本公開內(nèi)容通常涉及蒸發(fā)器、坩鍋、源材料的沉積和用于沉積材料的系統(tǒng)、設(shè)備和方法，所述材料例如有機(jī)材料。特別是，本公開內(nèi)容是涉及用于有機(jī)材料的蒸發(fā)坩鍋，例如為在沉積系統(tǒng)中通過使用蒸發(fā)組件來制造裝置，特別是包括有機(jī)材料在其中的裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)蒸發(fā)器是例如為用于生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiodes，oled)的器械。oled是發(fā)光二極管的一種特別形式，在oled中，發(fā)光層包括特定的有機(jī)化合物的薄膜。oled用在用于顯示信息的電視屏幕、計算機(jī)屏幕、手機(jī)和其他手持裝置等的制造中。oled也可以用于一般空間的照明。oled顯示器可能的顏色、亮度和視角的范圍比較傳統(tǒng)的液晶顯示器(lcd)大，因?yàn)閛led像素是直接地發(fā)出光線而不使用背光。因此，oled顯示器的能量損耗少于傳統(tǒng)的液晶顯示器的能量損耗。而且，oled可更容易地制造于撓性基板上的事實(shí)產(chǎn)生了進(jìn)一步的應(yīng)用。典型的oled顯示器，例如，可包括位于兩個電極之間的多個有機(jī)材料層，這些有機(jī)材料層以某種方式沉積于基板上，以形成具有單個可供能(energizable)像素的矩陣顯示面板。oled通常置于兩個玻璃面板之間，且玻璃面板的邊緣被密封以將oled封裝于其中。

帶來多種相關(guān)挑戰(zhàn)的制造oled顯示器或oled發(fā)光應(yīng)用中的一個階段為沉積有機(jī)材料的工藝，以在基板上實(shí)現(xiàn)高程度的層均勻。而且，蒸發(fā)例如靈敏的有機(jī)材料的某些特定情況必須被考慮，例如為在真空中蒸發(fā)和沉積于基板上。

因此，對于用于形成多個裝置的新的和改善的系統(tǒng)、設(shè)備和方法是有持續(xù)的需求的，所述多個裝置例如是高質(zhì)量oled顯示設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于以上內(nèi)容，根據(jù)一個方面，提供一種坩鍋。所述坩鍋包括：壁，所述壁具有內(nèi)表面，所述內(nèi)表面圍繞內(nèi)部容積，所述內(nèi)部容積用以容納源材料和一個或多個熱傳輸元件，所述一個或多個熱傳輸元件排列在坩鍋的內(nèi)部容積中。

而且，提供一種用以蒸發(fā)源材料的蒸發(fā)組件。蒸發(fā)組件包括：如上所述的坩鍋和至少一個分配組件，所述至少一個分配組件適用于將已蒸發(fā)的源材料從坩鍋引導(dǎo)至將涂布的基板。

而且，提供一種用以利用從坩鍋蒸發(fā)的源材料涂布基板的方法，所述坩鍋具有壁，所述壁具有內(nèi)表面，所述內(nèi)表面圍繞內(nèi)部容積，所述內(nèi)部容積用以容納源材料且在坩鍋的內(nèi)部容積中包括至少一個熱傳輸元件。所述方法包括：在坩鍋內(nèi)提供源材料；通過利用至少一個熱傳輸元件提供坩堝內(nèi)部容積的間接加熱來將源材料加熱至蒸發(fā)溫度；以及引導(dǎo)將已蒸發(fā)的源材料引導(dǎo)至基板的表面。

本公開內(nèi)容的進(jìn)一步的方面、優(yōu)點(diǎn)和特征在從屬權(quán)利要求、說明書以及附圖中是顯而易見的。

附圖說明

上述實(shí)施方式中的一些將參照以下附圖更詳細(xì)地說明于以下典型的實(shí)施方式的說明中：

圖1示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的坩鍋的示意圖；

圖2示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的進(jìn)一步的坩鍋的示意圖；

圖3示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的又一個進(jìn)一步的坩鍋的示意圖；

圖4示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的如圖2中所示的坩鍋的截面透視圖；

圖5示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的另一個坩鍋的示意圖；

圖6示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的另一個坩鍋的示意圖；

圖7示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的蒸發(fā)組件的示意圖；

圖8和圖9示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的蒸發(fā)組件的多個部分的示意圖；

圖10示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的用于沉積源材料的沉積系統(tǒng)的示意圖；以及

圖11示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的用以利用從坩鍋蒸發(fā)的源材料涂布基板的方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

詳細(xì)的參照將以本公開內(nèi)容的各種實(shí)施方式來進(jìn)行，實(shí)施方式的一個或多個實(shí)例繪示在附圖中。在以下附圖的說明中，相同參考編號指代相同部件。一般來說，僅針對個別實(shí)施方式的不同之處進(jìn)行說明。各實(shí)例通過說明本公開內(nèi)容的方式提供且不意味為本公開內(nèi)容的限制。而且，被描繪或描述而做為一個實(shí)施方式的部分的特征可用于其他實(shí)施方式或與其他實(shí)施方式結(jié)合，以產(chǎn)生又進(jìn)一步的實(shí)施方式。這意指本說明包括這些調(diào)整和變化。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，oled制造的技術(shù)包括在基板上沉積源材料，源材料例如是有機(jī)材料。沉積工藝是在高真空狀態(tài)下執(zhí)行。包含有機(jī)材料的坩鍋被加熱以蒸發(fā)有機(jī)材料且產(chǎn)生的蒸汽被沉積于基板上。既然非均勻蒸發(fā)可能導(dǎo)致已蒸發(fā)粒子的沉積對沉積于基板上的薄膜有害，那么較近地監(jiān)控和控制蒸發(fā)工藝是有利的。為了更好的調(diào)整沉積率，通過在蒸發(fā)坩鍋中將溫度緩慢地增加到有機(jī)材料的蒸發(fā)溫度來順利地蒸發(fā)有機(jī)材料可能是有利的。

在此處描述的實(shí)施方式中，于此處使用的術(shù)語“蒸發(fā)”應(yīng)意指從液態(tài)蒸發(fā)成蒸汽和從固態(tài)升華成蒸汽的兩種過程。

本公開內(nèi)容的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，至源材料的不均勻的熱輸入可能發(fā)生在傳統(tǒng)的坩鍋中，這導(dǎo)致在坩鍋的內(nèi)側(cè)的源材料不均勻的大量蒸發(fā)。不均勻的大量蒸發(fā)可能對沉積于基板上的薄膜的均勻性有負(fù)面的影響且可能降低已生產(chǎn)的裝置的整體質(zhì)量。

本公開內(nèi)容通過提供用以在基板上均勻地沉積源材料的改善的系統(tǒng)、設(shè)備和方法且改善源材料的損耗率來處理這些問題，所述源材料例如是有機(jī)材料。特別是，本公開內(nèi)容提供改善的坩鍋用以在沉積系統(tǒng)中通過使用蒸發(fā)組件來制造裝置。舉例來說，根據(jù)此處的實(shí)施方式，包含源材料的坩鍋可包括一個或多個熱傳輸元件，所述一個或多個熱傳輸元件經(jīng)配置以均勻地重新分配被供應(yīng)至坩鍋的內(nèi)部容積中的熱。坩鍋的內(nèi)部容積的均勻加熱改善了在坩鍋中的源材料的均勻蒸發(fā)且對在涂布或裝置制造工藝期間沉積的層的整體均勻有貢獻(xiàn)。

圖1示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的坩鍋100的實(shí)施方式，坩鍋100包括壁，所述壁具有內(nèi)表面，所述內(nèi)表面圍繞內(nèi)部容積150，內(nèi)部容積150用以容納源材料。如圖1中所示的坩鍋被繪示成兩個半部，所述兩個半部相對于對稱平面101鏡像對稱。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，坩鍋可為蒸發(fā)組件的部分，所述蒸發(fā)組件可進(jìn)一步包括一個或多個分配組件。所述一個或多個分配組件可例如包括一個或多個具有出口(例如為噴嘴)分配管，所述出口將已蒸發(fā)的源材料從坩鍋引導(dǎo)至基板。根據(jù)如圖1中所示的實(shí)施方式，坩鍋100和分配管可經(jīng)由連接件103彼此連接，連接件103例如提供型式適配(form-fit)連接。在此處的實(shí)施方式中，在坩鍋和分配管之間的連接可額外或選擇性包括凸緣單元。根據(jù)此處的實(shí)施方式，坩鍋和分配管可提供成分離的單元，所述分離的單元可分離且連接或在凸緣單元處組裝，例如為用于蒸發(fā)組件的操作。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，坩鍋100的壁可包括底部壁167和頂部壁168。底部壁和頂部壁167、168可經(jīng)由側(cè)壁161-166彼此連接。坩鍋100的內(nèi)部容積150可分別由底部壁167、頂部壁168和側(cè)壁161-166或側(cè)壁的對應(yīng)部分包圍。根據(jù)此處的實(shí)施方式，至少頂部壁168可包括開孔104，開孔104允許已蒸發(fā)的源材料從坩鍋離開且進(jìn)入例如分配組件。特別是，坩鍋的開孔可連接至分配管，所述分配管將已蒸發(fā)的源材料引導(dǎo)至基板。

根據(jù)如圖1中所示的實(shí)施方式，外部加熱單元125可提供于坩鍋100的壁處或壁中。在此處描述的實(shí)施方式中，加熱單元可例如為一個或多個加熱器。外部加熱單元可至少沿著坩鍋100的壁的一部分延伸。根據(jù)此處的一些應(yīng)用，坩鍋100可進(jìn)一步包括屏蔽物127。屏蔽物127可被配置以將熱能反射回到坩鍋100的內(nèi)部空間(enclosure)，所述熱能由外部加熱單元125提供。根據(jù)此處的實(shí)施方式，屏蔽物可支持在蒸發(fā)坩鍋100的內(nèi)部容積150中的有機(jī)材料的高效加熱。

根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，圍繞坩鍋的至少一部分的一個或多個加熱單元不延伸至坩鍋的內(nèi)部容積中。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，提供以蒸發(fā)源材料的最多總熱功率的3％至10％(例如是5％)在坩鍋的內(nèi)部容積中產(chǎn)生，所述源材料包含于坩鍋中。在坩鍋的內(nèi)部容積中提供加熱單元可能干擾在坩鍋的外側(cè)上、圍繞著坩鍋的至少一部分提供的加熱單元的溫度調(diào)整。

根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，分配管還可包括加熱單元，所述加熱單元有助于已蒸發(fā)材料的準(zhǔn)確的溫度控制，已蒸發(fā)材料被從坩鍋引導(dǎo)至基板。一個或多個熱屏蔽物還可提供在分配管周圍。所述一個或多個熱屏蔽物可減少來自蒸發(fā)組件的能量損耗，這在涂布/制造工藝期間可減少整體的能量損耗。作為進(jìn)一步的方面來說，特別是用于沉積有機(jī)材料，源自蒸發(fā)組件的熱輻射可減少，特別是在沉積期間朝向基板的熱輻射。對于顯示器制造來說，基板與掩膜的溫度的準(zhǔn)確控制是特別有利的。通過應(yīng)用一個或多個熱屏蔽物，源自蒸發(fā)組件的熱輻射可減少或避免。因此，在此描述的一些實(shí)施方式包括一個或多個熱屏蔽物。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，熱屏蔽物可包括數(shù)個屏蔽層，以減少熱輻射至坩鍋和分配組件的外側(cè)。作為進(jìn)一步的選擇來說，(此些)熱屏蔽物可包括屏蔽層，所述屏蔽層通過流體積極地降溫，所述流體例如是空氣、氮、水或其他適合的冷卻流體。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的又進(jìn)一步的實(shí)施方式，提供而用于蒸發(fā)組件的所述一個或多個熱屏蔽物可包括鈑金(sheetmetals)，所述鈑金圍繞蒸發(fā)組件的對應(yīng)部分，例如是分配管和/或蒸發(fā)坩鍋100。舉例來說，鈑金可具有0.1mm至3mm的厚度，可選自由包括鐵金屬(ferrousmetals)(ss)和非鐵金屬(non-ferrousmetals)(cu、ti、al)的群組的至少一種材料，和/或可例如由0.1mm或更多的縫隙彼此分隔。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，如圖1中所示的坩鍋100可包括一個或多個熱傳輸元件170，一個或多個熱傳輸元件170布置于坩鍋100的內(nèi)部容積150中。熱傳輸元件170被配置以提供坩鍋的內(nèi)部容積的間接加熱。于在此描述的實(shí)施方式中，來自一個或多個熱傳輸元件170的熱被直接地提供至在坩鍋100的內(nèi)部容積150中的源材料，所述源材料可為粉末、液體和/或小球(pellets)的形式。于在此描述的實(shí)施方式中，熱傳輸元件經(jīng)配置以被動地接收熱且可不需直接連接至例如加熱單元和/或電源。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，熱傳輸元件170可例如接收來自壁和/或來自坩鍋的外側(cè)的熱。在oled沉積工藝期間，通過熱傳輸元件170將來自壁和/或來自坩鍋的外側(cè)的熱分配在坩鍋的內(nèi)部容積中，以確保更均勻的加熱和后續(xù)源材料的蒸發(fā)。根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，熱傳輸元件被布置在坩鍋的內(nèi)部容積中，使得相較于預(yù)定的溫度和/或相較于在坩鍋的內(nèi)部容積中的另一特定位置的溫度，在坩鍋的內(nèi)部容積中的任何特定位置所測量的溫度相差最大溫度差異10℃或更少，例如為5℃或更少，例如是0.5℃至3℃。又進(jìn)一步，最大溫度差異可額外或選擇性為4％或更少，例如為2％或更少，例如是0.2％至1.1％。

在如圖1中所示的實(shí)施方式中，熱傳輸元件170從壁突出進(jìn)坩鍋100的內(nèi)部容積150中。特別是，如圖1中所示的實(shí)施方式包括第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172。第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172為類杯狀(cup-likeshaped)，用以在各自的第一和第二熱傳輸元件中容納液體。根據(jù)此處的實(shí)施方式，所述液體可為源材料。根據(jù)此處的實(shí)施方式，第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172被連接于坩鍋100的任何一個或多個側(cè)壁161-166的至少一部分。

第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172可提供于坩鍋100的內(nèi)部容積150中，使得第一熱傳輸元件171被布置在第二熱傳輸元件172的上方。在此特別的實(shí)施方式中，術(shù)語“上方(above)”旨在說明第一熱傳輸元件171被布置得相較第二熱傳輸元件172更靠近坩鍋的開孔104。

第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172可具有相同的形狀或第一和第二熱傳輸元件可在幾何形狀和/或尺寸方面不同。特別是，根據(jù)此處的實(shí)施方式，熱傳輸元件170具有類板(plate-like)部分171a、172a和類管(tube-like)部分171b、172b。類板部分171a、172a可至少沿著坩鍋100的內(nèi)表面的一部分連接于側(cè)壁161-166。類管部分171b、172b可被布置在類板部分171a、172a的中心處。類管部分171b、172b可朝向坩鍋100的開孔104延伸，這提供了用于在坩鍋和分配組件之間(特別是在坩鍋100和分配管之間)進(jìn)行流體交換的連接件。在此處的實(shí)施方式中，第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172的類管部分171b、172b的開孔的中心與坩鍋開孔104的中心可被布置成沿著坩鍋100的中心軸105對準(zhǔn)。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，源材料，特別是液態(tài)源材料，可提供在壁的內(nèi)表面、類板部分171a、172a和類管部分171b、172b之間的空間中。

在圖1中所示的實(shí)施方式中，第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172將坩鍋100的內(nèi)部容積150分隔為內(nèi)部容積150的三個不同的子空間，三個不同的子空間經(jīng)由各自的第一熱傳輸元件171和第二熱傳輸元件172的類管部分171b、172b互連。根據(jù)此處的一些實(shí)施方式，坩鍋100可只包括單個的熱傳輸元件，所述熱傳輸元件被布置在坩鍋的內(nèi)部容積中，將內(nèi)部容積分隔成兩個不同的子空間，所述兩個不同的子空間通過熱傳輸元件的類管部分互連。類似地，根據(jù)此處的進(jìn)一步實(shí)施方式，坩鍋可包括三個、四個或更多個熱傳輸元件，將坩鍋的內(nèi)部容積分離成四個、五個或更多個不同的子空間。

根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，坩鍋100的壁的內(nèi)表面可具有第一尺寸的第一區(qū)域且所述一個或多個熱傳輸元件170可在第二尺寸的內(nèi)部容積150中提供第二區(qū)域。根據(jù)此處的實(shí)施方式，第二區(qū)域可具有與第一區(qū)域相同的尺寸。根據(jù)在此描述的又進(jìn)一步的實(shí)施方式，第一區(qū)域和第二區(qū)域的結(jié)合尺寸為第一尺寸的至少兩倍。

根據(jù)此處的一些實(shí)施方式，所述一個或多個熱傳輸元件可由包括具有高熱傳導(dǎo)性的金屬或合金的材料制成。例如，熱傳輸元件可包括下列中任何一個或多個元件：鈦、不銹鋼和類金剛石(diamond-likecarbon，dlc)。在此處的實(shí)施方式中，所述一個或多個熱傳輸元件的材料可對源材料為惰性，使得熱傳輸元件在蒸發(fā)工藝期間不與源材料反應(yīng)。根據(jù)使用的源材料的蒸發(fā)溫度，所述一個或多個熱傳輸元件的材料應(yīng)當(dāng)穩(wěn)定且至少對高達(dá)源材料的蒸發(fā)溫度為惰性，所述源材料的蒸發(fā)溫度可例如是150℃和650℃之間任意溫度或更高的溫度。

圖2示出了根據(jù)在此描述的實(shí)施方式的進(jìn)一步的坩鍋的示意圖。如圖2中所示的坩鍋被繪示成兩個半部，所述兩個半部相對于對稱平面201為鏡像對稱。坩鍋200可包括從壁突出至進(jìn)坩鍋200的內(nèi)部容積250中的一個或多個熱傳輸元件270。特別是，所述一個或多個熱傳輸元件可從側(cè)壁突出進(jìn)坩鍋的內(nèi)部容積中。類似于如圖1中所示的坩鍋的幾何形狀，如圖2中所示的坩鍋200可包括經(jīng)由側(cè)壁261-266彼此連接的底部壁267和頂部壁268。坩鍋200可包括開孔204，所述開孔允許已蒸發(fā)的源材料從坩鍋離開且進(jìn)入分配組件。

類似于在圖1中所示的實(shí)施方式，分配組件可例如包括一個或多個分配管(未在圖2中示出)，所述一個或多個分配管具有出口(例如為噴嘴)，所述出口將已蒸發(fā)的源材料從坩鍋引導(dǎo)至基板。坩鍋200和分配管可經(jīng)由型式適配(form-fit)連接件203彼此連接。根據(jù)此處的實(shí)施方式，在坩鍋和分配管之間的連接可額外或選擇性包括凸緣單元。類似于圖1中所示的實(shí)施方式，坩鍋200和分配管提供成分離的單元，所述分離的單元可被分離和連接或于凸緣單元處組裝，例如為用以蒸發(fā)源的操作。

根據(jù)此處實(shí)施方式的坩鍋200可包括一個或多個熱傳輸元件270，一個或多個熱傳輸元件270布置在坩鍋的內(nèi)部容積250中。在如圖2中所示的實(shí)施方式中，一個或多個熱傳輸元件270被提供成六個板271-276。一般來說，所述六個板被布置在坩鍋的內(nèi)部容積250中，以引導(dǎo)已蒸發(fā)的源材料朝向分配組件。六個板271-276的各自從壁朝向坩鍋200的內(nèi)部容積250的中心突出。根據(jù)此處的實(shí)施方式和如圖4更詳細(xì)的顯示，六個板271-276各自可被布置成垂直于坩鍋200的對應(yīng)側(cè)壁261-266，圖4示出了不同于圖2中所示的坩鍋的示意圖。在此處的實(shí)施方式中，坩鍋200可具有六角形的幾何形狀。然而，根據(jù)此處的進(jìn)一步的實(shí)施方式，坩鍋不限于六角形的幾何形狀，而可包括進(jìn)一步的幾何形狀，例如矩形、圓形、橢圓形或三角形。

六個板271-276的任意一個或全部可延伸進(jìn)入或穿過坩鍋200的壁。根據(jù)如圖2中所示的實(shí)施方式，六個板271-276的任意一個或多個可延伸穿過坩鍋200的各對應(yīng)側(cè)壁261-266。然而，在此描述的實(shí)施方式中，六個板271-276的任意一個或多個可完全地穿過底部壁267、側(cè)壁261-266和頂部壁268的至少一個延伸。

根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，坩鍋200的壁可包括多個狹縫，以容納六個板271-276。狹縫可完全地延伸穿過坩鍋200的壁。在此處的實(shí)施方式中，狹縫可簡化組裝程序并確保熱從坩鍋的外側(cè)有效地傳導(dǎo)至坩堝的內(nèi)部容積。例如，在坩鍋的組裝期間，所述板可插入狹縫中且還從外側(cè)焊接至坩鍋。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，六個板271-276的任意一個或多個可在縱向方向上延伸坩鍋200的內(nèi)部容積250的總長度269的約0％至約100％，所述縱向方向平行于坩鍋200的中心軸205。例如，六個板271-276的任意一個或多個可延伸坩鍋的內(nèi)部容積的總長度的至少約90％。

在此處描述的實(shí)施方式中，所述板可布置在坩鍋中，使得在兩個相鄰平面之間相交點(diǎn)的最小絕對角度為在約5°和約175°之間，例如是約30°、約45°或約60°，所述兩個相鄰平面的各自平面平行于板271-276的一個延伸。

圖3示出了根據(jù)在此描述的進(jìn)一步的實(shí)施方式的坩鍋的示意圖。坩鍋300包括針對圖2中所示的實(shí)施方式描述的所有特征。然而，相較于圖2中所示的實(shí)施方式，如圖3中所示的實(shí)施方式的一個或多個熱傳輸元件370包括多個板371-388，在此特別的實(shí)例中在坩鍋300的內(nèi)部容積350中布置十八個板。類似于圖2中所示的實(shí)施方式，板371-388各自延伸穿過坩鍋300的壁。根據(jù)此處的實(shí)施方式，增加板的數(shù)量可增加在坩鍋的內(nèi)部容積中的一個或多個熱傳輸元件的表面積。根據(jù)此處的實(shí)施方式，具有多個熱傳輸元件可選擇性提供坩鍋成為模塊化(modular)，意義在于根據(jù)考慮坩鍋的內(nèi)部容積中的熱分配和空間的特別有利的應(yīng)用，熱傳輸元件可被加入和/或從坩鍋的內(nèi)部容積取出。

圖4示出了沿著如圖2中所示的接線a-a的坩鍋200的截面透視圖。圖4示出了六個熱傳輸元件，例如是板271-276，各自相對于對應(yīng)的側(cè)壁261-266以約90°的角度突出。所述一個或多個熱傳輸元件各自可完全地延伸穿過坩鍋的壁。如圖4中所示，六個板271-276各自延伸至坩鍋的外邊緣290。在圖4中所示的實(shí)施方式中，六個板的至少四個板272-273、275-276可在突出進(jìn)坩鍋的內(nèi)部容積中相同距離。根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，全部六個或更多個板可突出進(jìn)坩鍋的內(nèi)部容積中相同距離或各突出不同距離。在此處描述的實(shí)施方式中，所述一個或多個熱傳輸元件的特定配置可適用于特定用途且特別是適用于在坩鍋的內(nèi)部容積中的熱有利地分配。

根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，一個或多個加熱器可圍繞壁的至少一部分布置。將來自所述一個或多個加熱器的熱反射朝向坩鍋的內(nèi)部容積的屏蔽物可圍繞所述一個或多個加熱器而布置。

圖5示出了根據(jù)在此描述的進(jìn)一步的實(shí)施方式的坩鍋的示意圖。坩鍋500具有由其壁560所定義的圓形幾何形狀。坩鍋500可包括可以布置在坩鍋500的內(nèi)部容積550中的多個熱傳輸元件，例如為板571-578。根據(jù)如圖5中所示的實(shí)施方式，可為八個板的形式的熱傳輸元件被布置在坩鍋500的內(nèi)部容積550中，使得在兩個相鄰平面的間相交點(diǎn)的最小絕對角度為約45°，兩個相鄰平面的各自平行于板571-578的一個延伸。所述熱傳輸元件的對稱布置可確保在坩鍋的內(nèi)部容積中的熱分配均勻。根據(jù)如圖5中所示的實(shí)施方式，八個板571-578完全地延伸穿過坩鍋500的壁560。根據(jù)此處的進(jìn)一步的實(shí)施方式，一個或多個板可連接于坩鍋500的壁560的內(nèi)表面。根據(jù)此處的一些實(shí)施方式，坩鍋的內(nèi)表面可包括凹部，所述一個或多個熱傳輸元件連接于凹部。凹部可不完全地延伸穿過坩鍋的壁。例如，在坩鍋的組裝期間，所述一個或多個熱傳輸元件可從坩鍋的頂部和/或底部布置在凹部中。

根據(jù)在此描述的一些實(shí)施方式，所述一個或多個熱傳輸元件可布置在坩鍋的內(nèi)部容積中，使得在直徑為580的測量為至少10mm的內(nèi)部容積的中心內(nèi)的空間不包括所述一個或多個熱傳輸元件的任何部分。根據(jù)此處的實(shí)施方式，不包括熱傳輸元件的任何部分的坩鍋的中心內(nèi)的空間可例如是球體的形狀，所述球體具有從10mm至35mm的直徑。

圖6示出了根據(jù)在此描述的進(jìn)一步的實(shí)施方式的坩鍋的示意圖。坩鍋600可包括一個或多個熱傳輸元件670，一個或多個熱傳輸元件670從壁突出進(jìn)坩鍋600的內(nèi)部容積650中。根據(jù)如圖6中所示的實(shí)施方式，一個或多個熱傳輸元件670被提供成一個或多個棒(rods)671-675。棒671-675各自可布置成相對于坩鍋600的側(cè)壁661-666的至少一個垂直。坩鍋600具有六角形的幾何形狀。然而，類似于任何先前在此描述的實(shí)施方式，坩鍋不限于六角形的幾何形狀，而可包括進(jìn)一步的幾何形狀，例如是正方形、矩形、三角形、圓形或橢圓形。

根據(jù)如圖6中所示的實(shí)施方式，一個或多個棒671-675各自可完全地延伸穿過坩鍋600的內(nèi)部容積650。各棒可例如互連坩鍋600的兩個相對的側(cè)壁661-664、662-665、和663-666。在此處的實(shí)施方式中，棒被示出為直形棒，所述直形棒延伸穿過坩鍋的至少兩個側(cè)壁。根據(jù)此處的一些實(shí)施方式，可提供為棒、板的形狀或任何其他形狀的所述一個或多個熱傳輸元件可不為直形，但可為曲狀，以進(jìn)一步增加在坩鍋的內(nèi)部容積中的所述一個或多個熱傳輸元件的表面積。

坩鍋600的側(cè)壁661-666各自可包括多個孔洞669，以容納五個671-675棒?？锥?69完全地延伸貫穿坩鍋600的壁。所述孔洞可簡化組裝程序并確保熱有效地從外側(cè)傳輸?shù)桔徨伒膬?nèi)部容積。例如，在組裝坩鍋期間，棒可從坩鍋的外側(cè)插入孔洞669且還從坩鍋的外側(cè)焊接。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，坩鍋可包括多于五個分配在坩鍋的內(nèi)部容積中的棒。特別是，根據(jù)此處的實(shí)施方式，棒可沿著坩鍋的壁的內(nèi)表面以一個在于另一個頂上的方式逆時針方向排列。在坩鍋的內(nèi)部容積中的棒的特定排列可變化，以用于相同或不同坩鍋來達(dá)到熱在坩鍋的內(nèi)部容積中的有利分配。

圖7示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的蒸發(fā)組件的示意圖。蒸發(fā)組件可包括一個或多個分配組件和一個或多個蒸發(fā)坩鍋，所述一個或多個分配組件例如是一個或多個分配管。一般來說，根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，分配管可包括內(nèi)部容積，以容納且引導(dǎo)來自坩鍋的已蒸發(fā)的源材料。特別是，如圖7中所示的蒸發(fā)組件700包括至少一個分配管706和至少一個坩鍋100，坩鍋100例如是如圖1中所示。然而，根據(jù)此處的進(jìn)一步實(shí)施方式，蒸發(fā)組件可包括任意一個或多個坩鍋，所述任意一個或多個坩鍋包括在此描述的任意一個或多個熱傳輸元件。

分配管706可為具有加熱單元715的延長立方體。如針對圖1中所示的坩鍋的描述，坩鍋100可為用于通過熱來將有機(jī)材料蒸發(fā)的儲存器(reservoir)，所述熱經(jīng)由一個或多個熱傳輸元件170從加熱單元125提供。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，分配管的加熱單元可加熱分配管并避免有機(jī)材料的蒸汽凝結(jié)于分配管706的壁的內(nèi)部部分，所述有機(jī)材料的蒸汽由坩鍋100所提供。

根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，分配管可為中空圓柱。術(shù)語圓柱可理解為一般可接受的具有圓形底部形狀和圓形頂部形狀，和連接頂部圓形和底部圓形的曲面區(qū)域或殼。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，一個或多個熱屏蔽物和/或冷卻屏蔽物布置可提供而用于減少熱傳輸?shù)揭坎嫉幕搴?或在涂布工藝期間使用的掩膜。例如，通過具有貫穿熱屏蔽物和冷卻屏蔽物布置的噴嘴，從蒸發(fā)源傳輸?shù)交搴?或掩膜的熱可減少，熱屏蔽物和冷卻屏蔽物布置圍繞分配組件。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的額外或選擇性的實(shí)施方式，術(shù)語圓柱可在數(shù)學(xué)意義(mathematicalsense)上進(jìn)一步理解為具有任意底部形狀、相同的頂部形狀、和連接頂部形狀和底部形狀的曲面區(qū)域或殼。圓柱不一定必須具有圓形截面。相反，底部表面和頂部表面可具有不同于圓形的形狀。

根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的此處的實(shí)施方式，分配管706提供線性蒸發(fā)組件。分配管706包括多個開孔712，開孔712沿著分配管706的長度方向布置。根據(jù)可選的實(shí)施方式，可提供沿著分配管的長度方向延伸的一個延長開孔。例如，延長開孔可為狹縫。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，分配管實(shí)質(zhì)上垂直地延伸。例如，分配管706的長度可至少對應(yīng)于利用蒸發(fā)組件的將要被沉積的基板的高度。在許多情況中，分配管706的長度將相較將要被沉積的基板的高度長至少10％或甚至20％，這有助于在基板的上端和/或基板的下端均勻沉積。

根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，分配管的長度可為1.3m或以上，例如2.5m或以上。根據(jù)一種配置，如圖7中所示，坩鍋100被提供于分配管706的下端。有機(jī)材料在坩鍋100中蒸發(fā)。有機(jī)材料的蒸汽在分配管的底部進(jìn)入分配管706且實(shí)質(zhì)上被向上引導(dǎo)并接著實(shí)質(zhì)上偏側(cè)邊地(sideways)通過在分配管706中的多個開孔712，例如是朝向?qū)嵸|(zhì)上垂直的基板。

根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，出口(例如為噴嘴)被布置為具有略微地向上定向的主要蒸發(fā)方向，略微地向上定向的主要蒸發(fā)方向例如為從水平向上15°的范圍中，例如是向上3°至7°?；蹇缮晕A斜，以基本上(舉例為±10°)垂直于蒸發(fā)方向，這可減少產(chǎn)生不需要的粒子。為了說明的目的，在圖7中的坩鍋100和分配管706被示出而不具有熱屏蔽物。加熱單元715和加熱單元125可見于圖7中所示出的示意性透視圖中。然而，根據(jù)此處的實(shí)施方式，坩鍋和分配管兩者均可包括一個或多個熱屏蔽層，以將熱能反射至坩鍋的內(nèi)部容積和/或分配管，所述熱能由一個或多個加熱單元提供。

在此處描述的實(shí)施方式中，熱屏蔽物可減少來自蒸發(fā)組件的能量損耗并減少整個能量消耗。然而，作為進(jìn)一步的方面，特別是對于沉積有機(jī)材料而言，源自蒸發(fā)組件的熱輻射可減少，特別是朝向例如在沉積/涂布工藝期間使用的掩膜的熱輻射。特別是對于將有機(jī)材料沉積于已掩蔽的基板上，且甚至更對于制造顯示器來說，基板和掩膜的溫度需要精準(zhǔn)地控制。因此，源自蒸發(fā)組件的熱輻射可減少或避免。

圖8和圖9示出了根據(jù)此處的實(shí)施方式的不同蒸發(fā)組件的頂視圖。例如，圖8示出了蒸發(fā)組件800的一部分，包括至少三個坩鍋100。所述坩鍋具有六角形的幾何形狀。如圖9中所示的蒸發(fā)組件900的部分例如為具有至少兩個三角形的坩鍋901。根據(jù)此處的一些實(shí)施方式，蒸發(fā)組件可包括根據(jù)在此描述的任何實(shí)施方式的多個坩鍋。例如，蒸發(fā)組件可包括兩個、三個、四個或更多個坩鍋，所述坩鍋可連接于至少一個或多個分配組件。

圖10示出了根據(jù)此處實(shí)施方式的用于將源材料沉積到基板上的沉積系統(tǒng)的示意圖。沉積系統(tǒng)1000可例如包括蒸發(fā)組件700(類似針對圖7所描述的沉積組件)。蒸發(fā)組件700包括例如針對圖1所描述的坩鍋100和例如針對圖7所描述的分配管706。如圖10中所示的分配管706由支座1020所支撐。而且，根據(jù)一些實(shí)施方式，坩鍋100還可由支座1020支撐。根據(jù)如圖10中所示的實(shí)施方式，兩個基板1010被提供于真空腔室1050中。一般來說，用于掩蔽在基板上的層沉積的掩膜1030可提供在基板1010和蒸發(fā)組件700之間。有機(jī)材料從坩鍋100蒸發(fā)并經(jīng)由分配管706被引導(dǎo)至基板1010。

根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，蒸發(fā)組件可包括一個或多個坩鍋和一個或多個分配管，其中所述一個或多個分配管的一個對應(yīng)分配管可流體流通于所述一個或多個坩鍋的一個對應(yīng)坩鍋。用于oled裝置制造的多種應(yīng)用包括其中兩種或多種有機(jī)材料被同時蒸發(fā)的多個處理階段。因此，兩個分配管和對應(yīng)的蒸發(fā)坩鍋可相鄰于彼此提供。在此種實(shí)施方式中，多于一種有機(jī)材料可例如被同時蒸發(fā)。

根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，基板在實(shí)質(zhì)上垂直的位置以有機(jī)材料涂布。也就是說，如圖10中所示的視角為包括蒸發(fā)組件700的沉積設(shè)備的頂視圖。分配管706提供實(shí)質(zhì)上垂直延伸的線性蒸發(fā)組件。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的此在此描述的實(shí)施方式，實(shí)質(zhì)上垂直在指向基板方向時特別是理解為允許從垂直方向偏差20°或以下，例如為10°或以下。例如，此偏差可因基板支座具有從垂直方向的一些偏差而可能產(chǎn)生更穩(wěn)定的基板位置來提供。然而，在沉積源材料期間的基板方向被認(rèn)定為實(shí)質(zhì)上垂直，這不同于水平基板方向。根據(jù)此處的實(shí)施方式，基板的表面通過蒸發(fā)組件涂布，蒸發(fā)組件在對應(yīng)于基板維度和平移運(yùn)動的方向中延伸，平移運(yùn)動是沿著對應(yīng)于其他基板維度的其他方向。

如圖10中所示的沉積系統(tǒng)1000特別示出了用于在真空腔室1050中沉積有機(jī)材料的沉積系統(tǒng)的實(shí)施方式。蒸發(fā)組件700被提供在真空腔室1050中的軌道上，所述軌道例如是環(huán)狀軌道或線性導(dǎo)件1025。軌道或線性導(dǎo)件1025經(jīng)配置以用于蒸發(fā)組件700的平移運(yùn)動。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的不同實(shí)施方式，用于平移運(yùn)動的驅(qū)動器可提供于蒸發(fā)組件700中、提供于軌道或線性導(dǎo)件1025處、提供于真空腔室1050中或上述方式的組合。而且，圖10示出了閥1060，閥1060例如為閘閥。閥1060可例如提供至相鄰的真空腔室(未在圖10中示出)的真空密封。閥可被開啟以傳送基板1010或掩膜1030分別進(jìn)入真空腔室1050中或離開真空腔室1050。

根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，例如是維護(hù)真空腔室1070的進(jìn)一步真空腔室鄰近于真空腔室1050而提供。真空腔室1050和維護(hù)真空腔室1070通過閥1080連接。閥1080經(jīng)配置用以開啟和關(guān)閉在真空腔室1050和維護(hù)真空腔室1070之間的真空密封。當(dāng)閥1080為開啟狀態(tài)中時，蒸發(fā)組件700可被傳送至維護(hù)真空腔室1070。之后，閥可被關(guān)閉以提供在真空腔室1050和維護(hù)真空腔室1070之間的真空密封。如果閥1080關(guān)閉，維護(hù)真空腔室1070可排氣并開啟以用以維護(hù)蒸發(fā)組件700而無需破壞真空腔室1050中的真空。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，兩個基板1010被支撐于在真空腔室1050中的相應(yīng)傳送軌道上。而且，兩個用于在其上提供掩膜1030的軌道被提供。在涂布工藝期間，基板1010可由相應(yīng)的掩膜1030所掩蔽。根據(jù)典型的實(shí)施方式，掩膜1030可被提供在掩膜框架1031中以保持掩膜1030在預(yù)定的位置中。

根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，基板1010可由基板支座1026支撐，基板支座1026被連接于對準(zhǔn)單元1012。對準(zhǔn)單元1012可調(diào)整基板1010相對于掩膜1030的位置。圖10示出了基板支座1026連接于對準(zhǔn)單元1012的實(shí)施方式的示意圖。因此，基板被相對于屏蔽1030移動，以提供在有機(jī)材料沉積期間基板和掩膜之間恰當(dāng)?shù)膶?zhǔn)。根據(jù)可與在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的進(jìn)一步的實(shí)施方式，掩膜1030和/或保持掩膜1030的掩膜框架1031可選擇性或額外地連接于對準(zhǔn)單元1012。掩膜可相對于基板1010定位或掩膜1030和基板1010兩者可相對于彼此定位。經(jīng)配置以用以調(diào)整在基板1010和掩膜1030相對于彼此之間的位置的對準(zhǔn)單元1012在沉積工藝期間提供恰當(dāng)對準(zhǔn)的掩蔽，這有利于高質(zhì)量或oled顯示器制造。

掩膜和基板相對于彼此對準(zhǔn)的實(shí)例包括對準(zhǔn)單元，對準(zhǔn)單元提供在定義一個平面的至少兩個方向中的相對對準(zhǔn)，所述平面實(shí)質(zhì)上平行于基板的平面和掩膜的平面。例如，對準(zhǔn)可至少在x方向和y方向中進(jìn)行，也就是說，定義上述平行的平面的兩個直角坐標(biāo)(cartesian)方向。一般來說，掩膜和基板可實(shí)質(zhì)上彼此平行。特別是，對準(zhǔn)可進(jìn)一步在實(shí)質(zhì)上垂直于基板的平面和掩膜的平面的方向中進(jìn)行。因此，對準(zhǔn)單元經(jīng)配置以至少用于掩膜和基板相對于彼此的x-y對準(zhǔn)，且特別是x-y-z對準(zhǔn)?？膳c在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一個特定的實(shí)例是在x方向、y方向和z方向中將基板對準(zhǔn)掩膜，掩膜可被靜態(tài)保持在真空腔室1050中。

如圖10中所示，線性導(dǎo)件1025提供蒸發(fā)組件700的平移運(yùn)動的一個方向。掩膜1030可提供在蒸發(fā)組件700的任一側(cè)上。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，掩膜1030可實(shí)質(zhì)上平行于平移運(yùn)動的方向延伸。而且，布置在蒸發(fā)源相對側(cè)的基板1010還可實(shí)質(zhì)上平行于平移運(yùn)動的方向延伸，所述蒸發(fā)源例如為蒸發(fā)組件700。根據(jù)典型的實(shí)施方式，基板1010可經(jīng)由閥1060移動進(jìn)真空腔室1050中并離開真空腔室1050。沉積系統(tǒng)1000可包括用于傳送各個基板1010的對應(yīng)的傳送軌道。例如，傳送軌道可平行于如圖10中所示的基板位置延伸并進(jìn)入和離開真空腔室1050。

一般來說，提供進(jìn)一步的軌道以用于支撐掩膜框架1031和掩膜1030?？膳c在此描述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式可包括在真空腔室1050中的四個軌道。為了移動其中一個掩膜1030離開腔室例如用于清洗掩膜，包括掩膜的掩膜框架1031可移動至基板1010的傳送軌道上。各自的掩膜框架可在基板的傳送軌道上接著離開或進(jìn)入基板的傳送軌道上的真空腔室1050。雖然提供用于掩膜框架1031的分離的傳送軌道來進(jìn)入和離開真空腔室1050是有可能的，但是如果只有兩個軌道(即用于基板的傳送軌道)延伸進(jìn)入和離開真空腔室1050，且此外掩膜框架，例如與相應(yīng)的掩膜1030一起，可通過適合的致動器或機(jī)械手移動到用于基板的傳送軌道的相應(yīng)一個傳送軌道上，那么沉積系統(tǒng)1000的擁有成本(costofownership)可減少。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，提供用于利用從坩鍋蒸發(fā)的源材料涂布基板的方法1100。坩鍋可為上述的任意一個或多個坩鍋且一般包括壁，所述壁具有內(nèi)表面，所述內(nèi)表面圍繞內(nèi)部容積以用于容納源材料和至少一個熱傳輸元件，所述至少一個熱傳輸元件被布置在坩鍋的內(nèi)部容積中。所述方法包括在坩鍋中提供源材料1110，特別是在坩鍋的內(nèi)部容積中。根據(jù)此處的實(shí)施方式，源材料可為粉末、液態(tài)和/或小球(pellets)的形式。所述方法進(jìn)一步包括通過提供坩鍋的內(nèi)部容積的間接加熱來加熱源材料至蒸發(fā)溫度1120。特別是，電力可提供至加熱器，所述加熱器被至少沿著坩鍋的壁的外部布置。此處使用的術(shù)語“外部(outerportion)”應(yīng)意指不在坩鍋的內(nèi)部容積中的坩鍋的任何部分。例如，壁的外部可例如由屏蔽物所覆蓋，以使得加熱器布置在壁的外部與屏蔽物之間。

加熱源材料可在真空下完成，這有助于從粉末進(jìn)行任何濕度的吸濕(desorption)且溫度可逐漸地增加。根據(jù)在此描述的實(shí)施方式，溫度可提升至待用(stand-by)溫度，源材料的蒸發(fā)在接近待用溫度時發(fā)生。待用溫度可為例如是從蒸發(fā)溫度的90％至95％的任意溫度。根據(jù)此處的實(shí)施方式，溫度可通過一個或多個傳感器和一個溫度控制器控制，上述溫度控制器作用于電源，電源被連接于加熱器。

在此處描述的實(shí)施方式中，溫度可逐漸地從待用溫度增加至蒸發(fā)溫度，以更好地調(diào)整沉積率。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，提供坩鍋的內(nèi)部容積的間接加熱可進(jìn)一步包括在坩鍋的內(nèi)部容積中產(chǎn)生最多總加熱功率的5％1130。于在此描述的實(shí)施方式中，大部分的加熱功率在坩鍋的內(nèi)部容積的外側(cè)產(chǎn)生并間接地提供至坩鍋的內(nèi)部容積以蒸發(fā)源材料。通過所述一個或多個熱傳輸元件，熱可被動地提供進(jìn)坩鍋的內(nèi)部容積中。特別是，來自加熱器的熱可經(jīng)由坩鍋壁和/或所述一個或多個熱傳輸元件傳輸?shù)桔徨伒膬?nèi)部容積。

在此處的實(shí)施方式中，來自加熱器的熱經(jīng)由壁和/或所述一個或多個熱傳輸元件在坩鍋的內(nèi)部容積中被均勻地分配。一般來說，沒有加熱器被直接地提供在坩鍋的內(nèi)部容積中是因?yàn)榇伺e可能會對坩鍋的外側(cè)上的加熱器控制有所干擾。根據(jù)此處的實(shí)施方式，大部分的加熱功率被應(yīng)用到在坩鍋的外側(cè)上的加熱器，且由加熱器產(chǎn)生的熱能通過壁和/或所述一個或多個熱傳輸元件傳導(dǎo)進(jìn)坩鍋的內(nèi)部容積中。

根據(jù)此處的實(shí)施方式，源材料的加熱可進(jìn)一步包括將所述一個或多個熱傳輸元件從至少第一位置移動至第二位置，以更均勻地在坩鍋的內(nèi)部容積中分配熱。

用于利用源材料涂布基板的方法進(jìn)一步包括將已蒸發(fā)的和/或已升華的源材料引導(dǎo)至基板而在基板的表面上產(chǎn)生源材料的薄膜1140。根據(jù)此處的實(shí)施方式，引導(dǎo)已蒸發(fā)的源材料可包括提供熱能至已蒸發(fā)的源材料1150。而且，在此處的實(shí)施方式中，引導(dǎo)源材料可進(jìn)一步包括在接近基板處冷卻已蒸發(fā)的源材料1160，以促進(jìn)源材料在基板的表面上的沉積。

雖然上述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施方式，但是可以在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下設(shè)計本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施方式。