成膜裝置、氣體供給裝置以及成膜方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種成膜裝置、氣體供給裝置以及成膜方法，用于降低作為基板的半導(dǎo)體晶圓（W）的微粒污染。在該成膜裝置中，依次向真空氣氛的處理容器（1）內(nèi)的晶圓供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，來(lái)進(jìn)行成膜處理，在進(jìn)行了薄膜的形成處理之后，通過(guò)使吹掃氣體流通而將附著于與反應(yīng)氣體接觸的部位的微粒除去。并且，利用用于使反應(yīng)氣體暫時(shí)升壓之后排向處理容器的升壓用的儲(chǔ)存容器（61、62），將吹掃氣體的壓力提高到比反應(yīng)氣體在升壓時(shí)的壓力高，之后供給到處理容器內(nèi)。因此，在吹掃氣體的強(qiáng)流的作用下，在儲(chǔ)存容器下游側(cè)的流路內(nèi)存在的微粒與吹掃氣體一起流動(dòng)而被除去。因此，帶入處理容器內(nèi)的微粒減少，所以能夠降低晶圓的微粒污染。
【專利說(shuō)明】成膜裝置、氣體供給裝置以及成膜方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及利用反應(yīng)氣體對(duì)基板進(jìn)行成膜的【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]作為在基板、例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱作“晶圓”)上形成膜的方法，已知有被稱作ALD (Atomic Layer Deposit1n:原子層沉積)法、MLD (Multi Layer Deposit1n:多層沉積)法(以下，將它們統(tǒng)一稱作ALD法)等的方法。該ALD法為能夠形成致密的薄膜且能夠得到良好的埋入特性的方法，在該方法中，對(duì)放置在處理室內(nèi)的晶圓依次供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，來(lái)形成規(guī)定的膜。
[0003]通常，在成膜處理時(shí)，不僅在晶圓上沉積有膜，在處理室的內(nèi)壁上也沉積有膜，在該沉積膜的膜厚變厚時(shí)該沉積膜就會(huì)成為產(chǎn)生微粒的主要原因，因此在對(duì)規(guī)定片數(shù)的晶圓進(jìn)行成膜處理之后，進(jìn)行清潔處理。例如通過(guò)向處理室內(nèi)供給腐蝕性較大的清潔氣體來(lái)進(jìn)行該清潔處理，附著在處理室的內(nèi)壁上的沉積物與清潔氣體接觸而自上述內(nèi)壁剝離。該剝離下的成分中的大部分成分能夠通過(guò)對(duì)處理室內(nèi)進(jìn)行排氣而被除去，但有時(shí)上述剝離下的成分中的一部分成分會(huì)殘留在處理室內(nèi)部。因此向處理室內(nèi)供給吹掃氣體,使處理室內(nèi)的殘留物伴隨著吹掃氣體的流動(dòng)向處理室外部排出而除去。
[0004]在進(jìn)行了清潔處理、使吹掃氣體流通之后，向處理室內(nèi)輸入晶圓，進(jìn)行規(guī)定的成膜處理，但在該成膜時(shí)有時(shí)會(huì)在晶圓上附著有微粒。推測(cè)其主要原因在于，在成膜氣體的流路內(nèi)存在有進(jìn)行清潔處理時(shí)產(chǎn)生的殘留物，該殘留物伴隨著成膜氣體的流通而與成膜氣體一起被供給至晶圓。
[0005]關(guān)于微粒減少處理，在專利文獻(xiàn)I中記載了下述技術(shù)，即:在進(jìn)行晶圓的處理時(shí)，在將規(guī)定流量的非活性氣體與反應(yīng)氣體一起導(dǎo)入、進(jìn)行微粒減少處理時(shí)，將大流量的非活性氣體作為吹掃氣體導(dǎo)入。但是，在該專利文獻(xiàn)I中，非活性氣體的流路與反應(yīng)氣體的流路彼此獨(dú)立，因此在反應(yīng)氣體的流路內(nèi)存在微粒的情況下，有可能伴隨著反應(yīng)氣體的供給而使微粒附著于晶圓。另外，在專利文獻(xiàn)2中記載了下述技術(shù)，即:在進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的檢查時(shí)，在進(jìn)行有關(guān)與處理腔室連接的氣體管線(日文:力' ^ 7 >)的檢查項(xiàng)時(shí)，使吹掃氣流以最大流量在氣體管線內(nèi)流動(dòng)。此外，在專利文獻(xiàn)3中記載了下述技術(shù)，即:在氣體供給配管上設(shè)置壓力控制用容器，并在壓力控制容器的排氣配管上設(shè)置壓力表，根據(jù)壓力表控制使容器內(nèi)的壓力為規(guī)定壓力，使氣體呈脈沖狀供給。
[0006] 另外，在專利文獻(xiàn)4中記載了下述技術(shù)，即:檢測(cè)在進(jìn)行成膜處理時(shí)腔室內(nèi)的壓力，根據(jù)該檢測(cè)值確認(rèn)閥的開(kāi)閉動(dòng)作。此外，在專利文獻(xiàn)5中記載了下述技術(shù)，即:在反應(yīng)氣體的流路上設(shè)置具有壓力表的反應(yīng)氣體容器，將預(yù)先填充在反應(yīng)氣體容器內(nèi)的反應(yīng)氣體供給到腔室內(nèi)，進(jìn)行等離子處理。在該方法中，即使在腔室容量較大的情況下，也能夠在短時(shí)間內(nèi)供給反應(yīng)氣體使腔室內(nèi)的壓力達(dá)到設(shè)定壓力。但是，在專利文獻(xiàn)2~5中，沒(méi)有記載關(guān)于使吹掃氣體流通、降低微粒的技術(shù)，根據(jù)上述的專利文獻(xiàn)I~5，也難以解決本發(fā)明的問(wèn)題。
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2006-253629號(hào)公報(bào):段落0146~0151、段落0166、0167
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2011-192931號(hào)公報(bào):段落0044、0052
[0009]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平6-45256號(hào)公報(bào):段落0012、0013、0018
[0010]專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2008-277666號(hào)公報(bào):段落0057~0060
[0011]專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2008-91625號(hào)公報(bào):段落0032、0037、0042、0043


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明是鑒于上述那樣的情況而做成的，其目的在于提供一種這樣的技術(shù)，即:在將相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體依次供給向基板進(jìn)行成膜時(shí)，能夠降低基板的微粒污染。
[0013]在本發(fā)明的成膜裝置中，依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該成膜裝置的特征在于，包括:
[0014]氣體供給路徑，其根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置，用于將上述反應(yīng)氣體供給到處理室內(nèi)；
[0015]儲(chǔ)存部，其設(shè)于上述氣體供給路徑，用于通過(guò)儲(chǔ)存氣體提高其內(nèi)部壓力；
[0016]閥，其分別設(shè)于上述氣體供給路徑的位于上述儲(chǔ)存部的上游側(cè)的部位及位于上述儲(chǔ)存部的下游側(cè)的部位；
[0017]吹掃氣體供給部，其用于向上述儲(chǔ)存部供給吹掃氣體；
[0018]控制部，其用于執(zhí)行成膜步驟和吹掃步驟，
[0019]在該成膜步驟中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，以使反應(yīng)氣體儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存部而升壓之后、從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式依次進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，
[0020]該吹掃步驟在該成膜步驟之后進(jìn)行，在該吹掃步驟中，以使上述吹掃氣體儲(chǔ)存于各儲(chǔ)存部而使各儲(chǔ)存部升壓至比上述成膜步驟中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使上述吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，并反復(fù)進(jìn)行多次該動(dòng)作。
[0021]另外，本發(fā)明的氣體供給裝置用于成膜裝置，在該成膜裝置中，依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該氣體供給裝置的特征在于，包括:
[0022]氣體供給路徑，其根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置，用于將上述反應(yīng)氣體供給到處理室內(nèi)；
[0023]儲(chǔ)存部，其設(shè)于上述氣體供給路徑，用于通過(guò)儲(chǔ)存氣體提高其內(nèi)部壓力；
[0024]閥，其分別設(shè)于上述氣體供給路徑的位于上述儲(chǔ)存部的上游側(cè)的部位及位于上述儲(chǔ)存部的下游側(cè)的部位；
[0025]吹掃氣體供給部，其用于向上述儲(chǔ)存部供給吹掃氣體；
[0026]控制部，其用于執(zhí)行成膜步驟和吹掃步驟，
[0027]在該成膜步驟中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，以使反應(yīng)氣體儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存部而升壓之后、從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式依次進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，
[0028]該吹掃步驟在該成膜步驟之后進(jìn)行，在該吹掃步驟中，以使上述吹掃氣體儲(chǔ)存于各儲(chǔ)存部而使各儲(chǔ)存部升壓至比上述成膜步驟中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使上述吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，并反復(fù)進(jìn)行多次該動(dòng)作。
[0029]此外，在本發(fā)明的成膜方法中，通過(guò)根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置的氣體供給路徑依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該成膜方法的特征在于，包括成膜工序和吹掃工序，
[0030]在該成膜工序中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，依次進(jìn)行向設(shè)于上述氣體供給路徑的儲(chǔ)存部?jī)?nèi)儲(chǔ)存反應(yīng)氣體、在該儲(chǔ)存部?jī)?nèi)部壓力上升之后、使該反應(yīng)氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的動(dòng)作；
[0031]該吹掃工序在該成膜工序之后進(jìn)行，在該吹掃工序中，進(jìn)行向各儲(chǔ)存部?jī)?nèi)儲(chǔ)存吹掃氣體、使各儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的壓力上升到比上述成膜工序中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使該吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的動(dòng)作，反復(fù)進(jìn)行多次此動(dòng)作。
[0032]在本發(fā)明中，將相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體依次供給向基板來(lái)形成薄膜，在進(jìn)行完此處理后，通過(guò)使吹掃氣體流通將附著于與反應(yīng)氣體接觸的部位的微粒除去。并且，利用用于使反應(yīng)氣體暫時(shí)升壓并使反應(yīng)氣體向處理室內(nèi)排出的升壓用的儲(chǔ)存部，將吹掃氣體的壓力提高到比反應(yīng)氣體在升壓時(shí)的壓力高的壓力，之后將該吹掃氣體供給到處理室。因此，在吹掃氣體的較強(qiáng)的氣流的作用下，在儲(chǔ)存部下游側(cè)的流路內(nèi)存在的微粒與吹掃氣體一起流動(dòng)而被除去。因此，能夠降低基板的微粒污染。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1是本發(fā)明的成膜裝置的縱剖視圖。
[0034]圖2是表示成膜裝置的氣體供給系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
[0035]圖3是表示利用成膜裝置進(jìn)行的成膜方法的一例的工序圖。
[0036]圖4是說(shuō)明利用成膜裝置進(jìn)行的成膜處理的結(jié)構(gòu)圖。
[0037]圖5是說(shuō)明利用成膜裝置進(jìn)行的成膜處理的結(jié)構(gòu)圖。
[0038]圖6是說(shuō)明利用成膜裝置進(jìn)行的清潔處理的結(jié)構(gòu)圖。
[0039]圖7是表示利用成膜裝置進(jìn)行的吹掃處理的一例的工序圖。
[0040]圖8是說(shuō)明利用成膜裝置進(jìn)行的吹掃處理的結(jié)構(gòu)圖。
[0041]圖9是說(shuō)明利用成膜裝置進(jìn)行的吹掃處理的結(jié)構(gòu)圖。
[0042]圖10是表示晶圓的處理片數(shù)與微粒數(shù)之間的關(guān)系的特性圖。

【具體實(shí)施方式】
[0043]參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)。本成膜裝置構(gòu)成為下述這樣的裝置，即:在該裝置中，例如向直徑為300mm的晶圓W的表面交替供給作為相互反應(yīng)的反應(yīng)氣體的氯化鈦(TiCl4)氣體(原料氣體)和氨(NH3)氣體(氮化氣體)，利用ALD法形成氮化鈦(TiN)膜。
[0044]如圖1、圖2所示，成膜裝置包括構(gòu)成處理室的由真空容器構(gòu)成的處理容器1，在該處理容器I內(nèi)設(shè)有用于載置晶圓W的載置臺(tái)2，且以與該載置臺(tái)2相對(duì)的方式配設(shè)有頂板構(gòu)件3。在處理容器I上部側(cè)的位置設(shè)有排氣管13，在排氣管13的內(nèi)周面形成有開(kāi)口部131，且排氣管13的外壁面借助排氣口 132經(jīng)由壓力調(diào)整閥141與由真空泵等構(gòu)成的排氣部14連接。圖中附圖標(biāo)記11表示晶圓W的輸入輸出口，附圖標(biāo)記12表示閘閥。
[0045]在上述載置臺(tái)2的內(nèi)部設(shè)有用于將晶圓W加熱到例如350°C~530°C的成膜溫度的加熱器21，且晶圓W的載置區(qū)域的外周側(cè)區(qū)域利用罩構(gòu)件22覆蓋。該罩構(gòu)件22形成為上端和下端均開(kāi)口的大致圓筒形狀，且該罩構(gòu)件22的上端部朝向內(nèi)側(cè)地在整個(gè)周向上沿水平方向彎曲。
[0046]載置臺(tái)2的下表面?zhèn)戎醒氩坷秘炌ㄌ幚砣萜鱅的底面且沿上下方向延伸的支承構(gòu)件23而隔著支承板231地與升降機(jī)構(gòu)24連接。圖中附圖標(biāo)記232表示波紋管。升降機(jī)構(gòu)24用于使載置臺(tái)2在與未圖示的輸送機(jī)構(gòu)之間交接晶圓W的交接位置和在該交接位置上方側(cè)的對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜的處理位置(圖1所示的位置)之間升降。圖中附圖標(biāo)記25表示在與上述輸送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行晶圓W的交接時(shí)用于抬起晶圓W的支承銷，圖中附圖標(biāo)記26表示支承銷25的升降機(jī)構(gòu)，在載置臺(tái)2上形成有支承銷25的貫通孔201。
[0047]在排氣管13的上表面?zhèn)仍O(shè)有支承板31，在該支承板31的下表面?zhèn)扰湓O(shè)有用于向處理空間30供給反應(yīng)氣體、置換氣體等的頂板構(gòu)件3。在該頂板構(gòu)件3的下表面?zhèn)刃纬捎邪疾?2，該凹部32形成自其中央側(cè)朝向外周側(cè)地展開(kāi)的扇形的傾斜面。在比該傾斜面更靠外側(cè)的位置設(shè)有環(huán)狀且平坦的頂端部33。
[0048]在使載置臺(tái)2上升到處理位置后，頂板構(gòu)件3的頂端部33的下表面與罩構(gòu)件22的上表面彼此相對(duì),此時(shí)，由頂板構(gòu)件3的凹部32和載置臺(tái)2的上表面所圍繞的空間為對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜的處理空間30。并且，以頂板構(gòu)件3的頂端部33的下表面與罩構(gòu)件22的上表面之間形成間隙34的方式設(shè)定處理位置的高度位置。上述排氣管13的開(kāi)口部131朝向該間隙34開(kāi)口。
[0049] 在頂板構(gòu)件3的上述凹部32的中央部形成有用于向處理空間30內(nèi)供給反應(yīng)氣體的氣體供給路徑41。氣體供給路徑41沿上下方向貫通頂板構(gòu)件3，其下端部朝向載置臺(tái)2側(cè)地向下方側(cè)開(kāi)口。并且，氣體供給路徑41經(jīng)由連接構(gòu)件42及閥機(jī)構(gòu)43與氣體供給系統(tǒng)5連接。上述連接構(gòu)件42例如由不銹鋼、哈斯特洛伊合金構(gòu)成，在其內(nèi)部形成有氣體流路。在該例中，氣體供給路徑41分支成兩條流路411、412，它們分別與上述閥機(jī)構(gòu)43連接。閥機(jī)構(gòu)43例如包括4個(gè)閥Vl~V4，這些閥Vl~V4分別與氣體供給路徑51~54連接。
[0050]參照?qǐng)D2具體說(shuō)明上述氣體供給系統(tǒng)5，閥V2與作為氯化鈦(TiCl4)氣體的供給路徑的氯化鈦供給路徑52連接，閥V3與作為氨(NH3)氣體的供給路徑的氨供給路徑連接。另外閥V1、V4分別與作為置換用氣體例如氮(N2)氣體的供給路徑的置換氣體供給路徑連接。上述氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53均相當(dāng)于本發(fā)明的氣體供給路徑。
[0051 ] 氯化鈦供給路徑52的一端側(cè)與氯化鈦氣體供給部521連接，且在該氯化鈦供給路徑52的靠閥V2的上游側(cè)，從處理容器I側(cè)起依次設(shè)有作為儲(chǔ)存部的儲(chǔ)存容器61、閥V21、流量調(diào)整部MF2、閥V22。并且，氯化鈦供給路徑52從流量調(diào)整部MF2與閥V22之間的部位分支，借助具有閥V23的分支路徑522與作為吹掃氣體的氮?dú)獾墓┙o源523連接。上述氯化鈦供給路徑52、分支路徑522、閥V23、氮?dú)獾墓┙o源523相當(dāng)于本發(fā)明的吹掃氣體供給部。此外，在氯化鈦供給路徑52的位于閥V21與流量調(diào)整部MF2之間的位置連接有排氣路徑524，該排氣路徑524經(jīng)由閥V24與排氣部14連接。上述閥用于進(jìn)行氣體的供給、停止供給，流量調(diào)整部用于調(diào)整氣體供給量，下述的閥及流量調(diào)整部也同樣。
[0052] 同樣地，氨供給路徑53的一端側(cè)與氨氣供給部531連接，在該氨供給路徑53的靠閥V3的上游側(cè)，從處理容器I側(cè)起依次設(shè)有作為儲(chǔ)存部的儲(chǔ)存容器62、閥V31、流量調(diào)整部MF3、閥V32。并且，氨供給路徑53從流量調(diào)整部MF3與閥V32之間的部位分支，借助具有閥V33的分支路徑532與作為吹掃氣體的氮?dú)獾墓┙o源533連接。上述氨供給路徑53、分支路徑532、閥V33、氮?dú)獾墓┙o源533相當(dāng)于本發(fā)明的吹掃氣體供給部。此外，在氨供給路徑53的位于閥V31與流量調(diào)整部MF3之間的位置連接有排氣路徑534，該排氣路徑534經(jīng)由閥V34與排氣部14連接。
[0053]上述儲(chǔ)存容器61、62例如為同樣的結(jié)構(gòu)，在將儲(chǔ)存容器61 (62)與處理容器I之間的閥V2 (V3)關(guān)閉并向儲(chǔ)存容器61 (62)供給氣體時(shí)，氣體會(huì)儲(chǔ)存在該儲(chǔ)存容器61 (62)內(nèi)。并且，通過(guò)持續(xù)進(jìn)行該氣體的供給能夠使儲(chǔ)存容器61 (62)內(nèi)的壓力升高。在上述儲(chǔ)存容器61、62上分別設(shè)有用于檢測(cè)該容器61、62內(nèi)的壓力的壓力表63、64。上述儲(chǔ)存容器61,62例如為不銹鋼制，例如能夠采用耐壓性能為0.3MPa (2250Torr)、內(nèi)容積為400ml左右的容器。
[0054]置換氣體供給路徑51經(jīng)由流量調(diào)整部MFl及閥Vll與氮?dú)夤┙o源511連接，且從流量調(diào)整部MFl與閥Vll之間的部位分支，利用具有閥V12的分支路徑512與作為清潔用流體的氟化氯(C1F3)氣體的供給源513連接。同樣地，置換氣體供給路徑54經(jīng)由流量調(diào)整部MF4及閥V41與氮?dú)夤┙o源541連接，且從流量調(diào)整部MF4與閥V41之間的部位分支，利用具有閥V42的分支路徑542與氟化氯氣體的供給源543連接。
[0055]具有以上所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的成膜裝置如圖1所示那樣與控制部7連接。控制部7例如由未圖示的具有CPU和存儲(chǔ)部的計(jì)算機(jī)構(gòu)成，該存儲(chǔ)部用于存儲(chǔ)編入有與成膜裝置的作用相關(guān)的步驟(命令)組的程序，該成膜裝置的作用為:在處理容器I內(nèi)對(duì)晶圓W進(jìn)行成膜處理時(shí)的控制、對(duì)處理容器I內(nèi)進(jìn)行清潔時(shí)的控制、對(duì)處理容器I內(nèi)進(jìn)行吹掃時(shí)的控制。該程序例如存儲(chǔ)于硬盤(pán)、光盤(pán)、磁光盤(pán)、存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)，由此被安裝到計(jì)算機(jī)上。
[0056]接著，以進(jìn)行成膜工序、對(duì)處理容器I進(jìn)行清潔的工序、吹掃工序的情況為例，參照?qǐng)D3~圖9說(shuō)明本成膜裝置的作用。首先，參照?qǐng)D3~圖5說(shuō)明成膜工序。預(yù)先將處理容器I內(nèi)減壓成真空氣氛，之后，利用未圖示的輸送機(jī)構(gòu)將晶圓W輸入處理容器I內(nèi)(步驟SI)。之后，通過(guò)上述輸送機(jī)構(gòu)與支承銷25的協(xié)同作業(yè)，將晶圓W交接到位于交接位置的例如被加熱到440°C的載置臺(tái)2。
[0057]接著，使載置臺(tái)2上升到處理位置，并進(jìn)行處理容器I內(nèi)的壓力調(diào)整，之后，經(jīng)由氯化鈦供給路徑52供給氯化鈦氣體。在該氯化鈦氣體的供給過(guò)程中，如圖4的(a)所示那樣，關(guān)閉閥V2，打開(kāi)閥V21、V22。由此，使氯化鈦氣體經(jīng)由氯化鈦供給路徑52以規(guī)定的流量例如50sccm的流量向儲(chǔ)存容器61內(nèi)供給，向該容器61內(nèi)填充氯化鈦氣體(步驟S2)。并且，打開(kāi)閥V1、V11、V4、V41，通過(guò)置換氣體供給路徑51、54使氮?dú)夥謩e以例如3000sccm的流量向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入。使閥V23等其他的閥處于關(guān)閉狀態(tài)。其中在圖4~圖6、圖8、圖9中，對(duì)處于打開(kāi)狀態(tài)的閥標(biāo)注“O”并利用白色表示，對(duì)處于關(guān)閉狀態(tài)的閥標(biāo)注“C”并利用黑色表示。并且，為了便于圖示，對(duì)于處于關(guān)閉狀態(tài)的閥，通常將“C”省略，而僅對(duì)相關(guān)聯(lián)的部分標(biāo)注符號(hào)。
[0058]由于供給氯化鈦氣體，儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力逐漸升高。并且，在儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力上升到第I壓力例如12.80kPa(96Torr)以上時(shí)，如圖4的(b)所示那樣，打開(kāi)閥V2，向處理容器I內(nèi)供給規(guī)定量的氯化鈦氣體(步驟S3)。上述第I壓力是指比例如在開(kāi)始向空的儲(chǔ)存容器61內(nèi)供給氯化鈦氣體時(shí)該儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力高的壓力，例如設(shè)定為12.40kPa(93Torr)~13.07kPa (98Torr)。在該工序中，打開(kāi)閥V2，除此以外，閥的開(kāi)閉與向儲(chǔ)存容器61內(nèi)填充氯化鈦氣體的情況(圖4的(a))相同。
[0059]上述氯化鈦氣體及氮?dú)饨?jīng)由連接構(gòu)件42內(nèi)的氣體流路411、412及頂板構(gòu)件3內(nèi)的氣體供給路徑41供給到處理空間30內(nèi)，在被處理空間30的頂部的傾斜面引導(dǎo)的同時(shí)從頂板構(gòu)件3的中央部側(cè)朝向外周部側(cè)擴(kuò)散，最終到達(dá)晶圓W。并且，到達(dá)頂端部33與罩構(gòu)件22之間的間隙34的氯化鈦氣體及氮?dú)庾栽撻g隙34從處理容器I內(nèi)流出，之后，經(jīng)由排氣管13向外部排出。
[0060]在打開(kāi)上述閥V2向處理容器I內(nèi)供給氯化鈦氣體時(shí)，儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力下降，因此在儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力例如為12.40kPa (93Torr)以下時(shí)，關(guān)閉閥V2，停止氯化鈦氣體的供給。另一方面，使閥Vl及閥V4保持打開(kāi)狀態(tài)，使氮?dú)鈴闹脫Q氣體供給路徑51、54分別以例如3000sccm的流量向處理容器I內(nèi)供給(步驟S4 )。氮?dú)饨?jīng)由上述氣體流路411、412及氣體供給路徑41被供給到處理空間30內(nèi)，之后從處理容器I內(nèi)流出，自排氣管13排出。通過(guò)這樣，在上述氣體的流路及處理空間30內(nèi)的氯化鈦氣體被氮?dú)庵脫Q。
[0061]在通過(guò)該氮?dú)獾墓┙o將氣體置換之后，通過(guò)氨供給路徑53向處理容器I內(nèi)供給氨氣。在該氨氣的供給過(guò)程中，如圖5的(a)所示那樣，關(guān)閉閥V3，打開(kāi)閥V31、V32。由此，使氨氣以規(guī)定的流量例如2700SCCm向儲(chǔ)存容器62內(nèi)供給，向該容器62內(nèi)填充氨氣(步驟S5)。并且打開(kāi)閥V1、V4，通過(guò)置換氣體供給路徑51、54使氮?dú)夥謩e以例如3000sccm的流量向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入。使閥V33等其他的閥處于關(guān)閉狀態(tài)。
[0062]在供給氨氣使儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力上升到第2壓力例如21.73kPa (163Torr)以上時(shí)，如圖5的(b)所示那樣，打開(kāi)閥V3，向處理容器I內(nèi)供給規(guī)定量的氨氣(步驟S6)。上述第2壓力是指比例如在開(kāi)始向空的儲(chǔ)存容器62內(nèi)供給氨氣時(shí)該儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力高的壓力，例如設(shè)定為19.20kPa (144Torr)~24.93kPa (187Torr)。在該工序中，打開(kāi)閥V3,除此以外，閥的開(kāi)閉與向儲(chǔ)存容器62內(nèi)填充氨氣的情況(圖5的(a))相同。
[0063]向處理容器I內(nèi)供給的氨氣形成與供給氯化鈦氣體時(shí)相同的流動(dòng)，并被供給到處理空間30內(nèi)。在處理空間30內(nèi)流動(dòng)的氨氣到達(dá)晶圓W表面時(shí)，將之前吸附在晶圓W上的氯化鈦氣體成分氮化而形成氮化鈦。
[0064]在打開(kāi)閥V3向處理容器I內(nèi)供給氨氣時(shí)，儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力下降，因此在儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力例如下降到19.33kPa (145Torr)以下時(shí)，關(guān)閉閥V3，停止氨氣的供給。另一方面，使閥Vl及閥V4保持打開(kāi)狀態(tài)，使氮?dú)鈴闹脫Q氣體供給路徑51、54分別以例如3000sCCm的流量向處理容器I內(nèi)供給(步驟S6)。通過(guò)這樣，利用被供給到處理容器I內(nèi)的來(lái)自置換氣體供給路徑51、54的置換用氮?dú)?，將處理空間30內(nèi)的氨氣置換掉(步驟S7)。
[0065]通過(guò)這樣，按氯化鈦氣體一氮?dú)庖话睔庖坏獨(dú)獾捻樞蚬┙o反應(yīng)氣體(氯化鈦氣體、氨氣)和置換用氣體(氮?dú)?，由此在晶圓W的表面層疊氮化鈦(TiN)的分子層，而形成氮化鈦膜。使該氯化鈦氣體的供給和氨氣的供給例如反復(fù)進(jìn)行數(shù)十次~數(shù)百次，以形成所希望的膜厚的氮化鈦膜。列舉氯化鈦氣體、氮?dú)?、氨氣、氮?dú)獾墓┙o時(shí)間的一例，氯化鈦氣體0.05秒一氮?dú)?.2秒一氨氣0.3秒一氮?dú)?.3秒。
[0066] 通過(guò)這樣，在供給置換用氮?dú)鈱⒆詈蟮陌睔馀懦鲋?，使載置臺(tái)2下降到交接位置。之后，按與輸入時(shí)相反的順序?qū)⒊赡ず蟮木AW輸出(步驟S8)，之后等待接下來(lái)的晶圓W的輸入。
[0067]在該例中，在向儲(chǔ)存容器61 (62)內(nèi)填充氯化鈦氣體(氨氣)時(shí)，以容器61 (62)內(nèi)的壓力經(jīng)預(yù)先設(shè)定的時(shí)間達(dá)到第I壓力(第2壓力)的方式設(shè)定氯化鈦氣體(氨氣)向儲(chǔ)存容器61 (62)內(nèi)供給的供給量和供給時(shí)間。例如使氯化鈦氣體(氨氣)的供給量恒定，通過(guò)調(diào)整供給時(shí)間，使儲(chǔ)存容器61 (62)內(nèi)的壓力經(jīng)規(guī)定時(shí)間達(dá)到第I壓力(第2壓力)。并且，根據(jù)上述供給時(shí)間，控制閥V2 (V3)的開(kāi)閉。
[0068]此外，在從儲(chǔ)存容器61 (62)向處理容器I內(nèi)供給氯化鈦氣體(氨氣)時(shí)，預(yù)先掌握直到容器61 (62)內(nèi)的壓力達(dá)到規(guī)定的壓力(12.80kPa (96Torr)、21.73kPa (163Torr))為止氯化鈦氣體(氨氣)向處理容器I內(nèi)供給的供給時(shí)間，根據(jù)該供給時(shí)間控制閥V2 (V3)的開(kāi)閉。
[0069]以上，只要按氯化鈦氣體一氮?dú)庖话睔庖坏獨(dú)獾捻樞蚯袚Q氣體、將氣體供給到處理容器I內(nèi)即可，例如氯化鈦氣體及氨氣向儲(chǔ)存容器61、62的填充能夠并行地進(jìn)行。另外，例如氯化鈦氣體及氨氣中的一者向處理容器I的供給和氯化鈦氣體及氨氣中的另一者向儲(chǔ)存容器61、62的填充能夠并行地進(jìn)行。
[0070]在例如對(duì)500片晶圓W進(jìn)行上述的成膜處理之后，進(jìn)行清潔處理。在處理容器I內(nèi)的反應(yīng)氣體所到達(dá)的區(qū)域由于氯化鈦氣體與氨氣之間的反應(yīng)而形成膜，且該膜漸漸沉積。因此，清潔處理是為了除去處理容器I內(nèi)的上述沉積膜而進(jìn)行的。具體而言，例如對(duì)處理容器I內(nèi)以抽真空狀態(tài)(壓力調(diào)整閥141為全開(kāi)狀態(tài))進(jìn)行排氣。之后，如圖6的(a)所示，打開(kāi)閥V1、V12，通過(guò)置換氣體供給路徑51供給規(guī)定時(shí)間的規(guī)定流量的氟化氯氣體。此時(shí)，打開(kāi)閥V4、V41，通過(guò)置換氣體供給路徑54供給規(guī)定流量的氮?dú)?。?jīng)過(guò)規(guī)定時(shí)間之后，關(guān)閉閥V1、V4、V12、V41。接著，如圖6的(b)所示，打開(kāi)閥V4、V42，通過(guò)置換氣體供給路徑54供給規(guī)定時(shí)間的規(guī)定流量的氟化氯氣體。此時(shí)，打開(kāi)閥V1、V11，通過(guò)置換氣體供給路徑51供給規(guī)定流量的氮?dú)狻?br> [0071]氟化氯氣體經(jīng)由氣體流路411、412、氣體供給路徑41供給到處理空間30內(nèi)，氟化氯氣體以與反應(yīng)氣體相同路徑流動(dòng)。之后，氟化氯氣體自間隙34從處理容器I內(nèi)流出，經(jīng)由排氣管13向外部排出。像這樣，向反應(yīng)氣體所到達(dá)的區(qū)域供給氟化氯氣體，因此能夠?qū)⒊练e在處理容器I內(nèi)的膜除去。
[0072]在供給規(guī)定時(shí)間的氟化氯氣體、進(jìn)行清潔處理之后，對(duì)處理容器I進(jìn)行真空排氣，并關(guān)閉閥V12、V42，打開(kāi)閥V1、V11、V4、V41使氮?dú)饨?jīng)由置換氣體供給路徑51、54向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入。在進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的此處理后，停止對(duì)處理容器I的排氣，并關(guān)閉閥V1、V11、V4、V41，結(jié)束清潔處理。
[0073]在進(jìn)行清潔處理之后，進(jìn)行吹掃工序。在該工序中，向作為反應(yīng)氣體的氣體供給路徑的氯化鈦供給路徑52、氨供給路徑53內(nèi)供給作為吹掃氣體的氮?dú)?。以下，參照?qǐng)D7~圖9具體地說(shuō)明。首先，除去氨供給路徑(NH3管線)53內(nèi)的實(shí)存氣體(日文:実力I)(步驟S11)。在該工序中，打開(kāi)閥V1、V11、V4、V41、V31、V34，關(guān)閉除此以外的閥，利用排氣部14進(jìn)行排氣。由此，氨供給路徑53的靠閥V3的上游側(cè)被排氣，殘存在該氨供給路徑53內(nèi)的氣體被除去。
[0074] 接著，除去氯化鈦供給路徑(TiC14管線)52內(nèi)的實(shí)存氣體(步驟S12)。在該工序中，打開(kāi)閥V1、V11、V4、V41、V21、V24，關(guān)閉除此以外的閥，利用排氣部14進(jìn)行排氣。由此，氯化鈦供給路徑52的靠閥V2的上游側(cè)被抽吸排氣，殘存在該氯化鈦供給路徑52內(nèi)的氣體被除去。
[0075]接著，如圖8所示，向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)填充作為吹掃氣體的氮?dú)?步驟S13)。即:打開(kāi)閥V1、V11、V4、V41、V21、V23、V31、V33，關(guān)閉除此以外的閥。由于閥V2、V3處于關(guān)閉狀態(tài)，因此經(jīng)由氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53流過(guò)來(lái)的氮?dú)夥謩e儲(chǔ)存在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)。通過(guò)這樣，通過(guò)氯化鈦供給路徑52使氮?dú)庖砸?guī)定的流量例如190sccm向儲(chǔ)存容器61內(nèi)供給，向該容器61內(nèi)填充氮?dú)狻２⑶?，通過(guò)氨供給路徑53使氮?dú)庖砸?guī)定的流量例如900sccm向儲(chǔ)存容器62內(nèi)供給，向該容器62內(nèi)填充氮?dú)?。另一方面，通過(guò)置換氣體供給路徑51、54使氮?dú)夥謩e以例如3000sccm的流量導(dǎo)入處理容器I內(nèi)。
[0076]由于分別對(duì)上述儲(chǔ)存容器61、62進(jìn)行氮?dú)獾墓┙o，容器61、62內(nèi)的壓力逐漸上升。在儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力上升到比上述第I壓力高的壓力例如56.0OkPa (420Torr)時(shí)，如圖9的(a)所示那樣，打開(kāi)閥V2。由此，經(jīng)由氯化鈦供給路徑52自儲(chǔ)存容器61向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)鈦?lái)進(jìn)行吹掃(步驟S14)。在該狀態(tài)下處于打開(kāi)狀態(tài)的閥為閥V1、V11、V4、V41、V2、V21、V23、V31、V33。
[0077]在向處理容器I內(nèi)供給在儲(chǔ)存容器61內(nèi)被加壓后的氮?dú)?吹掃氣體)時(shí)，由于壓力差，氮?dú)庋杆僭谔幚砜臻g30內(nèi)擴(kuò)散，并經(jīng)由上述間隙34擴(kuò)散到處理容器I內(nèi)。另外，由于氮?dú)庠诮?jīng)儲(chǔ)存容器61加壓之后被供給向處理容器1，因此氮?dú)庖暂^強(qiáng)的壓力被供給向處理容器I。因此，在儲(chǔ)存容器61的下游側(cè)的氮?dú)獾牧髀穬?nèi)出現(xiàn)氮?dú)獾膹?qiáng)流，伴隨著該強(qiáng)流，存在于上述流路內(nèi)的微粒被除去。
[0078]在像這樣自儲(chǔ)存容器61向處理容器I內(nèi)供給吹掃氣體時(shí)，儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力降低，因此，在儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力例如下降到46.66kPa (350Torr)時(shí)，關(guān)閉閥V2，停止向處理容器I供給氮?dú)狻?br> [0079]由此，針對(duì)氯化鈦供給路徑52，再次進(jìn)行步驟S13的氮?dú)獾奶畛涔ば?，由于向?chǔ)存容器61內(nèi)進(jìn)行氮?dú)獾墓┙o，儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力逐漸升高。通過(guò)這樣，儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力再次上升到56.0OkPa (420Torr)時(shí)，打開(kāi)閥V2，將氮?dú)夤┙o到處理容器I內(nèi)進(jìn)行吹掃。像這樣，針對(duì)氯化鈦供給路徑52，例如反復(fù)進(jìn)行1000次向儲(chǔ)存容器61內(nèi)填充氮?dú)?步驟S13)、向處理容器I內(nèi)吹掃氮?dú)?步驟S14)的步驟。此時(shí)，向處理容器I內(nèi)吹掃氮?dú)饫邕M(jìn)行0.1秒，向儲(chǔ)存容器61內(nèi)填充氮?dú)饫邕M(jìn)行3秒。
[0080]同樣地，對(duì)于氨供給路徑53，也是在由于氮?dú)獾墓┙o而儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力上升到比上述第2壓力高的壓力例如56.0OkPa (420Torr)時(shí)，如圖9的(b)所示那樣，打開(kāi)閥V3，借助氨供給路徑53向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)猓M(jìn)行吹掃(步驟S15)。在該狀態(tài)下處于打開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)閉閥為閥V1、V11、V4、V41、V21、V23、V3、V31、V33。由此，在儲(chǔ)存容器62的下游側(cè)的氮?dú)獾牧髀穬?nèi)出現(xiàn)氮?dú)獾膹?qiáng)流，伴隨著該強(qiáng)流，存在于上述流路的微粒被除去。
[0081]通過(guò)這樣，自儲(chǔ)存容器62向處理容器I供給氮?dú)?，在?chǔ)存容器62內(nèi)的壓力例如為46.66kPa (350Torr)時(shí)，關(guān)閉閥V3，停止向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)?。由此，針?duì)氨供給路徑53，再次進(jìn)行步驟S13的氮?dú)獾奶畛涔ば?，由于向?chǔ)存容器62內(nèi)進(jìn)行氮?dú)獾墓┙o，儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力逐漸升高。之后，在儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力再次為56.00kPa(420Torr)左右時(shí)，打開(kāi)閥V3，將氮?dú)夤┙o到處理容器I內(nèi)，進(jìn)行氨供給路徑53的吹掃。像這樣，針對(duì)氨供給路徑53，例如反復(fù)進(jìn)行1000次向儲(chǔ)存容器62內(nèi)填充氮?dú)?步驟S13)、向處理容器I內(nèi)吹掃氮?dú)?步驟S15)的步驟。此時(shí)，向處理容器I內(nèi)吹掃氮?dú)饫邕M(jìn)行0.1秒，向儲(chǔ)存容器61內(nèi)填充氮?dú)饫邕M(jìn)行2秒。
[0082]在該例中，在分別向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)填充氮?dú)鈺r(shí)，以容器61、62內(nèi)的壓力分別經(jīng)預(yù)先設(shè)定的時(shí)間達(dá)到56.0OkPa (420Torr)左右的壓力的方式分別設(shè)定氮?dú)庀騼?chǔ)存容器61、62供給的供給量和供給時(shí)間，根據(jù)該供給時(shí)間分別控制閥V2、V3的開(kāi)閉。此時(shí)，在向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)填充氮?dú)獾钠陂g，氮?dú)獾墓┙o量沒(méi)有必要必須恒定。
[0083]此外，在自儲(chǔ)存容器61、62向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)鈺r(shí)，預(yù)先掌握直到容器61、62內(nèi)的壓力達(dá)到規(guī)定的壓力(46.66kPa (350Torr))為止氮?dú)庀蛱幚砣萜鱅內(nèi)供給的供給時(shí)間，根據(jù)上述供給時(shí)間分別控制閥V2、V3的開(kāi)閉。
[0084]在向上述儲(chǔ)存容器61內(nèi)填充氮?dú)鈺r(shí)，填充至該儲(chǔ)存容器61內(nèi)的壓力成為比向儲(chǔ)存容器61內(nèi)供給氯化鈦氣體時(shí)的第I壓力高的壓力即可。同樣地，在向上述儲(chǔ)存容器62內(nèi)填充氮?dú)鈺r(shí)，填充至該儲(chǔ)存容器62內(nèi)的壓力成為比向儲(chǔ)存容器62內(nèi)供給氨氣時(shí)的第2壓力高的壓力即可。在向上述儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)填充氮?dú)鈺r(shí)的容器內(nèi)壓力結(jié)合儲(chǔ)存容器61、62的耐壓性能等、氮?dú)獾墓┙o量、供給時(shí)間而適當(dāng)設(shè)定。
[0085]此外，優(yōu)選在開(kāi)始從儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)放出氮?dú)鈺r(shí)容器61、62內(nèi)的壓力(56.0OkPa(420Torr))與在停止從儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)放出氮?dú)鈺r(shí)容器61、62內(nèi)的壓力(46.66kPa(350Torr))之間的變化量大于在供給反應(yīng)氣體時(shí)儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力的變化量。
[0086]然而，若該變化量過(guò)大，則再次使儲(chǔ)存容器61、62升壓時(shí)花費(fèi)時(shí)間，并且，若在供給吹掃氣體時(shí)儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力過(guò)低，則吹掃效果減弱。因此，例如在向處理容器I內(nèi)供給吹掃氣體時(shí)，優(yōu)選在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力成為在開(kāi)始從儲(chǔ)存容器61、62放出吹掃氣體時(shí)的儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力(在該例中為56.0OkPa (420Torr))的80%以上且90%以下時(shí)，關(guān)閉閥V2，再次使儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)升壓。
[0087]此外，將氮?dú)馓畛涞絻?chǔ)存容器61內(nèi)的工序和將氮?dú)馓畛涞絻?chǔ)存容器62內(nèi)的工序可以在彼此不同的時(shí)間開(kāi)始進(jìn)行，也可以在相同的時(shí)間開(kāi)始進(jìn)行。同樣地，從儲(chǔ)存容器61向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)獾墓ば蚝蛷膬?chǔ)存容器62向處理容器I內(nèi)供給氮?dú)獾墓ば蛞部梢栽诒舜瞬煌臅r(shí)間開(kāi)始進(jìn)行。
[0088]在上述的例子中，并不是根據(jù)設(shè)于儲(chǔ)存容器61、62的壓力表63、64的檢測(cè)值來(lái)控制閥V2、V3的開(kāi)閉。因此，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，還會(huì)發(fā)生這樣的情況:在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未成為第I壓力或第2壓力之前打開(kāi)閥V2、V3放出反應(yīng)氣體，在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未成為上述規(guī)定的壓力(17.33kPa (130Torr)、25.33kPa (190Torr))以下的壓力之前關(guān)閉閥V2、V3填充反應(yīng)氣體。
[0089]但是，只要儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力比在開(kāi)始向空的儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)供給反應(yīng)氣體時(shí)的該儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力高，就能夠得到本發(fā)明的效果。因此，上述第I壓力或第2壓力為基準(zhǔn)值，實(shí)際上本發(fā)明還包括這樣的情況:在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未成為上述第I壓力或第2壓力以上時(shí)打開(kāi)閥V2、V3，在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未成為上述規(guī)定的壓力(12.80kPa (96Torr)、21.73kPa (163Torr))以下的壓力之前關(guān)閉閥 V2、V3。
[0090] 在向處理容器I內(nèi)供給吹掃氣體(氮?dú)?時(shí)也同樣。只要儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力比第I壓力或第2壓力高，就能夠得到本發(fā)明的效果，向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)填充氮?dú)鈺r(shí)的目標(biāo)壓力例如均為56.0OkPa (420Torr)o因此實(shí)際上本發(fā)明還包括這樣的情況:在容器61、62內(nèi)的壓力低于目標(biāo)壓力的階段打開(kāi)閥V2、V3，在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未成為上述規(guī)定的壓力(46.66kPa (350Torr))以下的壓力之前關(guān)閉閥V2、V3。
[0091]這樣，通過(guò)氯化鈦供給路徑52進(jìn)行了吹掃處理、通過(guò)氨供給路徑53進(jìn)行了吹掃處理之后，除去氯化鈦供給路徑(TiC14管線)52內(nèi)的氮?dú)?步驟S16)并除去氨供給路徑(NH3管線)53內(nèi)的氮?dú)?步驟S17)，結(jié)束吹掃處理。除去該氯化鈦供給路徑52內(nèi)的氮?dú)馐沁@樣進(jìn)行的:打開(kāi)閥V1、VlU V4、V41、V21、V24，關(guān)閉除此以外的開(kāi)閉閥，利用排氣部14進(jìn)行排氣。通過(guò)這樣，氯化鈦供給路徑52的靠閥V2的上游側(cè)被排氣，殘存在該氯化鈦供給路徑52內(nèi)的氮?dú)獗怀?。并且，除去氨供給路徑53內(nèi)的氮?dú)馐沁@樣進(jìn)行的:打開(kāi)閥V1、VI1、V4、V41、V31、V34，關(guān)閉除此以外的開(kāi)閉閥，利用排氣部14進(jìn)行排氣。通過(guò)這樣，氨供給路徑53的靠閥V3的上游側(cè)被排氣，殘存在該氨供給路徑 53內(nèi)的氮?dú)獗怀ァＴ趫D7所示的一系列的吹掃處理期間，分別通過(guò)置換氣體供給路徑51、54使氮?dú)饫缫?000sccm的流量向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入。
[0092]像這樣進(jìn)行了吹掃工序之后，例如進(jìn)行處理容器I內(nèi)的預(yù)涂處理(日文:U 2 —卜)，再次進(jìn)行成膜工序。預(yù)涂處理是指使與晶圓成膜時(shí)相同的氣體流入到處理容器I內(nèi)、
在處理容器I的內(nèi)部表面成膜的處理。
[0093]根據(jù)上述的實(shí)施方式，分別在氯化鈦供給路徑52上設(shè)置儲(chǔ)存容器61，在氨供給路徑53上設(shè)置儲(chǔ)存容器62，在要向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體時(shí)，暫時(shí)關(guān)閉儲(chǔ)存容器61、62與處理容器I之間的閥V2、V3。之后，持續(xù)向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)供給反應(yīng)氣體，從而使該儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力上升。由此，儲(chǔ)存容器61、62的內(nèi)部壓力高于在沒(méi)有設(shè)置儲(chǔ)存容器61、62而僅使反應(yīng)氣體在氯化鈦供給路徑52內(nèi)、氨供給路徑53內(nèi)流通時(shí)的供給路徑內(nèi)的壓力。并且，在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力上升到第I壓力及第2壓力之后，打開(kāi)上述閥V2、V3將反應(yīng)氣體供給到處理容器I內(nèi)，此時(shí)，與儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力未上升時(shí)相比，反應(yīng)氣體以較大的供給壓力供給向處理容器I。由于處理容器I內(nèi)被真空排氣，因此在供給反應(yīng)氣體時(shí)壓力差較大，由此，在處理空間30內(nèi)反應(yīng)氣體迅速擴(kuò)散。因此，能夠均勻地向晶圓W面內(nèi)供給反應(yīng)氣體，因此能夠形成面內(nèi)均勻性較高的膜。另外，反應(yīng)氣體被以較大的供給壓力供給到處理容器I內(nèi)，因此在供給固定量的反應(yīng)氣體時(shí)供給時(shí)間縮短，能夠謀求提高效率(日文卟一 7。卜)。
[0094]此外，在進(jìn)行吹掃工序時(shí)，通過(guò)持續(xù)向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)供給吹掃氣體使該儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力高于在供給反應(yīng)氣體時(shí)儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力之后，將吹掃氣體供給到處理容器I內(nèi)。因此，在儲(chǔ)存容器61、62的下游側(cè)，以比向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體時(shí)的壓力大的壓力供給吹掃氣體。由此，在供給吹掃氣體時(shí)，在該吹掃氣體的強(qiáng)流的作用下，存在于儲(chǔ)存容器61、62的下游側(cè)的流路內(nèi)的微粒與吹掃氣體一起流動(dòng)而被除去。結(jié)果，在向處理容器I內(nèi)供給吹掃氣體之后向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體時(shí)，由反應(yīng)氣體帶入處理容器I內(nèi)的微粒減少，能夠抑制晶圓W的微粒污染。
[0095]另外，吹掃氣體經(jīng)由氯化鈦供給路徑52和氨供給路徑53供給到分別設(shè)于氯化鈦供給路徑52和氨供給路徑53的儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)，因此通過(guò)吹掃氣體的流通將氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53內(nèi)的微粒除去，從而能夠進(jìn)一步降低晶圓W的微粒污染。
[0096]例如在進(jìn)行清潔處理之后，有時(shí)清潔處理的殘留物未被排出而作為微粒殘留在處理容器1、連接構(gòu)件42等的清潔氣體的流路中。因此，在清潔處理之后進(jìn)行吹掃處理時(shí)，由于吹掃氣體帶來(lái)較強(qiáng)的沖擊力，因此即使上述殘留物附著于連接構(gòu)件42、處理容器I的內(nèi)壁等，也會(huì)使上述沉積物自上述內(nèi)壁剝離并伴隨著吹掃氣體的強(qiáng)流排出到處理容器I外。
[0097]在進(jìn)行了該吹掃處理之后，將反應(yīng)氣體供給到處理容器I內(nèi)，進(jìn)行成膜處理，此時(shí)被供給至處理容器I的反應(yīng)氣體如上述那樣與吹掃氣體相比供給壓力較小。因此即使在連接構(gòu)件42、處理容器I等的反應(yīng)氣體的流路內(nèi)附著有清潔處理后的殘留物，該殘留物也是在吹掃處理中以較大的供給壓力導(dǎo)入吹掃氣體時(shí)都沒(méi)能與吹掃氣體一起移動(dòng)而被除去的殘留物。因此，在供給反應(yīng)氣體時(shí)，想難想象上述殘留物會(huì)伴隨著反應(yīng)氣體的流通而移動(dòng)，并作為微粒附著于晶圓W。像這樣，通過(guò)在清潔處理后進(jìn)行吹掃處理，能夠進(jìn)一步降低晶圓W的微粒污染。
[0098]另外，如上述那樣，與供給反應(yīng)氣體時(shí)相比，在供給吹掃氣體時(shí)，儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力變化較大。因此，在反復(fù)供給吹掃氣體時(shí)以及反復(fù)供給反應(yīng)氣體時(shí)，在處理容器I內(nèi)也會(huì)反復(fù)出現(xiàn)較大的壓力變化。由此，在供給吹掃氣體時(shí)，附著在儲(chǔ)存容器61、62下游側(cè)的氣體流路內(nèi)的微粒由于壓力變化而浮起，容易隨著吹掃氣體的流動(dòng)而移動(dòng)，從此點(diǎn)而言也能夠減少微粒。
[0099]在上述實(shí)施方式中，例如也可以通過(guò)檢測(cè)儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力，根據(jù)該檢測(cè)值使閥V2、V3開(kāi)閉，由此向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體及吹掃氣體。在該情況下，以下述方式進(jìn)行控制，即:例如在儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力達(dá)到預(yù)先設(shè)定的上限值時(shí)，打開(kāi)儲(chǔ)存容器61、62與處理容器I之間的閥V2、V3，向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體或吹掃氣體。并且，由于自儲(chǔ)存容器61、62供給反應(yīng)氣體或吹掃氣體，而容器61、62內(nèi)的壓力下降，在容器61、62內(nèi)的壓力下降到預(yù)先設(shè)定的下限值時(shí)，關(guān)閉閥V2、V3，再次使儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力上升直到達(dá)到上限值。
[0100]此外，例如也可以以儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力成為一定值的方式控制向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)供給的氣體的流量，根據(jù)氣體向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的供給時(shí)間，使閥V2、V3開(kāi)閉，由此向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體及吹掃氣體。在該情況下，若自儲(chǔ)存容器61、62放出氣體，則儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力下降，因此加大氣體向儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的供給量，例如控制使儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力在規(guī)定時(shí)間內(nèi)達(dá)到預(yù)先設(shè)定的值。
[0101]并且，在經(jīng)過(guò)上述規(guī)定時(shí)間后，打開(kāi)儲(chǔ)存容器61、62與處理容器I之間的閥V2、V3，向處理容器I內(nèi)供給反應(yīng)氣體或吹掃氣體。由此儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力下降，因此例如在經(jīng)過(guò)預(yù)先設(shè)定的規(guī)定時(shí)間之后，關(guān)閉閥V2、V3，再次使儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)的壓力上升。
[0102]在上述的實(shí)施方式中，吹掃氣體(氮?dú)?經(jīng)由氯化鈦供給路徑52、氨供給路徑53分別供給到儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)，但也可以使吹掃氣體不經(jīng)由氯化鈦供給路徑52、氨供給路徑53地直接供給到儲(chǔ)存容器61、62內(nèi)。在該情況下，在儲(chǔ)存容器61、62下游側(cè)的氣體流路內(nèi)微粒也會(huì)伴隨著吹掃氣體的流通而被除去，因此也能夠抑制晶圓W的微粒污染。
[0103]另外，對(duì)于儲(chǔ)存部61、62，可以不使用容器，而是將氣體供給路徑的一部分作為儲(chǔ)存部，通過(guò)該儲(chǔ)存部的下游側(cè)及上游側(cè)的閥的開(kāi)閉，使儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的壓力上升。
[0104] 另外，吹掃工序也可以不在清潔處理之后進(jìn)行，而是在成膜工序之后進(jìn)行。在該情況下,通過(guò)進(jìn)行吹掃工序,能夠使附著于與反應(yīng)氣體接觸的部位的微粒隨著吹掃氣體的流通而除去，因此也能夠降低晶圓W的微粒污染。此外，也可以不設(shè)置置換氣體供給路徑51、54，而是使作為置換氣體的氮?dú)饨?jīng)由氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53供給到處理容器I內(nèi)。此外，對(duì)于清潔處理，除了可以利用氟化氯(ClF3)氣體等氯.氟系氣體之外，例如還可以將由三氟化氮(NF3)氣體、六氟乙烷(C2F6)氣體等氟系氣體、氯氣(Cl2)等氯系氣體等鹵素系的清潔氣體形成的清潔用流體供給到處理容器I內(nèi)來(lái)進(jìn)行清潔處理。
[0105]另外，對(duì)于本發(fā)明的成膜裝置，除了上述的TiN膜的成膜之外，還可以形成含有下述金屬元素的膜，該金屬元素為:例如作為周期表的第3周期元素的Al、Si等、作為周期表的第4周期元素的T1、Cr、Mn、Fe、Co、N1、Cu、Zn、Ge等、作為周期表的第5周期元素的Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag等、作為周期表的第6周期元素的Ba、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt等元素。作為吸附于晶圓W表面的金屬原料，能夠列舉出將上述的金屬元素的有機(jī)金屬化合物、無(wú)機(jī)金屬化合物等用作反應(yīng)氣體(原料氣體)的情況。作為金屬原料的具體例子，除上述的TiCl4之外，能夠列舉出BTBAS ((雙叔丁基氨基)硅烷)、DCS (二氯硅烷)、HCD (六氯乙硅烷)、TMA(三甲基鋁)、3DMAS (三(二甲氨基)硅烷)等。
[0106]另外，使吸附于晶圓W表面的原料氣體發(fā)生反應(yīng)而得到所希望的膜的反應(yīng)可以利用如下各種反應(yīng)，即:例如利用02、03、H20等的氧化反應(yīng)；利用H2、HCOOHXH3COOH等有機(jī)酸、CH30H、C2H5OH等醇類等的還原反應(yīng)；利用CH4、C2H6、C2H4、C2H2等的碳化反應(yīng)；利用NH3^NH2NH2,N2等的氣化反應(yīng)等。
[0107]此外，反應(yīng)氣體可以采用3種反應(yīng)氣體或4種反應(yīng)氣體。例如作為采用3種反應(yīng)氣體的情況的例子，具有形成鈦酸鍶(SrT13)膜的情況，例如采用作為Sr原料的Sr (THD)2 (雙(四甲基庚二酮酸)鍶)、作為Ti原料的Ti (OiPr) 2 (THD) 2 (二異丙氧基雙(四甲基庚二酸)鈦)、作為它們的氧化氣體的臭氧氣體。在該情況下，按Sr原料氣體一置換用氣體一氧化氣體一置換用氣體一Ti原料氣體一置換用氣體一氧化氣體一置換用氣體的順序切換氣體。
[0108]【實(shí)施例】
[0109](實(shí)驗(yàn)1)
[0110]利用上述的圖1所示的成膜裝置，向處理空間30內(nèi)供給氯化鈦氣體和氨氣，形成氮化鈦膜，測(cè)量附著于晶圓W的微粒的個(gè)數(shù)。氮化鈦膜在上述的成膜工序中所說(shuō)明的處理?xiàng)l件下形成。
[0111]并且，每處理50片晶圓，便利用晶圓表面檢查裝置(KLA-Tencor公司制造的SurfscanSP2)測(cè)量附著于晶圓W的大小為0.16 μ m以上的微粒的個(gè)數(shù)。該結(jié)果如圖10所示。圖中橫軸表示晶圓的處理片數(shù)、縱軸表示微粒的個(gè)數(shù)。
[0112]在采用不銹鋼制的連接構(gòu)件42且進(jìn)行了清潔處理之后的成膜裝置中，在進(jìn)行了上述的吹掃工序之后進(jìn)行上述成膜工序，此時(shí)，附著于晶圓W的微粒數(shù)利用Λ標(biāo)記(實(shí)施例1)。另外，在采用哈斯特洛伊合金制造的連接構(gòu)件42且進(jìn)行了清潔處理之后的成膜裝置中，在進(jìn)行了上述的吹掃工序之后進(jìn)行上述成膜工序，此時(shí)，附著于晶圓W的微粒數(shù)利用口標(biāo)記(實(shí)施例2)。此外，代替上述的吹掃工序，自氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53分別以200SCCm的流量、3000SCCm的流量供給吹掃氣體來(lái)進(jìn)行了吹掃的情況(比較例I)利用▲標(biāo)記。
[0113]實(shí)施例1及實(shí)施例2的吹掃處理的處理?xiàng)l件及上述清潔處理的條件如實(shí)施方式中所說(shuō)明的那樣。
[0114]結(jié)果，發(fā)現(xiàn)與比較例I相比，在實(shí)施例1及實(shí)施例2中的微粒數(shù)明顯少，能夠確認(rèn)通過(guò)進(jìn)行本發(fā)明的吹掃工序能夠降低晶圓W的微粒污染。另外，在實(shí)施例2中微粒數(shù)非常少，由此可知連接構(gòu)件42采用哈斯特洛伊合金材質(zhì)有利于降低微粒。
[0115]微粒產(chǎn)生的原因推測(cè)如下。微粒產(chǎn)生的主要原因在于，連接構(gòu)件42的內(nèi)壁被腐蝕性較大的清潔氣體腐蝕。之后，通過(guò)進(jìn)行吹掃處理，在吹掃氣體的強(qiáng)流的作用下，在上述連接構(gòu)件42的內(nèi)壁的被清潔氣體腐蝕的區(qū)域存在的殘?jiān)陨鲜鰞?nèi)壁剝離而被除去。因此，在接下來(lái)進(jìn)行成膜處理時(shí)，連接構(gòu)件42的內(nèi)壁為沒(méi)有殘?jiān)臓顟B(tài)，由反應(yīng)氣體帶入處理容器I內(nèi)的微粒減少。
[0116]另一方面,對(duì)于比較例的情況推測(cè)如下，僅使吹掃氣體分別以200sccm的流量、3000sccm的流量供給到氯化鈦供給路徑52及氨供給路徑53，因此將吹掃氣體供給向處理容器I時(shí)的供給壓力比供給反應(yīng)氣體時(shí)的供給壓力小。因此即使使吹掃氣體在連接構(gòu)件42內(nèi)流通，由于該吹掃氣體的氣流較弱，因此在被清潔氣體腐蝕的區(qū)域存在的殘?jiān)矡o(wú)法自上述內(nèi)壁剝離。另一方面，在吹掃氣體之后使反應(yīng)氣體流入時(shí)，反應(yīng)氣體在儲(chǔ)存容器61、62被加壓之后進(jìn)行供給，因此以比吹掃氣體強(qiáng)的氣流在連接構(gòu)件42的內(nèi)部流通。因此上述內(nèi)壁的殘?jiān)鼤?huì)被反應(yīng)氣體剝落，并伴隨著該反應(yīng)氣體流入處理容器I內(nèi)，因此微粒增加。
[0117]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0118] W、晶圓；1、處理容器；2、載置臺(tái)；3、頂板構(gòu)件；41、氣體供給路徑；51、5、置換氣體供給路徑；52、氯化鈦供給路徑；53、氨供給路徑；61、62、儲(chǔ)存容器；V1~V4、閥；7、控制部。
【權(quán)利要求】
1.一種成膜裝置，在該成膜裝置中，依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該成膜裝置的特征在于，包括: 氣體供給路徑，其根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置，用于將上述反應(yīng)氣體供給到處理室內(nèi)； 儲(chǔ)存部，其設(shè)于上述氣體供給路徑，用于通過(guò)儲(chǔ)存氣體提高其內(nèi)部壓力； 閥，其分別設(shè)于上述氣體供給路徑的位于上述儲(chǔ)存部的上游側(cè)的部位及位于上述儲(chǔ)存部的下游側(cè)的部位； 吹掃氣體供給部，其用于向上述儲(chǔ)存部供給吹掃氣體； 控制部，其用于執(zhí)行成膜步驟和吹掃步驟， 在該成膜步驟中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，以使反應(yīng)氣體儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存部而升壓之后、從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式依次進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作， 該吹掃步驟在該成膜步驟之后進(jìn)行，在該吹掃步驟中，以使上述吹掃氣體儲(chǔ)存于各儲(chǔ)存部而使各儲(chǔ)存部升壓至比上述成膜步驟中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使上述吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，并反復(fù)進(jìn)行多次該動(dòng)作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于， 上述吹掃氣體供給部以能夠向各氣體供給路徑的位于上述儲(chǔ)存部的上游側(cè)的部分供給吹掃氣體的方式設(shè)置 。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置，其特征在于， 該成膜裝置包括用于向上述處理室內(nèi)供給清潔用流體的清潔用流體供給部， 在將清潔用流體供給到處理室內(nèi)之后且在向儲(chǔ)存部?jī)?nèi)供給反應(yīng)氣體之前，向該儲(chǔ)存部供給上述吹掃氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于， 從利用上述吹掃氣體升壓后的儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出吹掃氣體之后，為了再次利用吹掃氣體使儲(chǔ)存部?jī)?nèi)升壓而將靠?jī)?chǔ)存部的下游側(cè)的閥關(guān)閉時(shí)的儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的壓力被設(shè)定為儲(chǔ)存部?jī)?nèi)由于吹掃氣體而升壓時(shí)的壓力的80%以上且90%以下。
5.一種氣體供給裝置，該氣體供給裝置用于成膜裝置，在該成膜裝置中，依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該氣體供給裝置的特征在于，包括: 氣體供給路徑，其根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置，用于將上述反應(yīng)氣體供給到處理室內(nèi)； 儲(chǔ)存部，其設(shè)于上述氣體供給路徑，用于通過(guò)儲(chǔ)存氣體提高其內(nèi)部壓力； 閥，其分別設(shè)于上述氣體供給路徑的位于上述儲(chǔ)存部的上游側(cè)的部位及位于上述儲(chǔ)存部的下游側(cè)的部位； 吹掃氣體供給部，其用于向上述儲(chǔ)存部供給吹掃氣體； 控制部，其用于執(zhí)行成膜步驟和吹掃步驟， 在該成膜步驟中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，以使反應(yīng)氣體儲(chǔ)存于上述儲(chǔ)存部而升壓之后、從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式依次進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作， 該吹掃步驟在該成膜步驟之后進(jìn)行，在該吹掃步驟中，以使上述吹掃氣體儲(chǔ)存于各儲(chǔ)存部而使各儲(chǔ)存部升壓至比上述成膜步驟中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使上述吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的方式進(jìn)行操作上述閥的動(dòng)作，并反復(fù)進(jìn)行多次該動(dòng)作。
6.一種成膜方法，在該成膜方法中，通過(guò)根據(jù)反應(yīng)氣體的種類設(shè)置的氣體供給路徑依次向真空氣氛的處理室內(nèi)的基板供給相互反應(yīng)的多種反應(yīng)氣體，使反應(yīng)生成物層疊而形成薄膜，該成膜方法的特征在于，包括成膜工序和吹掃工序， 在該成膜工序中，針對(duì)多種反應(yīng)氣體中的各種反應(yīng)氣體，依次進(jìn)行向設(shè)于上述氣體供給路徑的儲(chǔ)存部?jī)?nèi)儲(chǔ)存反應(yīng)氣體、在該儲(chǔ)存部?jī)?nèi)部壓力上升之后、使該反應(yīng)氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的動(dòng)作； 該吹掃工序在該成膜工序之后進(jìn)行，在該吹掃工序中，進(jìn)行向各儲(chǔ)存部?jī)?nèi)儲(chǔ)存吹掃氣體、使各儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的壓力上升到比上述成膜工序中的對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存部在升壓時(shí)的壓力高的壓力、然后使該吹掃氣體從該儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出的動(dòng)作，反復(fù)進(jìn)行多次此動(dòng)作。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜方法，其特征在于， 該成膜方法包括向上述處理室內(nèi)供給清潔用流體來(lái)進(jìn)行清潔處理的工序， 上述吹掃工序在進(jìn)行上述清潔的工序之后且進(jìn)行成膜工序之前進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的成膜方法，其特征在于， 從利用上述吹掃氣體升壓后的儲(chǔ)存部向處理室內(nèi)排出吹掃氣體之后，為了再次利用吹掃氣體使儲(chǔ)存部?jī)?nèi)升壓而將靠?jī)?chǔ)存部的下游側(cè)的閥關(guān)閉時(shí)的儲(chǔ)存部?jī)?nèi)的壓力被設(shè)定為儲(chǔ)存部?jī)?nèi)由于吹掃氣體而 升壓時(shí)的壓力的80%以上且90%以下。
【文檔編號(hào)】C23C16/455GK104073780SQ201410118264
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】那須勝行, 佐野正樹(shù), 布重裕 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社