一種提高mocvd外延片均勻性的石墨盤(pán)的制作方法
【專利摘要】一種提高M(jìn)OCVD外延片均勻性的石墨盤(pán)，涉及MOCVD外延片生產(chǎn)設(shè)備——石墨盤(pán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。本實(shí)用新型包括大石墨盤(pán)和小石墨盤(pán)，在大石墨盤(pán)上設(shè)有通氣小孔和連接栓，在小石墨盤(pán)中心的背部設(shè)置與連接栓適配的支撐凹槽，所述小石墨盤(pán)通過(guò)支撐凹槽和連接栓的配合布置在大石墨盤(pán)上方；在小石墨盤(pán)上設(shè)置有中心片槽和邊緣片槽；其特征在于在大石墨盤(pán)背面開(kāi)設(shè)圓柱形凹槽，所述凹槽和連接栓布置在同一軸線上。本實(shí)用新型補(bǔ)償了連接栓導(dǎo)熱造成的小盤(pán)中心局部溫度較高的現(xiàn)象，從而改善小石墨盤(pán)的溫度差異現(xiàn)象，同時(shí)使得小石墨盤(pán)上中心片槽和邊緣片槽的溫度達(dá)到一致，最終在小盤(pán)上獲得均勻性很好的外延片。
【專利說(shuō)明】—種提高M(jìn)OCVD外延片均勻性的石墨盤(pán)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及MOCVD外延片生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是MOCVD外延生產(chǎn)設(shè)備——石墨盤(pán)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
【背景技術(shù)】
[0002]MOCVD是指金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備，目前廣泛應(yīng)用于II1-V化合物半導(dǎo)體薄膜材料的生長(zhǎng)。載氣把Mo有機(jī)源帶入反應(yīng)室，在襯底上反應(yīng)，形成薄膜材料。襯底放置于石墨盤(pán)上，通過(guò)燈絲或者射頻進(jìn)行加熱，加熱溫度為500?1200 °C。石墨盤(pán)由高純石墨組成，并包裹SiC。加熱單元在石墨盤(pán)下面。
[0003]目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盤(pán)的設(shè)計(jì)如圖1所示，小石墨盤(pán)105放置于大石墨盤(pán)101上，連接栓103通過(guò)小石墨盤(pán)上的孔105支撐小石墨盤(pán)。外延生長(zhǎng)過(guò)程中，載氣(H2或者N2)通過(guò)大石墨盤(pán)上的通氣小孔102吹起小石墨盤(pán)，讓其進(jìn)行自轉(zhuǎn)。小石墨盤(pán)上有7個(gè)片槽，I個(gè)中心片槽105和6個(gè)對(duì)稱的邊緣片槽106。大石墨盤(pán)底部的加熱單元100通過(guò)載氣，把熱量傳遞到置于小石墨盤(pán)盤(pán)片槽的襯底上。
[0004]由于連接栓103是由導(dǎo)熱性較好的鈦金屬構(gòu)成，小石墨盤(pán)盤(pán)上中心片的中心溫度會(huì)明顯高于邊緣溫度，同時(shí)又會(huì)高于邊緣片的溫度。這樣會(huì)導(dǎo)致中心片中心波長(zhǎng)比邊緣短，同時(shí)中心片波長(zhǎng)比邊緣片短。小石墨盤(pán)內(nèi)部溫度不均勻造成小石墨盤(pán)內(nèi)部外延片均一性不好，這是目前G5 MOCVD目前外延生長(zhǎng)普遍存在的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型目的是提出一種能克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，提高小石墨盤(pán)內(nèi)部溫度均勻度的提高M(jìn)OCVD外延片均勻性的石墨盤(pán)。
[0006]本實(shí)用新型包括大石墨盤(pán)和小石墨盤(pán)，在大石墨盤(pán)上設(shè)有通氣小孔和連接栓，在小石墨盤(pán)中心的背部設(shè)置與連接栓適配的支撐凹槽，所述小石墨盤(pán)通過(guò)支撐凹槽和連接栓的配合布置在大石墨盤(pán)上方；在小石墨盤(pán)上設(shè)置有中心片槽和邊緣片槽；其特征在于在大石墨盤(pán)背面開(kāi)設(shè)圓柱形凹槽，所述凹槽和連接栓布置在同一軸線上。
[0007]本實(shí)用新型由于在小石墨盤(pán)中心相對(duì)的大盤(pán)背面設(shè)置了圓柱形凹槽，溫度得到降低，補(bǔ)償了連接栓導(dǎo)熱造成的小盤(pán)中心局部溫度較高的現(xiàn)象，從而改善小石墨盤(pán)的溫度差異現(xiàn)象，同時(shí)使得小石墨盤(pán)上中心片槽和邊緣片槽的溫度達(dá)到一致，最終在小盤(pán)上獲得均勻性很好的外延片。
[0008]另外，本實(shí)用新型所述凹槽的直徑為10?10000微米，深度為10?10000微米。通過(guò)進(jìn)一步優(yōu)化大石墨盤(pán)背面圓柱形凹槽的大小，可以調(diào)整小石墨盤(pán)中心片的溫度，以進(jìn)一步提聞外延片質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0010]如圖1所示本實(shí)用新型包括大石墨盤(pán)101和小石墨盤(pán)105，在生產(chǎn)時(shí)大石墨盤(pán)101下方布置有加熱單元100。
[0011]在大石墨盤(pán)101上設(shè)有供載氣的若干通氣小孔102，在通孔小孔102中心處設(shè)置一個(gè)連接栓103，在小石墨盤(pán)105中心的背部設(shè)置與連接栓103適配的支撐凹槽104，小石墨盤(pán)105通過(guò)支撐凹槽104和連接栓103的配合布置在大石墨盤(pán)101的上方。
[0012]在小石墨盤(pán)105上設(shè)置有中心片槽106和邊緣片槽107。
[0013]在大石墨盤(pán)101背面開(kāi)設(shè)一個(gè)圓柱形凹槽108,凹槽108和連接栓103布置在同一軸線上。凹槽108的直徑d為10?10000微米，深度h為10?10000微米。
【權(quán)利要求】
1.一種提高M(jìn)OCVD外延片均勻性的石墨盤(pán)，包括大石墨盤(pán)和小石墨盤(pán)，在大石墨盤(pán)上設(shè)有通氣小孔和連接栓，在小石墨盤(pán)中心的背部設(shè)置與連接栓適配的支撐凹槽，所述小石墨盤(pán)通過(guò)支撐凹槽和連接栓的配合布置在大石墨盤(pán)上方；在小石墨盤(pán)上設(shè)置有中心片槽和邊緣片槽；其特征在于在大石墨盤(pán)背面開(kāi)設(shè)圓柱形凹槽，所述凹槽和連接栓布置在同一軸線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述石墨盤(pán)，其特征在于所述凹槽的直徑為10?10000微米，深度為10?10000微米。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK203582971SQ201320747890
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月25日
【發(fā)明者】李盼盼, 李鴻漸, 李志聰, 孫一軍, 王國(guó)宏 申請(qǐng)人:揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司