氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法，在第一站點(diǎn)上方的供氣裝置包括一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，從而可以在預(yù)處理過程中產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2/He等離子體，或遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體，用以修復(fù)low?k介質(zhì)的K值、以及去除Cu表面的CuO，從而增強(qiáng)low?k材料和氮摻雜碳化硅薄膜的粘附性和Cu和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性；并且，第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制，使預(yù)處理過程可以進(jìn)行自由調(diào)節(jié)；由于在反應(yīng)設(shè)備的反應(yīng)腔中的四個(gè)站點(diǎn)同時(shí)工作，因此，為了使預(yù)處理過程和其它過程互不影響，采用氣簾技術(shù)將四個(gè)站點(diǎn)隔離開來，從而提高預(yù)處理過程的工藝質(zhì)量；通過本發(fā)明可以提高最終產(chǎn)品的可靠性和電性能。
【專利說明】氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]氮摻雜碳化硅薄膜(NDC)在集成電路制造后段工藝中作為阻擋層使用，目的是為了防止填充銅與介電材料直接接觸，發(fā)生銅擴(kuò)散。如圖1所示，為low K介電材料沉積之后的結(jié)構(gòu)示意圖，通常在填充銅I的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)之后，low K介質(zhì)3沉積之前，用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜2的沉積。對于40nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，為了滿足K值得要求，low K介質(zhì)通常使用多孔low k介質(zhì)。化學(xué)機(jī)械研磨之后的多孔low k介質(zhì)由于研磨損傷以及在空氣中吸潮等因素，會(huì)出現(xiàn)k值升高的現(xiàn)象。
[0003]通常的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法包括He浸泡工藝(He Soak)、原位NH3/N2等離子處理工藝(plasma treatment)和氮摻雜碳化娃薄膜的沉積工藝(NDC deposit1n)三個(gè)主要步驟。He Soak和原位NH3/N2 plasma treatment屬于預(yù)處理步驟。He Soak可以一定程度上去除Cu和多孔low k介質(zhì)表面的水氣及其他雜質(zhì)氣體。原位NH3/N2 plasmatreatment的作用是去除Cu表面的CuO,并增強(qiáng)Cu層與NDC薄膜的黏附性。
[0004]如圖2所示，顯示了氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)腔的構(gòu)造以及晶圓在反應(yīng)腔里的傳送過程。圖2中，氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)腔具有四個(gè)站點(diǎn)1、2、3和4，晶圓進(jìn)入反應(yīng)腔之后在每個(gè)站點(diǎn)(stat1n)上都會(huì)依次進(jìn)行He Soak,原位NH3/N2plasma treatment和NDCdeposit1n的步驟,供氣裝置例如進(jìn)氣蓮蓬頭位于每個(gè)stat1n的正上方。四個(gè)站點(diǎn)上方的供氣裝置是統(tǒng)一控制的，四個(gè)站點(diǎn)上方都具有各自的射頻電源(RF)開關(guān)，可以獨(dú)立控制薄膜沉積的啟閉。只有stat1nl上具有原位NH3/N2 plasma treatment,在stat1n2、3、和4上，由于晶圓表面已經(jīng)生長了氮摻雜碳化硅薄膜，所以He soak步驟沒有實(shí)際意義，僅僅NDC deposit1n本身是有意義的,如圖3所示,為現(xiàn)有的氮摻雜碳化娃薄膜的制備方法的流程示意圖?，F(xiàn)有的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法包括以下步驟:
[0005]步驟LOl:晶圓到達(dá)第一站點(diǎn)，開啟總氣閥，四個(gè)站點(diǎn)上方的供氣裝置均打開，對晶圓進(jìn)行He浸泡工藝；
[0006]步驟L02:通過第一站點(diǎn)上方的供氣裝置向反應(yīng)腔通入NH3/N2等離子以進(jìn)行NH3/N2等離子處理工藝；
[0007]步驟L03:對晶圓進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜沉積工藝；
[0008]步驟L04:將晶圓轉(zhuǎn)移到第二站點(diǎn)，先后對晶圓進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積；
[0009]步驟L05:依次將晶圓轉(zhuǎn)移到第三個(gè)站點(diǎn)和第四站點(diǎn)，并分別在第三站點(diǎn)和第四站點(diǎn)都對晶圓依次進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積。
[0010]在上述氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法中，第一站點(diǎn)上既進(jìn)行He Soak和原位NH3/N2等離子處理工藝的預(yù)處理，又進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜的沉積工藝，這樣，由于不可避免地會(huì)出現(xiàn)混合氣氛，將影響到預(yù)處理過程的有效程度:如果預(yù)處理過程不能將Cu表面的CuO有效地去除，則會(huì)導(dǎo)致Cu和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性下降，從而影響到最終器件的可靠性；并且，預(yù)處理過程會(huì)影響到多孔low k介質(zhì)的K值、以及l(fā)ow k材料和氮摻雜碳化娃薄膜的黏附性，如果預(yù)處理過程中不能有效修復(fù)low k介質(zhì)的K值、以及不能使low k材料和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性增強(qiáng)，將會(huì)導(dǎo)致其K值升高，從而影響到最終器件的電性能和可靠性。
[0011]因此，需要對預(yù)處理過程進(jìn)行改進(jìn)，使其能夠有效修復(fù)low k介質(zhì)的K值，增強(qiáng)lowk材料和氮摻雜碳化硅薄膜的粘附性，以及有效去除Cu表面的CuO，從而增強(qiáng)Cu和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]為了克服以上問題，本發(fā)明旨在改進(jìn)現(xiàn)有的氮摻雜碳化硅薄膜的制備過程中的預(yù)處理過程，以期達(dá)到修復(fù)low k介質(zhì)的K值、增強(qiáng)low k材料和氮摻雜碳化娃薄膜的粘附性、有效去除Cu表面的CuO而增強(qiáng)Cu和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性的目的。
[0013]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備，其具有一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔具有第一、第二、第三和第四站點(diǎn)，在每個(gè)所述站點(diǎn)上方均包括有供氣裝置，其中，在所述第一站點(diǎn)上方的供氣裝置包括一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2Afe等離子體，或遠(yuǎn)程nh3/n2等離子體；
[0014]在所述第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制；所述第一站點(diǎn)僅用于進(jìn)行預(yù)處理過程，所述第二、第三和第四站點(diǎn)僅用于進(jìn)行薄膜沉積過程。
[0015]本發(fā)明還提供了一種使用上述的反應(yīng)設(shè)備進(jìn)行的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法，其包括以下步驟:
[0016]步驟SOl:晶圓到達(dá)所述第一站點(diǎn)，開啟所述第一站點(diǎn)上方的所述供氣裝置，對所述晶圓進(jìn)行He浸泡工藝；
[0017]步驟S02:經(jīng)遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向所述晶圓上方通入遠(yuǎn)程H2Afe等離子體進(jìn)行第一次預(yù)處理；
[0018]步驟S03:經(jīng)所述遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向所述晶圓上方通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體進(jìn)行第二次預(yù)處理；
[0019]步驟S04:將所述晶圓轉(zhuǎn)移到所述第二站點(diǎn)，開啟所述第二、第三和第四站點(diǎn)上方的供氣裝置，先后對所述晶圓進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積；
[0020]步驟S05:依次將所述晶圓轉(zhuǎn)移到所述第三個(gè)站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)，并分別在所述第三站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)都對所述晶圓依次進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積。
[0021]優(yōu)選地，所述第一站點(diǎn)、所述第二站點(diǎn)、所述第三站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)之間采用氣簾技術(shù)相互隔尚開來。
[0022]優(yōu)選地，所述步驟S02中，所述通入遠(yuǎn)程H2Afe等離子體采用的He的氣體流量為1000-15000sccm, H2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2_60s。
[0023]優(yōu)選地，所述步驟S03中，所述通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體采用的NH3的氣體流量為100-1500sccm, N2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2_60s。
[0024]優(yōu)選地，所述步驟SO1、所述步驟S04、和所述步驟S05中，所述He浸泡工藝中，He的氣體流量為1000-15000sccm。
[0025]本發(fā)明的氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法，通過改進(jìn)氮摻雜碳化硅薄膜的預(yù)處理過程，通過在第一站點(diǎn)上方設(shè)置的供氣裝置中設(shè)置一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，從而可以在預(yù)處理過程中產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2Afe等離子體，或遠(yuǎn)程順3/隊(duì)等離子體，相比于現(xiàn)有的原位等離子體處理，遠(yuǎn)程等離子體處理對晶圓造成的損傷較小；并且，遠(yuǎn)程H2Afe等離子體，或遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體預(yù)處理之后，修復(fù)low k介質(zhì)的K值使K值更小、還可以去除Cu表面的CuO,從而增強(qiáng)low k材料和氮摻雜碳化娃薄膜的粘附性、Cu和氮摻雜碳化娃薄膜的黏附性，從而使最終器件的電性能更好；并且，第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制，使得在第一站點(diǎn)上僅進(jìn)行預(yù)處理過程，而不進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜沉積過程；由于在反應(yīng)設(shè)備的反應(yīng)腔中的四個(gè)站點(diǎn)同時(shí)工作，因此，為了使預(yù)處理過程和其它過程互不影響，采用氣簾技術(shù)將四個(gè)站點(diǎn)隔離開來，從而提高預(yù)處理過程的工藝質(zhì)量；由此，通過本發(fā)明可以提高最終器件的可靠性和電性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為low K介電材料沉積之后的結(jié)構(gòu)示意圖
[0027]圖2顯示了氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)腔的構(gòu)造以及晶圓在反應(yīng)腔里的傳送過程
[0028]圖3為現(xiàn)有的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法的流程示意圖
[0029]圖4為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法的流程示意圖

【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0031]在本發(fā)明中，氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備，其可以采用現(xiàn)有的氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備，其具有一反應(yīng)腔，通常反應(yīng)腔具有第一、第二、第三和第四站點(diǎn)，在每個(gè)站點(diǎn)上方均包括有供氣裝置，比如進(jìn)氣蓮蓬頭等，在四個(gè)站點(diǎn)之間可以具有傳輸裝置使晶圓可以在它們之間進(jìn)行傳輸，在反應(yīng)設(shè)備中還具有分別控制每個(gè)站點(diǎn)的射頻電源開關(guān)，用于啟閉沉積過程，當(dāng)然，本發(fā)明的反應(yīng)設(shè)備還可以包括其他現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，在這里不再贅述；
[0032]其區(qū)別之處在于:本發(fā)明中的反應(yīng)設(shè)備中，第一站點(diǎn)僅用于進(jìn)行預(yù)處理過程，而不進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜沉積過程；而第二、三和四站點(diǎn)僅用于進(jìn)行氮摻雜碳化硅薄膜沉積過程；并且，在第一站點(diǎn)上方的供氣裝置包括一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2/He等離子體，或遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體；并且，現(xiàn)有技術(shù)中，反應(yīng)腔的四個(gè)站點(diǎn)上方的供氣裝置是統(tǒng)一控制的，而本發(fā)明在第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制，這是因?yàn)樵诒景l(fā)明中，第一站點(diǎn)用于進(jìn)行預(yù)處理過程，而其它三個(gè)站點(diǎn)專門用來沉積氮摻雜碳化硅薄膜的，由于預(yù)處理過程采用的反應(yīng)氣體與沉積過程中采用的反應(yīng)氣體不同，同時(shí)預(yù)處理過程的反應(yīng)氣體不能夠出現(xiàn)在沉積過程中，否則會(huì)影響沉積過程的質(zhì)量，這就需要對第一站點(diǎn)上方的供氣裝置進(jìn)行單獨(dú)控制，從而確保預(yù)處理過程和沉積過程互不影響；并且可以采用氣簾技術(shù)將每個(gè)站點(diǎn)隔離開來，進(jìn)一步確保預(yù)處理過程和沉積過程互不影響。
[0033]以下將結(jié)合附圖4和具體實(shí)施例對本發(fā)明的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。
[0034]請參閱圖4，為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法的流程示意圖；本實(shí)施例的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法中，采用本發(fā)明的上述反應(yīng)設(shè)備，具體包括以下步驟:
[0035]步驟SOl:晶圓到達(dá)第一站點(diǎn)，開啟第一站點(diǎn)上方的供氣裝置，對晶圓進(jìn)行He浸泡工藝；
[0036]具體的，可以采用現(xiàn)有的反應(yīng)設(shè)備中的機(jī)械手等將其放置于反應(yīng)腔中，然后，晶圓在傳輸裝置的輸送下到達(dá)第一站點(diǎn)；由于第一站點(diǎn)上方的供氣裝置相對于其他三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置是獨(dú)立控制的，因此，需要首先開啟第一站點(diǎn)上方的供氣裝置進(jìn)行He浸泡工藝，He的氣體流量可以但不限于為1000-15000sccm，浸泡時(shí)間為5_60秒。He浸泡工藝可以一定程度上去除Cu和多孔low k介質(zhì)表面的水氣及其他雜質(zhì)氣體。
[0037]步驟S02:經(jīng)遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向晶圓上方通入遠(yuǎn)程H2Afe等離子體進(jìn)行第一次預(yù)處理；
[0038]具體的，完成上述He浸泡工藝之后，打開遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，通入遠(yuǎn)程H2Afe等離子體采用的He的氣體流量為1000-15000sccm，H2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2-60s ;然則上述工藝參數(shù)僅限于本實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0039]步驟S03:經(jīng)遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向晶圓上方通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體進(jìn)行第二次預(yù)處理；
[0040]具體的，在完成上述第一次預(yù)處理之后，通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體采用的NH3的氣體流量為100-1500sccm，N2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2s_60s ;然則上述工藝參數(shù)僅限于本實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0041]步驟S04:將晶圓轉(zhuǎn)移到第二站點(diǎn)，開啟第二、第三和第四站點(diǎn)上方的供氣裝置，先后對晶圓進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積；
[0042]具體的，除了第一站點(diǎn)上方的供氣裝置是獨(dú)立控制的，其它三個(gè)站點(diǎn)上的供氣裝置是統(tǒng)一控制的，因此，在第二站點(diǎn)上進(jìn)行工作時(shí)，打開第二站點(diǎn)上方的供氣裝置的同時(shí)，第三和第四站點(diǎn)上方的供氣裝置也同時(shí)打開。
[0043]可以采用現(xiàn)有的沉積工藝來沉積氮摻雜碳化硅薄膜，比如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，具體的工藝條件可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來設(shè)定，本發(fā)明對此不作限制。
[0044]本步驟中的第二站點(diǎn)用于沉積氮摻雜碳化硅薄膜的，而這里的He浸泡工藝只是為了協(xié)調(diào)晶圓在每個(gè)站點(diǎn)上的停留時(shí)間，不起到預(yù)處理作用。較佳的，He的氣體流量可以為1000-15000sccm，浸泡時(shí)間可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來設(shè)定。
[0045]步驟S05:依次將晶圓轉(zhuǎn)移到第三個(gè)站點(diǎn)和第四站點(diǎn)，并分別在第三站點(diǎn)和第四站點(diǎn)都對晶圓依次進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積；
[0046]具體的，由于供氣裝置已打開，因此無需再進(jìn)行打開步驟；本步驟中第三站點(diǎn)和第四站點(diǎn)也是用于沉積氮摻雜碳化硅薄膜的，而這里的He浸泡工藝也只是為了協(xié)調(diào)晶圓在每個(gè)站點(diǎn)上的停留時(shí)間，不起到預(yù)處理作用。較佳的，He的氣體流量可以為1000-15000sccm，浸泡時(shí)間可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來設(shè)定。
[0047]需要說明的是，由于反應(yīng)腔內(nèi)的四個(gè)站點(diǎn)是同時(shí)工作的，也就是說，在第一站點(diǎn)上的晶圓進(jìn)行預(yù)處理過程時(shí)，其它三個(gè)站點(diǎn)上也有晶圓在進(jìn)行相應(yīng)的沉積過程，因此，為了避免四個(gè)站點(diǎn)上的工藝相互影響而降低工藝質(zhì)量，可以采用氣簾技術(shù)將四個(gè)站點(diǎn)相互隔離開來。
[0048]綜上所述，本發(fā)明的氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備及其制備方法，通過改進(jìn)氮摻雜碳化硅薄膜的預(yù)處理過程，通過在第一站點(diǎn)上方的供氣裝置中設(shè)置一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，從而可以在預(yù)處理過程中產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2/He等離子體，或遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體，用以修復(fù)low k介質(zhì)的K值、以及去除Cu表面的CuO,從而增強(qiáng)low k材料和氮摻雜碳化娃薄膜的粘附性和Cu和氮摻雜碳化硅薄膜的黏附性；并且，第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制，使預(yù)處理過程可以進(jìn)行自由調(diào)節(jié)；由于在反應(yīng)設(shè)備的反應(yīng)腔中的四個(gè)站點(diǎn)同時(shí)工作，因此，為了使預(yù)處理過程和其它過程互不影響，采用氣簾技術(shù)將四個(gè)站點(diǎn)隔離開來，從而提高預(yù)處理過程的工藝質(zhì)量；由此，通過本發(fā)明可以提高最終產(chǎn)品的可靠性和電性能。
[0049]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種氮摻雜碳化硅薄膜的反應(yīng)設(shè)備，其具有一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔具有第一、第二、第三和第四站點(diǎn)，在每個(gè)所述站點(diǎn)上方均包括有供氣裝置，其特征在于，在所述第一站點(diǎn)上方的供氣裝置包括一獨(dú)立的遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生遠(yuǎn)程H2Afe等離子體，或遠(yuǎn)程nh3/n2等離子體； 在所述第一站點(diǎn)上方的供氣裝置區(qū)別于其它三個(gè)站點(diǎn)的供氣裝置而獨(dú)立控制；所述第一站點(diǎn)僅用于進(jìn)行預(yù)處理過程，所述第二、第三和第四站點(diǎn)僅用于進(jìn)行薄膜沉積過程。
2.一種使用權(quán)利要求1所述的反應(yīng)設(shè)備進(jìn)行的氮摻雜碳化硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟SOl:晶圓到達(dá)所述第一站點(diǎn)，開啟所述第一站點(diǎn)上方的所述供氣裝置，對所述晶圓進(jìn)行He浸泡工藝； 步驟S02:經(jīng)遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向所述晶圓上方通入遠(yuǎn)程H2Afe等離子體進(jìn)行第一次預(yù)處理； 步驟S03:經(jīng)所述遠(yuǎn)程等離子體系統(tǒng)向所述晶圓上方通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體進(jìn)行第二次預(yù)處理； 步驟S04:將所述晶圓轉(zhuǎn)移到所述第二站點(diǎn)，開啟所述第二、第三和第四站點(diǎn)上方的供氣裝置，先后對所述晶圓進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積； 步驟S05:依次將所述晶圓轉(zhuǎn)移到所述第三個(gè)站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)，并分別在所述第三站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)都對所述晶圓依次進(jìn)行He浸泡工藝和氮摻雜碳化硅薄膜的沉積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一站點(diǎn)、所述第二站點(diǎn)、所述第三站點(diǎn)和所述第四站點(diǎn)之間采用氣簾技術(shù)相互隔離開來。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S02中，所述通入遠(yuǎn)程H2/He等離子體采用的He的氣體流量為1000-15000sccm，H2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2-60S。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S03中，所述通入遠(yuǎn)程N(yùn)H3/N2等離子體采用的NH3的氣體流量為100-1500sccm，N2的氣體流量為1000-15000sccm，所通入的時(shí)間為2-60S。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S01、所述步驟S04、和所述步驟S05中，所述He浸泡工藝中，He的氣體流量為1000-15000sccm。
【文檔編號】C23C16/448GK104183479SQ201410377349
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】雷通 申請人:上海華力微電子有限公司