含鉻奧氏體合金的制作方法
【專利摘要】一種含鉻奧氏體合金，其在合金所具有的面之中至少一個(gè)表面具有厚度5nm以上且小于50nm的連續(xù)的鉻氧化物覆膜。只要鉻氧化物覆膜連續(xù)，則臨界鈍化電流密度法的最大電流密度為0.1μA/cm2以下。理想的是，母材的化學(xué)組成以質(zhì)量％計(jì)含有C：0.15％以下、Si：1.00％以下、Mn：2.0％以下、P：0.030％以下、S：0.030％以下、Cr：10.0～40.0％、Ni：8.0～80.0％、Ti：0.5％以下、Cu：0.6％以下、Al：0.5％以下和N：0.20％以下、以及余量Fe和雜質(zhì)。
【專利說明】含鉻奧氏體合金

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及含鉻奧氏體合金、尤其是涉及核電站等的高溫水環(huán)境中整面腐蝕耐性 優(yōu)異的含鉻奧氏體合金。

【背景技術(shù)】
[0002] 用于核電站的蒸氣發(fā)生器用傳熱管（以下也簡稱為"SG管"）使用600合金、690 合金等含鉻奧氏體合金。是因?yàn)檫@些合金在高溫水環(huán)境中具有優(yōu)異的耐蝕性。
[0003] 這些構(gòu)件在數(shù)年至數(shù)十年期間被用于反應(yīng)堆水環(huán)境的300°C左右的高溫水環(huán)境 中。作為核電站用SG管使用的含鉻奧氏體合金雖然大量含有Ni、耐蝕性優(yōu)異、腐蝕速度慢， 但長時(shí)間的使用致使微量的Ni從母材中溶出。
[0004] 在反應(yīng)堆水循環(huán)的過程中，溶出的Ni被運(yùn)送至堆芯部，在燃料的附近受到中子的 照射。Ni受到中子照射時(shí)，因核反應(yīng)而變換為放射性Co。該放射性Co的半衰期非常長，因 而長時(shí)間持續(xù)放出放射線。因此，Ni的溶出量增多時(shí)，直到所放出的放射線量降低至適當(dāng) 值為止都無法著手進(jìn)行定期檢查，造成定期檢查的周期延長，蒙受經(jīng)濟(jì)損失。
[0005] 減少Ni的溶出量在長期持續(xù)使用輕水堆的方面是非常重要的課題。因此，目前為 止都是采用了通過改善材料方面的耐蝕性、控制反應(yīng)堆水的水質(zhì)來防止合金中的Ni的溶 出的對策。
[0006] 專利文獻(xiàn)1公開了如下的方法：將Ni基合金傳熱管在真空度為1(T2?1(T4托的 氣氛中、400?750°C的溫度域下退火，從而形成以鉻氧化物為主體的氧化物覆膜、改善整 面腐蝕耐性。
[0007] 專利文獻(xiàn)2公開了如下的核電站用構(gòu)件的制造方法：在Ni基析出強(qiáng)化型合金的熔 體化處理后，在1〇_3托?大氣壓空氣下的氧化氣氛中實(shí)施用以時(shí)效硬化處理并兼顧至少部 分的氧化物覆膜形成處理所進(jìn)行的加熱處理。
[0008] 專利文獻(xiàn)3公開了在露點(diǎn)為_60°C?+20°C的氫氣或者氫氣和氬氣的混合氣氛中 對Ni基合金制品進(jìn)行熱處理的Ni基合金制品的制造方法。
[0009] 專利文獻(xiàn)4公開了如下的方法：將含有鎳和鉻的合金工件暴露于水蒸氣與至少1 種非氧化性氣體的氣體混合物中，從而使之形成鉻富集層。
[0010] 專利文獻(xiàn)5公開了如下的制造方法：通過在由包含氧化性氣體的非氧化性氣體構(gòu) 成的氣氛中對含Cr鎳基合金管進(jìn)行處理，使之在管內(nèi)表面形成具有規(guī)定厚度的鉻氧化物 覆膜。
[0011] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0012] 專利文獻(xiàn)
[0013] 專利文獻(xiàn)1:日本特開昭64-55366號公報(bào)
[0014] 專利文獻(xiàn)2:日本特開平8-29571號公報(bào)
[0015] 專利文獻(xiàn)3:日本特開2002-121630號公報(bào)
[0016] 專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-322553號公報(bào)
[0017] 專利文獻(xiàn)5 :國際公開第2012/026344號
[0018] 非專利文獻(xiàn)
[0019] 非專利文獻(xiàn)1 :杉本克久：干法涂布TiN薄膜的針孔缺陷評價(jià)（F5 4 -T^ > ク''TiN薄膜?匕°シ*一;レ欠陥?jiān)u價(jià)），材料與環(huán)境，44(1995)，第 259-261 頁


【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]發(fā)明要解決的問是頁
[0021] 關(guān)于采用專利文獻(xiàn)1?5記載的方法所形成的氧化覆膜的厚度，專利文獻(xiàn)1中為 500?5000L專利文獻(xiàn)2中為1000?80001、專利文獻(xiàn)3中為180?1500nm、專利文獻(xiàn)4 中為250?400nm、專利文獻(xiàn)5中為50?1500nm。一般而言，若覆膜薄則耐蝕性有降低的 傾向，因而專利文獻(xiàn)1?5記載的方法中，為了使溶出耐性提高而采取了形成較厚的覆膜。
[0022] 另一方面，具有鉻氧化物覆膜的含鉻奧氏體合金的制品中，若覆膜厚，則進(jìn)行彎曲 等加工時(shí)，有可能發(fā)生開裂、剝離等，而且外觀受損，因而優(yōu)選使覆膜厚度盡可能小。
[0023] 本發(fā)明人等針對于具有鉻氧化物覆膜的含鉻奧氏體合金深入研究了即使將覆膜 的厚度減薄也不損害抗金屬溶出效果的方法，結(jié)果得到以下的認(rèn)識。
[0024] 將覆膜減薄時(shí)溶出耐性降低的主要原因是，覆膜相對于表面難以連續(xù)地形成，部 分的母材露出。
[0025] 即使鉻氧化物覆膜的厚度小于50nm，若在表面形成連續(xù)的覆膜，則能夠得到具有 高的金屬溶出耐性的含鉻奧氏體合金。
[0026] 用于解決問題的方案
[0027] 本發(fā)明是基于上述認(rèn)識而完成的，主要內(nèi)容是下述（1)?（4)所示的含鉻奧氏體 合金。
[0028] (1) -種含鉻奧氏體合金，其特征在于，在合金所具有的面之中至少一個(gè)表面具有 厚度5nm以上且小于50nm的連續(xù)的鉻氧化物覆膜。
[0029] (2)根據(jù)上述⑴記載的含鉻奧氏體合金，其特征在于，臨界鈍化電流密度法的最 大電流密度為〇. 1UA/cm2以下。
[0030] (3)根據(jù)上述⑴或⑵記載的含鉻奧氏體合金，其特征在于，母材的化學(xué)組成以 質(zhì)量％計(jì)含有〇 :0.15%以下、51:1.00%以下、]?11:2.0%以下、？：0.030%以下、5 :0.030% 以下、Cr:10. 0 ?40. 0%、Ni:8. 0 ?80. 0%、Ti:0? 5% 以下、Cu:0? 6% 以下、A1 :0? 5% 以下 和N:0. 20%以下、以及余量Fe和雜質(zhì)。
[0031] (4)根據(jù)上述（1)?（3)中任一記載的含鉻奧氏體合金，其特征在于，合金以核電 站用構(gòu)件的形式使用。
[0032] 需要說明的是，"鉻氧化物覆膜"意指以Cr203為主體的氧化物覆膜，還可以含有 Cr203以外的氧化物，例如含有FeCr204、MnCr204、Ti02、A1203、Si02等氧化物。另外，只要在 含鉻奧氏體合金的表面具有由鉻氧化物形成的氧化物覆膜，則也可以在鉻氧化物層的上層 (外側(cè)的層）和/或下層（內(nèi)側(cè)的層）形成其他的氧化物層。
[0033] 發(fā)明的效果
[0034] 根據(jù)本發(fā)明，可以在含鉻奧氏體合金的表面廉價(jià)地且均一地形成鉻氧化物覆膜。 本發(fā)明的含鉻奧氏體合金即使在高溫水環(huán)境中、例如在核能發(fā)電站的高溫水環(huán)境中長時(shí)間 持續(xù)使用，Ni的溶出也極少，因而適合于蒸氣發(fā)生器用傳熱管等的在高溫水中使用的構(gòu)件、 尤其是核電站用構(gòu)件。

【具體實(shí)施方式】
[0035] 1?氧化物覆膜
[0036] 本發(fā)明的含鉻奧氏體合金所需的是在合金所具有的面之中至少一個(gè)表面具有厚 度5nm以上且小于50nm的連續(xù)的鉻氧化物覆膜。通過使覆膜厚度小于50nm，可以抑制覆膜 開裂、剝離等的發(fā)生。理想的是覆膜厚度為40nm以下。另外，為了穩(wěn)定地形成連續(xù)的鉻氧 化物覆膜，需要使覆膜厚度為5nm以上。理想的是覆膜厚度為10nm以上。
[0037]需要說明的是，覆膜的厚度可以使用掃描電子顯微鏡（SEM)或透射電子顯微鏡 (TEM)直接測定，也可以通過X射線光電子能譜法（XPS)、俄歇電子能譜法（AES)、輝光放電 發(fā)射光譜法（GDS)等的深度方向分析來測定。此時(shí)，注意在多處進(jìn)行覆膜厚度的測定并求 出它們的平均值等從而求出覆膜整體的平均厚度為好。
[0038] 本發(fā)明中，形成在合金表面的鉻氧化物覆膜連續(xù)是指母材不露出。作為表示氧化 物覆膜連續(xù)的評價(jià)方法，可以采用臨界鈍化電流密度法。如非專利文獻(xiàn)1所記載，臨界鈍化 電流密度法是調(diào)查涂層中的針孔等物理缺陷的方法之一。
[0039] 在稀硫酸中為了提高潤濕性而添加了硫代硫酸鈉的溶液中進(jìn)行陽極極化測定時(shí)， 形成了沒有物理缺陷的連續(xù)覆膜的合金的情況下，最大電流密度為小值。另一方面，覆膜有 物理缺陷、合金母材露出的情況下，最大腐蝕電流密度的值升高。因此，可以得到形成在表 面的氧化覆膜有無物理缺陷、即合金表面是否被氧化物覆膜連續(xù)地覆蓋而不露出的指標(biāo)。
[0040] 為了得到5nm以上且小于50nm的連續(xù)的鉻氧化物覆膜，重要的是覆膜形成處理?xiàng)l 件的優(yōu)化。具體而言，重要的是優(yōu)化氧化能力、處理溫度和處理時(shí)間。在生成鉻氧化物的氧 化能力、處理溫度和處理時(shí)間的范圍內(nèi)，降低氧化能力、使處理溫度為低溫而能夠抑制鉻氧 化物的生長，此外控制時(shí)間而能夠使目標(biāo)厚度的覆膜連續(xù)地形成。
[0041] 作為氧化能力的控制方法，理想的是使非氧化性氣體含有氧化性氣體、通過氧化 性氣體的濃度來控制的方法。對于通過真空度來控制的方法，由于含有氧氣、水蒸氣等多種 氧化性氣體，因而難以精確地控制氧化能力。作為非氧化性氣體有氬氣等稀有氣體、氫氣 等。作為氧化性氣體，可列舉出水蒸氣、二氧化碳、氧氣等。
[0042]對于氧氣來說，使用氫氣作為非氧化性氣體時(shí)，有爆炸的危險(xiǎn)。另外，將二氧化碳 作為氧化性氣體使用時(shí)，金屬氧化后產(chǎn)生的一氧化碳導(dǎo)致合金表層滲碳、晶界強(qiáng)度提高，因 而耐蝕性有可能降低。因此，作為氧化性氣體最理想的是水蒸氣。
[0043]水蒸氣的濃度過低則不會(huì)形成氧化物覆膜，過高則鉻以外的成分也會(huì)被氧化、難 以得到純凈的鉻氧化物覆膜，因而理想的是設(shè)為500?15000ppm。水蒸氣濃度更理想的是 設(shè)為lOOOppm以上，更加理想的是設(shè)為3000ppm以上。
[0044]覆膜形成處理溫度兼顧上述的氧化能力和處理時(shí)間以形成適當(dāng)?shù)母材ず穸葹槟?的進(jìn)行控制即可。通常的熱處理工序中，將合金加熱至規(guī)定的處理溫度并保持該處理溫度 的狀態(tài)，然后使之冷卻。覆膜的形成處理是在上述的處理工序中于開始升溫而自合金的表 面溫度為500°C起至達(dá)到規(guī)定溫度期間（加熱階段）、于規(guī)定溫度下保持期間（保持階段）、 以及于自開始冷卻起至合金的表面溫度達(dá)到500°C期間（冷卻階段）將合金暴露在氧化氣 氛中而進(jìn)行的。另外，雖然可以在上述的所有階段將合金持續(xù)地暴露在氧化氣氛中，但例如 也可以適當(dāng)選擇加熱階段、保持階段和冷卻階段中的任一階段或多個(gè)階段來設(shè)置氧化氣氛 而使之形成覆膜。
[0045]另外，本發(fā)明的覆膜形成處理溫度是指為了形成覆膜而被暴露在氧化氣氛中的溫 度范圍。在該加熱階段、保持階段和冷卻階段全部暴露在氧化性氣體中的情況下，對于覆膜 形成處理溫度，將能夠形成均一厚度的覆膜的從500°C至所加熱保持的溫度的溫度范圍作 為覆膜形成處理溫度。例如，并非所有階段而僅是規(guī)定溫度下保持的保持階段暴露在氧化 性氣體中的情況下，覆膜形成處理溫度變?yōu)楸３譁囟?。另外，保持溫度可以在處理中發(fā)生溫 度階梯變化。
[0046]用以形成覆膜的處理溫度低于500°C時(shí)，鉻的氧化非常緩慢、不實(shí)際。另一方面，超 過750°C時(shí)，氧化速度變得過快，變得難以控制為均一的覆膜厚度。因此，理想的是處理溫度 設(shè)為500?750°C的范圍內(nèi)的溫度。
[0047]覆膜形成處理時(shí)間兼顧上述的氧化能力和處理溫度以形成適當(dāng)?shù)母材ず穸葹槟?的進(jìn)行控制即可。覆膜形成處理時(shí)間是指上述的加熱階段、保持階段和冷卻階段中暴露在 氧化氣氛中的時(shí)間。此外，將在各階段的氧化氣氛中暴露的時(shí)間稱為"加熱時(shí)間"、"保持時(shí) 間"和"冷卻時(shí)間"，將各階段的時(shí)間合計(jì)得到的時(shí)間稱為"覆膜形成處理時(shí)間"或簡稱為"處 理時(shí)間"。
[0048]為了形成以鉻氧化物為主體的氧化物覆膜，覆膜形成處理時(shí)間理想的是設(shè)為1分 鐘以上。另一方面，即使進(jìn)行超過3小時(shí)的加熱處理，氧化物覆膜也基本不生長，從制造成 本方面來看也變得不利。因此，處理時(shí)間理想的是設(shè)為3小時(shí)以下。處理時(shí)間更理想的是 設(shè)為5分鐘以上，更理想的是設(shè)為100分鐘以下。另外，覆膜形成處理溫度為600°C以上時(shí)， 處理時(shí)間理想的是設(shè)為1小時(shí)以下。
[0049]進(jìn)行覆膜形成處理時(shí)，為了得到適當(dāng)?shù)牟牧系臋C(jī)械特性，可以在事前進(jìn)行退火處 理。另外，可以在覆膜形成處理的前后或同時(shí)以提高晶界的耐蝕性為目的在700?750°C下 進(jìn)行5?15小時(shí)的熱處理。
[0050] 2?化學(xué)組成
[0051]對于本發(fā)明的含鉻奧氏體合金的母材的化學(xué)組成沒有特別的限制，理想的是以質(zhì) 量％計(jì)含有c:0? 15% 以下、Si:1. 00% 以下、Mn:2. 0% 以下、P:0? 030% 以下、S:0? 030% 以 下、Cr:10. 0 ?40. 0%、Ni:8. 0 ?80. 0%、Ti:0? 5% 以下、Cu:0? 6% 以下、A1 :0? 5% 以下和 N:0. 20%以下、以及余量Fe和雜質(zhì)。
[0052] 其中，"雜質(zhì)"意指，工業(yè)上制造合金的過程中由于礦石、廢料等原料、制造工序的 各種因素而混入的成分，且在不對本發(fā)明造成不良影響的范圍內(nèi)是被允許的。
[0053]各元素的限定理由如下所述。需要說明的是，以下的說明中涉及含量的"％"意味 著"質(zhì)量％ "。
[0054] C:0.15 % 以下
[0055]C具有提高合金的晶界強(qiáng)度的效果，因而可以含有。然而，超過0. 15%地含有時(shí)， 應(yīng)力腐蝕開裂耐性有可能劣化。因此，含有C時(shí)，理想的是將其含量設(shè)為0.15%以下。C含 量更理想的是設(shè)為〇. 06%以下。另外，為了得到上述的效果，C的含量理想的是設(shè)為0. 01% 以上。
[0056]Si:1.00 % 以下
[0057]Si作為冶煉時(shí)的脫氧材使用，在合金中作為雜質(zhì)殘留。其含量過剩時(shí)，存在合金的 純度降低的情況，因而Si的含量理想的是設(shè)為1. 00%以下、更理想的是設(shè)為0. 50%以下。 需要說明的是，Si的含量為0. 05%以上時(shí)Si作為脫氧劑的效果突顯。
[0058]Mn:2.0% 以下
[0059] Mn將S以MnS的形式固定，對于確保熱加工性來說是有效的元素。Mn生成氧化物 的自由能低于Cr，通過加熱而以MnCr204的形式析出。另外，由于擴(kuò)散速度也較快，通常通過 加熱而在母材附近優(yōu)先生成Cr203、在它的外側(cè)作為上層形成MnCr204。只要MnCr204層存在， 貝U在使用環(huán)境中保護(hù)Cr203層、或即使Cr203層因某種原因被破壞的情況下也可由MnCr204促 進(jìn)Cr203的修復(fù)。然而，其含量過剩時(shí)，存在使合金的耐蝕性降低的情況，因而Mn的含量理 想的是設(shè)為2. 0%以下、更理想的是設(shè)為1. 0%以下。另外，為了得到上述的效果，Mn的含 量理想的是設(shè)為0. 1 %以上、更理想的是設(shè)為0. 2%以上。
[0060]P:0.030% 以下
[0061]P是在合金中作為雜質(zhì)存在的元素。其含量超過0.030%時(shí)，存在對耐蝕性造成不 良影響的情況。因此，P含量理想的是設(shè)為〇. 030%以下。
[0062]S:0.030% 以下
[0063]S是在合金中作為雜質(zhì)存在的元素。其含量超過0.030%時(shí)，存在對耐蝕性造成不 良影響的情況。因此，S含量理想的是設(shè)為0. 030%以下。
[0064]Cr:10. 0 ?40. 0%
[0065] Cr是用于生成包含鉻氧化物的氧化物覆膜的必要元素。為了在合金表面生成這種 氧化物覆膜，理想的是含有10.0%以上。然而，超過40.0%時(shí)，加工性有可能劣化。因此，Cr的含量理想的是設(shè)為10. 0?40. 0%。
[0066]Ni:8.0 ?80.0%
[0067]Ni是用于確保奧氏體合金的耐蝕性的必要元素，理想的是含有8.0%以上。另一 方面，Ni是昂貴的，因而根據(jù)用途含有必要最小限度即可，理想的是設(shè)為80. 0%以下。Ni的 含量更理想的是設(shè)為45. 0%以上。
[0068]Ti:0.5 % 以下
[0069] Ti對于提高合金的加工性、抑制焊接時(shí)的晶粒生長來說是有效的元素。然而，其含 量超過0. 5%時(shí)，有可能使合金的純凈性劣化。因此，Ti的含量理想的是設(shè)為0. 5%以下、更 理想的是設(shè)為0. 4%以下。另外，為了得到上述的效果，Ti含量理想的是設(shè)為0. 1 %以上。 [0070]Cu:0.6% 以下
[0071]Cu是在合金中作為雜質(zhì)存在的元素。其含量超過0.6%時(shí)，存在合金的耐蝕性降 低的情況。因此，Cu含量理想的是設(shè)為0.6%以下。
[0072]Al:0.5 % 以下
[0073]A1作為制鋼時(shí)的脫氧材使用，在合金中作為雜質(zhì)殘留。殘留的A1在合金中成為 氧化物系夾雜物，有可能使合金的純度劣化、對合金的耐蝕性及機(jī)械性質(zhì)造成不良影響。因 此，A1含量理想的是設(shè)為0. 5%以下。
[0074]N:0.20% 以下
[0075]N也可不含有，作為本發(fā)明對象的含鉻奧氏體合金中，作為雜質(zhì)通常含有0.01% 左右的N。然而，如果積極地含有N，則可以提高強(qiáng)度但不使耐蝕性劣化。但是，含有超過 0. 20%時(shí)，耐蝕性降低，因而使之含有時(shí)的上限設(shè)為0. 20%。
[0076] 作為上述含鉻奧氏體合金的組成，代表性的有以下兩種。
[0077] (a)含有C:0? 15% 以下、Si:1. 00% 以下、Mn:2. 0% 以下、P:0? 030% 以下、S: 0? 030% 以下、Cr:14. 0 ?17. 0%、Fe:6. 0 ?10. 0%、Ti:0? 5% 以下、Cu:0? 5% 以下和A1 : 0. 5%以下、以及余量Ni和雜質(zhì)的Ni基合金。
[0078] (b)含有C:0? 06% 以下、Si:1. 00% 以下、Mn:2. 0% 以下、P:0? 030% 以下、S: 0? 030% 以下、Cr:27. 0 ?31. 0%、Fe:7. 0 ?11. 0%、Ti:0? 5% 以下、Cu:0? 5% 以下和A1 : 0. 5%以下、以及余量Ni和雜質(zhì)的Ni基合金。
[0079] 上述（a)的合金含有14. 0?17. 0%的Cr、70?80%的Ni，因而是在含有氯化物 的環(huán)境中耐蝕性優(yōu)異的合金。該合金中，從Ni含量與Cr含量的均衡的觀點(diǎn)來看，F(xiàn)e的含 量理想的是設(shè)為6. 0?10. 0%。
[0080] 上述（b)的合金含有27. 0?31.0%的Cr、55?65%的Ni，因而是除了含有氯化 物的環(huán)境之外、在高溫的純水和堿環(huán)境中耐蝕性也優(yōu)異的合金。該合金中，也從Ni含量與 Cr含量的均衡的觀點(diǎn)來看，F(xiàn)e的含量理想的是設(shè)為7. 0?11. 0%。
[0081] 以下，根據(jù)實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
[0082] [實(shí)施例1]
[0083] 對于將表1所示化學(xué)組成的合金￠90合金）在真空中熔化、鑄造得到的鋼錠進(jìn)行 熱鍛而制作了鋼坯。對于所得到的鋼坯進(jìn)行熱加工和冷加工而成形為外徑19_、壁厚1_ 的管形狀。在ll〇〇°C下進(jìn)行退火熱處理之后，按照表2所示的條件對管內(nèi)表面進(jìn)行覆膜形 成處理。
[0084] 需要說明的是，覆膜形成處理是在將各合金管在爐內(nèi)加熱至規(guī)定的溫度、保持和 冷卻期間使規(guī)定的濃度的氧化性氣體流入管內(nèi)而進(jìn)行的。如上述所，表2中的"覆膜形成處 理溫度"是指暴露于氧化性氣氛中的溫度范圍，"加熱時(shí)間"、"保持時(shí)間"和"冷卻時(shí)間"是 在各階段暴露于氧化性氣氛中的時(shí)間，"覆膜形成處理時(shí)間"是各階段的處理時(shí)間的合計(jì)時(shí) 間。
[0085] [表 1]
[0086] 表 1

【權(quán)利要求】
1. 一種含鉻奧氏體合金，其特征在于，在合金所具有的面之中至少一個(gè)表面具有厚度 5nm以上且小于50nm的連續(xù)的鉻氧化物覆膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的含鉻奧氏體合金，其特征在于，臨界鈍化電流密度法的最大 電流密度為〇. ΙμΑ/cm2以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含鉻奧氏體合金，其特征在于，母材的化學(xué)組成以質(zhì)量％ 計(jì)含有 C :0· 15% 以下、Si :L 00% 以下、Μη :2· 0% 以下、P :0· 030% 以下、S :0· 030% 以下、 Cr :10· 0 ?40. 0%、Ni :8· 0 ?80. 0%、Ti :0· 5% 以下、Cu :0· 6% 以下、Α1 :0· 5% 以下和 Ν : 0. 20%以下、以及余量Fe和雜質(zhì)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的含鉻奧氏體合金，其特征在于，合金以核電站用 構(gòu)件的形式使用。
【文檔編號】C22C19/05GK104271790SQ201380023251
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月4日
【發(fā)明者】神崎學(xué), 日高康善, 正木康浩, 上平明弘, 宮原整 申請人:新日鐵住金株式會(huì)社