去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法
【專利摘要】本發(fā)明為去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法，步驟S1：利用第j-1次和第j次拋光后光學(xué)元件面形數(shù)據(jù)的功率譜密度函數(shù)PSDj-1、PSDj，構(gòu)建出平滑譜函數(shù)H模型即去除函數(shù)歸一化后的傅里葉變換；步驟S2：將平滑譜函數(shù)H兩端同時(shí)乘以得到關(guān)系式(2)：步驟S3：對(duì)關(guān)系式(2)進(jìn)行m項(xiàng)求和相加運(yùn)算，構(gòu)建出第m次拋光工藝的誤差抑制能力計(jì)算模型HModified；步驟S4：對(duì)n次拋光中的誤差抑制能力計(jì)算模型進(jìn)行取平均值計(jì)算，構(gòu)建計(jì)算機(jī)控制表面成形拋光中去除函數(shù)在確定拋光條件下對(duì)不同頻段誤差抑制能力HTIF模型。
【專利說(shuō)明】去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于先進(jìn)光學(xué)制造領(lǐng)域，具體涉及的是去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法。
【背景技術(shù)】[0002]在強(qiáng)激光和高精度光學(xué)系統(tǒng)中不同頻段的制造誤差對(duì)光學(xué)元件性能的影響越來(lái)越受到關(guān)注，低頻誤差使成像系統(tǒng)的像扭曲變形，引入各種像差；中頻誤差使光線發(fā)生小角度散射，從而使成像產(chǎn)生耀斑，影響像的對(duì)比度；高頻誤差使光線發(fā)生大角度散射，降低鏡面的反射率；因此分頻段控制這些表面制造誤差顯得相當(dāng)重要。對(duì)于低頻誤差，通過(guò)控制局部區(qū)域的駐留時(shí)間比較容易消除，然而對(duì)于小尺度中高頻誤差卻難以通過(guò)上述方法消除。研究評(píng)價(jià)和消除CCOS技術(shù)帶來(lái)的中高頻誤差的相關(guān)方法成為光學(xué)加工的難點(diǎn)和熱點(diǎn)。
[0003]平滑譜函數(shù)是中國(guó)專利號(hào)“201310315171.9” “CC0S拋光工藝抑制不同頻段誤差能力的評(píng)價(jià)方法”提出的一種評(píng)價(jià)CCOS拋光工藝對(duì)不同頻段誤差抑制能力的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決現(xiàn)有的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明基于平滑譜函數(shù)H構(gòu)建計(jì)算CCOS拋光工藝誤差抑制能力的改進(jìn)的數(shù)學(xué)模型，并提供去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法。
[0005]本發(fā)明去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法，該誤差抑制能力的評(píng)價(jià)步驟如下:
[0006]步驟S1:利用第j_l次和第j次拋光后光學(xué)元件面形數(shù)據(jù)的功率譜密度函數(shù)PSD」+ PSDj,構(gòu)建出平滑譜函數(shù)模型表示為:
[0007]
【權(quán)利要求】
1.一種去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，該誤差抑制能力的評(píng)價(jià)步驟如下: 步驟S1:利用第j-Ι次和第j次拋光后光學(xué)元件面形數(shù)據(jù)的功率譜密度函數(shù)PSDj+PSDp構(gòu)建出平滑譜函數(shù)模型表示為:
2.如權(quán)利要求1所述的去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，還包括計(jì)算所述誤差抑制能力Htif曲線的步驟如下: 步驟S41:使用干涉儀對(duì)光學(xué)元件拋光前的面形誤差進(jìn)行檢測(cè)，獲得面形誤差的數(shù)據(jù)，并計(jì)算拋光前的功率譜密度函數(shù)PSDtl曲線； 步驟S42:對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行η次拋光加工，保持去除函數(shù)的穩(wěn)定及工藝條件不變，利用干涉儀檢測(cè)第η次拋光后光學(xué)元件的面形誤差，并計(jì)算第η次拋光后光學(xué)元件的功率譜密度函數(shù)PSDn曲線，直到第η次拋光后光學(xué)元件的功率譜密度函數(shù)PSDn曲線收斂，獲得η條功率譜密度曲線，分別記為PSD1…PSDj…PSDn ；η為自然數(shù)； 步驟S43:將光學(xué)元件經(jīng)過(guò)η次拋光計(jì)算得到的η條功率譜密度函數(shù)曲線代入所述誤差抑制能力Htif的模型中求解出所述誤差抑制能力Htif曲線； 步驟S44:根據(jù)所述誤差抑制能力Htif曲線值的大小來(lái)評(píng)價(jià)去除函數(shù)在確定拋光條件下的誤差抑制能力的大小，值越大表示誤差抑制能力越強(qiáng)，其中正值表示對(duì)該頻段的誤差有抑制作用，負(fù)值表示會(huì)導(dǎo)致該頻段的面形誤差。
【文檔編號(hào)】B24B49/00GK103567866SQ201310581418
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月19日
【發(fā)明者】王佳, 范斌, 萬(wàn)勇建, 施春燕, 卓彬, 孟凱 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所