(fā)了一種倉室，其整合了將化學(xué)前體遞送到倉室容積內(nèi)的方法、從倉室空間內(nèi)排氣的機(jī)構(gòu)、解離所述化學(xué)前體并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的電極組件，通過所述化學(xué)反應(yīng)將薄膜沉積在所述容器的內(nèi)表面上。用于執(zhí)行屏蔽涂層方法的制造設(shè)備可以通過多個(gè)商業(yè)化來源購買。例如，下述公司制造商品化屏蔽涂層設(shè)備(后面跟隨的，如果有的話，是每個(gè)公司為它們相應(yīng)的屏蔽涂層設(shè)備和/或過程所命名的商品名)：sidel(actis)，krones/leybold(bestpet)，tetrapak(glaskin)，nissei，ppg(bairocade)和khsplasmax。本發(fā)明的方法還包括在施加屏蔽涂層后冷卻所述pet容器的步驟，其中所述涂層的pet容器具有屏蔽改善因子(bif)。所述冷卻優(yōu)選地通過簡單地允許所述容器在環(huán)境空氣中平衡到室溫來實(shí)現(xiàn)。按照本發(fā)明的方法制造的涂層的pet容器的bif，可以提供針對氧進(jìn)入或針對二氧化碳外出的屏蔽改善。針對例如氧的bif，優(yōu)選地通過下述方法來測量。bif/氧瓶子樣品在環(huán)境相對濕度、一個(gè)大氣壓和23℃下的透氧率，可以使用moconoxtran2/60型(moconminneapolis,minn.)或oxygenpermeationanalyzer8701型(systech/illinoisinstruments)(chicago,illinois)來測量。使用超高純(uhp)氮?dú)庾鳛檩d樣氣體，并使用環(huán)境空氣(20.9％氧氣)作為試驗(yàn)氣體。在試驗(yàn)之前，將樣本用uhp氮?dú)庹{(diào)制。試驗(yàn)繼續(xù)進(jìn)行直至獲得穩(wěn)態(tài)基線，其中對于20分鐘的循環(huán)來說透氧率變化小于1％。當(dāng)所述透氧率達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)停止試驗(yàn)，在所述穩(wěn)態(tài)中，當(dāng)在正常大氣條件下進(jìn)行時(shí)，所述透氧率在20分鐘的試驗(yàn)循環(huán)期間的變化小于1％。氧滲透結(jié)果被測量并記錄為cm3/包裝/天。為了測量屏蔽改善因子或“bif”，將不含氧屏蔽層的對照瓶在與試驗(yàn)瓶相同的時(shí)間，在一致的條件下進(jìn)行測量。通過用所述對照瓶的氧滲透除以所述試驗(yàn)瓶的氧滲透，來計(jì)算bif。因此，例如，如果未涂層的單層pet容器表現(xiàn)出0.030cm3/包裝/天的透氧度(進(jìn)入)，并且現(xiàn)在涂層有氧化硅涂層的相同容器表現(xiàn)出0.003cm3/包裝/天的透氧度(進(jìn)入)，則bif為0.030/0.003＝10。根據(jù)本發(fā)明，對已暴露于熱滅菌過程例如巴氏消毒或釜式滅菌的容器重復(fù)所述程序。不打算受到任何特定理論限制，據(jù)信所述加熱或調(diào)制步驟在沉積所述氧化硅屏蔽層之前使所述pet容器膨脹或延長，以便將所述氧化硅屏蔽層沉積在所述膨脹的容器上。這產(chǎn)生了一種構(gòu)建物，其中所述pet容器基材與所述樹脂的熱膨脹系數(shù)成比例地膨脹，但所述氧化硅屏蔽涂層在涂層被沉積時(shí)不膨脹。在冷卻后，pet容器“收縮”到其“正常”尺寸，并且在這樣做時(shí)，氧化硅屏蔽層被壓縮并變得更加緊密堆積或致密。因此，據(jù)信壓縮的氧化硅屏蔽涂層能夠吸收部分由包裝內(nèi)含物對巴氏消毒或釜式滅菌過程期間經(jīng)歷的高溫的響應(yīng)而產(chǎn)生的應(yīng)力，因?yàn)樗鰌et容器再次與容器中的內(nèi)部壓力引起的熱膨脹系數(shù)成比例地膨脹。在實(shí)踐中，本發(fā)明的方法的結(jié)果是所述pet容器在暴露于熱滅菌過程(例如巴氏消毒或釜式滅菌)后，相對于通過施加氧化硅屏蔽涂層和冷卻容器而首次獲得的、即在暴露于熱滅菌過程之前的bif，保留了至少17％的所述bif。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，pet容器在暴露于熱滅菌過程后的bif保留率依賴于調(diào)制步驟的溫度。例如，已發(fā)現(xiàn)，bif保留率對于調(diào)制到200℉的pet容器來說為至少17％并高達(dá)35％，對于調(diào)制到225℉的pet容器來說為至少61％并高達(dá)121％，對于調(diào)制到250℉的pet容器來說為至少64％并高達(dá)125％，并且對于調(diào)制到275℉的pet容器來說為至少82％并高達(dá)160％，正如在下面的表1中示出的。當(dāng)在本文中使用時(shí)，“125％”意味著bif不僅完全保留，而且比新鮮涂層的容器、即在暴露于熱處理例如巴氏消毒或釜式滅菌之前好25％。當(dāng)在本文中使用時(shí)，“160％”意味著bif不僅完全保留，而且比新鮮涂層的容器、即在暴露于熱處理例如巴氏消毒或釜式滅菌之前好60％。表1：對于200℉至275℉范圍內(nèi)的每種預(yù)加熱溫度來說，4個(gè)容器的平均保留bif，其隨著每單位時(shí)間的氧擴(kuò)散的減少而變。200℉225℉250℉275℉最大值35％121％125％160％平均值21％76％79％102％最小值17％61％64％82％按照本發(fā)明的方法，通常在暴露于溫度高達(dá)約356℉的熱滅菌過程例如巴氏消毒和釜式滅菌后經(jīng)歷上面提到的bif保留率。優(yōu)選地，所述熱滅菌的溫度在約212℉至約356℉的范圍內(nèi)。實(shí)施例表1的容器是15ozpet耐熱吹塑模制容器，其按照美國專利申請公開號2012/0076965中公開的方法制造。表1的容器在施加氧化硅涂層之前被預(yù)加熱(即調(diào)制)到所陳述的溫度，并且在冷卻后進(jìn)行熱滅菌過程。熱滅菌過程在高壓鍋中進(jìn)行，所述高壓鍋在1.1-1.2atm的壓力下在20分鐘后達(dá)到235℉。表1中列出的結(jié)果是為每個(gè)調(diào)制溫度分析的4個(gè)樣品的平均值。在本說明書中示出并討論的實(shí)施方式僅僅旨在向本領(lǐng)域技術(shù)人員教示本發(fā)明人已知的制造和使用本發(fā)明的最佳方式。本說明書中的任何描述都不應(yīng)被當(dāng)作限制本發(fā)明的范圍。提出的所有實(shí)例都是代表性而不是限制性的。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述教示所認(rèn)識到的，上面描述的本發(fā)明的實(shí)施方式可以被修改或改變而不背離本發(fā)明。盡管本發(fā)明參考廣口容器進(jìn)行描述，但符合本發(fā)明的嵌板曲率的功能應(yīng)該對標(biāo)準(zhǔn)表面漆(即不是帶有表面漆的廣口頸)有效。因此應(yīng)該理解，在權(quán)利要求書及其等同性范圍內(nèi)，本發(fā)明可以以具體描述的之外的其他形式實(shí)踐。當(dāng)前第1頁12