磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，包括機(jī)座及設(shè)于機(jī)座的傳輸裝置、上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)和回傳線路，上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)及回傳線路呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路，傳輸裝置呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于加工環(huán)路；真空加工室組包含沿傳輸裝置的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室，一號、二號及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有靶材，一號、二號及三號鍍膜室外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的靶材的磁體及用于調(diào)節(jié)磁體的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包含移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件，移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均與磁體連接。
【專利說明】磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁控濺射鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，磁控濺射是為了在低氣壓下進(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶材陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法；即在二極濺射中增加一個平行于靶材表面的封閉磁場，借助于靶材表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶材表面特定區(qū)域來增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過程。
[0003]在現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線中，通常是通過一呈板狀長方體結(jié)構(gòu)的磁體來提供磁場，雖然磁控派射的技術(shù)日趨成熟，但是其仍存在眾多的缺陷，一方面，由于板狀長方體結(jié)構(gòu)的磁體本身的磁場分布是不均勻的，造成了靶材所處區(qū)域的磁場分布不均勻，使得在二極濺射中的二次電子的運(yùn)動不穩(wěn)定及分布不均勻，最終導(dǎo)致待鍍膜的玻璃基片的鍍膜分布不均勻及鍍膜厚度不一致，從而嚴(yán)重影響了玻璃基片的鍍膜質(zhì)量及合格率；另一方面，由于磁體相對于靶材往往是呈固定設(shè)置的，無法移動，對于靶材面積較大而磁體所產(chǎn)生的磁場較小的情況時，則使得靶材的利用率和濺射范圍受到限制，無法充分利用靶材，對未處于磁場作用區(qū)域內(nèi)的靶材造成浪費(fèi)，且很大的制約了玻璃基片鍍膜的加工效率，且也會對玻璃基片的鍍膜質(zhì)量及合格率產(chǎn)生一定的不良影響；再者，現(xiàn)有的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線還存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、鍍膜加工效率低、玻璃基片鍍膜加工成本高、工藝通用性差及無法滿足大批量的生產(chǎn)需求的缺點(diǎn)。
[0004]因此，急需要一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線來克服上述存在的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單及工藝通用性強(qiáng)的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，該磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線具有能夠提高鍍膜合格率、鍍膜質(zhì)量、靶材利用率及鍍膜加工效率的優(yōu)點(diǎn)，且該磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線還能夠降低基片鍍膜加工成本及滿足大批量的生產(chǎn)需求。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本實(shí)用新型提供了 一種適用于對基片進(jìn)行鍍膜加工的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，包括機(jī)座及設(shè)于所述機(jī)座的傳輸裝置、上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)和回傳線路，所述上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)及回傳線路呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路，所述傳輸裝置呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于所述加工環(huán)路；所述真空加工室組包含沿傳輸裝置的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有靶材，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的所述靶材的磁體及用于調(diào)節(jié)所述磁體的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包含移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件，所述移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均與所述磁體連接，通過所述移磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使所述磁體相對所述靶材沿平行于所述靶材的方向做平移調(diào)節(jié)操作，通過所述均磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使所述磁體彎曲以調(diào)節(jié)所述磁體兩端與所述靶材的距離；所述基片于所述上料區(qū)處裝載于所述傳輸裝置，所述傳輸裝置承載所述基片順次傳輸于所述進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室以完成基片的鍍膜加工，所述基片于所述下料區(qū)處從所述傳輸裝置上卸下，所述傳輸裝置經(jīng)所述回傳線路回傳至所述上料區(qū)。
[0007]較佳地，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)還包含安裝架，所述安裝架設(shè)于所述機(jī)座，所述磁體呈移動的設(shè)于所述安裝架，所述移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均設(shè)于所述磁體及安裝架之間。
[0008]較佳地，所述移磁調(diào)節(jié)組件包含主動齒輪及從動條形齒，所述主動齒輪樞接于所述安裝架，所述從動條形齒沿所述磁體做平移調(diào)節(jié)的方向安裝于所述磁體，且所述主動齒輪與所述從動條形齒嚙合配合；每一所述磁體的兩端均設(shè)有所述均磁調(diào)節(jié)組件，所述移磁調(diào)節(jié)組件位于所對應(yīng)的所述磁體的中部，所述均磁調(diào)節(jié)組件包含連接座、抵推螺栓及回拉螺栓，所述連接座連接于所述安裝架，所述抵推螺栓的一端螺紋連接于所述連接座，所述抵推螺栓的另一端抵觸于所述磁體，所述回拉螺栓的一端螺紋連接于所述磁體，所述回拉螺栓的另一端滑動貫穿所述連接座，所述連接座均位于所述磁體與所述回拉螺栓的螺帽之間，且所述連接座抵觸于所述回拉螺栓的螺帽；所述移磁調(diào)節(jié)組件還形成有頂推部，所述頂推部朝靠近所述靶材的方向抵推于所述磁體。
[0009]較佳地，所述傳輸裝置包含機(jī)架、移動承載架及驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述機(jī)架設(shè)于所述機(jī)座，所述移動承載架的底部承載傳送于所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述機(jī)架沿所述移動承載架的移動方向設(shè)有第一導(dǎo)向部，所述移動承載架設(shè)有與所述第一導(dǎo)向部呈間隙配合的第二導(dǎo)向部，所述第一導(dǎo)向部與所述第二導(dǎo)向部相面對的側(cè)部呈磁性相斥而維持所述移動承載架處于豎直狀態(tài)。
[0010]較佳地，所述第一導(dǎo)向部包含若干第一磁體及若干第二磁體，所述第一磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第一磁體組，所述第二磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第二磁體組，所述第一磁體組及第二磁體組沿同一水平位置布置，且所述第一磁體組及第二磁體組之間形成一磁性導(dǎo)向槽，所述第二導(dǎo)向部呈間隙的容置于所述磁性導(dǎo)向槽內(nèi)；所述第二導(dǎo)向部包含若干第三磁體及若干第四磁體，所述第三磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第三磁體組，所述第四磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第四磁體組，所述第三磁體組及第四磁體組均位于所述磁性導(dǎo)向槽內(nèi)，所述第三磁體的一端呈間隙的面對于所述第一磁體的一端且呈磁性相斥，所述第四磁體的一端呈間隙的面對于所述第而磁體的一端且呈磁性相斥。
[0011]較佳地，所述前過渡室及所述后過渡室均設(shè)有用于抽真空的快速真空機(jī)構(gòu)，所述快速真空機(jī)構(gòu)包括第一閥門、第一連通管道、第二閥門、第二連通管道、羅茨泵及滑閥泵，所述第一閥門連通于所述前過渡室與所述第一連通管道之間或所述后過渡室與所述第一連通管道之間，所述第二閥門連通于所述第一連通管道于第二連通管道之間，所述滑閥泵的進(jìn)氣端連通于所述第二連通管道，所述羅茨泵的進(jìn)氣端連通于所述第一連通管道，所述羅茨泵的出氣端連通于第二連通管道。
[0012]較佳地，所述傳輸裝置沿傳輸方向承載有呈間隔開的并排且處于同一水平位置的兩列所述基片，每一列所述基片形成一基片排，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有面對于兩所述基片排并對兩所述基片排進(jìn)行同時鍍膜的鍍膜機(jī)構(gòu)。
[0013]較佳地，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有用于加熱的加熱機(jī)構(gòu)，所述加熱機(jī)構(gòu)包括第一加熱器、第二加熱器及第三加熱器，兩所述基片排位于所述第一加熱器及第二加熱器之間，所述第三加熱器位于兩所述基排片之間。
[0014]較佳地，每一所述基片排沿豎直方向均具有至少兩層承載于所述傳輸裝置的所述基片。
[0015]較佳地，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有用于導(dǎo)入惰性氣體的分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)，所述分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)包括若干布?xì)夤艿?，所述布?xì)夤艿赖膫?cè)壁開設(shè)有至少兩個導(dǎo)氣孔，所述導(dǎo)氣孔沿惰性氣體的流動方向排布，且兩相鄰的所述導(dǎo)氣孔之間的距離沿惰性氣體的流動方向呈逐漸縮小的設(shè)置。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)及回傳線路呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路，傳輸裝置呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于加工環(huán)路；真空加工室組包含沿傳輸裝置的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室，一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有靶材，一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的靶材的磁體及用于調(diào)節(jié)磁體的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包含移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件，移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均與磁體連接，通過移磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使磁體相對靶材沿平行于靶材的方向做平移調(diào)節(jié)操作，通過均磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使磁體彎曲以調(diào)節(jié)磁體兩端與靶材的距離，一方面，通過移磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使磁體相對靶材沿平行于靶材的方向做平移調(diào)節(jié)，使得靶材的每一處都能夠輪流處于磁體的磁場作用范圍內(nèi)，從而大大增加了靶材的利用率和濺射范圍，充分利用靶材，同時大大提高了基片鍍膜的加工效率，且無需增大磁體的體積；另一方面，通過均磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使磁體彎曲以調(diào)節(jié)磁體兩端與靶材的距離，從而使得靶材所處區(qū)域的磁場分布更為均勻，使得在二極濺射中的二次電子的運(yùn)動更為穩(wěn)定及分布更為均勻，進(jìn)而使待鍍膜的基片的鍍膜分布更為均勻及鍍膜厚度更為一致，最終大大提高了基片的鍍膜質(zhì)量及合格率；基片于上料區(qū)處裝載于傳輸裝置，傳輸裝置承載基片順次傳輸于前進(jìn)料室、過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室以完成基片的鍍膜加工，基片于下料區(qū)處從傳輸裝置上卸下，傳輸裝置經(jīng)回傳線路回傳至上料區(qū)，從而使得本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線還具有結(jié)構(gòu)簡單、工藝通用性強(qiáng)及能夠提高鍍膜合格率、鍍膜質(zhì)量、靶材利用率和鍍膜加工效率的優(yōu)點(diǎn)，且還能夠降低基片鍍膜加工成本及滿足大批量的生產(chǎn)需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的俯視圖。
[0018]圖2為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)組合立體示意圖。
[0019]圖3為圖2的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖4為沿圖3中A-A線的剖視圖。
[0021]圖5為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的移磁調(diào)節(jié)組件的組合立體示意圖。
[0022]圖6為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的均磁調(diào)節(jié)組件的組合立體示意圖。
[0023]圖7本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的傳輸裝置的組合立體示意圖。[0024]圖8圖7的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖9為圖8中B部分的放大圖。
[0026]圖10為沿圖9中C-C線的斷面圖。
[0027]圖11為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的快速真空機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖12為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的加熱機(jī)構(gòu)與基片排的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖13為本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)的全剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖作進(jìn)一步說明。
[0031]請參閱圖1至圖8，本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100包括機(jī)座101及設(shè)于機(jī)座101的傳輸裝置102、上料區(qū)103、真空加工室組104、下料區(qū)105和回傳線路106，上料區(qū)103、真空加工室組104、下料區(qū)105及回傳線路106呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路100a，傳輸裝置102呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于加工環(huán)路IOOa ;真空加工室組104包含沿傳輸裝置102的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室80a、前過渡室80b、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室80e及出料室80f，其中，前緩沖室80c及后緩沖室80d的具體結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述；一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)均設(shè)有靶材911，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的靶材911的磁體912及用于調(diào)節(jié)磁體912的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108，磁體912呈板狀結(jié)構(gòu)，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108包含移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60，移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60均與磁體912連接，通過移磁調(diào)節(jié)組件50驅(qū)使磁體912相對靶材911沿平行于靶材911的方向做平移調(diào)節(jié)操作，通過均磁調(diào)節(jié)組件60驅(qū)使磁體912彎曲以調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離，一方面，通過移磁調(diào)節(jié)組件50驅(qū)使磁體912相對靶材911沿平行于靶材911的方向做平移調(diào)節(jié)，使得靶材911的每一處都能夠輪流處于磁體912的磁場作用范圍內(nèi)，從而大大增加了靶材911的利用率和濺射范圍，充分利用靶材911，同時大大提高了基片201鍍膜的加工效率，且無需增大磁體912的體積；另一方面，通過均磁調(diào)節(jié)組件60驅(qū)使磁體912彎曲以調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離，從而使得靶材911所處區(qū)域的磁場分布更為均勻，使得在二極濺射中的二次電子的運(yùn)動更為穩(wěn)定及分布更為均勻，進(jìn)而使待鍍膜的基片201的鍍膜分布更為均勻及鍍膜厚度更為一致，最終大大提高了基片201的鍍膜質(zhì)量及合格率；基片201于上料區(qū)103處裝載于傳輸裝置102，傳輸裝置102承載基片201順次傳輸于進(jìn)料室80a、前過渡室80b、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室80e及出料室80f以完成基片201的鍍膜加工，基片201于下料區(qū)105處從傳輸裝置102上卸下，傳輸裝置102經(jīng)回傳線路106回傳至上料區(qū)103，從而使得本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100能夠?qū)崿F(xiàn)提高基片201鍍膜加工效率、滿足大批量的生產(chǎn)需求及降低基片201鍍膜加工成本。具體地，如下:
[0032]請參閱圖2至圖6，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108還包含安裝架70，安裝架70設(shè)于機(jī)座101，磁體912呈移動的設(shè)于安裝架70，移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60均設(shè)于磁體912及安裝架70之間，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊。具體地，移磁調(diào)節(jié)組件50包含主動齒輪51及從動條形齒52，主動齒輪51樞接于安裝架70，從動條形齒52沿磁體912做平移調(diào)節(jié)的方向安裝于磁體912，且主動齒輪51與從動條形齒52嚙合配合，從而通過樞轉(zhuǎn)主動齒輪51驅(qū)使從動條形齒52移動以帶動磁體912移動而對磁體912進(jìn)行平移的位置調(diào)節(jié)，以提高靶材911的利用效率，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊。較優(yōu)是，在本實(shí)施例中，靶材911及磁體912均沿豎直方向設(shè)置，磁體912做平移調(diào)節(jié)的方向呈水平方向設(shè)置，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，但，不以此為限。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，移磁調(diào)節(jié)組件50還包含第一樞轉(zhuǎn)軸53及操作件54，第一樞轉(zhuǎn)軸53樞接于安裝架70，主動齒輪51安裝于第一樞轉(zhuǎn)軸53靠近磁體912的一端，操作件54安裝于第一樞轉(zhuǎn)軸53遠(yuǎn)離磁體912的一端，使得主動齒輪51的樞接結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，且通過操作件54能夠更為方便省力地樞轉(zhuǎn)主動齒輪51。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，安裝架70上設(shè)有一樞接座55，第一樞轉(zhuǎn)軸53樞接于樞接座55，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊。
[0033]同時，每一磁體912的兩端均設(shè)有均磁調(diào)節(jié)組件60，移磁調(diào)節(jié)組件50位于所對應(yīng)的磁體912的中部，均磁調(diào)節(jié)組件60包含連接座61、抵推螺栓62及回拉螺栓63，連接座61連接于安裝架70，抵推螺栓62的一端螺紋連接于連接座61，抵推螺栓62的另一端抵觸于磁體912，回拉螺栓63的一端螺紋連接于磁體912，回拉螺栓63的另一端滑動貫穿連接座61，連接座61均位于磁體912與回拉螺栓63的螺帽之間，且連接座61抵觸于回拉螺栓63的螺帽，即通過抵推螺栓62及回拉螺栓63 —推一拉的相互配合作用來定位磁體912兩端與靶材911的距離，當(dāng)需要調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離時，僅需樞轉(zhuǎn)抵推螺栓62及回拉螺栓63來進(jìn)行操作，極為方便，且結(jié)構(gòu)簡單緊湊；較優(yōu)是，在本實(shí)施例中，均磁調(diào)節(jié)組件60包括兩個回拉螺栓63及一個抵推螺栓62，兩個回拉螺栓63分布于抵推螺栓62的兩側(cè)且關(guān)于抵推螺栓62呈對稱的布置，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，當(dāng)然，抵推螺栓62及回拉螺栓63的具體數(shù)量及布置結(jié)構(gòu)并不以此為限，在其它實(shí)施例中，還可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活選擇和設(shè)計；移磁調(diào)節(jié)組件50還形成有頂推部511，頂推部511朝靠近靶材911的方向抵推于磁體912，頂推部511較優(yōu)為形成于主動齒輪51靠近于磁體912的端部，且頂推部511位于磁體912的兩端的均磁調(diào)節(jié)組件60之間，從而通過頂推部511抵推于磁體912的中部，及通過位于磁體912兩端的均磁調(diào)節(jié)組件60的調(diào)節(jié)操作，最終驅(qū)使磁體912彎曲以調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離，從而使得靶材911所處區(qū)域的磁場分布更為均勻。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，均磁調(diào)節(jié)組件60還包含導(dǎo)向件65，導(dǎo)向件65沿磁體912做平移調(diào)節(jié)的方向設(shè)于安裝架70，連接座61呈滑動連接于導(dǎo)向件65，從而使的磁體912的平移調(diào)節(jié)更為順暢穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)更為合理。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，安裝架70開設(shè)有容置槽71，移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60均位于容置槽71內(nèi)，使得移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60布局空間更為合理，減少整體的占用空間，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，但，并以此為限。
[0034]請參閱圖7至圖10，傳輸裝置102包含機(jī)架10、移動承載架20及驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，機(jī)架10設(shè)于機(jī)座101，移動承載架20的底部承載傳送于驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，機(jī)架10沿移動承載架20的移動方向設(shè)有第一導(dǎo)向部11，移動承載架20設(shè)有與第一導(dǎo)向部11呈間隙配合的第二導(dǎo)向部21,第一導(dǎo)向部11與第二導(dǎo)向部21相面對的側(cè)部呈磁性相斥而維持移動承載架20處于豎直狀態(tài)，從而防止移動承載架20出現(xiàn)傾斜，且實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)向部11與第二導(dǎo)向部21的無摩擦配合的導(dǎo)向，使得傳輸裝置102能夠維持所傳輸?shù)幕?01處于豎直狀態(tài)及避免產(chǎn)生灰塵，進(jìn)而提高基片201的鍍膜質(zhì)量。較優(yōu)是，第一導(dǎo)向部11設(shè)于機(jī)架10的頂部，第二導(dǎo)向部21設(shè)于移動承載架20的頂部，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，當(dāng)然第一導(dǎo)向部11及第二導(dǎo)向部21的具體設(shè)置位置并不以此為限，還可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活選擇。更優(yōu)是，移動承載架20設(shè)有用于承載基片201的承載部23，以方便基片201的承載，且承載部23就具體結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活設(shè)計。具體地，第一導(dǎo)向部11包含若干第一磁體Illa及若干第二磁體112a，第一磁體Illa沿移動承載架20的移動方向呈間隙的排列而形成第一磁體組111，第二磁體112a沿移動承載架20的移動方向呈間隙的排列而形成第二磁體組112，第一磁體組111及第二磁體組112沿同一水平位置布置，且第一磁體組111及第二磁體組112之間形成一磁性導(dǎo)向槽113，第二導(dǎo)向部21呈間隙的容置于磁性導(dǎo)向槽113內(nèi)；第二導(dǎo)向部21包含若干第三磁體211a及若干第四磁體212a，第三磁體211a沿移動承載架20的移動方向呈間隙的排列而形成第三磁體組211，第四磁體212a沿移動承載架20的移動方向呈間隙的排列而形成第四磁體組212，第三磁體組211及第四磁體組212均位于磁性導(dǎo)向槽113內(nèi)，第三磁體211a的一端呈間隙的面對于第一磁體Illa的一端且呈磁性相斥，第四磁體212a的一端呈間隙的面對于第而磁體912的一端且呈磁性相斥，從而維持第二導(dǎo)向部21于磁性導(dǎo)向槽113內(nèi)移動，且第二導(dǎo)向部21不會與第一導(dǎo)向部11接觸摩擦，以及維持移動承載架20處于豎直狀態(tài)。且，在本實(shí)施例中，第一磁體111a、第二磁體112a、第三磁體211a及第四磁體212a均沿移動承載架20的移動方向呈間隙均勻的排列，使得第一磁體組111與第三磁體組211的磁性作用及第二磁體組112與第四磁體組212的磁性作用更為均衡穩(wěn)定，使得移動承載架20的移動更為穩(wěn)定，且本實(shí)用新型并不對第一磁體111a、第二磁體112a、第三磁體211a及第四磁體212a的具體設(shè)置數(shù)量作限定，在不同的實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活選擇。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，移動承載架20上并排設(shè)有兩個第二導(dǎo)向部21，對應(yīng)的，機(jī)架10上也設(shè)有兩個與每一第二導(dǎo)向部21 —一對應(yīng)配合的第一導(dǎo)向部11，使得移動承載架20的傳輸更為穩(wěn)定，故移動承載架20上所承載的基片201的傳輸也能夠更為穩(wěn)定的接受:每一工序的加工，從而大大提聞基片201的鍛I旲質(zhì)量，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，當(dāng)然，第一導(dǎo)向部11及第二導(dǎo)向部21具體設(shè)置數(shù)量并不以此為限，還可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活選擇。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，第一磁體111a、第二磁體112a、第三磁體211a及第四磁體212a均優(yōu)選為耐高溫的磁鐵制成，以適應(yīng)基片201于高溫腔室內(nèi)的鍍膜。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)向部11還包含第一安裝座114及第二安裝座115，第一安裝座114及第二安裝座115呈間隙的且均沿移動承載架20的移動方向設(shè)于機(jī)架10,第一磁體組111內(nèi)置固定于第一安裝座114,第二磁體組112內(nèi)置固定于第二安裝座115，S卩，磁性導(dǎo)向槽113也形成于第一安裝座114及第二安裝座115之間；第二導(dǎo)向部21還包含第三安裝座213，第三安裝座213沿移動承載架20的移動方向設(shè)于移動承載架20，第三安裝座213呈間隙的容置于磁性導(dǎo)向槽113內(nèi)，第三磁體組211及第四磁體組212均內(nèi)置固定于第三安裝座213，最終實(shí)現(xiàn)對第一磁體組111、第二磁體組112、第三磁體組211及第四磁體組212的安裝固定，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，當(dāng)然，第一磁體組111、第二磁體組112、第三磁體組211及第四磁體組212具體安裝固定結(jié)構(gòu)并不限于此，還可根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活設(shè)計。值得注意者，在其它實(shí)施例中，第三磁體211a及第四磁體212a還可以一體成型，則第三磁體211a及第四磁體212a還可以一體成型后的兩端均與所面對的第一磁體Illa的一端及第二磁體112a的一端呈磁性相斥，一樣能實(shí)現(xiàn)維持第二導(dǎo)向部21于磁性導(dǎo)向槽113內(nèi)移動，且第二導(dǎo)向部21不會與第一導(dǎo)向部11接觸摩擦，以及維持移動承載架20處于豎直狀態(tài)。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，驅(qū)動機(jī)構(gòu)30包括驅(qū)動器31及至少兩個傳動輪32，在本實(shí)施例中，驅(qū)動器31優(yōu)選為電機(jī)，當(dāng)然不以此為限；驅(qū)動器31安裝于機(jī)架10，傳動輪32沿移動承載架20的移動方向呈間隙的排列的樞接于機(jī)架10，較優(yōu)是，傳動輪32呈間隙均勻的排列，且本實(shí)用新型并不對傳動輪32的設(shè)置數(shù)量進(jìn)行限定，在不同的實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活選擇；傳動輪32均連接于驅(qū)動器31的輸出端，移動承載架20的下部承載傳送于傳動輪32上，即通過驅(qū)動器31驅(qū)使傳動輪32旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而帶動傳動輪32上所承載的移動承載架20移動。傳動輪32通過一第二樞轉(zhuǎn)軸33樞接于機(jī)架10的底部，第二樞轉(zhuǎn)軸33均連接于驅(qū)動器31的輸出端，詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，所有第二樞轉(zhuǎn)軸33之間均通過傳動帶34相互連接，再由其中一個第二樞轉(zhuǎn)軸33通過傳動帶34連接于驅(qū)動器31的輸出端，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，當(dāng)然，傳動輪32之間及傳動輪32與驅(qū)動器31之間的具體傳動結(jié)構(gòu)并不以此為限，還可以根據(jù)實(shí)際的使用需求而靈活設(shè)計。移動承載架20的下部設(shè)有第一承載卡合部22，傳動輪32的外緣設(shè)有與第一承載卡合部22相互配合的第二承載卡合部321。更具體地，第一承載卡合部22呈凸條結(jié)構(gòu)，第二承載卡合部321為與凸條結(jié)構(gòu)相互配合的凹槽結(jié)構(gòu)，使得移動承載架20的承載傳輸更為穩(wěn)定。
[0035]值得注意者，如圖1及圖7至圖10所示，在本實(shí)施例中，進(jìn)料室80a、前過渡室80b、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室SOe及出料室80f相互連接所組成的真空加工室組104呈直線布置，而回傳線路106也呈直線布置，且真空加工室組104與回傳線路106相互平行，上料區(qū)103位于回傳線路106的末端及進(jìn)料室80a的起始端之間，下料區(qū)105位于出料室80f的末端及回傳線路106的起始端之間，即上述的加工環(huán)路IOOa呈矩形；對應(yīng)地，在本實(shí)施例中，傳輸裝置102的位于真空加工室組104及回傳線路106中的機(jī)架10也呈直線布置，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，大大提高了鍍膜效率，較優(yōu)是，在本實(shí)施例中，傳輸裝置102還包括位于上料區(qū)103及下料區(qū)105的平移傳輸機(jī)構(gòu)40,該平移傳輸機(jī)構(gòu)40包括平移架體41、導(dǎo)軌42及氣缸(圖中未不),導(dǎo)軌42及氣缸均設(shè)于機(jī)座101上，平移架體41的連接于氣缸的輸出端，平移架體41通過一滑動部(圖中未示)滑動設(shè)于導(dǎo)軌42上，且導(dǎo)軌42的布置方向與機(jī)架10布置的直線方向相互垂直，而平移架體41的設(shè)置方向則與機(jī)架10布置的直線方向相互平行，且當(dāng)氣缸驅(qū)使平移架體41移動至導(dǎo)軌42的端部時，平移架體41分別與所相鄰的機(jī)架10對接，且，在本實(shí)施例中，平移架體41除了與導(dǎo)軌42相互滑動配合的滑動部及與氣缸連接的結(jié)構(gòu)外，其余結(jié)構(gòu)均與機(jī)架10的結(jié)構(gòu)相同，且平移架體41也設(shè)有上述的驅(qū)動機(jī)構(gòu)30，在此不再贅述。
[0036]請參閱圖1及圖11，前過渡室80b及后過渡室80e均設(shè)有用于抽真空的快速真空機(jī)構(gòu)81，即在本實(shí)施例中，前過渡室80b及后過渡室80e均對應(yīng)設(shè)有一個快速真空機(jī)構(gòu)81，快速真空機(jī)構(gòu)81包括第一閥門811、第一連通管道812、第二閥門813、第二連通管道814、羅茨泵815及滑閥泵816，第一閥門811連通于前過渡室80b與第一連通管道812之間或后過渡室80e與第一連通管道812之間，第二閥門813連通于第一連通管道812于第二連通管道814之間，滑閥泵816的進(jìn)氣端816a連通于第二連通管道814，羅茨泵815的進(jìn)氣端815a連通于第一連通管道812，羅茨泵815的出氣端815b連通于第二連通管道814，需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中的羅茨泵的出氣端是設(shè)置有排氣閥門，而在本實(shí)用新型中，對羅茨泵815進(jìn)行了改進(jìn)，即羅茨泵815的出氣端815b未設(shè)置排氣閥門，即是羅茨泵815的出氣端815b處于常開狀態(tài)，以減少所需控制的閥門的數(shù)量及閥門的總開閉次數(shù)，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊，作動更快捷，以滿足前過渡室80b及后過渡室80e快速真空的工作需求，即，當(dāng)需要對前過渡室80b或后過渡室80e進(jìn)行真空操作時，先打開第一閥門811及第二閥門813，啟動滑閥泵816 (此時無需啟動羅茨泵815)，當(dāng)由滑閥泵816真空至預(yù)設(shè)的壓強(qiáng)時，則再啟動羅茨泵815，并同時關(guān)閉第二閥門813，即由滑閥泵816及羅茨泵815同時作業(yè)進(jìn)行真空操作，從而實(shí)現(xiàn)前過渡室80b及后過渡室80e快速真空的操作。較優(yōu)是,在本實(shí)施例中，第二閥門813為一氣缸驅(qū)動閥門，但，并不以此為限。羅茨泵815及滑閥泵816的具體結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
[0037]請參閱圖1及圖12，傳輸裝置102的移動承載架20上沿傳輸方向承載有呈間隔開的并排且處于同一水平位置的兩列基片201，每一列基片201形成一基片排200，即移動承載架20上設(shè)有與基片排200相對應(yīng)的承載部23，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)均設(shè)有面對于兩基片排200并對兩基片排200進(jìn)行同時鍍膜的鍍膜機(jī)構(gòu)91，從而提高本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100的鍍膜加工的效率，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。鍍膜機(jī)構(gòu)91的具體結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，且，在本實(shí)施例中，每一鍍膜機(jī)構(gòu)91均對應(yīng)的設(shè)有上述的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108，上述的磁體912及靶材911也設(shè)于鍍膜機(jī)構(gòu)91中，在此不再贅述。較優(yōu)是，在本實(shí)施例中，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)均設(shè)有用于加熱的加熱機(jī)構(gòu)92，加熱機(jī)構(gòu)92包括第一加熱器921、第二加熱器922及第
三加熱器923，兩基片排200位于第一加熱器921及第二加熱器922之間，第三加熱器923位于兩基排片之間，從而使得基片201能夠被均勻加熱，避免加熱溫度的差異，從而提高了基片201鍍膜加工的質(zhì)量，結(jié)構(gòu)更為合理緊湊；值得注意的是，第一加熱器921、第二加熱器922及第三加熱器923的具體結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。更優(yōu)是，在本實(shí)施例中，每一基片排200沿豎直方向均具有至少兩層承載于傳輸裝置102的基片201，使得本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100在相同的時間段內(nèi)，能夠加工更多的數(shù)量的基片201，效率更高。
[0038]請參閱圖1及圖13，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)均設(shè)有用于導(dǎo)入惰性氣體的分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)93，分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)93包括若干布?xì)夤艿?31，布?xì)夤艿?31的側(cè)壁開設(shè)有至少兩個導(dǎo)氣孔931a，導(dǎo)氣孔931a沿惰性氣體的流動方向(圖13中箭頭D所指的方向)排布，且兩相鄰的導(dǎo)氣孔931a之間的距離沿惰性氣體的流動方向(圖13中箭頭D所指的方向)呈逐漸縮小的設(shè)置，從而使得惰性氣體于一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)能夠更快速地分布為均勻，以保障基片201鍍膜厚度的均勻性，且在本實(shí)施例中，布?xì)鈾C(jī)構(gòu)還設(shè)有流量計(圖中未示)，布?xì)夤艿?31的進(jìn)氣端連通于流量計，以方便觀察和控制進(jìn)氣量及進(jìn)氣速率，結(jié)構(gòu)更為合理，工作更為方便快捷。
[0039]結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100的工作原理做詳細(xì)說明，基片201于上料區(qū)103處裝載于移動承載架20，驅(qū)動機(jī)構(gòu)30驅(qū)使移動承載架20由上料區(qū)103的移動架體進(jìn)入前過度室的起始端，并順次傳輸于進(jìn)料室80a、前過渡室80b、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室80e及出料室80f以完成基片201的鍍膜加工，完成鍍膜加工工序后，到達(dá)下料區(qū)105，移動承載架20移入位于下料區(qū)105的平移架體41，該平移架體41在氣缸的驅(qū)使下由出料室80f的末端移動至回傳線路106的起始端，之后，移動承載架20由驅(qū)動機(jī)構(gòu)30驅(qū)使移出平移承載架，并進(jìn)入回傳線路106，由驅(qū)動機(jī)構(gòu)30驅(qū)使回傳至進(jìn)入位于上料區(qū)103的平移架體41，則該平移架體41在氣缸的驅(qū)使下由回傳線路106的末端移動至進(jìn)料室80a的起始端，并同時完成基片201的上了操作，以進(jìn)入下一批次的基片201的鍍膜加工。
[0040]且，在鍍膜加工過程中，可以通過調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108對磁體912進(jìn)行調(diào)節(jié)，當(dāng)需要將磁體912相對靶材911沿平行于靶材911的方向做平移調(diào)節(jié)操作時，僅需通過樞轉(zhuǎn)操作件54以帶動第一樞轉(zhuǎn)軸53驅(qū)使主動齒輪51旋轉(zhuǎn)，從而通過樞轉(zhuǎn)主動齒輪51驅(qū)使從動條形齒52移動以帶動磁體912移動而對磁體912進(jìn)行平移的位置調(diào)節(jié)處于不同的位置，進(jìn)而提高靶材911的利用效率。當(dāng)需要調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離時，僅需通過位于磁體912的兩端的均磁調(diào)節(jié)組件60進(jìn)行調(diào)節(jié)，即通過抵推螺栓62及回拉螺栓63 —推一拉的相互配合作用來定位磁體912兩端與靶材911的距離，即通過樞轉(zhuǎn)抵推螺栓62及回拉螺栓63來進(jìn)行調(diào)節(jié)操作，且在頂推部511的頂推下，使得磁體912的中部朝靠近靶材911的方向彎曲，而此輪的兩端朝遠(yuǎn)離靶材911的方向彎曲，以對磁體912兩端與靶材911的距離進(jìn)行調(diào)整，從而使得靶材911所處區(qū)域的磁場分布更為均勻，使得在二極濺射中的二次電子的運(yùn)動更為穩(wěn)定及分布更為均勻，進(jìn)而使待鍍膜的基片201的鍍膜分布更為均勻及鍍膜厚度更為一致。
[0041]與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100的上料區(qū)103、真空加工室組104、下料區(qū)105及回傳線路106呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路100a，傳輸裝置102呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于加工環(huán)路IOOa ;真空加工室組104包含沿傳輸裝置102的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室80a、前過渡室80b、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室80e及出料室80f，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c內(nèi)均設(shè)有靶材911，一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b及三號鍍膜室90c外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的靶材911的磁體912及用于調(diào)節(jié)磁體912的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108，調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)108包含移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60，移磁調(diào)節(jié)組件50及均磁調(diào)節(jié)組件60均與磁體912連接，通過移磁調(diào)節(jié)組件50驅(qū)使磁體912相對靶材911沿平行于靶材911的方向做平移調(diào)節(jié)操作，通過均磁調(diào)節(jié)組件60驅(qū)使磁體912彎曲以調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離，一方面，通過移磁調(diào)節(jié)組件50驅(qū)使磁體912相對靶材911沿平行于靶材911的方向做平移調(diào)節(jié)，使得靶材911的每一處都能夠輪流處于磁體912的磁場作用范圍內(nèi)，從而大大增加了靶材911的利用率和濺射范圍，充分利用靶材911，同時大大提高了基片201鍍膜的加工效率，且無需增大磁體912的體積；另一方面，通過均磁調(diào)節(jié)組件60驅(qū)使磁體912彎曲以調(diào)節(jié)磁體912兩端與靶材911的距離，從而使得靶材911所處區(qū)域的磁場分布更為均勻，使得在二極濺射中的二次電子的運(yùn)動更為穩(wěn)定及分布更為均勻，進(jìn)而使待鍍膜的基片201的鍍膜分布更為均勻及鍍膜厚度更為一致，最終大大提高了基片201的鍍膜質(zhì)量及合格率；基片201于上料區(qū)103處裝載于傳輸裝置102，傳輸裝置102承載基片201順次傳輸于前進(jìn)料室80a、過渡室、前緩沖室80c、一號鍍膜室90a、二號鍍膜室90b、三號鍍膜室90c、后緩沖室80d、后過渡室80e及出料室80f以完成基片201的鍍膜加工，基片201于下料區(qū)105處從傳輸裝置102上卸下，傳輸裝置102經(jīng)回傳線路106回傳至上料區(qū)103，從而使得本實(shí)用新型的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線100還具有結(jié)構(gòu)簡單、工藝通用性強(qiáng)及能夠提高鍍膜合格率、鍍膜質(zhì)量、靶材911利用率和鍍膜加工效率的優(yōu)點(diǎn)，且還能夠降低基片201鍍膜加工成本及滿足大批量的生產(chǎn)需求。
[0042]以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，適用于對基片進(jìn)行鍍膜加工，其特征在于，包括機(jī)座及設(shè)于所述機(jī)座的傳輸裝置、上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)和回傳線路，所述上料區(qū)、真空加工室組、下料區(qū)及回傳線路呈環(huán)形順次相連設(shè)置且形成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的加工環(huán)路，所述傳輸裝置呈連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的設(shè)于所述加工環(huán)路；所述真空加工室組包含沿傳輸裝置的傳輸方向順次相連設(shè)置的進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有靶材，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室外均設(shè)有可移動的且靠近于所對應(yīng)的所述靶材的磁體及用于調(diào)節(jié)所述磁體的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包含移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件，所述移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均與所述磁體連接，通過所述移磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使所述磁體相對所述靶材沿平行于所述靶材的方向做平移調(diào)節(jié)操作，通過所述均磁調(diào)節(jié)組件驅(qū)使所述磁體彎曲以調(diào)節(jié)所述磁體兩端與所述靶材的距離；所述基片于所述上料區(qū)處裝載于所述傳輸裝置，所述傳輸裝置承載所述基片順次傳輸于所述進(jìn)料室、前過渡室、前緩沖室、一號鍍膜室、二號鍍膜室、三號鍍膜室、后緩沖室、后過渡室及出料室以完成基片的鍍膜加工，所述基片于所述下料區(qū)處從所述傳輸裝置上卸下，所述傳輸裝置經(jīng)所述回傳線路回傳至所述上料區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)還包含安裝架，所述安裝架設(shè)于所述機(jī)座，所述磁體呈移動的設(shè)于所述安裝架，所述移磁調(diào)節(jié)組件及均磁調(diào)節(jié)組件均設(shè)于所述磁體及安裝架之間。
3.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述移磁調(diào)節(jié)組件包含主動齒輪及從動條形齒，所述主動齒輪樞接于所述安裝架，所述從動條形齒沿所述磁體做平移調(diào)節(jié)的方向安裝于所述磁體，且所述主動齒輪與所述從動條形齒嚙合配合；每一所述磁體的兩端均設(shè)有所述均磁調(diào)節(jié)組件，所述移磁調(diào)節(jié)組件位于所對應(yīng)的所述磁體的中部，所述均磁調(diào)節(jié)組件包含連接座、抵推螺栓及回拉螺栓，所述連接座連接于所述安裝架，所述抵推螺栓的一端螺紋連接于 所述連接座，所述抵推螺栓的另一端抵觸于所述磁體，所述回拉螺栓的一端螺紋連接于所述磁體，所述回拉螺栓的另一端滑動貫穿所述連接座，所述連接座均位于所述磁體與所述回拉螺栓的螺帽之間，且所述連接座抵觸于所述回拉螺栓的螺帽；所述移磁調(diào)節(jié)組件還形成有頂推部，所述頂推部朝靠近所述靶材的方向抵推于所述磁體。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述傳輸裝置包含機(jī)架、移動承載架及驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述機(jī)架設(shè)于所述機(jī)座，所述移動承載架的底部承載傳送于所述驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述機(jī)架沿所述移動承載架的移動方向設(shè)有第一導(dǎo)向部，所述移動承載架設(shè)有與所述第一導(dǎo)向部呈間隙配合的第二導(dǎo)向部，所述第一導(dǎo)向部與所述第二導(dǎo)向部相面對的側(cè)部呈磁性相斥而維持所述移動承載架處于豎直狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述第一導(dǎo)向部包含若干第一磁體及若干第二磁體，所述第一磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第一磁體組，所述第二磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第二磁體組，所述第一磁體組及第二磁體組沿同一水平位置布置，且所述第一磁體組及第二磁體組之間形成一磁性導(dǎo)向槽，所述第二導(dǎo)向部呈間隙的容置于所述磁性導(dǎo)向槽內(nèi)；所述第二導(dǎo)向部包含若干第三磁體及若干第四磁體，所述第三磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第三磁體組，所述第四磁體沿所述移動承載架的移動方向呈間隙的排列而形成第四磁體組，所述第三磁體組及第四磁體組均位于所述磁性導(dǎo)向槽內(nèi)，所述第三磁體的一端呈間隙的面對于所述第一磁體的一端且呈磁性相斥，所述第四磁體的一端呈間隙的面對于所述第而磁體的一端且呈磁性相斥。
6.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述前過渡室及所述后過渡室均設(shè)有用于抽真空的快速真空機(jī)構(gòu)，所述快速真空機(jī)構(gòu)包括第一閥門、第一連通管道、第二閥門、第二連通管道、羅茨泵及滑閥泵，所述第一閥門連通于所述前過渡室與所述第一連通管道之間或所述后過渡室與所述第一連通管道之間，所述第二閥門連通于所述第一連通管道于第二連通管道之間，所述滑閥泵的進(jìn)氣端連通于所述第二連通管道，所述羅茨泵的進(jìn)氣端連通于所述第一連通管道，所述羅茨泵的出氣端連通于第二連通管道。
7.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述傳輸裝置沿傳輸方向承載有呈間隔開的并排且處于同一水平位置的兩列所述基片，每一列所述基片形成一基片排，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有面對于兩所述基片排并對兩所述基片排進(jìn)行同時鍍膜的鍍膜機(jī)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有用于加熱的加熱機(jī)構(gòu)，所述加熱機(jī)構(gòu)包括第一加熱器、第二加熱器及第三加熱器，兩所述基片排位于所述第一加熱器及第二加熱器之間，所述第三加熱器位于兩所述基排片之間。
9.如權(quán)利要求8所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，每一所述基片排沿豎直方向均具有至少兩層承載于所述傳輸裝置的所述基片。
10.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，其特征在于，所述一號鍍膜室、二號鍍膜室及三號鍍膜室內(nèi)均設(shè)有用于導(dǎo)入惰性氣體的分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)，所述分段布?xì)鈾C(jī)構(gòu)包括若干布?xì)夤艿溃霾細(xì)夤艿赖膫?cè)壁開設(shè)有至少兩個導(dǎo)氣孔，所述導(dǎo)氣孔沿惰性氣體的流動方向排布，且兩相鄰的所述導(dǎo)氣孔之間的距離沿惰性氣體的流動方向呈逐漸縮小的設(shè)置。
【文檔編號】C23C14/56GK203794977SQ201420103344
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】盧秀強(qiáng), 熊樹林, 李響 申請人:東莞鑫泰玻璃科技有限公司