一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法，是由：墻體、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負(fù)極、短加熱模塊、短加熱模塊正極、短加熱模塊負(fù)極、矩形加熱模塊、正負(fù)極輸入輸出孔、定位器構(gòu)成；加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
【專利說明】一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及110膜加熱裝置，尤其是一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法。

【背景技術(shù)】
[0002]110透明導(dǎo)電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡稱110薄膜，是匕也皿XIII 0x1(16的縮寫。1X0薄膜是一種=型半導(dǎo)體材料，其具有許多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，例如較高的可見光透過率和導(dǎo)電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強(qiáng)的硬度及良好的抗酸、堿及有機(jī)溶劑能力，因此，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。比如:液晶顯示器仏⑶)，等離子顯示器⑴!)?)，電極放光顯示器(￡1/0120)，觸摸屏，太陽能電池及其他電子儀表中。
[0003]目前，110薄膜的制備方法很多，常見的有:噴涂法、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應(yīng)用于顯示器件中I丁0薄膜的制備。磁控濺射制備110薄膜，主要是利用直流(00電源在紅濺射氣體和充分氧化紅/02混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對111-?合金靶或111203，81102氧化物靶或陶瓷靶進(jìn)行轟擊，以便在各種襯底上獲得110薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理，都對110薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現(xiàn)有的技術(shù)在玻璃襯底上低溫制備110薄膜光學(xué)性能差，薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整；尤其在對不同種溫度條件下的110薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻，不能準(zhǔn)確有效的調(diào)節(jié)控制溫度來控制電阻的均勻性，降低了 110薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，以及生產(chǎn)的工作效率，增加了生產(chǎn)成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領(lǐng)域生產(chǎn)發(fā)展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場的需求。
[0004]鑒于上述原因，現(xiàn)有的110薄膜加熱裝置及其方法需要創(chuàng)新。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法，加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使110薄膜得到整版均勻性良好的電阻，明顯提高110薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0006]本發(fā)明為了實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置及應(yīng)用方法，是由:墻體、長加熱模塊、長加熱模塊正極、長加熱模塊負(fù)極、短加熱模塊、短加熱模塊正極、短加熱模塊負(fù)極、矩形加熱模塊、正負(fù)極輸入輸出孔、定位器構(gòu)成；墻體一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。
[0007]所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊上方中部設(shè)置長加熱模塊正極和長加熱模塊負(fù)極。
[0008]所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊上方設(shè)置短加熱模塊正極和短加熱模塊負(fù)極。
[0009]所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊的一側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔，正負(fù)極輸入輸出孔內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
[0010]所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均為V形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個3形加熱管構(gòu)成。
[0011]所述的長加熱模塊、短加熱模塊、矩形加熱模塊均通過定位器與墻體固定。
[0012]在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長加熱模塊正極和長加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，短加熱模塊正極和短加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊一側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，墻體上的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運(yùn)行中車體上安裝的110薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過工控機(jī)控制長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，對懸浮運(yùn)行中車體上110薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得110薄膜成品的電阻率達(dá)到2\10-40八！11，透過率達(dá)到90%以上。
[0013]所述的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊的溫度調(diào)整范圍為50-4001，根據(jù)110薄膜的不同規(guī)格，可對墻體上不同位置的長加熱模塊、短加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，使110薄膜的加熱溫度一致。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡單，設(shè)計科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過控制對磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使110薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達(dá)到2 X 10-4 0八111、透過率達(dá)到90%以上；明顯提高110薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長使用壽命2倍以上，確實節(jié)能環(huán)保。
[0015]本發(fā)明經(jīng)過長期大量實驗，優(yōu)化如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理等這些工藝參數(shù)后，可以獲得具有較高的導(dǎo)電率和可見光透過率的優(yōu)質(zhì)1丁0薄膜。
[0016]本發(fā)明在玻璃襯底上制備的110薄膜的電阻率達(dá)到2X 10-4 0/挪和透過率達(dá)到90%以上。所以用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上，可以制備出良好110透明導(dǎo)電薄膜，在其制備的同時我們對不同基底溫度(1501 -35000 )條件下制備薄膜的電阻情況進(jìn)行了深入研究，現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃襯底上低溫制備110薄膜光學(xué)性能差的時候，往往籠統(tǒng)的被解釋為薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整，本發(fā)明經(jīng)長期大量的實驗，因此在對不同種溫度條件下的1X0薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻得出新的研發(fā)成果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明:
[0018]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖1中:墻體1、長加熱模塊2、長加熱模塊正極2-2、長加熱模塊負(fù)極2-3、短加熱模塊3、短加熱模塊正極3-2、短加熱模塊負(fù)極3-3、矩形加熱模塊4、正負(fù)極輸入輸出孔4-2、定位器5。

【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合實施例與【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0021]實施例1
[0022]墻體1 一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。
[0023]實施例2
[0024]所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊2并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊2上方中部設(shè)置長加熱模塊正極2-2和長加熱模塊負(fù)極2-3。
[0025]實施例3
[0026]所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊3并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊3上方設(shè)置短加熱模塊正極3-2和短加熱模塊負(fù)極3-3。
[0027]實施例4
[0028]所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊4并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊4的一側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔4-2，正負(fù)極輸入輸出孔4-2內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
[0029]實施例5
[0030]所述的長加熱模塊2、短加熱模塊3、矩形加熱模塊4均為V形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個3形加熱管構(gòu)成。
[0031]實施例6
[0032]所述的長加熱模塊2、短加熱模塊3、矩形加熱模塊4均通過定位器5與墻體1固定。
[0033]實施例7
[0034]在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長加熱模塊正極2-2和長加熱模塊負(fù)極2-3分別與電源的正負(fù)極連接，短加熱模塊正極3-2和短加熱模塊負(fù)極3-3分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊4 一側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔4-2內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，墻體1上的長加熱模塊2、短加熱模塊3和矩形加熱模塊4通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運(yùn)行中車體上安裝的110薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過工控機(jī)控制長加熱模塊2、短加熱模塊3和矩形加熱模塊4采用不同的加熱溫度，對懸浮運(yùn)行中車體上110薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得110薄膜成品的電阻率達(dá)到2X10-4 0八111，透過率達(dá)到90%以上。
[0035]實施例8
[0036]所述的長加熱模塊2、短加熱模塊3和矩形加熱模塊4的溫度調(diào)整范圍為50-4001，根據(jù)110薄膜的不同規(guī)格，可對墻體1上不同位置的長加熱模塊2、短加熱模塊3和矩形加熱模塊4采用不同的加熱溫度，使110薄膜的加熱溫度一致。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，是由:墻體(I)、長加熱模塊(2)、長加熱模塊正極(2-2)、長加熱模塊負(fù)極(2-3)、短加熱模塊(3)、短加熱模塊正極(3-2)、短加熱模塊負(fù)極(3-3)、矩形加熱模塊(4)、正負(fù)極輸入輸出孔(4-2)、定位器(5)構(gòu)成；其特征在于:墻體(I) 一側(cè)的中部設(shè)置長加熱模塊組，長加熱模塊組的上方設(shè)置短加熱模塊組，下方設(shè)置矩形加熱模塊組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊組由至少五塊長加熱模塊(2)并列設(shè)置組成，每塊長加熱模塊(2)上方中部設(shè)置長加熱模塊正極(2-2)和長加熱模塊負(fù)極(2-3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的短加熱模塊組由至少兩塊短加熱模塊(3)并排設(shè)置組成，每塊短加熱模塊(3)上方設(shè)置短加熱模塊正極(3-2)和短加熱模塊負(fù)極(3-3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的矩形加熱模塊組由至少兩塊矩形加熱模塊(4)并排設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊(4)的一側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔(4-2)，正負(fù)極輸入輸出孔(4-2)內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3、或4所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)、矩形加熱模塊(4)均為U形加熱管內(nèi)設(shè)置至少兩個S形加熱管構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3、或4所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置，其特征在于:所述的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)、矩形加熱模塊(4)均通過定位器(5)與墻體⑴固定。
7.—種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置的應(yīng)用方法，其特征在于:在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長加熱模塊正極(2-2)和長加熱模塊負(fù)極(2-3)分別與電源的正負(fù)極連接，短加熱模塊正極(3-2)和短加熱模塊負(fù)極(3-3)分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊(4) 一側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔(4-2)內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，墻體(I)上的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)和矩形加熱模塊(4)通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過加熱管向外散熱，對懸浮運(yùn)行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過工控機(jī)控制長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)和矩形加熱模塊(4)采用不同的加熱溫度，對懸浮運(yùn)行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達(dá)到2 X 10-4 Ω/cm，透過率達(dá)到90%以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種磁控濺射鍍膜真空室墻體溫控加熱裝置的應(yīng)用方法，其特征在于:所述的長加熱模塊(2)、短加熱模塊(3)和矩形加熱模塊(4)的溫度調(diào)整范圍為50-400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對墻體(I)上不同位置的長加熱模塊(2)、短加熱模塊⑶和矩形加熱模塊⑷采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
【文檔編號】C23C14/56GK104388908SQ201410737838
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月29日
【發(fā)明者】秦遵紅, 王戀貴, 董安光, 譚華 申請人:洛陽康耀電子有限公司