用于液晶顯示器的陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成柵極布線；b)在具有所述柵極布線的基板上形成柵極絕緣層；c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；d)在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；以及e)形成與所述漏電極連接的像素電極，其中，a)步驟或d)步驟包括：在所述基板或所述半導(dǎo)體層上形成Cu基金屬膜，以及利用蝕刻劑組合物通過蝕刻所述Cu基金屬膜來形成所述柵極布線或所述源電極和所述漏電極，以及所述蝕刻劑組合物為用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括過氧化氫(H2O2)、亞磷酸或多元堿基化合物以及水。
【專利說明】用于液晶顯示器的陣列基板的制造方法
[0001] 本申請要求2013年9月27日遞交的韓國專利申請KR10-2013-0115037的權(quán)益 和2013年10月18日遞交的韓國專利申請KR10-2013-0124525的權(quán)益，在此將其通過全 文引用的方式并入本申請中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 在半導(dǎo)體裝置中，在基板上形成金屬布線的工藝通常包括：利用濺射等形成金屬 膜、涂覆光刻膠、進(jìn)行曝光和顯影以便在選定的區(qū)域上形成光刻膠、以及進(jìn)行蝕刻，其中，在 每個(gè)單獨(dú)的工藝之前或之后進(jìn)行清潔工藝。蝕刻工藝是使用光刻膠作為掩模來使得金屬膜 能夠留在選定的區(qū)域的工藝，并且蝕刻工藝通常包括利用等離子體等的干蝕刻或利用蝕刻 劑組合物的濕蝕刻。
[0004] 通常，對于用于柵極布線和數(shù)據(jù)布線的材料，使用包括銅的銅膜層或銅合金膜層， 或金屬氧化物層，其中，銅具有良好的導(dǎo)電性并且電阻低，金屬氧化物層與銅膜層或銅合金 膜層具有良好的界面粘合性。
[0005] 就該點(diǎn)而言，韓國專利申請公開10-2007-0055259公開了一種用于Cu基金屬膜的 蝕刻劑組合物，包括過氧化氫、有機(jī)酸、磷酸鹽化合物等，其用于蝕刻銅-鑰合金膜層。
[0006] 然而，如果將蝕刻劑組合物應(yīng)用至Cu基金屬膜的厚膜時(shí)，由于磷酸二氫鹽(phosphate monobasic)所導(dǎo)致的高錐角而可能在后續(xù)工藝中產(chǎn)生缺陷問題。
[0007] [引用列表]
[0008] [專利文獻(xiàn)]
[0009] (專利文獻(xiàn)1)韓國專利申請公開10-2007-0055259A


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 為了解決前述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種制造陣列基板的方法，所述陣 列基本用于液晶顯示器并且由Cu基金屬膜組成。
[0011] 為了解決前述問題，本發(fā)明的另一目的是利用本發(fā)明的蝕刻劑組合物對Cu基金 屬膜進(jìn)行批量蝕刻，本發(fā)明的蝕刻劑組合物用于Cu基金屬膜并且包括亞磷酸（H3PO3)或多 兀喊基化合物（p〇lybasiccompound)。
[0012] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法， 所述方法包括：
[0013] a)在基板上形成柵極布線；
[0014] b)在具有所述柵極布線的所述基板上形成柵極絕緣層；
[0015] c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；
[0016] d)在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；以及
[0017] e)形成與所述漏電極連接的像素電極，
[0018] 其中，a)步驟或d)步驟包括：在所述基板或所述半導(dǎo)體層上形成Cu基金屬膜， 以及利用蝕刻劑組合物通過蝕刻所述Cu基金屬膜來形成所述柵極布線或所述源電極和 所述漏電極，以及所述蝕刻劑組合物是用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫 (H2O2)、亞磷酸或多元堿基化合物、以及水。
[0019] 此外，本發(fā)明提供了一種用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫 (H2O2)、亞磷酸或多元堿基化合物、以及水。
[0020] 此外，本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器的陣列基板，所述陣列基板包括：選自柵 極布線、源電極和漏電極中的至少一種，所述柵極布線、所述源電極和所述漏電極經(jīng)所述用 于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物蝕刻。
[0021] 包括亞磷酸（H3PO3)或多元堿基化合物的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物有利于 提高蝕刻速率，并且它可以被應(yīng)用至具有較厚厚度的厚膜。
[0022] 另外，本發(fā)明的蝕刻劑組合物由于在蝕刻時(shí)錐角較低而可被應(yīng)用至高分辨率裝 置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 結(jié)合下文的詳細(xì)描述和附圖，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征和 優(yōu)點(diǎn)，其中：
[0024]圖1示出了在300ppm的銅的條件下，當(dāng)使用實(shí)施例3的用于Cu基金屬膜的蝕刻 劑組合物時(shí)，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡（SEM)圖像；
[0025] 圖2示出了在3000ppm的銅的條件下，當(dāng)使用實(shí)施例3的用于Cu基金屬膜的蝕 刻劑組合物時(shí)，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡（SEM)圖像；以及
[0026] 圖3示出了在6000ppm的銅的條件下，當(dāng)使用實(shí)施例3的用于Cu基金屬膜的蝕 刻劑組合物時(shí)，蝕刻剖面的掃描電子顯微鏡（SEM)圖像。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明。
[0028] 本發(fā)明涉及一種利用用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物來制造用于液晶顯示器的 陣列基板的方法，并且該制造方法如下。
[0029] 該制造方法包括：
[0030]a)在基板上形成柵極布線；
[0031] b)在具有柵極布線的基板上形成柵極絕緣層；
[0032]c)在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；
[0033] d)在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；以及
[0034] e)形成與漏電極連接的像素電極，
[0035] 其中，a)步驟或d)步驟包括：在基板或半導(dǎo)體層上形成Cu基金屬膜，并且利用蝕 刻劑組合物通過蝕刻Cu基金屬膜來形成柵極布線或源電極和漏電極。
[0036]蝕刻劑組合物是用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫（H2O2)、亞磷酸 或多元堿基化合物、以及水。
[0037] 特別地，該蝕刻劑組合物是用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，并且包括：基于組 合物的總重量，15?25重量％的過氧化氫（H2O2) ;0. 3?5重量％的亞磷酸或0. 1?5重 量％的多元堿基化合物；以及余量的水，以使得組合物的總重量為100重量％。
[0038] 用于液晶顯示器的陣列基板是薄膜晶體管（TFT)基板。
[0039] 另外，本發(fā)明涉及一種用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫（H2O2)、 亞磷酸或多元堿基化合物，以及水。
[0040] 最近，在顯示器，尤其在TV的情況下，為了顯示出較高的分辨率，以狹窄的方式生 產(chǎn)用于液晶顯示器的陣列基板的橫向的布線寬度。然而，由于布線寬度的變窄，產(chǎn)生電阻增 大的問題。因而，為了防止這種問題的產(chǎn)生，在用于液晶顯示器的陣列基板中，使用這樣的 厚膜，該厚膜具有通過增大軸向的布線厚度所制備的金屬膜的較厚厚度。
[0041] 在利用常規(guī)蝕刻劑組合物蝕刻厚膜的情況下，腐蝕速率緩慢并且處理時(shí)間增加， 其中，常規(guī)蝕刻劑組合物不包括亞磷酸或多元堿基化合物。因此，常規(guī)蝕刻劑組合物不可能 被應(yīng)用于蝕刻需要超過150A/秒的腐蝕速率的厚膜。
[0042] 另外，由于在超過60°的錐角的情況下在后續(xù)工藝中可能會產(chǎn)生問題，所以必須 降低錐角。然而，由于常規(guī)蝕刻劑組合物的錐角過大，所以它不能被應(yīng)用于蝕刻厚膜。
[0043] 同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物解決了上述問題，因而它可 以被應(yīng)用于厚膜，其中，本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括亞磷酸或多元堿基化合物。優(yōu)選地，在 Cu基金屬膜中，它可以被用于蝕刻厚度為50001或更大的銅膜或銅合金膜的厚膜。
[0044] Cu基金屬膜包括銅作為組成物，并且包括銅或銅合金的單層膜；以及多層膜，所 述多層膜包括選自銅膜和銅合金膜中的至少一種以及選自鑰膜、鑰合金膜、鈦膜和鈦合金 膜中的至少一種。合金膜包括氮化物或氧化物。
[0045] 多層膜的實(shí)例包括雙層膜或三層膜，諸如銅/鑰膜、銅/鑰合金膜、銅合金/鑰合 金膜、銅/鈦膜等。
[0046] 銅/鑰膜是指包括鑰膜和形成在鑰膜上的銅膜的一類膜；銅/鑰合金膜是指包括 鑰合金膜和形成在鑰合金膜上的銅膜的一類膜；銅合金/鑰合金膜是指包括鑰合金膜和形 成在鑰合金膜上的銅合金膜的一類膜；以及銅/鈦膜是指包括鈦膜和形成在鈦膜上的銅膜 的一類膜。
[0047] 此外，鑰合金膜優(yōu)選由鑰（Mo)和選自鈦（Ti)、鉭（Ta)、鉻（Cr)、鎳（Ni)、釹（Nd) 和銦（In)中的至少一種金屬組成。
[0048] 本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物可優(yōu)選被應(yīng)用于多層膜，該多層膜包 括選自銅膜和銅合金膜中的至少一種，以及選自鑰膜和鑰合金膜中的至少一種。
[0049] 另外，在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物僅包括亞磷酸的情況下，該蝕 刻劑組合物可額外地包含選自下列物質(zhì)中的至少一種：含氟化合物、唑類化合物、在分子中 具有N原子和羧基的水溶性化合物、磷酸鹽化合物和多元醇類表面活性劑。
[0050] 另外，在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物包括多元堿基化合物或者包 括亞磷酸和多元堿基化合物的情況下，該蝕刻劑組合物可額外地包含選自下列物質(zhì)中的至 少一種：含氟化合物、唑類化合物、在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物以及多元醇 類表面活性劑。
[0051] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物包括多元堿基化合物的情況下，用 于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物是酸性的，并且優(yōu)選pH為I. 5?4。
[0052] 如果用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物低于pH1. 5,那么由于快速的腐蝕速率而 可能出現(xiàn)過度蝕刻，而在高于PH4的情況下，由于緩慢的腐蝕速率而可能無法進(jìn)行蝕刻。
[0053] 以下，將詳細(xì)描述本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物。
[0054] 討氣化氧（H2OJ
[0055] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含的過氧化氫（H2O2)是影 響Cu基金屬膜的蝕刻的主氧化劑，其中Cu基金屬膜為包括鑰膜和形成在鑰膜上的銅膜的 銅-鑰膜，或者包括鑰合金膜和形成在鑰合金膜上的銅膜的銅-鑰合金膜。
[0056] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，過氧化氫（H2O2)被設(shè)定為15? 25重量％，優(yōu)選為18?23重量％。
[0057] 在低于15重量％的上述量的范圍時(shí)，因缺乏對Cu基金屬膜的蝕刻能力而可能導(dǎo) 致蝕刻不足。
[0058] 另外，在高于25重量％的上述量的范圍時(shí)，由于銅離子的升增加而使得熱穩(wěn)定性 高度地降低。
[0059]亞磷酸（HJ0J
[0060] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含的亞磷酸通過調(diào)節(jié)pH來增 強(qiáng)蝕刻速率。如果本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中未包含亞磷酸，那么蝕刻速 率非常緩慢并且因此當(dāng)蝕刻Cu基金屬膜的厚膜時(shí)，蝕刻剖面可能較差。
[0061] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，亞磷酸被設(shè)定為0. 3?5. 0重 量％，優(yōu)選為0. 5?3. 0重量％。
[0062] 在低于0. 3重量％的上述量的范圍時(shí),蝕刻剖面可能較差。
[0063] 另外，在高于5重量％的上述量的范圍時(shí)，可能產(chǎn)生銅或銅合金膜的蝕刻速率過 快或者鑰或鑰合金膜的蝕刻速率過慢的問題。
[0064] 多元堿某化合物
[0065] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含的多元堿基化合物使得蝕 刻剖面良好并且當(dāng)蝕刻具有較厚厚度的Cu基金屬膜的厚膜時(shí)并不增加錐角。
[0066] 如果用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物僅包括磷酸二氫鹽化合物而不包括亞磷酸 和多元堿基化合物，那么該蝕刻劑組合物因待處理的片材數(shù)而使得錐角增加從而不能被應(yīng) 用于Cu基金屬膜的厚膜。
[0067] 因此，在多元堿基化合物中，優(yōu)選多元堿基磷酸鹽化合物并且更優(yōu)選磷酸氫二鹽 (dibasicphosphatecompound)化合物。
[0068] 磷酸氫二鹽并不特別受限，只要它選自兩個(gè)氫被堿金屬或堿土金屬取代的磷酸 鹽，優(yōu)選選自磷酸氫二銨、磷酸氫二鈉和磷酸氫二鉀，更優(yōu)選為磷酸氫二銨。
[0069] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，多元堿基化合物被設(shè)定為0. 1? 5重量％，優(yōu)選為0. 5?3重量％。
[0070] 在低于0. 1重量％的上述量的范圍時(shí)，因部分過度侵蝕而使得蝕刻剖面不好。另 夕卜，在高于5重量％的上述量的范圍時(shí)，可能發(fā)生銅或銅合金膜的腐蝕速率降低并且鑰或 鑰合金膜的蝕刻速率降低的問題。
[0071] 含氟化合物
[0072] 含氟化合物是指當(dāng)水中解離時(shí)可產(chǎn)生氟離子的化合物。含氟化合物是影響鑰合金 膜的蝕刻速率的輔助氧化劑，并且它調(diào)節(jié)鑰合金膜的蝕刻速率。
[0073] 含氟化合物并不特別受限，只要它被用于相關(guān)領(lǐng)域，但是優(yōu)選為選自HF、NaF、 NH4F、NH4BF4、NH4FHF、NH4F2、KF、KHF2、AlF3 和HBF4 中的至少一種，并且更優(yōu)選NH4F2。
[0074] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，含氟化合物被設(shè)定為0. 01?5. 0 重量％，優(yōu)選為0. 1?3. 0重量％。
[0075] 在低于0. 01重量％的上述量的范圍時(shí),鑰合金膜的蝕刻速率變慢。
[0076] 另外，在高于5. 0重量％的上述量的范圍時(shí)，蝕刻剖面得到提高，然而總蝕刻速率 也得到改善，并且從而使得下層（n+a-Si:H，a-Si:G)的底切或蝕刻所造成的損壞過大。
[0077] P半類化合物
[0078] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含的唑類化合物用于調(diào)節(jié)Cu 基金屬膜的蝕刻速率、降低圖案的CD損失以及通過降低蝕刻剖面變化來增加工藝中的利 潤。
[0079] 唑類化合物可包含，例如吡咯、吡唑、咪唑、三唑、四唑、五唑、惡唑、異惡唑、噻唑、 異噻唑等，并且它可單獨(dú)地進(jìn)行使用或以兩種或更多種的組合進(jìn)行使用。在唑類化合物中， 優(yōu)選三唑化合物或四唑化合物，并且更優(yōu)選3-氨基三唑、4-氨基三唑、5-甲基四唑和5-氨 基四唑中的至少一種。
[0080] 在本發(fā)明中，可以混合使用3-氨基三唑、4-氨基三唑、5-甲基四唑和5-氨基四 唑，并且在這種情況下，因?yàn)槿Q于化合物的調(diào)節(jié)蝕刻速率以及降低蝕刻剖面變化的能力 隨著待處理的片材數(shù)的不同而不同，所以優(yōu)選根據(jù)工藝條件來進(jìn)行計(jì)算和應(yīng)用混合比。
[0081] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，唑類化合物被設(shè)定為0. 1?5. 0 重量％，優(yōu)選為0. 5?1. 5重量％。
[0082] 在低于0. 1重量％的上述量的范圍時(shí)，由于高的蝕刻速率而使得可能產(chǎn)生巨大的 CD損失。
[0083] 另外，在高于5. 0重量％的上述量的范圍時(shí)，由于Cu基金屬膜的蝕刻速率太慢 而使得處理時(shí)間增加，并且由于金屬氧化物層的蝕刻速率的相對加速而可能產(chǎn)生底切 (undercut)〇
[0084] 在分子中具有N原子和羧某的水溶件化合物
[0085] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含在分子中具有N原子和羧 基的水溶性化合物防止在蝕刻劑組合物的儲存期間可能發(fā)生的過氧化氫的自分解反應(yīng)，并 且也防止當(dāng)蝕刻大量的基板時(shí)蝕刻特性的變化。
[0086] 通常地，在利用過氧化氫的蝕刻劑組合物的情況下，由于在儲存期間過氧化氫的 自分解而使得儲存期不長，并且還具有容器可能爆炸的危險(xiǎn)因素。
[0087] 然而，如果包含在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物，由于過氧化氫的分 解率被降低了接近10倍而能夠確保較長儲存期和穩(wěn)定性。
[0088] 具體地，在銅層的情況下，如果銅離子被大量保留在蝕刻劑組合物中，那么形成鈍 化并且因此在氧化變色（Char)后可能不能進(jìn)行進(jìn)一步蝕刻。然而，可通過添加化合物來防 止該情況。
[0089] 在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物可選自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘 氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸。在這些化合物中，優(yōu)選亞氨基二乙酸。
[0090] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，在分子中具有N原子和羧基的水 溶性化合物被設(shè)定為〇. 5?5. 0重量％，優(yōu)選為I. 0?3. 0重量％。
[0091] 在低于〇· 5重量％的上述量的范圍時(shí)，由于在蝕刻大量的基板（約500張片材） 之后鈍化而難以得到足夠的工藝?yán)麧櫋?br> [0092] 另外，在高于5. 0重量％的上述量的范圍時(shí)，鑰膜或鑰合金膜的蝕刻速率變慢，并 且因此在銅-鑰膜或銅-鑰合金膜的情況下，可能出現(xiàn)鑰或鑰合金膜的殘?jiān)膯栴}。
[0093] 磷酸鹽化合物
[0094] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中所包含的磷酸鹽化合物使得蝕刻 剖面良好。如果本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物未包含磷酸鹽化合物，那么可能 發(fā)生局部過度侵蝕。
[0095] 磷酸鹽化合物并沒有特別受限，只要它選自一個(gè)或兩個(gè)氫被堿金屬或堿土金屬取 代的磷酸鹽，優(yōu)選選自磷酸二氫銨、磷酸二氫鈉、磷酸二氫鉀、磷酸氫二銨、磷酸氫二鈉和磷 酸氫二鉀，并且更優(yōu)選磷酸氫二銨。
[0096] 在這些磷酸鹽化合物中，當(dāng)用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物不包括多元堿基化 合物且僅包括亞磷酸時(shí)，使用單鹽基化合物，諸如磷酸氫二銨、磷酸氫二鈉和磷酸氫二鉀。 [0097] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，磷酸鹽化合物被設(shè)定為0. 1? 5. 0重量％，優(yōu)選為0· 5?3. 0重量％。
[0098] 在低于0. 1重量％的上述量的范圍時(shí)，由于部分過度侵蝕而可能使得蝕刻剖面不 好。
[0099] 另外,在高于5. 0重量％的上述量的范圍時(shí),可能出現(xiàn)銅或銅合金膜的腐蝕速率 降低以及鑰或鑰合金膜的蝕刻速率降低的問題。
[0100] 多元醇類表面活件劑
[0101] 在本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物中可額外地包含的多元醇類表面活 性劑用于通過降低表面張力來增加蝕刻的均勻性。
[0102] 另外，多元醇類表面活性劑通過包封在蝕刻Cu膜之后溶解在蝕刻劑組合物中的 銅離子來抑制過氧化氫的分解反應(yīng)，并且因而抑制銅離子的活性。
[0103] 當(dāng)如上抑制銅離子的活性時(shí)，能夠在使用蝕刻劑組合物期間穩(wěn)定地進(jìn)行該工藝。
[0104] 對于多元醇類表面活性劑，可使用選自甘油、三甘醇和聚乙二醇中的至少一種。在 這些化合物中，優(yōu)選三甘醇。
[0105] 基于用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量，多元醇類表面活性劑被設(shè)定為 0. 001?5. 0重量％，并且優(yōu)選為0. 1?3. 0重量％。
[0106] 在低于0. 001重量％的上述量的范圍時(shí)，可能出現(xiàn)蝕刻均勻性降低和過氧化氫分 解加速的問題。
[0107] 另外,在高于5. 0重量％的上述量的范圍時(shí),可能出現(xiàn)產(chǎn)生大量氣泡的缺點(diǎn)。
[0108] 水
[0109] 根據(jù)本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的水以余量的方式進(jìn)行使用，使 得用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的總重量為100重量％。
[0110] 水并沒有特別受限，但優(yōu)選包含去離子水。特別有用的是電阻率（即，從水中除去 離子的程度）為至少18 ΜΩ·cm的去離子水。
[0111] 除了上述成分以外，本發(fā)明的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物可包括添加劑，并 且添加劑可包含金屬離子封閉劑（metalioncontainment)、腐蝕抑制劑等。
[0112] 本發(fā)明中所使用的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物的組成可通過通常已知的方 法進(jìn)行制備，并且優(yōu)選用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合具有用于半導(dǎo)體工藝的純度。
[0113] 另外，本發(fā)明提供了一種用于液晶顯示器的陣列基板，該陣列基板包括：柵極布 線，源電極和漏電極中的至少一種，其中，柵極布線，源電極和漏電極經(jīng)用于Cu基金屬膜的 蝕刻劑組合物蝕刻。
[0114] 以下，參照下面實(shí)施例將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，這些實(shí)施例用于解釋說明本 發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可對這些實(shí)施例 進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷暮透淖儭?br> [0115]〈用于Cu某金屬臘的蝕刻劑纟目合物的制各〉
[0116] 實(shí)施例1至實(shí)施例4和比較例1至比較例2
[0117] 利用下面表1和表2中所示的組成來制備180kg的實(shí)施例1至實(shí)施例4以及比較 例1至比較例2的用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物。
[0118] [表1](單位：重量％ )
[0119]

【權(quán)利要求】
1. 一種制造用于液晶顯示器的陣列基板的方法，所述方法包括： a) 在基板上形成柵極布線； b) 在具有所述柵極布線的所述基板上形成柵極絕緣層； c) 在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層； d) 在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；以及 e) 形成與所述漏電極連接的像素電極， 其中，a)步驟或d)步驟包括：在所述基板或所述半導(dǎo)體層上形成Cu基金屬膜，以及利 用蝕刻劑組合物通過蝕刻所述Cu基金屬膜來形成所述柵極布線或所述源電極和所述漏電 極，以及 所述蝕刻劑組合物是用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，包括：過氧化氫、亞磷酸或多 元堿基化合物、以及水。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻劑組合物包括：基于所述組合物的總重 量， 15?25重量％的所述過氧化氫， 0. 3?5重量％的所述亞磷酸或0. 1?5重量％的所述多元堿基化合物，以及余量的 水，以使得所述組合物的總重量為100重量％。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述用于液晶顯示器的陣列基板為薄膜晶體管 陣列基板。
4. 一種用于Cu基金屬膜的蝕刻劑組合物，所述蝕刻劑組合物包括：過氧化氫、亞磷酸 或多元堿基化合物、以及水。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述Cu基金屬膜為多層膜，所述多層膜 包括：選自銅膜和銅合金膜中的至少一種；以及選自鑰膜和鑰合金膜中的至少一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻劑組合物，其中，所述銅膜和所述銅合金膜是厚度為 5000A或更大的厚膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻劑組合物，其中，所述鑰合金膜由鑰和選自鈦、鉭、鉻、 鎳、釹和銦中的至少一種金屬組成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述蝕刻劑組合物包括：基于所述組合 物的總重量， 15?25重量％的所述過氧化氫， 0. 3?5重量％的所述亞磷酸或0. 1?5重量％的所述多元堿基化合物，以及余量的 水，以使得所述組合物的總重量為100重量％。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，在用于Cu基金屬膜的所述蝕刻劑組合物僅包 括亞磷酸的情況下，所述蝕刻劑組合物進(jìn)一步包括選自下列物質(zhì)中的至少一種：含氟化合 物、唑類化合物、在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物、磷酸鹽化合物和多元醇類表 面活性劑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻劑組合物，所述蝕刻劑組合物進(jìn)一步包括：基于所述組 合物的總重量，選自下列物質(zhì)中的至少一種： 0. 3?5重量％的所述亞磷酸， 0. Ol?5重量％的所述含氟化合物， 0. 1?5重量％的所述唑類化合物， 0. 5?5重量％的所述在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物， 0. 1?5%重量的所述磷酸鹽化合物，以及 0. 001?5重量％的所述多元醇類表面活性劑。
11. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，在用于Cu基金屬膜的所述蝕刻劑組合物包 括多元堿基化合物或者包括亞磷酸和多元堿基化合物的情況下，所述蝕刻劑組合物進(jìn)一步 包括選自下列物質(zhì)中的至少一種：含氟化合物、唑類化合物、在分子中具有N原子和羧基的 水溶性化合物以及多元醇類表面活性劑。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的蝕刻劑組合物，所述蝕刻劑組合物進(jìn)一步包括：基于所述 組合物的總重量，選自下列物質(zhì)中的至少一種： 0. 1?5重量％的所述多元堿基化合物， 0. 3?5重量％的所述亞磷酸， 0. 01?5重量％的所述含氟化合物， 0. 1?5重量％的所述唑類化合物， 0. 5?5重量％的所述在分子中具有N原子和羧基的水溶性化合物，以及 0. 001?5重量％的所述多元醇類表面活性劑。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述多元堿基化合物是選自磷酸氫二 銨、磷酸氫二鈉和磷酸氫二鉀中的至少一種。
14. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的蝕刻劑組合物，在用于Cu基金屬膜的所述蝕刻劑組合物包 括多元堿基化合物的情況下，其中，所述蝕刻劑組合物是酸性的，PH為1. 5?4。
15. -種用于液晶顯示器的陣列基板，包括選自柵極布線、源電極和漏電極中的至少一 種，所述柵極布線、所述源電極和所述漏電極經(jīng)根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于Cu基金屬膜的 蝕刻劑組合物蝕刻。
【文檔編號】C23F1/18GK104513982SQ201410443484
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】李鉉奎, 金鎮(zhèn)成, 梁圭亨, 樸英哲 申請人:東友精細(xì)化工有限公司