一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可以將研磨時(shí)飛濺出來(lái)的碎屑完全遮擋的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，包括：設(shè)置在下磨座上的環(huán)形防護(hù)筒，該環(huán)形防護(hù)筒包括一對(duì)通過(guò)箱包鎖扣鎖緊在一起的半圓弧形板；環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁上設(shè)置有與下磨盤相配合的擱置凸臺(tái)，環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁在擱置凸臺(tái)的上、下側(cè)分別設(shè)置有環(huán)形緩沖槽和環(huán)形密封槽，環(huán)形密封槽中設(shè)置有環(huán)形密封圈，環(huán)形緩沖槽的上沿不低于與下磨盤配套使用的上磨盤的下表面即上磨盤的研磨面，環(huán)形防護(hù)筒上的擱置凸臺(tái)擱置在下磨盤外側(cè)的下磨座上；所述的機(jī)座上在環(huán)形保護(hù)筒的下方還設(shè)置有與所述的下磨座同心的環(huán)形擱置平臺(tái)。該防護(hù)裝置尤其適用于對(duì)晶片進(jìn)行研磨的研磨機(jī)中。
【專利說(shuō)明】一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及到一種對(duì)晶片進(jìn)行研磨的研磨機(jī)，尤其涉及到一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，傳統(tǒng)的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，通常包括:通過(guò)主動(dòng)軸活動(dòng)設(shè)置在研磨機(jī)機(jī)座上的下磨座，下磨座的側(cè)壁上密封設(shè)置有與下磨座同心的環(huán)形防護(hù)筒。這種環(huán)形防護(hù)筒在實(shí)際使用過(guò)程中，并不能將研磨時(shí)飛濺出來(lái)的碎屑完全遮擋，為此，在環(huán)形防護(hù)筒的外側(cè)還要設(shè)置第二道環(huán)形防護(hù)筒，盡管這樣，飛濺出來(lái)的碎屑無(wú)序散落四周，清理非常麻煩；而且，被阻擋在上述環(huán)形保護(hù)筒中的碎屑清理起來(lái)也非常麻煩。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種可以將研磨時(shí)飛濺出來(lái)的碎屑完全遮擋、并且清理十分方便的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為:一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，包括:通過(guò)主動(dòng)軸活動(dòng)設(shè)置在研磨機(jī)機(jī)座上的下磨座，下磨座大于同心安裝在下磨座上的下磨盤，所述的下磨座上設(shè)置有與下磨座同心的環(huán)形防護(hù)筒，所述的環(huán)形防護(hù)筒包括:一對(duì)半圓弧形板，這一對(duì)半圓弧形板通過(guò)一對(duì)鎖扣機(jī)構(gòu)鎖緊在一起；該環(huán)形防護(hù)筒與下磨座之間的具體設(shè)置方式為:環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁上設(shè)置有與下磨盤相配合的擱置凸臺(tái)，該擱置凸臺(tái)上設(shè)置有與下磨座上的排污孔相通的導(dǎo)污孔，環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁在擱置凸臺(tái)的上、下側(cè)分別設(shè)置有環(huán)形緩沖槽和環(huán)形密封槽，環(huán)形密封槽中設(shè)置有環(huán)形密封圈，環(huán)形緩沖槽的上沿不低于與下磨盤配套使用的上磨盤的下表面即上磨盤的研磨面，環(huán)形防護(hù)筒上的擱置凸臺(tái)擱置在下磨盤外側(cè)的下磨座上；所述的機(jī)座上在環(huán)形保護(hù)筒的下方還設(shè)置有與所述的下磨座同心、用于擱置環(huán)形保護(hù)筒的環(huán)形擱置平臺(tái)。
[0005]作為一種優(yōu)選方案，在所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置中，所述的環(huán)形緩沖槽中還設(shè)置有阻燃緩沖墊。
[0006]作為一種優(yōu)選方案，在所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置中，所述環(huán)形緩沖槽為圓弧形槽，其圓弧長(zhǎng)度大于該圓弧所在圓的周長(zhǎng)的一半。
[0007]作為一種優(yōu)選方案，在所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置中，所述的環(huán)形擱置平臺(tái)的外沿還設(shè)置有防止環(huán)形防護(hù)筒掉落的攔阻凸臺(tái)。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，在所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置中，所述的環(huán)形擱置平臺(tái)通過(guò)至少一對(duì)支撐立柱設(shè)置在機(jī)座上。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，在所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置中，所述的鎖扣機(jī)構(gòu)為箱包鎖扣。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置環(huán)形緩沖槽，使得研磨時(shí)飛濺出來(lái)的碎屑在環(huán)形緩沖槽內(nèi)多次撞擊，在不斷吸收碎屑動(dòng)能的同時(shí)，不斷改變碎屑的運(yùn)動(dòng)方向，從而保證了碎屑不會(huì)濺出環(huán)形緩沖筒；除此之外，將緩沖筒設(shè)置成弧長(zhǎng)大于圓周長(zhǎng)一半的圓弧形槽以及設(shè)置在緩沖筒中的緩沖墊均可以更好地吸收碎屑的動(dòng)能，可以防止碎屑過(guò)分破碎；設(shè)置在環(huán)形擱置平臺(tái)外沿處的攔阻凸臺(tái)，可有效地防止拆解之后的環(huán)形防護(hù)筒從環(huán)形擱置平臺(tái)上滑落。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型所述晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是圖1中環(huán)形防護(hù)筒的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖1至圖2中的附圖標(biāo)記為:1、主動(dòng)軸，2、上磨盤，3、下磨盤，4、被動(dòng)軸，5、晶片安置板，6、環(huán)形防護(hù)筒,60、半圓弧形板,601、圓弧形定位凸起,61、環(huán)形緩沖槽,62、擱置凸臺(tái)，621、導(dǎo)污孔，63、箱包鎖扣，7、環(huán)形密封圈，8、阻燃緩沖墊，9、擱置平臺(tái)，91、內(nèi)孔，92、阻攔凸臺(tái)，10、支撐立柱，11、上磨座，12、下磨座，121、排污孔。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖，詳細(xì)描述本實(shí)用新型所述的一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置的具體實(shí)施方案:
[0015]如圖1所示，本實(shí)用新型所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，包括:通過(guò)主動(dòng)軸I活動(dòng)設(shè)置在研磨機(jī)的機(jī)座(屬于本領(lǐng)域的慣常技術(shù)，圖中未畫出)上的下磨座12,下磨座12大于同心安裝在下磨座12上的下磨盤3，下磨座12上設(shè)置有與下磨座12同心的環(huán)形防護(hù)筒6，如圖2所示，該環(huán)形防護(hù)筒6包括:一對(duì)半圓弧形板60，這一對(duì)半圓弧形板60的端面上分別設(shè)置有相互配合的圓弧形定位凸起601和圓弧形定位凹槽，即:一塊半圓弧形板60的端面上設(shè)置有圓弧形定位凸起601，則另一塊相應(yīng)端上設(shè)置與圓弧形定位凸起601相配合的圓弧形定位凹槽，這一對(duì)半圓弧形板60通過(guò)一對(duì)箱包鎖扣63即鎖扣機(jī)構(gòu)鎖緊在一起；該環(huán)形防護(hù)筒6與下磨座12之間的具體設(shè)置方式為:環(huán)形防護(hù)筒6的內(nèi)壁上設(shè)置有與下磨盤3相配合的擱置凸臺(tái)62，該擱置凸臺(tái)62上設(shè)置有與下磨座12上的排污孔121相通的導(dǎo)污孔621，環(huán)形防護(hù)筒6的內(nèi)壁在擱置凸臺(tái)62的上側(cè)設(shè)置有圓弧形的環(huán)形緩沖槽61，環(huán)形緩沖槽61橫截面的圓弧長(zhǎng)度大于該圓弧所在圓的周長(zhǎng)的一半，環(huán)形緩沖槽61的上沿不低于與下磨盤3配套使用的上磨盤2的下表面即上磨盤2的研磨面，環(huán)形緩沖槽61中設(shè)置有阻燃緩沖墊8，環(huán)形防護(hù)筒6的內(nèi)壁在擱置凸臺(tái)62的下側(cè)設(shè)置有環(huán)形密封槽，環(huán)形密封槽中設(shè)置有環(huán)形密封圈7，環(huán)形防護(hù)筒6上的擱置凸臺(tái)62擱置在下磨盤3外側(cè)的下磨座12上；所述的機(jī)座上在環(huán)形保護(hù)筒6的下方還通過(guò)至少一對(duì)支撐立柱10設(shè)置有與所述的下磨座12同心、用于擱置拆解后的環(huán)形保護(hù)筒6的環(huán)形擱置平臺(tái)9，環(huán)形擱置平臺(tái)9的外沿處還設(shè)置有防止環(huán)形防護(hù)筒6掉落的攔阻凸臺(tái)92。
[0016]在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，上磨盤2設(shè)置在上磨座11上,上磨座11通過(guò)被動(dòng)軸4活動(dòng)設(shè)置在其上方的升降座中(屬于本領(lǐng)域的慣常技術(shù)，圖中未畫出)，升降座通過(guò)機(jī)架設(shè)置在機(jī)座上(屬于本領(lǐng)域的慣常技術(shù)，圖中未畫出)。
[0017]研磨前，首先將一對(duì)半圓弧形板60通過(guò)其擱置凸臺(tái)62擱置在下磨座12上拼裝，并通過(guò)一對(duì)箱包鎖扣63鎖定在下磨座12的外側(cè)，使得環(huán)形密封圈7與下磨座12緊貼在一起，并將晶片安置板5放至下磨盤3上，然后，將多個(gè)晶片放置到晶片安置板5上的相應(yīng)網(wǎng)格中，調(diào)整上磨盤2的高度，使得下磨盤3擱置在晶片上，這時(shí)，便可啟動(dòng)研磨機(jī)，對(duì)晶片進(jìn)行研磨。研磨后，打開(kāi)箱包鎖扣63，將拆解后的一對(duì)半圓弧形板60向外拉，擱置在環(huán)形擱置平臺(tái)9上,大大方便了對(duì)碎屑的清理。
[0018]綜上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所作的均等變化與修飾，均應(yīng)包括在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，包括:通過(guò)主動(dòng)軸活動(dòng)設(shè)置在研磨機(jī)機(jī)座上的下磨座，下磨座上設(shè)置有與下磨座同心的環(huán)形防護(hù)筒，其特征在于:所述的下磨座大于同心安裝在下磨座上的下磨盤，所述的環(huán)形防護(hù)筒包括:一對(duì)半圓弧形板，這一對(duì)半圓弧形板通過(guò)一對(duì)鎖扣機(jī)構(gòu)鎖緊在一起；該環(huán)形防護(hù)筒與下磨座之間的具體設(shè)置方式為:環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁上設(shè)置有與下磨盤相配合的擱置凸臺(tái)，該擱置凸臺(tái)上設(shè)置有與下磨座上的排污孔相通的導(dǎo)污孔，環(huán)形防護(hù)筒的內(nèi)壁在擱置凸臺(tái)的上、下側(cè)分別設(shè)置有環(huán)形緩沖槽和環(huán)形密封槽，環(huán)形密封槽中設(shè)置有環(huán)形密封圈，環(huán)形緩沖槽的上沿不低于與下磨盤配套使用的上磨盤的下表面即上磨盤的研磨面，環(huán)形防護(hù)筒上的擱置凸臺(tái)擱置在下磨盤外側(cè)的下磨座上；所述的機(jī)座上在環(huán)形保護(hù)筒的下方還設(shè)置有與所述的下磨座同心、用于擱置環(huán)形保護(hù)筒的環(huán)形擱置平臺(tái)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，其特征在于，所述的環(huán)形緩沖槽中還設(shè)置有阻燃緩沖墊。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，其特征在于，所述環(huán)形緩沖槽為圓弧形槽，其圓弧長(zhǎng)度大于該圓弧所在圓的周長(zhǎng)的一半。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，其特征在于，所述的環(huán)形擱置平臺(tái)的外沿還設(shè)置有防止環(huán)形防護(hù)筒掉落的攔阻凸臺(tái)。
5.如權(quán)利要求1至4之一所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，其特征在于，所述的環(huán)形擱置平臺(tái)通過(guò)至少一對(duì)支撐立柱設(shè)置在機(jī)座上。
6.如權(quán)利要求1至4之一所述的晶片研磨機(jī)中的防護(hù)裝置，其特征在于，所述的鎖扣機(jī)構(gòu)為箱包鎖扣。
【文檔編號(hào)】B24B55/00GK204094613SQ201420550065
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月24日
【發(fā)明者】戚林 申請(qǐng)人:江蘇中科晶元信息材料有限公司