用于沉積材料的制造設(shè)備和用于其中的托座的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種制造設(shè)備,所述制造設(shè)備將材料沉積在承載體上。所述制造設(shè)備包括殼體,所述殼體限定腔室。所述殼體限定入口以用于將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室。所述殼體還限定出口,所述出口穿過(guò)所述殼體以用于從所述腔室排出所述沉積組合物。電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi)。托座具有外表面并連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體。剝離涂層設(shè)置在所述托座的所述外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離,從而收獲所述承載體。
【專利說(shuō)明】用于沉積材料的制造設(shè)備和用于其中的托座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于將材料沉積在承載體上的制造設(shè)備。更具體地講,本發(fā)明涉及一種在制造設(shè)備內(nèi)支撐承載體的托座。
[0002]發(fā)明背景
[0003]用于將材料沉積在承載體上的制造設(shè)備在本領(lǐng)域中是已知的。常規(guī)制造設(shè)備包括托座,其設(shè)置在承載體的末端用于將承載體聯(lián)接到在所述常規(guī)制造設(shè)備內(nèi)的電極。然而,當(dāng)將材料沉積在承載體上時(shí),該材料也可沉積在托座上。例如,材料可直接沉積在托座上?;蛘?,當(dāng)將材料沉積在承載體上時(shí),該材料可生長(zhǎng)并擴(kuò)展而包圍托座的一部分。
[0004]一旦將所需量的材料沉積在承載體上后,即通過(guò)從常規(guī)制造設(shè)備移除承載體而收獲所述承載體。隨后,必須將托座與承載體分離,并且更具體地講,必須將托座與沉積在承載體上的材料分離。通常,通過(guò)敲擊托座附近或托座上的沉積材料以使沉積材料破裂而使托座與承載體及沉積材料分離。敲擊沉積材料以將其移除的過(guò)程非常費(fèi)時(shí)且成本高昂。另夕卜,甚至在破裂后,一些沉積材料仍留在托座上。使托座上的沉積材料經(jīng)受更猛烈的過(guò)程來(lái)分離沉積材料與托座。遺憾的是,該猛烈過(guò)程降低與托座分離的沉積材料的純度,從而降低托座上的沉積材料的價(jià)值。因此,仍然需要在不降低沉積材料的純度以保留沉積材料的價(jià)值的情況下使沉積材料與托座分離。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]制造設(shè)備將材料沉積在承載體上。所述制造設(shè)備包括殼體,所述殼體限定腔室。所述殼體限定入口以用于將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室。所述殼體還限定出口,所述出口穿過(guò)所述殼體以用于從所述腔室排出所述沉積組合物。電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi)。托座具有外表面并連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體。剝離涂層設(shè)置在所述托座的所述外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離,從而收獲所述承載體。因此,可直接沉積在托座上的材料不必經(jīng)受另外的分離過(guò)程以使沉積材料與托座分離,從而維持所述材料的純度。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0006]將易于認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn),因?yàn)榻Y(jié)合附圖考慮時(shí),通過(guò)參考以下【具體實(shí)施方式】可更好地理解相同內(nèi)容,其中:
[0007]圖1是用于將材料沉積在包括電極的承載體上的制造設(shè)備的剖視圖,其中所述制造設(shè)備包括te和基板;
[0008]圖2是制造設(shè)備的一部分的放大視圖,顯示了鄰近基板的罐;
[0009]圖3是制造設(shè)備中所用的電極的透視圖;
[0010]圖4是沿圖3中的線4-4截取的電極的一部分的剖視圖,其中托座聯(lián)接到所述電極;以及
[0011]圖5是聯(lián)接到承載體的托座的可供選擇的實(shí)施例的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]參見各圖,其中在若干視圖中,類似的數(shù)字表示類似或相應(yīng)的部分,顯示了用于將材料12沉積在承載體14上的制造設(shè)備10。換句話講,在制造設(shè)備10的操作期間,將材料12沉積在承載體14上。例如,制備設(shè)備10可以為化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器,諸如西門子型化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器,用于將硅沉積到承載體14上以制備高純度多晶硅。如西門子法(816^6118 16^0(1)所已知的是,承載體14可具有如圖1所示的基本上I形的構(gòu)型。然而,應(yīng)當(dāng)理解承載體14可具有除I形構(gòu)型之外的構(gòu)型。另外,當(dāng)待沉積的材料12為硅時(shí),承載體14通常為包含高純度硅的細(xì)硅棒。硅沉積在細(xì)硅棒上以產(chǎn)生高純度多晶硅。
[0013]參見圖1,制造設(shè)備10包含殼體16。殼體16包括罐18和基板20。罐18聯(lián)接至基板20以形成殼體16。殼體16的罐18具有至少一個(gè)壁22,其中壁22通常呈現(xiàn)殼體16的圓柱形構(gòu)型。然而,應(yīng)當(dāng)理解殼體16的罐18可具有除圓柱形之外的構(gòu)型,諸如立方構(gòu)型。殼體16限定腔室24。更具體地講,殼體16的罐18具有中空內(nèi)部,以使得罐18的壁22限定腔室24。罐18具有敞開的末端26以允許通向腔室24?;?0聯(lián)接至罐18的敞開末端26,以蓋住罐18的末端26并密封腔室24。
[0014]殼體16限定入口 28,以用于將包含待沉積的材料12或其前體的沉積組合物引入腔室24。類似地,殼體16可限定出口 30,以允許將沉積組合物或其反應(yīng)副產(chǎn)物從腔室24排出。應(yīng)當(dāng)理解,入口 28和/或出口 30可由殼體16的罐18或基板20限定。通常,入口管32連接到入口 28以將沉積組合物輸送到腔室24而排出管34連接到出口 30以從腔室24移除沉積組合物或其反應(yīng)副產(chǎn)物。
[0015]參見圖2,殼體16可包括凸緣36,其從殼體16的壁22延伸。更具體地講,凸緣36從殼體16的壁22橫向延伸。通常,當(dāng)基板20聯(lián)接到殼體16時(shí),凸緣36平行于基板20??墒褂弥T如螺栓的緊固件38將殼體16的凸緣36緊固至基板20。
[0016]基板20可限定凹槽40。凹槽40圍繞基板20的周邊而限定。另外,殼體16的凸緣36可具有從凸緣36延伸出的指狀物42以接合基板20的凹槽40。凸緣36的指狀物42與基板20的凹槽40的接合確保了在將殼體16聯(lián)接到基板20時(shí)基板20與殼體16適當(dāng)?shù)貙?duì)齊。一般來(lái)講,凸緣36與基板20之間的機(jī)械相互作用不足以防止沉積組合物從腔室24逸出。另外,凸緣36與基板20之間的機(jī)械相互作用通常不足以防止腔室24外部的雜質(zhì)(諸如腔室24外的環(huán)境大氣中的雜質(zhì))進(jìn)入腔室24。因此,制造設(shè)備10還可以包括設(shè)置在基板20與罐18之間的墊圈44,以密封介于罐18與基板20之間的腔室24。另外,凸緣36的指狀物42與基板20的凹槽40之間的機(jī)械相互作用防止罐18隨著腔室24內(nèi)壓力的升高而發(fā)生側(cè)向位移。
[0017]再次參見圖1,制造設(shè)備10包括穿過(guò)殼體16設(shè)置的電極46。電極46至少部分地設(shè)置在腔室24內(nèi)。例如,電極46通常穿過(guò)基板20而設(shè)置,其中電極46的一部分支撐腔室24內(nèi)的承載體14。在圖3中所示的一個(gè)實(shí)施例中,電極46包括軸48和設(shè)置在軸48末端的頭部50。在這樣的實(shí)施例中,頭部50設(shè)置在腔室24內(nèi)以支撐承載體14。
[0018]參見圖1和圖4,托座52連接到腔室24內(nèi)的電極46以接納承載體14。換句話講,托座52將承載體14與電極46分開。應(yīng)當(dāng)理解,本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以將托座52稱為卡盤或多卡盤(¢1017 0^1110^)。如圖4中最佳地示出,電極46且具體地講電極46的頭部50可限定用于接納托座52的杯54。因而,托座52可至少部分地設(shè)置在杯54內(nèi)以將托座52連接到電極46。
[0019]通常,電極46包含導(dǎo)電材料12,諸如銅、銀、鎳、鉻鎳鐵合金(匕⑶加丨)、金及其組合。在腔室24內(nèi),通過(guò)使電流通過(guò)電極46來(lái)加熱電極46。通常,托座52包含石墨,這是因?yàn)槭銐騽傆惨詫⒊休d體14穩(wěn)固地安裝到電極46且為導(dǎo)電的以將電流從電極46傳導(dǎo)至承載體14中。
[0020]由于電流從電極46經(jīng)由托座52傳至承載體14,所以承載體14通過(guò)稱為焦耳加熱的過(guò)程加熱至沉積溫度。將承載體46加熱至沉積溫度一般有助于沉積組合物的熱分解。如上文所提及,沉積組合物包含待沉積在承載體14上的材料12或其前體。因此,沉積組合物的熱分解使得材料12沉積在經(jīng)加熱的承載體14上。例如,當(dāng)待沉積的材料12為硅時(shí),沉積組合物可包含齒硅烷,諸如氯硅烷或溴硅烷。然而,應(yīng)當(dāng)理解沉積組合物可包含其他前體,尤其是含硅分子,諸如硅烷、四氯化硅、三溴硅烷和三氯硅烷。還應(yīng)當(dāng)理解,制造設(shè)備10可用于將硅之外的材料12沉積在承載體14上。
[0021]如上文所介紹,托座52通過(guò)通電流而加熱且可被加熱到沉積溫度。因而,材料12也可直接沉積在托座52上?;蛘?,隨著材料12沉積在承載體14上且大小增加,材料12可遷移到托座52上。一旦足量的材料12沉積在承載體14上后,即通過(guò)從制造設(shè)備10移除承載體14而從制造設(shè)備10收獲承載體14。通常,材料12在托座52和/或承載體14上的沉積使得托座52通過(guò)材料12粘附至承載體14。換句話講,直接沉積在托座52上的材料12和/或從承載體14生長(zhǎng)到托座52上的材料12防止托座52與承載體14分離。托座52必須與承載體14和/或材料12分離以收獲材料12。另外,直接沉積在托座52上的材料12也必須與托座52分離。
[0022]—般來(lái)講,托座52具有第一末端56和第二末端58以及介于第一末端56與第二末端58之間的外表面60。一般來(lái)講,第一末端56連接到電極46而第二末端58接納承載體14。雖然并非必需,但通常而言,使托座52的末端56、58成錐形,以有利于一旦從制造設(shè)備10收獲承載體14后,承載體14及其上沉積的材料12便與托座52分離。也使托座52成錐形以使電流集中到承載體14中。
[0023]為了有利于使托座52與直接在托座52本身或承載體14上的材料12分離,將剝離涂層62設(shè)置在托座52的外表面60上。剝離涂層62促進(jìn)托座52與材料12的分離。換句話講,剝離涂層62促進(jìn)直接在托座52本身上或在托座52附近的承載體14上沉積的材料12的剝離。因而,剝離涂層62促進(jìn)托座52與承載體14及其上沉積的材料12的分離,以允許收獲承載體14。因此,因?yàn)閯冸x涂層62促進(jìn)托座52從承載體14剝離,所以在材料12沉積到承載體14上之后,托座52可容易地與承載體14分離。因而,承載體14和/或托座52上沉積的材料12不必經(jīng)歷可能污染材料12的另外分離過(guò)程。防止材料12受到污染維持了材料12的高純度。維持材料12的高純度,尤其是當(dāng)材料12為硅時(shí),意味著材料12對(duì)于銷售給末端26使用者更有價(jià)值。
[0024]一般來(lái)講,通過(guò)使材料12破裂而將材料12與托座52分離。破裂可通過(guò)物理敲擊材料12以使其碎裂成大塊脫離托座52而發(fā)生?;谕凶?2上剝離涂層62的初始晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)選擇剝離涂層62以產(chǎn)生弱點(diǎn),從而使得材料12容易地與托座52分離。選擇剝離涂層62以使得剝離涂層62的初始晶體生長(zhǎng)不同于承載體14上所沉積的材料12的晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。不同的晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生使沉積的材料12可與剝離涂層62分離的弱點(diǎn)。通常,剝離涂層62選自碳化硅、氮化硅、熱解碳、石墨碳化硅、二氧化硅、碳化鉭、碳化鈮及其組合。更通常地,剝離涂層62為熱解碳。
[0025]另外,剝離涂層62提供比托座52的外表面60更平滑的修整表面64。通過(guò)提供更平滑的表面,粘附到托座52上的材料12的表面積較小,這促進(jìn)材料12從托座52剝離。剝離涂層62的修整表面64的表面粗糙度RA值通常為約I至約100微米,更通常為約25至約50微米,甚至更通常為約30至40微米。應(yīng)當(dāng)理解,除了提供比托座52的外表面60更平滑的修整表面64以外,也可以其他方式減小托座52的表面積。例如,可增加托座52的長(zhǎng)度,同時(shí)減小托座52的直徑以減小表面積,如圖5中所不。另外,可減小托座的長(zhǎng)度,同時(shí)增加托座52的直徑。還應(yīng)當(dāng)理解,改變托座52的長(zhǎng)度和/或直徑以減小托座52的表面積的做法可與剝離涂層62結(jié)合使用。
[0026]雖然剝離涂層62促進(jìn)托座52與材料12分離,但剝離涂層62仍必須提供足夠的熱導(dǎo)率以充分加熱承載體14。因而,剝離涂層62的熱導(dǎo)率通常為約80至130,更通常為約90至125,甚至更通常為約100至120W/mK。
[0027]剝離涂層62的厚度取決于選擇用于剝離涂層62的材料12。例如,當(dāng)剝離涂層62為碳化硅時(shí),剝離涂層62的厚度小于約100微米。當(dāng)剝離涂層62為氮化硅、碳化鉭或碳化鈮時(shí),剝離涂層62的厚度小于約75微米。當(dāng)剝離涂層62為熱解碳時(shí),剝離涂層62的厚度小于約50微米。當(dāng)剝離涂層62為石墨碳化硅時(shí),剝離涂層62的厚度小于約40微米。
[0028]應(yīng)當(dāng)理解,就U形承載體14而言,制造設(shè)備10可包括多個(gè)電極46以及用于支撐多個(gè)承載體或承載體14的多個(gè)末端的托座52。例如,制造設(shè)備10可包括第一電極46A與連接到第一電極46A的第一托座52A以及第二電極46B與連接到第二電極46B的第二托座52B。第一電極46A和第二電極46B為彼此的鏡像且類似于上述電極46。同樣地,第一托座52A和第二托座52B為彼此的鏡像且類似于上述托座52。
[0029]現(xiàn)在將描述一種將材料12沉積在承載體14上的方法。該方法包括將剝離涂層62施加在托座52的外表面60上的步驟,以在將材料12沉積到承載體14上之后,促進(jìn)承載體14及其上沉積的材料12從托座52的剝離。施加剝離涂層62的步驟可通過(guò)多種方法實(shí)現(xiàn),諸如通過(guò)CVD和CVR工藝。所選擇的工藝取決于用作剝離涂層62的材料12。例如,施加剝離涂層62的步驟還可定義為使托座52接受低壓/高溫CVD工藝以將碳化硅或石墨碳化硅混合物沉積在托座52的外表面60上作為剝離涂層62。另外,施加剝離涂層62的步驟還可定義為使托座52接受大氣壓/高溫CVD工藝以將氮化硅沉積在托座52的外表面60上作為剝離涂層62。此外,施加剝離涂層62的步驟還可定義為使托座52接受高溫CVD工藝以將熱解碳沉積在托座52的外表面60上作為剝離涂層62。或者,施加剝離涂層62的步驟還可定義為使托座52接受CVR工藝以將碳化鉭或碳化鈮沉積在托座52的外表面60上作為剝離涂層62。
[0030]將材料12沉積在承載體14上的方法還包括將托座52連接到腔室24內(nèi)的電極46并將承載體14連接到腔室24內(nèi)的托座52的步驟。密封腔室24并將沉積組合物引入腔室24。在腔室24內(nèi)加熱承載體14,這使得諸如硅的材料12沉積在經(jīng)加熱的承載體14上。一旦材料12沉積在承載體14上后,即從腔室24收獲承載體14。應(yīng)當(dāng)理解,收獲承載體14的步驟還可定義為使托座52與承載體14及其上沉積的材料12分離。例如,從托座52移除材料12以使托座52從承載體14脫離。使托座52與承載體14分離的步驟可在腔室24內(nèi)發(fā)生,以使得在移除承載體14時(shí)托座52留在腔室24中。或者,使托座52與承載體14分離的步驟可在從腔室24移除承載體14后就發(fā)生,以使得托座52與承載體14 一起從腔室24移除。
[0031]顯然,按照上面的教導(dǎo)內(nèi)容,本發(fā)明的許多修改形式和變型形式是可能的。上述發(fā)明已根據(jù)相關(guān)法律標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行描述;因此,所述描述就其本質(zhì)而言是示例性的,而非限制性的。針對(duì)已公開的實(shí)施例的變型形式和修改形式對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的并從屬于本發(fā)明的范圍。因此,給予本發(fā)明的法律保護(hù)范圍可僅通過(guò)研讀以下權(quán)利要求書來(lái)確定。
【權(quán)利要求】
1.一種將材料沉積在承載體上的制造設(shè)備,所述設(shè)備包括: 殼體,所述殼體限定腔室; 入口,所述入口由所述殼體限定以用于將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室; 出口,所述出口穿過(guò)所述殼體而限定以用于從所述腔室排出所述沉積組合物; 電極,所述電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi); 托座,所述托座具有外表面并連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體;以及 剝離涂層,所述剝離涂層設(shè)置在所述托座的所述外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離,從而收獲所述承載體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造設(shè)備,其中所述托座包含石墨。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造設(shè)備,其中所述剝離涂層為熱解碳。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造設(shè)備,其中沉積在所述承載體上的所述材料為硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造設(shè)備,其中所述剝離涂層選自碳化硅、氮化硅、熱解碳、石墨碳化硅、二氧化硅、碳化鉭、碳化鈮及其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造設(shè)備,其中所述剝離涂層的厚度為40至約100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造設(shè)備,其中所述剝離涂層呈現(xiàn)所述托座的修整表面,所述修整表面的表面粗糙度RA值為約I至約100微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造設(shè)備,其中所述電極還包括軸和頭部,其中所述頭部限定杯而所述托座設(shè)置在所述杯內(nèi)以將所述托座連接到所述電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造設(shè)備,其中所述電極還被限定為第一電極并且所述托座還被限定為第一托座,而所述制造設(shè)備還包括連接到第二電極的第二托座,所述第二電極設(shè)置在腔室中。
10.一種與將材料沉積在承載體上的制造設(shè)備一起使用的托座,所述制造設(shè)備包括殼體,所述殼體限定腔室;入口,所述入口穿過(guò)所述殼體而限定以用于將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室;出口,所述出口穿過(guò)所述殼體而限定以用于從所述腔室排出所述沉積組合物;電極,所述電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi),而所述托座連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體;所述托座包含剝離涂層,所述剝離涂層設(shè)置在所述托座的所述外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離,從而收獲所述承載體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的托座,所述托座包含石墨。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的托座,其中所述剝離涂層呈現(xiàn)所述托座的修整表面,所述修整表面的表面粗糙度RA值為約I至約100微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的托座,其中所述剝離涂層選自碳化硅、氮化硅、熱解碳、石墨碳化硅、二氧化硅、碳化鉭、碳化鈮及其組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的托座,其中所述剝離涂層為熱解碳。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的托座,其中所述剝離涂層的厚度為40至約100微米。
16.—種制造具有剝離涂層的托座的方法,其中所述托座與將材料沉積在承載體上的制造設(shè)備一起使用,所述制造設(shè)備包括殼體,所述殼體限定腔室;入口,所述入口穿過(guò)所述殼體而限定以用于將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室;出口,所述出口穿過(guò)所述殼體而限定以用于從所述腔室排出所述沉積組合物;電極,所述電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi),而所述托座連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體;所述方法包括以下步驟:將所述剝離涂層施加在所述托座的外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離,從而收獲所述承載體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中施加所述剝離涂層的所述步驟還被限定為使所述托座接受低壓/高溫CVD工藝,以將碳化硅或石墨碳化硅混合物沉積在所述托座的所述外表面上作為所述剝離涂層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中施加所述剝離涂層的所述步驟還被限定為使所述托座接受大氣壓/高溫CVD工藝,以將氮化硅沉積在所述托座的所述外表面上作為所述剝離涂層。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中施加所述剝離涂層的所述步驟還被限定為使所述托座接受高溫CVD工藝,以將熱解碳沉積在所述托座的所述外表面上作為所述剝離涂層。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中施加所述剝離涂層的所述步驟還被限定為使所述托座接受CVR工藝,以將碳化鉭或碳化鈮沉積在所述托座的所述外表面上作為所述剝離涂層。
21.一種將材料沉積在制造設(shè)備的腔室內(nèi)的承載體上的方法,其中所述制造設(shè)備包括殼體,所述殼體限定所述腔室;入口,所述入口穿過(guò)所述殼體而限定;出口,所述出口穿過(guò)所述殼體而限定以用于從所述腔室排出沉積組合物;電極,所述電極穿過(guò)所述殼體而設(shè)置,其中所述電極至少部分地設(shè)置在所述腔室內(nèi);以及托座,所述托座連接到所述腔室內(nèi)的所述電極以用于接納所述承載體,所述方法包括以下步驟: 將剝離涂層施加到所述托座的外表面上以促進(jìn)所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料的分離; 將所述托座連接到所述腔室內(nèi)的所述電極; 將所述承載體連接到所述腔室內(nèi)的所述托座; 密封所述腔室; 將包含所述材料或其前體的沉積組合物引入所述腔室; 在所述腔室內(nèi)加熱所述承載體; 將所述材料沉積在所述經(jīng)加熱的承載體上;以及 使所述托座與所述承載體及其上沉積的所述材料分離,從而收獲所述承載體。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其中使所述托座與所述承載體分離的所述步驟還被限定為從所述托座移除所述材料以使所述托座從所述承載體脫離。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其中沉積所述材料的所述步驟還被限定為將硅沉積在所述經(jīng)加熱的承載體上。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK104411864SQ201380036021
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】馬修·迪格, D·希拉布蘭德, 威廉·拉爾森 申請(qǐng)人:赫姆洛克半導(dǎo)體公司