對(duì)準(zhǔn)掩模組件方法
【專利摘要】一種對(duì)準(zhǔn)掩模組件的方法，包括：提供包括掩模和掩?？蚣艿难谀＝M件；以及通過獨(dú)立地移動(dòng)掩?？蚣艿南虏亢脱谀？蚣艿纳喜恐兄辽僦坏奈恢谜{(diào)整掩?？蚣堋?br> 【專利說(shuō)明】對(duì)準(zhǔn)掩模組件方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施方式的多個(gè)方面涉及通過使用沉積裝置的對(duì)準(zhǔn)掩模組件方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為平板顯示器，液晶顯示器(IXD)和有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器是眾所周知的。平板顯示器包括具有預(yù)定圖案的金屬層，并且在有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的情況下，每個(gè)像素形成有具有該預(yù)定圖案的有機(jī)發(fā)光層?？蓱?yīng)用使用用于形成金屬層和有機(jī)發(fā)光層的掩模的沉積方法。
[0003]因?yàn)槠桨屣@示器的尺寸增大，所以掩模導(dǎo)致掩模圖案開口的不一致性以及像素位置精度(PPA)的降低。
[0004]【背景技術(shù)】部分中公開的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此，上述信息可包括并不構(gòu)成該國(guó)的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的多個(gè)方面，沉積裝置控制施加至掩模的張力的減小和增大，并防止或基本防止掩?？蚣艿呐で⑶姨峁┝耸褂迷摮练e裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的一方面，提供了通過使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法，其中該沉積裝置包括使用在薄膜(如有機(jī)發(fā)光層或金屬層)沉積過程中的薄膜沉積掩模組件。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法包括:提供包括掩模和掩?？蚣艿难谀＝M件；以及通過獨(dú)立地移動(dòng)掩模框架的下部和掩?？蚣艿纳喜恐兄辽僦坏奈恢?，調(diào)整掩?？蚣?。
[0008]在調(diào)整掩?？蚣艿牟襟E中，可通過使用下框架位置控制器和上框架位置控制器相等地移動(dòng)掩?？蚣艿纳喜亢拖虏?，以增加或減小施加至掩模的張力，其中下框架位置控制器和上框架位置控制器安裝至用于固定掩模組件的掩模臺(tái)。
[0009]在調(diào)整掩?？蚣艿牟襟E中，可通過使用下框架位置控制器和上框架位置控制器，使掩?？蚣艿纳喜康奈恢靡苿?dòng)得比掩?？蚣艿南虏康奈恢酶h(yuǎn)，以控制掩?？蚣艿呐で?，其中下框架位置控制器和上框架位置控制器安裝至用于固定掩模組件的掩模臺(tái)。
[0010]下框架位置控制器可連接至掩模臺(tái)的下部，上框架位置控制器可連接至掩模臺(tái)的上部。
[0011]下框架位置控制器可包括下支承件、下驅(qū)動(dòng)器、和下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元，其中下驅(qū)動(dòng)器安裝至下支承件并配置成產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)力，下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元連接至下驅(qū)動(dòng)器，以通過使用第一驅(qū)動(dòng)力控制掩?？蚣艿南虏康奈恢?，而上框架位置控制器可包括上支承件、上驅(qū)動(dòng)器、和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元，其中上驅(qū)動(dòng)器安裝至上支承件并配置成產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)力，上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元連接至上驅(qū)動(dòng)器，以通過使用第二驅(qū)動(dòng)力控制掩?？蚣艿纳喜康奈恢谩?br> [0012]下驅(qū)動(dòng)器和上驅(qū)動(dòng)器均可包括馬達(dá)，而下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元均可包括螺紋部分。該方法還可包括:安裝防塵器至下框架位置控制器和上框架位置控制器。
[0013]下框架位置控制器和上框架位置控制器中至少之一以與下框架位置控制器和上框架位置控制器中另一個(gè)的數(shù)量不同的數(shù)量設(shè)置有多個(gè)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的一方面，沉積裝置安裝連接在掩模臺(tái)之下的下框架位置控制器以及連接在掩模臺(tái)上的上框架位置控制器，以使得可通過使用下框架位置控制器和上框架位置控制器使掩?？蚣艿纳喜亢拖虏恳苿?dòng)，從而掩?？蚣艿纳喜康奈恢每杀灰苿?dòng)得比掩模框架的下部的位置更遠(yuǎn)。因此，在由張力扭曲的掩?？蚣苤?，可消除或減小扭曲。因此，可補(bǔ)償或減小由掩?？蚣艿呐で冃沃率沟难谀Ｅc襯底之間增大的間隔。
[0015]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的另一方面，可減小掩模與襯底之間的間隔，以使得可最小化或減少沉積過程中由于由掩模覆蓋的阻擋區(qū)域的增加而導(dǎo)致的缺陷。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖；
[0017]圖2是圖1的沉積裝置的側(cè)視圖；
[0018]圖3和圖4順序示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法，該方法作為通過去除掩模框架的扭曲來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模組件的方法；
[0019]圖5和圖6順序示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法，該方法作為通過掩模框架的水平方向運(yùn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn)掩模組件的方法；
[0020]圖7是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖；
[0021]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖。
[0022]指示附圖中一些元件的附圖標(biāo)記的描述
[0023]20:掩模30:掩?？蚣?br> [0024]40:掩模臺(tái)50:框架位置控制器
[0025]51:下框架位置控制器52:上框架位置控制器
[0026]60:防塵器

【具體實(shí)施方式】
[0027]下文中將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，可以各種不同的方式修改描述的實(shí)施方式，而不背離本發(fā)明的范圍或精神。因此，附圖和描述應(yīng)被認(rèn)為本質(zhì)上是說(shuō)明性的，而不是限制性的。
[0028]在說(shuō)明書中，除非明確相反地描述，詞語(yǔ)“包括(compr i se) ”及其變型“包括(comprises) ”或“包括(comprising) ”應(yīng)理解為意指包括描述的元件，但不排除任何其他元件。另外，應(yīng)理解，當(dāng)元件如層、膜、區(qū)域、或襯底被認(rèn)為在另一元件“上(on)”時(shí)，其可直接在其他元件上或還可存在插入的元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為直接在另一元件“上(on)”時(shí)，應(yīng)理解，不存在插入的元件。此外，在說(shuō)明書中，應(yīng)理解，詞語(yǔ)“上(on)”是指定位在目標(biāo)部分上或之下，而不僅指基于重力方向定位在目標(biāo)部分的上側(cè)上。
[0029]圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖；以及圖2是圖1的沉積裝置的側(cè)視圖。
[0030]如圖1和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沉積裝置包括沉積室1、沉積源10、掩模20、以及掩模框架30。另外根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的沉積裝置還包括至少一個(gè)掩模臺(tái)40、至少一個(gè)框架位置控制器50、以及將框架位置控制器50固定至沉積室I的固定構(gòu)件70。
[0031]當(dāng)在沉積室I中執(zhí)行沉積過程時(shí)，沉積室I維持真空。
[0032]沉積源10安裝在沉積室I內(nèi)部并噴射沉積材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，沉積源10通過使用加熱構(gòu)件加熱填充有沉積材料的沉積容器來(lái)向上噴射沉積材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，沉積室I中可設(shè)有多個(gè)沉積源10。
[0033]掩模20與沉積源10間隔開，以使得沉積材料以預(yù)定圖案進(jìn)行沉積。在一個(gè)實(shí)施方式中，掩模20是具有長(zhǎng)度(L)和寬度(W)、以及多個(gè)圖案開口 20a的四邊形薄金屬板。圖案開口 20a形成為與將被沉積的薄膜具有相同的形狀。因此，在沉積過程中，沉積材料穿過圖案開口 20a并沉積在襯底100上，從而形成具有期望的形狀和圖案的薄膜(例如，金屬層、有機(jī)發(fā)光層等)。
[0034]掩模20定位在沉積源10上方，并且襯底100在一個(gè)實(shí)施方式中定位在掩模20之上并與掩模20間隔開距離(例如，預(yù)定距離)(d)。
[0035]掩?？蚣?0支承掩模20并具有比掩模20的尺寸更大的形狀(例如，方形)，并且掩模20例如通過焊接固定至掩模框架30。
[0036]在一個(gè)實(shí)施方式中，掩?？蚣?0具有形成方形框架形狀的四個(gè)邊，并且這四個(gè)邊分別包括與掩模20相接觸的框架上表面30a。掩模框架30從框架上表面30a在向下方向上延伸，并具有預(yù)定的高度(h)，使得更接近框架上表面30a的端部為掩?？蚣?0的上部32，而更遠(yuǎn)離框架上表面30a的端部為掩?？蚣?0的下部31。
[0037]在一個(gè)實(shí)施方式中，在使掩模20延伸的狀態(tài)中，通過將掩模20焊接至掩?？蚣?0上而完成掩模組件。在沉積裝置中，掩模框架30可由一個(gè)固定體以高處理精度制造。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，在掩模20被延伸并焊接后，施加至掩模20的張力可不增大或減小。如上所述，由于可能不增加或減小施加至掩模20的張力，所以掩模20的拉伸過程及掩模框架30上的焊接過程需要大量時(shí)間和努力，并且如果掩模20的拉伸過程和焊接過程異常地執(zhí)行，則該使用的掩模20必須丟棄。另外，當(dāng)掩模和掩模框架用于執(zhí)行沉積過程時(shí)，可能產(chǎn)生掩模中開口尺寸的不一致性以及像素位置準(zhǔn)確度的降低，并且在這種情況下，被延伸并焊接在掩模框架30上的掩?？膳c掩?？蚣芊蛛x而被丟棄。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，為避免丟棄掩模20，掩?？蚣?0能夠增加或減少施加至掩模20的張力。然而，在對(duì)于掩?？蚣艿囊徽麄€(gè)邊利用相同移動(dòng)量來(lái)增大或減小張力的方法中，當(dāng)需要掩模局部變化時(shí)，該方法就不符合這種情況，并且雖然可增大或減小張力，但可能不能避免掩?？蚣?0的扭曲。
[0038]也就是說(shuō)，掩模的中心部分可由掩模20的重量向下陷，并且因此，為了防止或基本防止掩模20的圖案開口 20a被改變，在相反方向上延伸掩模20的兩側(cè)的狀態(tài)中，掩模20通過焊接附接至掩?？蚣?0，以使得當(dāng)觀察掩?？蚣?0的橫截面時(shí)，撓率產(chǎn)生在掩?？蚣?0中，其中掩模框架30以該撓率被扭曲。因此，掩?？蚣?0傾斜，并且掩?？蚣?0的四邊的上部32比下部31更接近，以使得掩?？蚣?0被扭曲。
[0039]因此，在沉積裝置中使用掩模組件的情況下，掩模20通過掩?？蚣?0的拉伸定位在比預(yù)定位置更低的位置，以使得與預(yù)定值相比較，將被沉積材料沉積的襯底與掩模20之間的間隔增大。如上所述，當(dāng)襯底和掩模20之間的間隔增大時(shí)，由掩模20覆蓋的阻擋區(qū)域增大，以使得將沉積材料沉積在比沉積區(qū)域更寬的位置，從而在沉積過程產(chǎn)生缺陷。掩模臺(tái)40包括臺(tái)槽40a，以固定掩?？蚣?0的四個(gè)邊，其中掩?？蚣?0固定至臺(tái)槽40a。掩?？蚣?0插設(shè)在臺(tái)槽40a中，以固定至掩模臺(tái)40?？蓪⒁粋€(gè)或多個(gè)掩模臺(tái)40安裝至掩?？蚣?0的一個(gè)邊。
[0040]至少一個(gè)框架位置控制器50控制掩?？蚣?0的位置?？蚣芪恢每刂破?0包括下框架位置控制器51和上框架位置控制器52，其中下框架位置控制器51連接至掩模臺(tái)40的下部41，上框架位置控制器52連接至掩模臺(tái)40的上部42。
[0041]在一個(gè)實(shí)施方式中，下框架位置控制器51包括下支承件511、下驅(qū)動(dòng)器512、以及下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513，其中下驅(qū)動(dòng)器512安裝至下支承件511并產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力，下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513連接至下驅(qū)動(dòng)器512并通過使用驅(qū)動(dòng)力控制掩?？蚣?0的位置。
[0042]在一個(gè)實(shí)施方式中，下支承件511可以是呈六面體形的框架，并且下驅(qū)動(dòng)器512安裝并固定在下支承件511中。下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的一端5131連接至下驅(qū)動(dòng)器512，而下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的另一端5132聯(lián)接至螺紋槽40b，螺紋槽40b形成在掩模臺(tái)40的下部41中。
[0043]在一個(gè)實(shí)施方式中，上框架位置控制器52包括上支承件521、上驅(qū)動(dòng)器522、以及上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523，其中上驅(qū)動(dòng)器522安裝至上支承件521并產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力，上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523連接至上驅(qū)動(dòng)器522并通過使用驅(qū)動(dòng)力控制掩模框架30的位置。
[0044]在一個(gè)實(shí)施方式中，上支承件521可以是呈六面體形的框架，并且上驅(qū)動(dòng)器512安裝并固定在上支承件521中。上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的一端5231連接至上驅(qū)動(dòng)器522，而上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的另一端5232聯(lián)接至形成在掩模臺(tái)40上部42中的螺紋槽40b。
[0045]下驅(qū)動(dòng)器512和上驅(qū)動(dòng)器522均可包括馬達(dá)，并且下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523均可包括螺紋部分。
[0046]通過使用上驅(qū)動(dòng)器522使上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的螺紋部分旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的上部42朝向沉積室I的側(cè)部移動(dòng)，并且通過使用下驅(qū)動(dòng)器512使下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的螺紋部分旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的下部41朝向掩模20的中心處移動(dòng)。
[0047]如上所述，通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52獨(dú)立地移動(dòng)掩?？蚣?0的上部32和下部31的位置，可控制掩?？蚣?0的上部32的位置，以與掩?？蚣?0的下部31不同，因此通過施加至掩?？蚣?0的上部32和下部31的張力不平衡而被扭曲的掩模框架30的張力可被控制為一致或基本一致。
[0048]因此，可補(bǔ)償通過掩?？蚣?0的拉伸變形而增大的、掩模20與襯底100之間的間隔或距離⑷。
[0049]另外，可通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52而相等地移動(dòng)掩?？蚣?0的上部32和下部31的位置。
[0050]通過使用上驅(qū)動(dòng)器522使上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的上部42朝向沉積室I的側(cè)部移動(dòng)，并且通過使用下驅(qū)動(dòng)器512使下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的下部41朝向沉積室I的側(cè)部移動(dòng)，如上部42那樣。另外，通過使用上驅(qū)動(dòng)器522使上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523的上部42朝向掩模20的中心處移動(dòng)，并且通過使用下驅(qū)動(dòng)器512使下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513旋轉(zhuǎn)，可使掩模臺(tái)40的附接至下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513的下部41朝向掩模20的中心處移動(dòng)，如上部42那樣。
[0051]在這種情況下，水平方向的力可施加至掩?？蚣?0，以使得施加至被延伸并焊接至掩?？蚣?0的掩模20的張力可被控制，從而控制掩模20的圖案開口 20a的位置。
[0052]如上所述，可通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52額外地增大或減小施加至掩模20的張力，以使得可減少掩模20與掩?？蚣?0之間的初始拉伸過程和焊接過程所需的時(shí)間和努力。
[0053]另外，如果沒有以期望的精度執(zhí)行掩模20與掩?？蚣?0之間的初始拉伸過程和焊接過程，則可通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52增大或減小施加至掩模20的張力，可將掩模20的精度調(diào)整至期望的值，并可控制掩模20的圖案開口的尺寸和一致性以及像素位置精度(PPA)，而不是丟棄與掩?？蚣?0分離的掩模20，從而降低或使丟棄的掩模的數(shù)量最小化，并且減少了掩模更換的時(shí)間，以使得沉積裝置的連續(xù)處理時(shí)間增加，從而提高生產(chǎn)率。
[0054]在一個(gè)實(shí)施方式中，下框架位置控制器的51和上框架位置控制器52安裝有防塵器60，防塵器60分別從下支承件511和上支承件521延伸，并覆蓋下驅(qū)動(dòng)器512和下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513、以及上驅(qū)動(dòng)器522和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523。防塵器60防止或基本防止顆粒如在下驅(qū)動(dòng)器512、上驅(qū)動(dòng)器522、下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513、和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523中生成的灰塵沉積在襯底100上。在一個(gè)實(shí)施方式中，作為用于遮蔽下驅(qū)動(dòng)器512、上驅(qū)動(dòng)器522、下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元513、和上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元523不受外部影響的結(jié)構(gòu)的防塵器60可包括O形環(huán)或波紋管閥。
[0055]下文參照?qǐng)D3至圖6描述了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法。
[0056]圖3和圖4順序示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法，該方法作為通過去除掩模框架的扭曲對(duì)準(zhǔn)掩模組件的方法；圖5和圖6順序示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方式的使用沉積裝置的掩模組件對(duì)準(zhǔn)方法，該方法作為通過掩?？蚣艿乃椒较蜻\(yùn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn)掩模組件的方法。
[0057]如圖3所示，在掩?？蚣?0通過施加至掩模20的張力被扭曲的狀態(tài)下，如圖4所示，通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52，掩模框架30的上部32被移動(dòng)得比下部31遠(yuǎn)，從而去除掩?？蚣?0的拉伸。
[0058]另外，如圖5所示，通過使用下框架位置控制器51和上框架位置控制器52，掩?？蚣?0的下部31和上部32的位置被相等地移動(dòng)，以增大施加至掩模20的張力，或如圖6所示，以減小施加至掩模20的張力。
[0059]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，多個(gè)下框架位置控制器和上框架位置控制器被安裝至掩?？蚣?0的一個(gè)邊。然而，在另一示例性實(shí)施方式中，一個(gè)下框架位置控制器和一個(gè)上框架位置控制器可安裝至掩?？蚣?0的一個(gè)邊。
[0060]圖7是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖。
[0061]除下框架位置控制器和上框架位置控制器的數(shù)量以外，圖7所示示例性實(shí)施方式與圖1和圖2所示示例性實(shí)施方式基本相同，因此省略了相同部件的重復(fù)描述。
[0062]如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的固定掩?？蚣?0的掩模臺(tái)40逐個(gè)安裝至掩?？蚣?0的每個(gè)邊。另外，一個(gè)框架位置控制器50’與安裝至每個(gè)邊的掩模臺(tái)40相連接。框架位置控制器50’包括支承件501、驅(qū)動(dòng)器502、和驅(qū)動(dòng)力傳輸單元503，其中驅(qū)動(dòng)器502安裝至支承件501并產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力，驅(qū)動(dòng)力傳輸單元503連接至驅(qū)動(dòng)器502，并通過使用驅(qū)動(dòng)力控制掩?？蚣?0的位置。
[0063]如上所述，通過將安裝框架位置控制器50’至掩模臺(tái)40，可容易地控制增加或減少的施加至掩模20的張力，其中掩模臺(tái)40逐個(gè)安裝至掩?？蚣?0的每個(gè)邊。
[0064]雖然未示出，但是在圖7所示的示例性實(shí)施方式中，下框架位置控制器和上框架位置控制器的數(shù)量可以相同。也就是說(shuō)，在圖7中，所示的框架位置控制器50’是上框架位置控制器，并且還包括與上框架位置控制器相對(duì)應(yīng)的下框架位置控制器。然而，在另一實(shí)施方式中，如下所述，下框架位置控制器的數(shù)量與上框架位置控制器的數(shù)量可以不同。
[0065]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的俯視圖。
[0066]除下框架位置控制器和上框架位置控制器的數(shù)量不同以外，圖8所示的示例性實(shí)施方式與圖1和圖2所示的示例性實(shí)施方式基本相同，因此省略了相同部件的重復(fù)描述。
[0067]如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的沉積裝置的框架位置控制器50”包括下框架位置控制器51和上框架位置控制器50’，其中下框架位置控制器51連接至掩模臺(tái)40的下部，上框架位置控制器50’連接至掩模臺(tái)40的上部。
[0068]下框架位置控制器51的數(shù)量和上框架位置控制器50’的數(shù)量可以不同。在圖8中，下框架位置控制器51的數(shù)量是二，而上框架位置控制器50’的數(shù)量是一。
[0069]如上所述，通過使下框架位置控制器51的數(shù)量與上框架位置控制器50’的數(shù)量不同，可更容易控制掩?？蚣?0的扭曲。
[0070]雖然已結(jié)合當(dāng)前認(rèn)為是一些實(shí)際示例性實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但應(yīng)理解，本發(fā)明并受公開的實(shí)施方式的限制，相反地，本發(fā)明旨在涵蓋包括在所附權(quán)利要求書及其等同的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)準(zhǔn)掩模組件方法,包括: 提供掩模組件，所述掩模組件包括掩模和掩模框架；以及 通過獨(dú)立地移動(dòng)所述掩模框架的下部和所述掩?？蚣艿纳喜恐兄辽僦坏奈恢?，調(diào)整所述掩模框架。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中， 在調(diào)整所述掩?？蚣艿牟襟E中，通過使用下框架位置控制器和上框架位置控制器相等地移動(dòng)所述掩?？蚣艿纳喜亢退鲅谀？蚣艿南虏浚栽黾踊驕p小施加至所述掩模的張力，其中所述下框架位置控制器和所述上框架位置控制器被安裝至用于固定所述掩模組件的掩模臺(tái)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中， 在調(diào)整所述掩?？蚣艿牟襟E中，通過使用下框架位置控制器和上框架位置控制器，所述掩?？蚣艿纳喜康奈恢帽灰苿?dòng)得比所述掩?？蚣艿南虏康奈恢酶h(yuǎn)，以控制所述掩?？蚣艿呐で?，其中所述下框架位置控制器和所述上框架位置控制器被安裝至用于固定所述掩模組件的掩模臺(tái)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中， 所述下框架位置控制器與所述掩模臺(tái)的下部相連接，以及 所述上框架位置控制器與所述掩模臺(tái)的上部相連接。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中， 所述下框架位置控制器包括: 下支承件； 下驅(qū)動(dòng)器，安裝至所述下支承件，并配置成產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)力；以及 下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元，連接至所述下驅(qū)動(dòng)器，以通過使用 所述第一驅(qū)動(dòng)力控制所述掩?？蚣艿南虏康奈恢茫约八錾峡蚣芪恢每刂破靼? 上支承件； 上驅(qū)動(dòng)器，安裝至所述上支承件，并配置成產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)力；以及上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元，連接至所述上驅(qū)動(dòng)器，以通過使用所述第二驅(qū)動(dòng)力控制所述掩模框架的上部的位置。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中， 所述下驅(qū)動(dòng)器和所述上驅(qū)動(dòng)器均包括馬達(dá)， 所述下驅(qū)動(dòng)力傳輸單元和所述上驅(qū)動(dòng)力傳輸單元均包括螺紋部分。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括: 安裝防塵器至所述下框架位置控制器和所述上框架位置控制器。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述下框架位置控制器和所述上框架位置控制器中至少之一以與所述下框架位置控制器和所述上框架位置控制器中另一個(gè)的數(shù)量不同的數(shù)量設(shè)置有多個(gè)。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104419891SQ201410165421
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年4月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月11日
【發(fā)明者】韓政洹 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司