一種提高ito薄膜性能的磁控濺射工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高ITO薄膜性能的磁控濺射工藝，步驟如下：選取高透玻璃襯底，將其放入磁控濺射設(shè)備中；將磁控濺射設(shè)備的溫底調(diào)至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體；開啟磁控濺射設(shè)備電源，進(jìn)行ITO薄膜沉積；ITO薄膜沉積后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源；在磁控濺射設(shè)備中繼續(xù)抽真空，保持溫度300℃、真空度為10^(-4)Pa，時間為30min；在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出高透玻璃襯底。本發(fā)明增加原位真空低溫退火步驟，使ITO薄膜光學(xué)透過率達(dá)到90%～95%，方塊電阻在30Ω/sq以下，且無需改變現(xiàn)有設(shè)備。
【專利說明】一種提高I το薄膜性能的磁控濺射工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種磁控濺射工藝，具體涉及一種提高Ι--薄膜性能的磁控濺射工 藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 采用磁控濺射工藝制備ΙΤ0薄膜的原理是利用直流和射頻電源在< 300°C溫度 下，在氬氣或氬氣與氧氣混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對銦、錫合金靶或氧化銦、氧化錫陶瓷 靶進(jìn)行轟擊，通過控制工藝參數(shù)獲得ΙΤ0薄膜?，F(xiàn)有磁控濺射工藝步驟可簡述為抽真空、磁 控濺射、充氣三個步驟。采用這種方式制備的ΙΤ0薄膜光學(xué)透過率在85%?90%，方塊電阻 在30Q/ sq以上。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種提高ΙΤ0薄膜性能的磁控濺射工藝，增加 原位真空低溫退火步驟，使ΙΤ0薄膜光學(xué)透過率達(dá)到90%?95%，方塊電阻在30 Ω /sq以下， 且無需改變現(xiàn)有設(shè)備。
[0004] 本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種提高ΙΤ0薄膜性能的磁控濺射工 藝，步驟如下： 第一步，選取高透玻璃襯底，將其放入磁控濺射設(shè)備中； 第二步，將磁控濺射設(shè)備的溫底調(diào)至300°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體，所述氬氣與氧氣的流量比為 40:1，沉積壓力為10~ (-3)Pa ; 第四步，開啟磁控濺射設(shè)備電源，進(jìn)行ΙΤ0薄膜沉積，其電源功率為1800W，所述ΙΤ0薄 膜沉積時間為l〇min ; 第五步，ΙΤ0薄膜沉積后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源，停止通入氬氣與氧氣的混合氣體； 第六步，在磁控濺射設(shè)備中繼續(xù)抽真空，保持溫度300°C、真空度為10~ (-4)Pa，時間為 30min ； 第七步，在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出高透玻璃襯底。
[0005] 其中第六步為本發(fā)明增加的原位真空低溫退火步驟。
[0006] 本發(fā)明的有益效果是：在現(xiàn)有工藝中增加了一步原位真空低溫退火，使ΙΤ0薄膜 光學(xué)透過率達(dá)到90%?95%，方塊電阻在30 Ω /sq以下，且無需改變現(xiàn)有設(shè)備。

【具體實(shí)施方式】
[0007] 實(shí)施例1 :一種提高ΙΤ0薄膜性能的磁控濺射工藝，增加了原位真空低溫退火步 驟，所述原位真空低溫退火步驟為第六步，具體工藝步驟如下： 第一步，選取高透玻璃襯底，將其放入磁控濺射設(shè)備中； 第二步，將磁控濺射設(shè)備的溫底調(diào)至300°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體，所述氬氣和氧氣的流量分別 為 l2〇sccm 和 3sccm，沉積壓力為 lCT(_3)Pa; 第四步，開啟磁控濺射設(shè)備電源，進(jìn)行ITO薄膜沉積，其電源功率為1800W，所述ITO薄 膜沉積時間為lOmin ; 第五步，ITO薄膜沉積后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源，停止通入氬氣與氧氣的混合氣體； 第六步，在磁控濺射設(shè)備中繼續(xù)抽真空，保持溫度300°C、真空度為10~ (-4)Pa，時間為 30min ； 第七步，在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出高透玻璃襯底。
[0008] 實(shí)施例2 :-種提高ΙΤ0薄膜性能的磁控濺射工藝，增加了原位真空低溫退火步 驟，所述原位真空低溫退火步驟為第六步，具體工藝步驟如下： 第一步，選取高透玻璃襯底，將其放入磁控濺射設(shè)備中； 第二步，將磁控濺射設(shè)備的溫底調(diào)至280°C，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體，所述氬氣和氧氣的流量分別 為 160sccm 和 4sccm，沉積壓力為 10~(-3)Pa; 第四步，開啟磁控濺射設(shè)備電源，進(jìn)行ITO薄膜沉積，其電源功率為1800W，所述ITO薄 膜沉積時間為12min ; 第五步，ITO薄膜沉積后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源，停止通入氬氣與氧氣的混合氣體； 第六步，在磁控濺射設(shè)備中繼續(xù)抽真空，保持溫度300°C、真空度為10~ (-4)Pa，時間為 25min ； 第七步，在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出高透玻璃襯底。
【權(quán)利要求】
1. 一種提高ITO薄膜性能的磁控濺射工藝，步驟如下： 第一步，選取高透玻璃襯底，將其放入磁控濺射設(shè)備中； 第二步，將磁控濺射設(shè)備的溫度調(diào)至30(TC，抽真空度至ΚΓ (_4)Pa ; 第三步，在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體，所述氬氣與氧氣的流量比為 40:1，沉積壓力為10~ (-3)Pa ; 第四步，開啟磁控濺射設(shè)備電源，進(jìn)行ITO薄膜沉積，其電源功率為1800W，所述ITO薄 膜沉積時間為l〇min ; 第五步，ITO薄膜沉積后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源，停止通入氬氣與氧氣的混合氣體； 第六步，在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出高透玻璃襯底； 其特征在于：在第五步與第六步之間增加原位真空低溫退火步驟，所述原位真空低 溫退火步驟的具體工藝為：在磁控濺射設(shè)備中繼續(xù)抽真空，保持溫度300°C、真空度為 10~ (_4)Pa，時間為 30min。
【文檔編號】C23C14/35GK104195519SQ201410448333
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月5日
【發(fā)明者】金井升, 蔣方丹, 金浩, 陳康平 申請人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司