一種蒸鍍用掩模板及掩膜組件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種蒸鍍用掩模板，包括掩模板本體及形成在掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30～60°夾角。利用本實(shí)用新型提供的蒸鍍用掩模板在蒸鍍過(guò)程中可以地減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過(guò)程中不存在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻，從而提高蒸鍍質(zhì)量。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種蒸鍍用掩模板及掩膜組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種蒸鍍用掩模板，具體涉及一種OLED蒸鍍用的掩模板。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來(lái)20年成長(zhǎng)最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]OLED結(jié)構(gòu)中的有機(jī)層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)通過(guò)雙面蝕刻工藝制作掩模板，掩模板蒸鍍孔的截面示意圖如圖1所示，I為掩模板的ITO面(即與ITO沉積基板接觸的一面)，2為掩模板的蒸鍍面(即面向蒸鍍?cè)吹囊幻?，11為掩模板的蒸鍍孔，蒸鍍孔11的截面為葫蘆狀，蒸鍍孔11有效沉積孔徑的尺寸L的大小不好控制，導(dǎo)致蒸鍍孔的精度不高，而且蒸鍍孔的尺寸很難做到更小，同時(shí)利用雙面蝕刻制作的掩模板在蒸鍍過(guò)程中ITO面的蒸鍍孔12 (掩模板的死角)處形成蒸鍍層的死角，導(dǎo)致蒸鍍層厚度不均，影響蒸鍍質(zhì)量。
[0004]本實(shí)用新型主要是針對(duì)以上問(wèn)題提出一種蒸鍍用掩模板，較好的解決以上所述問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種蒸鍍用掩模板，減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過(guò)程中不存在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻，從而提高蒸
鍍質(zhì)量。
[0006]本實(shí)用新型提供了一種蒸鍍用掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0007]進(jìn)一步地，蒸鍍用掩模板的厚度為8?80 μ m。
[0008]進(jìn)一步地，蒸鍍用掩模板的厚度為15?50 μ m。
[0009]進(jìn)一步地，蒸鍍用掩模板的厚度為25?35 μ m。
[0010]優(yōu)選地，蒸鍍用掩模板的厚度為30 μ m。
[0011]進(jìn)一步地，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30?60°夾角。
[0012]進(jìn)一步地，蒸鍍孔以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體上，與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
[0013]進(jìn)一步地，蒸鍍用掩模板通過(guò)電鑄方式制備。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種掩模組件，包括掩?？蚝蜕鲜鏊龅恼翦冇醚谀０?，其特征在于，所述蒸鍍用掩模板固定于所述掩?？蛏?。[0015]進(jìn)一步地，掩模板通過(guò)激光焊接或粘接方式固定于所述掩?？蛏稀?br> [0016]本實(shí)用新型的有益效果在于，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30?60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過(guò)程中不存在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻。
[0017]本實(shí)用新型附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0019]圖1所示為傳統(tǒng)雙面蝕刻制作掩模板蒸鍍孔的截面示意圖；
[0020]圖2所示為掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3所示為圖2中沿A-A方向的截面示意圖；
[0022]圖4所示為圖3中30部分放大示意圖；
[0023]圖5所示為掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6所示為圖5中50部分放大示意圖；
[0025]圖7所示為圖5中50部分放大示意圖；
[0026]圖8所示為圖6和圖7中蒸鍍孔的截面放大示意圖；
[0027]圖9所示為掩模組件平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖10所示為蒸鍍截面示意圖；
[0029]圖11所示為芯模貼膜后的截面示意圖；
[0030]圖12所示為曝光截面示意圖；
[0031]圖13所示為顯影后的截面示意圖；
[0032]圖14所示為第一次電鑄后的截面示意圖；
[0033]圖15所示為第二次電鑄后的截面示意圖；
[0034]圖16所示為將第二次電鑄的電鑄層剝離的截面示意圖；
[0035]圖17所示為圖16中160部分的放大示意圖。
[0036]圖1中，I為ITO面，2為蒸鍍面，11為掩模板的蒸鍍孔，12為掩模板的死角，L為蒸鍍孔有效沉積孔徑的尺寸；
[0037]圖2中，20為掩模板本體，21為蒸鍍孔，22為蒸鍍用掩模板，A-A為待解剖觀測(cè)方向；
[0038]圖3中，3為ITO面，4為蒸鍍面，30為待放大觀測(cè)部分；
[0039]圖4中，Θ為蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角；
[0040]圖5中，50為待放大觀測(cè)部分，51為掩模圖案；
[0041]圖6中，B-B為待解剖觀測(cè)方向；
[0042]圖7中，C-C為待解剖觀測(cè)方向；
[0043]圖9中，90為掩?？颍?br> [0044]圖10中，101為沉積基板，102為支撐架，103為蒸鍍?cè)矗?br> [0045]圖11中，110為膜，111為芯模；[0046]圖12中，120為曝光后的膜；
[0047]圖13中，130為顯影后露出的芯模區(qū)域；
[0048]圖14中，140為第一次電鑄的電鑄層；
[0049]圖16中，160為待放大觀測(cè)部分。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面將參照附圖來(lái)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0051]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，參考圖2?圖8所示，本實(shí)用新型提供的蒸鍍用掩模板22包括掩模板本體20及形成在掩模板本體上的蒸鍍孔21，所述蒸鍍孔21貫穿掩模板本體，在蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0052]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，參考圖2?圖4所示為大尺寸蒸鍍孔的蒸鍍用掩模板，圖2所示為蒸鍍用掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，蒸鍍用掩模板22包括掩模板本體20和蒸鍍孔21，圖3所示為圖2中沿A-A方向截面示意圖，圖3中3為ITO面，4為蒸鍍面，30部分放大示意圖如圖4所示，在蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，圖4中Θ為蒸鍍孔21的孔壁與掩模板本體20的板面的夾角，Θ角的范圍為30°?60°。圖2中蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，蒸鍍孔21與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
[0053]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，參考圖5?圖8所示為小尺寸蒸鍍孔的蒸鍍用掩模板，圖5所示為蒸鍍用掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，蒸鍍用掩模板22包括掩模板本體20，掩模板本體20上設(shè)有掩模圖案51，掩模圖案51內(nèi)設(shè)有以陣列方式設(shè)置的蒸鍍孔21。
[0054]圖6所不為圖5中50部分掩模圖案ITO面一種結(jié)構(gòu)的放大不意圖，圖6中蒸鍍孔21為小開(kāi)口以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，圖6中沿B-B方向的截面放大示意圖如圖8所示。
[0055]圖7所示為圖5中掩模圖案ITO面的另一種結(jié)構(gòu)的放大示意圖，圖7中蒸鍍孔21為長(zhǎng)條狀的開(kāi)口，沿C-C方向的截面放大示意圖如圖8所示。
[0056]如圖8所示為圖6和圖7中所示蒸鍍孔截面放大示意圖,在蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，Θ為蒸鍍孔21的孔壁與掩模板本體20的板面的夾角，Θ角的范圍為30°?60°。
[0057]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，蒸鍍用掩模板22的厚度為8?80 μ m。
[0058]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，蒸鍍用掩模板22的厚度為15?50 μ m。
[0059]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，蒸鍍用掩模板22的厚度為25?35 μ m。
[0060]優(yōu)選地，蒸鍍用掩模板22的厚度為30 μ m。
[0061]蒸鍍用掩模板22的厚度可以設(shè)置在8?80 μ m范圍以?xún)?nèi)，例如40μπι、35μπι、25 μ m、50 μ m、60 μ m、80 μ m。也可以設(shè)置在8?80 μ m范圍以外，例如90 μ m、100 μ m。
[0062]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，蒸鍍用掩模板通過(guò)電鑄方式制備，通過(guò)電鑄方法制備的掩模板相對(duì)蝕刻工藝制作的掩模板蒸鍍孔的有效沉積孔徑的尺寸比較好控制，蒸鍍用掩模板22的蒸鍍孔21尺寸精度高。
[0063]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，本實(shí)用新型還提供了一種掩模組件，如圖9所示，掩模組件包括掩模框90和上述所述的蒸鍍用掩模板22，蒸鍍用掩模板22固定于掩?？?0上。
[0064]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，蒸鍍用掩模板22通過(guò)激光焊接或粘接方式固定于掩?？?0上。
[0065]參考圖10，為蒸鍍示意圖，掩模組件固定于支撐架102上，將蒸鍍用掩模板22的ITO面貼緊沉積基板101，蒸鍍?cè)?03發(fā)射的有機(jī)材料通過(guò)蒸鍍用掩模板22的蒸鍍孔沉積在基板101上形成預(yù)定的有機(jī)材料層。
[0066]本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種掩模板的制備方法，制備步驟為:芯模貼膜一曝光一顯影一一次電鑄一后處理I —二次電鑄一后處理2，具體步驟如下:
[0067]S1、芯模貼膜:圖11所示為將膜110壓貼或涂覆到芯模111 一面的截面示意圖，所述芯模111在貼膜步驟前經(jīng)過(guò)噴砂、清洗等處理，除去芯模貼膜一面的雜質(zhì)，使芯模貼膜的
一面干凈平整；
[0068]S2、曝光:經(jīng)曝光步驟將預(yù)設(shè)的蒸鍍孔區(qū)域的膜曝光，如圖12所示，120為曝光后的膜(即曝光膜)；
[0069]S3、顯影:圖13所示為顯影截面示意圖，經(jīng)顯影步驟，顯影液與未曝光的膜反應(yīng)，去除未曝光的膜露出芯模 區(qū)域130，曝光膜120繼續(xù)保留；
[0070]S4、一次電鑄:經(jīng)一次電鑄步驟后形成一層電鑄層140,如圖14所不，電鑄層140的厚度與膜110的厚度相當(dāng)，優(yōu)選地，電鑄層140的厚度與膜110的厚度相等；
[0071]S5、后處理1:一次電鑄步驟后，進(jìn)行后處理I步驟，后處理I步驟可以是靜置或烘烤，通過(guò)后處理I步驟可以使兩次電鑄的電鑄層具有一定的結(jié)合力又能夠使二次電鑄的電鑄層從一次電鑄的電鑄層上剝離下來(lái)，通常靜置時(shí)間為5~30min，烘烤時(shí)間根據(jù)具體環(huán)境設(shè)定；
[0072]S6、二次電鑄:圖15所示為第二次電鑄后的截面示意圖，二次電鑄的電鑄層為掩模板的本體20，二次電鑄過(guò)程中掩模板的蒸鍍孔21在曝光膜120處形成，蒸鍍孔21與曝光膜120接觸的一面的面積小于曝光膜120的面積，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
[0073]S7、后處理2:后處理2步驟包括剝離、清洗步驟，經(jīng)剝離步驟將二次電鑄層20從一次電鑄層140上剝離下來(lái)，經(jīng)清洗步驟將二次電鑄層20洗干凈，圖16所示為將第二層電鑄層剝離后的截面示意圖，160的放大部分如圖17所示。
[0074]其中，一次電鑄(S4)和二次電鑄(S6)步驟中電鑄液的濃度參數(shù)如下:
[0075]硫酸鎳220 ~260g/L
[0076]氯化鎳30 ~50g/L
[0077]硼酸40 ~50 g/L
[0078]硫酸亞鐵35~45g/L
[0079]電鑄材料為磁性鎳或鎳基合金材料。鎳基合金材料為鎳鐵合金、鎳鈷合金、鎳鐵鈷合金中的一種。
[0080]電鑄液的添加劑包括:
[0081]穩(wěn)定劑0.5 ~5ml/L[0082]潤(rùn)濕劑0.5 ?5ml/L
[0083]走位劑0.5 ?5ml/L
[0084]通過(guò)本實(shí)用新型所提供的掩模板，在蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，蒸鍍孔21的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀，蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體20的板面呈30?60°夾角，可以減小蒸鍍孔21的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，并且蒸鍍過(guò)程中不在蒸鍍的死角，蒸鍍層的厚度均勻。
[0085]盡管參照本實(shí)用新型的多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本實(shí)用新型原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開(kāi)、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍用掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，其特征在于:在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍孔的邊緣線呈外擴(kuò)式喇叭狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于所述蒸鍍用掩模板的厚度為8?80 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于所述蒸鍍用掩模板的厚度為15?50 μ m0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于所述蒸鍍用掩模板的厚度為25?35 μ m0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于所述蒸鍍用掩模板的厚度為30 μ m0
6.根據(jù)權(quán)利要求2、3、4或5所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30°?60°夾角。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于，所述蒸鍍孔以陣列的方式設(shè)置在所述掩模板本體上，與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于，所述蒸鍍用掩模板通過(guò)電鑄方式制備。
9.一種掩模組件,包括掩?？蚝蜋?quán)利要求1?8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的蒸鍍用掩模板，其特征在于，所述蒸鍍用掩模板固定于所述掩?？蛏?。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模組件，其特征在于，所述蒸鍍用掩模板通過(guò)激光焊接或粘接方式固定于所述掩?？蛏?。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK203569176SQ201320617777
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 魏志浩, 汪行 申請(qǐng)人:昆山允升吉光電科技有限公司