一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法，該方法是利用中心設(shè)有孔洞，后端連接有氣囊的乳膠吸盤進(jìn)行取片，取片時，將氣囊中的空氣排出部分后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準(zhǔn)硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內(nèi)的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。采用本發(fā)明，硅片表面的擦痕減少，非倒角硅片崩邊率下降，硅片返工片比例從原來的2%左右下降到了0.5%。
【專利說明】 一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在硅片研磨工藝中，當(dāng)硅片研磨結(jié)束后，硅片吸附在磨盤上，需要將硅片從磨盤中取出，而從磨盤中取片工藝有兩種，一種是將磨盤中的硅片載體行星片取出，然后將硅片用手撫到磨盤邊緣，使硅片部分面積脫離磨盤的接觸，用手直接從脫離接觸的位置抓取硅片，該種工藝優(yōu)點是取片速度快，但是容易造成硅片表面的擦痕以及硅片碰撞產(chǎn)生崩邊；另一種是采用小鏟直接在載體行星片中將硅片鏟取，該種工藝不易上手，要求操作人員技術(shù)嫻熟，如果操作不當(dāng)很容易造成硅片邊緣崩邊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供能夠有效的減少硅片邊緣崩邊和硅片表面的擦痕，降低返工片比例的一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法。
[0004]本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法，其特征在于利用中心設(shè)有孔洞，后端連接有氣囊的乳膠吸盤進(jìn)行取片，取片時，將氣囊中的空氣排出部分后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準(zhǔn)硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內(nèi)的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。
[0005]采用本發(fā)明，硅片表面的擦痕減少，非倒角硅片崩邊率下降，硅片返工片比例從原來的2%左右下降到了 0.5%。
[0006]【具體實施方式】
下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。具體如下:
采用直徑約2?5 cm的乳膠吸盤(根據(jù)硅片直徑選擇相應(yīng)直徑的吸盤)，吸盤中心有孔洞，吸盤后端連接6?10 cm左右長度，直徑I cm左右的乳膠真空氣囊管進(jìn)行取片，取片時，將氣囊管中的空氣排出約1/5后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準(zhǔn)硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內(nèi)的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體研磨硅片取片方法，其特征在于利用中心設(shè)有孔洞，后端連接有氣囊的乳膠吸盤進(jìn)行取片，取片時，將氣囊中的空氣排出部分后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準(zhǔn)硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內(nèi)的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。
【文檔編號】B24B37/34GK103600286SQ201310477685
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年10月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月14日
【發(fā)明者】陳 峰, 汪利峰 申請人:萬向硅峰電子股份有限公司