在銅銦鎵硒化合物工藝中增強的硒供給的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于在基板上沉積硒的系統(tǒng)，其包括：基板載具，該基板載具包括主體、保持基板的裝置、以及形成在主體中用于將一流量的硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口。硒供應(yīng)容器將硒蒸汽提供至硒蒸汽排出口。至少一個溫度傳感器連接至基板載具，用于感測基板溫度。熱源被設(shè)置為加熱基板?？刂破鬟B接至溫度傳感器和熱源。本發(fā)明還公開了在銅銦鎵硒化合物工藝中增強的硒供給。
【專利說明】在銅銦鎵砸化合物工藝中增強的砸供給

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明通常涉及銅銦鎵硒(CIGS)光伏電池和/或面板的制造，更具體而言，涉及在這種制造工藝中用于增強硒供給的方法、器件和系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]銅銦鎵硒化合物(CIGS)是用于制造太陽能電池的半導(dǎo)體材料。CIGS吸收層沉積在玻璃或塑料基板上，并且電極位于基板的正面和背面上以收集電流。材料具有高吸收系數(shù)并強烈地吸收太陽光。因此，與那些其他半導(dǎo)體光伏材料相比，需要更薄CIGS膜。
[0003]通常地，首先通過在基板上沉積銅、銦和鎵，然后在高溫下將前體層暴露于硒中來制成CIGS膜。在確定由前體層產(chǎn)生的膜的性質(zhì)和質(zhì)量中，硒供給和硒化環(huán)境極其重要。當在高溫條件下，在氣相中供給Se時(例如H2Se或元素Se)，Se將通過吸收及隨后的擴散混入膜內(nèi)。在這一步驟過程中，發(fā)生稱為硫?qū)僭鼗膹?fù)雜反應(yīng)以形成硫?qū)倩?chalcogenide)。這些反應(yīng)包括形成Cu-1n_Ga金屬間合金、形成中間金屬硒化物的二元化合物以及相分離不同化學計量的CIGS化合物。
[0004]在硒化法中的特殊問題是將足夠的硒供給到前體層?，F(xiàn)有技術(shù)提供了小覆蓋面積的硒沉積。另外，現(xiàn)有技術(shù)并未提供原位監(jiān)測，這導(dǎo)致工藝期間實際反應(yīng)的不確定。由于發(fā)生不同且復(fù)雜的反應(yīng)，因此難以控制CIGS的性質(zhì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種基板載具，包括:主體，包括背板和位于背板上、相互間隔開、基本平行的一對側(cè)軌，每一個側(cè)軌都包括向背板外側(cè)延伸的朝向內(nèi)側(cè)的表面；以及縱向延伸的接合槽，形成在鄰近背板的每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面中以接合并保持鄰近背板的基板。
[0006]優(yōu)選地，該基板載具包括:縱向延伸的硒蒸汽孔，形成在每一個側(cè)軌中；以及多個指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口，形成在接合槽外側(cè)的每一個側(cè)軌中并且與硒蒸汽孔和朝向內(nèi)側(cè)的表面連通。
[0007]優(yōu)選地，硒蒸汽排出口包括與孔連通的第一排出口導(dǎo)管以及與第一排出口導(dǎo)管和朝向內(nèi)側(cè)的表面連通的第二排出口導(dǎo)管。
[0008]優(yōu)選地，第二排出口導(dǎo)管大于第一排出口導(dǎo)管。
[0009]優(yōu)選地，每一個排出口導(dǎo)管都具有圓形截面且彼此同心。
[0010]優(yōu)選地，該基板載具包括:縱向延伸的硒蒸汽通道，形成在接合槽外側(cè)的每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面中；以及多個指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口，形成在每一個側(cè)軌中并且與硒蒸汽孔和硒蒸汽通道連通。
[0011]優(yōu)選地，硒蒸汽排出口沿著每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面基本上均勻地間隔開。
[0012]優(yōu)選地，該基板載具包括形成在背板中的溫度傳感器保持器。
[0013]優(yōu)選地，該基板載具包括形成在背板中的多個溫度傳感器保持器。
[0014]優(yōu)選地，該基板載具包括:硒供給容器，形成在鄰近背板和側(cè)軌的主體的端部中，硒供給容器包括在接合槽外側(cè)的側(cè)軌之間延伸的擱板部，擱板部具有形成在其中的多個硒蒸汽出口。
[0015]優(yōu)選地，主體基本上為矩形。
[0016]優(yōu)選地，側(cè)軌設(shè)置在背板的相對側(cè)上。
[0017]優(yōu)選地，主體包括石墨。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在基板上沉積硒的系統(tǒng)，包括:基板載具，包括主體、用于保持基板的裝置、和形成在主體中以將一流量的硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口 ；硒供應(yīng)容器，連接成將硒蒸汽提供至硒蒸汽排出口 ；至少一個溫度傳感器，連接至基板載具以感測基板溫度；熱源，被設(shè)置為加熱基板；以及控制器，連接至溫度傳感器和熱源。
[0019]優(yōu)選地，載具包括背板；用于保持基板的裝置包括位于背板上的一對相互間隔開的、基本平行的側(cè)軌，每一個側(cè)軌都包括向背板外側(cè)延伸的朝向內(nèi)側(cè)的表面，縱向延伸的接合槽形成在鄰近背板的每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面以接合并保持鄰近背板的基板；以及多個硒蒸汽排出口，形成在接合槽外側(cè)的每一個側(cè)軌中。
[0020]優(yōu)選地，每一個硒蒸汽排出口與形成在側(cè)軌中的硒蒸汽孔和側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面連通。
[0021]優(yōu)選地，每一個硒蒸汽孔通過管連接至硒供給容器。
[0022]優(yōu)選地，硒供給容器與主體一體形成，硒供給容器包括設(shè)置在用于保持基板的裝置上方的擱板部，并且擱板部具有形成在其中的多個硒蒸汽排出口。
[0023]優(yōu)選地，主體包括石墨。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種在基板上沉積硒的工藝，包括:在載具中放置基板，載具承載至少一個溫度傳感器，并且載具具有被設(shè)置為將硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口 ；汽化固體硒以形成硒蒸汽流；將硒蒸汽流連接至硒蒸汽排出口 ；以及監(jiān)測至少一個溫度傳感器所感測的溫度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]當結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下文的詳細描述可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該強調(diào)，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，對各個部件未按比例繪出。事實上，為了清楚討論起見,可以任意地增大或減小各個部件的尺寸。
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的硒供給系統(tǒng)的側(cè)截面圖。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的第一基板載具的側(cè)視圖。
[0028]圖3是沿圖2的線3-3截取的截面圖。
[0029]圖4是根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的第二基板載具的側(cè)視圖
[0030]圖5是沿圖4的線5-5截取的截面圖。
[0031]圖6是沿圖4的線6-6截取的截面圖。
[0032]圖7是根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的第三基板載具的側(cè)視圖。
[0033]圖8是沿圖7的線8-8截取的第三基板載具的頂視圖。
[0034]圖9是沿圖7的線9-9截取的截面圖。
[0035]圖10是根據(jù)本發(fā)明的各個實施例的工藝流程圖。

【具體實施方式】
[0036]可以結(jié)合附圖閱讀對示例性實施例的這種說明，可以將其認為是整個說明書的一部分。在說明書中，相對位置術(shù)語，諸如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“在…上方”、“在…下方”、“向上”、“向下”、“頂部”和“底部”及其派生詞(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)應(yīng)被解釋為是指如隨后所述的或者如論述中的附圖所示的方位。這些相對位置術(shù)語是為了便于描述，并不要求在特定方位上構(gòu)造或操作裝置。除非另有明確描述，術(shù)語接合、連接等(諸如“連接”和“互連”)是指其中器件或節(jié)點直接或間接電連接。
[0037]應(yīng)該理解，本發(fā)明的以下內(nèi)容提供了許多用于實施各個實施例的不同特征的不同實施例或?qū)嵗?。以下描述組件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這僅僅是實例，并不用于限制本發(fā)明。本發(fā)明可在各個實例中重復(fù)參考標號和/或字母。這種重復(fù)是為了簡明和清楚，而且其本身沒有規(guī)定所述各種實施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0038]現(xiàn)參考附圖，首先參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例通過標號100大體標出了系統(tǒng)。系統(tǒng)100包括在真空室103中所包含的基板載具101。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在暴露于硒蒸汽期間，基板載具101適用于承載基板105，其將在下文中詳細描述。根據(jù)本發(fā)明的實施例，在施加硒之前，基板105具有通過其他工藝施加到其上的銅、銦和/或鎵?；遢d具101可以由石墨制成，其將在下文中詳細描述。
[0039]在一些實施例中，基板105是光伏太陽能電池基板。例如，用于下層基板的合適的材料包括(但不限于)玻璃(諸如鈉鈣玻璃)、陶瓷、金屬(諸如薄片不銹鋼和鋁)、或聚合物(諸如聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚烴、纖維素聚合物、聚碳酸酯、聚醚或它們的組合等)。背電極(例如，鑰)形成在基板上方。吸收膜形成在背電極上方。
[0040]在一些實施例中，吸收材料為銅銦鎵(二)硒(CIGS)或由銅、銦、鎵和硒組成的1-1I1-VI2半導(dǎo)體材料。CIGS是硒化銅銦(通?？s寫為“CIS”)和硒化銅鎵的固體溶液。CIGS是具有黃銅礦晶體結(jié)構(gòu)的四面體鍵合的半導(dǎo)體，并且能帶隙X從約1.0eV (硒化銅銦的)至約1.7eV (硒化銅鎵的)連續(xù)地改變。
[0041 ] 在實施例中，光伏材料可以包括P型材料。例如，吸收層可以是P型硫?qū)倩锊牧稀Ｔ谄渌膶嵤├?，吸收層可以是CIGS Cu(In，Ga)Se2材料。在其他實施例中，可以用作吸收層的材料為硫?qū)倩锊牧?，該硫?qū)倩锊牧习ǖ幌抻贑u (In, Ga) (Se, S) 2或“CIGSS”、CuInSe2、CuGaSe2、CuInS2和Cu(In，Ga)S2。可以用于形成吸收層的合適的p型摻雜劑包括但不限于硼(B)或元素周期表中II族或III族的其他元素。在另一個實施例中，吸收層可以包括η型材料，其包括但不限于硫化鎘(CdS )。
[0042]系統(tǒng)100包括硒供給容器107，其適用于接收并容納塊狀(slug)或顆粒等形式的固體硒。在真空室103中提供熱源109以加熱基板載具101和基板105至介于約500°C至約550°C的范圍內(nèi)的合適的工藝溫度，并使硒供給容器107中容納的固體硒蒸發(fā)。硒供給容器107可以通過管111a和111b等連接至基板載具101，從而在重力的影響下向基板載具101以及基板105提供一流量的硒蒸汽?？梢杂墒⑻蓟?、鑰和/或鉭或其他能夠承受高工藝溫度的合適的材料制成硒供給容器107和管111a及111b。
[0043]基板載具101承載一個或多個通常標示為113的溫度傳感器，其將在下文中詳細描述。溫度傳感器113與基板105接觸或極為靠近基板105。在加工期間，溫度傳感器113能夠原位監(jiān)測基板105的溫度。溫度傳感器113可以包括熱電偶。
[0044]溫度傳感器113和熱源109連接至控制器115，該控制器包括具有硬件和軟件接口以與溫度傳感器113和熱源109進行通信的適當程序化的計算機?？刂破?15適用于保持基板105的溫度在工藝范圍內(nèi)基本上恒定，并且在將硒蒸汽施加到基板的過程中檢測由于在工加工期間發(fā)生的相變和反應(yīng)而產(chǎn)生的特有的溫度降。
[0045]現(xiàn)參考圖2和圖3，通過標號200大體標出了基板載具的第一實施例?？梢允褂弥T如數(shù)控機床的傳統(tǒng)研磨和鉆孔機器由單個矩形塊石墨制造基板載具200?；遢d具200包括矩形背板201和從背板201向外延伸的一對間隔開的側(cè)軌203。側(cè)軌203基本上彼此鏡像，且每一個側(cè)軌203包括朝向內(nèi)側(cè)的表面205。每一個朝向內(nèi)側(cè)的表面205加工為包括鄰近背板201的縱向延伸的接合槽(engagement slot) 207。接合槽207接合并保持倚靠或鄰近背板201的基板209。盡管未在附圖中示出，但是基板209中，與朝向背板201的那側(cè)相對的朝向外的一側(cè)具有在基板插入基板載具200之前便在其上施加的前體銅、銦和/或鎵的薄層。背板201具有形成在其中的一個或多個傳感器保持器孔211，傳感器保持器孔211適用于接收且設(shè)置與基板209接觸或靠近的一個或多個諸如熱電偶(未示出)的溫度傳感器。
[0046]每一個側(cè)軌203具有形成在其中的縱向延伸的硒蒸汽孔213。如圖2所示，每一個硒蒸汽孔213在其頂端開口并在其底端封閉。每一個硒蒸汽孔213的頂端適用于連接至管111并從圖1的硒供給容器107處接收硒蒸汽。在重力的影響下，硒蒸汽流入并填充硒蒸汽孔213。
[0047]每一個側(cè)軌203也具有形成在其中的多個縱向間隔開硒蒸汽排出口(outlet)215。硒蒸汽排出口 215設(shè)置在接合槽207的外側(cè)且允許一流量的硒蒸汽從硒蒸汽孔213流至基板209上。在圖2和圖3的實施例中，每個硒蒸汽排出口 215包括與硒蒸汽孔213連接的相對小直徑的導(dǎo)管217以及與朝向內(nèi)側(cè)的表面205連接的大直徑導(dǎo)管219。
[0048]現(xiàn)參考圖4至圖6，通過標號400大體標出了基板載具的第二實施例。基板載具400與圖2和圖3的基板載具200相似，其也可以使用諸如數(shù)控機床的傳統(tǒng)研磨和鉆孔機器由單個矩形塊石墨來制造?；遢d具400包括矩形背板401和從背板401向外延伸的一對間隔開的側(cè)軌403。側(cè)軌403基本上彼此鏡像，且每一個側(cè)軌包括朝向內(nèi)側(cè)的表面405。每個朝向內(nèi)側(cè)的表面405加工為包括鄰近背板401的縱向延伸的接合槽(engagement slot)407。接合槽407接合并容納倚靠或鄰近背板401的基板409。背板401具有形成在其中的一個或多個傳感器保持器孔411，傳感器保持器孔適用于接收且設(shè)置與基板209接觸或靠近的一個或多個諸如熱電偶(未示出)的溫度傳感器。
[0049]如同圖2和圖3的實施例，每一個側(cè)軌403具有形成在其中的縱向延伸的硒蒸汽孔413。如圖4所示，每一個硒蒸汽孔413在其頂端開口并在其底端封閉。每一個硒蒸汽孔413的頂端適用于連接至管111并從圖1的硒供給容器107處接收硒蒸汽。在重力的影響下，硒蒸汽流入并填充硒蒸汽孔413。
[0050]在硒蒸汽排出口的配置中，基板載具400不同于圖2和圖3中的基板載具200。更具體地，每一個側(cè)軌403具有形成在其中縱向延伸的與接合槽407平行的硒蒸汽通道415。多個縱向間隔開的硒蒸汽出口 417將硒蒸汽孔413與硒蒸汽通道415連接。硒蒸汽出口417允許一流量的硒蒸汽從硒蒸汽孔413流入硒蒸汽通道415內(nèi)，然后流至基板409上。
[0051]現(xiàn)參考圖7至圖9，通過標號700大體標出了基板載具的第三實施例?；遢d具700與基板載具200和400相似，其也可以使用傳統(tǒng)研磨和鉆孔機械由單個矩形塊石墨來制造?；遢d具700包括矩形背板701和從背板701向外延伸的一對間隔開的側(cè)軌703。側(cè)軌703基本上彼此鏡像，且每一個側(cè)軌703包括朝向內(nèi)側(cè)的表面705。每一個朝向內(nèi)側(cè)的表面705加工為包括鄰近背板701的縱向延伸的接合槽(engagement slot)707。接合槽707接合并容納倚靠或鄰近背板701的基板709。背板701具有形成在其中的一個或多個傳感器保持器孔711，該傳感器保持器孔適用于接收且設(shè)置與基板709接觸或靠近的一個或多個諸如熱電偶(未示出)的溫度傳感器。
[0052]基板載具700與基板載具200和400的不同之處在于基板載具700的側(cè)軌703不包括縱向延伸的通過管可連接至硒供應(yīng)容器的孔。相反，基板載具700包括整體的硒供給容器713。硒供給容器是通過位于側(cè)軌703頂部上的側(cè)壁及背板701形成的矩形盒狀結(jié)構(gòu)，固體硒塊(未示出)等可以沉積在硒供給容器內(nèi)。硒供給容器713包括在側(cè)軌703之間延伸的擱板部715。擱板部715具有形成在其中的多個位于接合槽707外部的硒蒸汽端口(port)717。硒蒸汽端口 717允許在硒供應(yīng)容器713中形成的一流量的硒蒸汽流至基板709上方。
[0053]圖10是根據(jù)本發(fā)明的工藝的實施例的流程圖。在框1001中，將基板放置在基板載具中。然后在框1003中，將基板載具放置在工藝室中，并且在框1005中，將一定量的硒塊放置于硒供給容器中。在框1007中，在將基板載具放置于工藝室中并向硒供給室供給硒塊后,密封并真空化(evacuated)室。在框1009中，當室被真空化之后，啟動熱源以將室加熱至諸如約500°C至約550°C之間的工藝溫度。在室到達工藝溫度后，在框1011中，系統(tǒng)監(jiān)測基板的溫度。在判定框1013中，系統(tǒng)繼續(xù)監(jiān)測基板的溫度，直到其監(jiān)測到約:TC或4°C的特定溫度降，因此工藝結(jié)束。
[0054]在一些實施例中，基板載具包括:包括背板和位于背板上的相互間隔開、基本平行的一對側(cè)軌的主體，其中每一個側(cè)軌包括向背板外側(cè)延伸的朝向內(nèi)側(cè)的表面；以及在每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面中形成的鄰近背板的縱向延伸的接合槽，從而接合并保持鄰近背板的基板。
[0055]在一些實施例中，基板載具包括:形成在每一個側(cè)軌中的縱向延伸的硒蒸汽孔；以及形成在接合槽的每一個側(cè)軌外部的指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽的多個排出口，指向內(nèi)側(cè)的多個硒蒸汽排出口與硒蒸汽孔和朝向內(nèi)側(cè)的表面連通。
[0056]在一些實施例中，硒蒸汽排出口包括與孔連接的第一排出口導(dǎo)管以及與第一排出口導(dǎo)管和朝向內(nèi)側(cè)的表面連接的第二排出口導(dǎo)管。
[0057]在一些實施例中，第二排出口導(dǎo)管大于第一排出口導(dǎo)管。
[0058]在一些實施例中，每一個排出口導(dǎo)管具有圓形截面且彼此同心。
[0059]在一些實施例中，基板載具包括在接合槽外部的每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面中形成的縱向延伸的硒蒸汽通道；及在每一個側(cè)軌中形成的多個指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口，指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口與硒蒸汽孔和硒蒸汽通道連通。
[0060]在一些實施例中，硒蒸汽排出口沿著每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面基本上均勻的間隔開。
[0061]在一些實施例中，基板載具包括在背板中形成的溫度傳感器保持器。
[0062]在一些實施例中，基板載具包括在背板中形成的多個溫度傳感器保持器。
[0063]在一些實施例中，基板載具包括在鄰近背板和側(cè)軌的主體的端部中形成的硒供給容器，硒供給容器包括在接合槽外部的側(cè)軌之間延伸的擱板部，并且擱板部具有在其中形成的位于接合槽外部的多個硒蒸汽端口。
[0064]在一些實施例中，主體基本上為矩形。
[0065]在一些實施例中，側(cè)軌位于背板的相對側(cè)上。
[0066]在一些實施例中，主體包括石墨。
[0067]在一些實施例中，用于在基板上沉積硒的系統(tǒng)包括:基板載具，該基板載具包括主體、保持基板的裝置、以及形成在主體中用于將一流量的硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口 ；連接成將硒蒸汽提供至硒蒸汽排出口的硒供應(yīng)容器；用于感測基板溫度的連接至基板載具的至少一個溫度傳感器；被設(shè)置為加熱基板的熱源；以及連接至溫度傳感器和熱源的控制器。
[0068]在一些實施例中，用于在基板上沉積硒的系統(tǒng)包括:基板載具，該基板載具包括主體、保持基板的裝置、以及形成在主體中用于將一流量的硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口 ；連接成將硒蒸汽提供至硒蒸汽排出口的硒供應(yīng)容器；用于感測基板溫度的連接至基板載具的至少一個溫度傳感器；被設(shè)置為加熱基板的熱源；以及連接至溫度傳感器和熱源的控制器。
[0069]在一些實施例中，載具包括背板；用于保持基板的裝置包括位于背板上的一對相互間隔開的基本平行的側(cè)軌，每一個側(cè)軌包括向背板外部延伸的朝向內(nèi)側(cè)的表面，在鄰近背板的每一個側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面中形成縱向延伸的接合槽以接合并保持鄰近背板的基板。并且其中，多個硒蒸汽排出口形成在接合槽外部的每一個側(cè)軌中。
[0070]在一些實施例中，每一個硒蒸汽排出口與形成在側(cè)軌中的硒蒸汽孔和側(cè)軌的朝向內(nèi)側(cè)的表面相連通。在一些實施例中，每一個硒蒸汽孔通過管連接至硒供給容器。
[0071]在一些實施例中，硒供給容器與主體一體形成，且硒供給容器包括設(shè)置用于保持基板的裝置上方的擱板部，擱板部具有形成在其中的多個硒蒸汽排出口。
[0072]在一些實施例中，主體包括石墨。
[0073]在一些實施例中，在基板上沉積硒的工藝包括:在載具中放置基板，載具承載至少一個溫度傳感器，并且載具具有被設(shè)置為將硒蒸汽導(dǎo)向至基板上的多個硒蒸汽排出口 ；汽化固體硒以形成硒蒸汽流；將硒蒸汽流連接至硒蒸汽排出口；以及通過至少一個溫度傳感器監(jiān)測被感測的溫度。
[0074]可以以計算機執(zhí)行工藝及用于實施這種工藝的裝置的形式部分地實施本文中所描述的方法和系統(tǒng)。也可以以具有計算機程序代碼編碼的有形的非瞬態(tài)(non-transient)機械可讀存儲介質(zhì)編碼的形式至少部分地實施本發(fā)明的方法。上述介質(zhì)可以包括例如RAM、ROM、CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROM、硬盤驅(qū)動器、閃存存儲器或其他非瞬態(tài)機械可讀存儲介質(zhì)，其中，當通過計算機加載入且執(zhí)行計算機程序代碼時，計算機成為用于實施本發(fā)明方法的裝置。也可以以在加載和/或執(zhí)行計算機程序代碼的計算機的形式至少部分地實施本發(fā)明的方法，使得計算機成為用于實施本發(fā)明方法的特殊用途的計算機。當在通用計算機上實施時，計算機程序編碼部分配置處理器以生成特殊邏輯電路。可以可選地在由應(yīng)用特殊集成電路形成的用于實施本發(fā)明方法的數(shù)字信號處理器中至少部分地實施本發(fā)明的方法。
[0075]上述實施例僅是實施方式的可能的實例，其僅用于闡述以清楚地理解本發(fā)明的原理。在基本上不背離本發(fā)明的精神和原理的情況下，可以對本發(fā)明的上述實施例作出變化和修改。所有這種變化和修改預(yù)期均包括在本發(fā)明、本發(fā)明和所附權(quán)利要求要求保護的范圍內(nèi)。
[0076]此外，前文已經(jīng)概述了一些實施例的特征使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好的理解對說明書的具體描述。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易的以本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改與本發(fā)明的實施例實施相同目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也可以認識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種改變、替換和修改。
[0077]已經(jīng)描述了本文主題的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解，描述的實施例僅用于示出的目的且所附權(quán)利要求應(yīng)當與本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在閱讀本文后可以自然地做出的等效例、多種變化例和修改例的所有范圍一致。
【權(quán)利要求】
1.一種基板載具，包括: 主體，包括背板和位于所述背板上、相互間隔開、基本平行的一對側(cè)軌，每一個側(cè)軌都包括向所述背板外側(cè)延伸的朝向內(nèi)側(cè)的表面；以及 縱向延伸的接合槽，形成在鄰近所述背板的每一個側(cè)軌的所述朝向內(nèi)側(cè)的表面中以接合并保持鄰近所述背板的基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載具，包括: 縱向延伸的硒蒸汽孔，形成在每一個所述側(cè)軌中；以及 多個指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口，形成在所述接合槽外側(cè)的每一個側(cè)軌中并且與所述硒蒸汽孔和所述朝向內(nèi)側(cè)的表面連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板載具，其中，所述硒蒸汽排出口包括與所述孔連通的第一排出口導(dǎo)管以及與所述第一排出口導(dǎo)管和所述朝向內(nèi)側(cè)的表面連通的第二排出口導(dǎo)管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板載具，其中，所述第二排出口導(dǎo)管大于所述第一排出口導(dǎo)管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板載具，其中，每一個所述排出口導(dǎo)管都具有圓形截面且彼此同心。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板載具，包括: 縱向延伸的硒蒸汽通道，形成在所述接合槽外側(cè)的每一個側(cè)軌的所述朝向內(nèi)側(cè)的表面中；以及 多個指向內(nèi)側(cè)的硒蒸汽排出口，形成在每一個側(cè)軌中并且與所述硒蒸汽孔和所述硒蒸汽通道連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板載具，其中，所述硒蒸汽排出口沿著每一個側(cè)軌的所述朝向內(nèi)側(cè)的表面基本上均勻地間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板載具，包括形成在所述背板中的溫度傳感器保持器。
9.一種用于在基板上沉積硒的系統(tǒng)，包括: 基板載具，包括主體、用于保持基板的裝置、和形成在所述主體中以將一流量的硒蒸汽導(dǎo)向至所述基板上的多個硒蒸汽排出口； 硒供應(yīng)容器，連接成將硒蒸汽提供至所述硒蒸汽排出口 ； 至少一個溫度傳感器，連接至所述基板載具以感測所述基板溫度； 熱源，被設(shè)置為加熱所述基板；以及 控制器，連接至所述溫度傳感器和所述熱源。
10.一種在基板上沉積硒的工藝，包括: 在載具中放置基板，所述載具承載至少一個溫度傳感器，并且所述載具具有被設(shè)置為將硒蒸汽導(dǎo)向至所述基板上的多個硒蒸汽排出口； 汽化固體硒以形成硒蒸汽流； 將所述硒蒸汽流連接至硒蒸汽排出口 ；以及 監(jiān)測所述至少一個溫度傳感器所感測的溫度。
【文檔編號】C23C14/50GK104278248SQ201410123286
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月3日
【發(fā)明者】呂維倫, 吳志力, 嚴文材 申請人:臺積太陽能股份有限公司