磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板及其制造方法，該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板為在中心部具有圓孔的圓盤形狀，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板具有內(nèi)周側(cè)面、外周側(cè)面及兩主平面，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的所述兩主平面的至少記錄重放區(qū)域上的平行度為3.2μm以下。
【專利說(shuō)明】磁記錄介質(zhì)用玻璃基板
[0001]本申請(qǐng)為2011年2月I日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮?01110036046.5的、發(fā)明名稱為“磁
記錄介質(zhì)用玻璃基板及其制造方法”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]伴隨著近年的磁盤的高記錄密度化,對(duì)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的要求特性逐年變得嚴(yán)格。為了實(shí)現(xiàn)磁盤的高記錄密度化，逐漸成為使磁頭通過(guò)直到玻璃基板的端部，以有效利用玻璃基板的主平面的面積。為了將大容量的信息向磁盤快速地進(jìn)行記錄重放，也進(jìn)行了使磁盤的轉(zhuǎn)速高速化的討論。
[0004]在使磁頭通過(guò)直到玻璃基板的端部、且使磁盤的轉(zhuǎn)速高速化的情況下，當(dāng)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的形狀(例如板厚分布、端部形狀、平面度等)存在紊亂時(shí)，磁頭的上升姿勢(shì)紊亂，從而有可能產(chǎn)生因磁頭與磁記錄介質(zhì)接觸所產(chǎn)生的障礙。
[0005]作為控制磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的形狀尤其是控制板厚的技術(shù)，提出有將磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的同一玻璃基板面內(nèi)的板厚分布控制成規(guī)定的形狀的玻璃基板(專利文獻(xiàn)I)、減少在同一批次中研磨加工后的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板間的板厚偏差的托架(專利文獻(xiàn)2)。
[0006]然而，專利文獻(xiàn)I所記載的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的板厚分布(以下稱為平行度)是使主平面傾斜成玻璃基板的板厚從中央部朝外側(cè)面變薄的形狀，以防止外部沖擊產(chǎn)生的玻璃基板的破裂為目的，關(guān)于使磁頭的上升姿勢(shì)穩(wěn)定化，而高可靠性地進(jìn)行磁頭向磁盤的記錄重放，并未記載或暗示。而且，也未研究磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度與研磨加工之間的關(guān)系。
[0007]專利文獻(xiàn)2所記載的托架僅對(duì)于使用了軟質(zhì)墊的研磨加工有效，通過(guò)將玻璃基板保持部和齒輪部分別設(shè)計(jì)成不同的材質(zhì)和厚度，抑制玻璃基板向軟質(zhì)墊下沉，使施加于玻璃基板的研磨加工的載荷不會(huì)不均勻，控制玻璃基板的研磨量，減少同一批次內(nèi)的板厚偏差，但無(wú)法提高研磨加工的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板間的平行度。
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本國(guó)特開(kāi)2006-318583號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本國(guó)特開(kāi)2009-214219號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明目的在于提供一種平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。而且，目的在于提供一種高生產(chǎn)率地研磨平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的玻璃基板的研磨方法及具有該研磨方法的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。
[0011]本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，為在中心部具有圓孔的圓盤形狀，其特征在于，所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板具有內(nèi)周側(cè)面、外周側(cè)面及兩主平面，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的所述兩主平面的至少記錄重放區(qū)域上的平行度為3.2 μ m以下。
[0012]另外，本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，包括:對(duì)具有板形狀的玻璃基板賦予形狀的形狀賦予工序；對(duì)所述玻璃基板的主平面進(jìn)行磨削的磨削工序；對(duì)所述主平面進(jìn)行研磨的研磨工序；對(duì)所述玻璃基板進(jìn)行清洗的清洗工序，所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法的特征在于，所述研磨工序是如下的工序:在雙面研磨裝置的上平臺(tái)的研磨面與下平臺(tái)的研磨面之間配置對(duì)具有板形狀的玻璃基板進(jìn)行保持的托架，在使上平臺(tái)的研磨面與下平臺(tái)的研磨面相互按壓于玻璃基板的兩主平面的狀態(tài)下，向玻璃基板的主平面供給研磨液，并且使玻璃基板與研磨面相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)玻璃基板的兩主平面同時(shí)進(jìn)行研磨，所述上平臺(tái)及所述下平臺(tái)具有存在內(nèi)周端和外周端的圓盤形狀，設(shè)內(nèi)周端的上平臺(tái)的研磨面與下平臺(tái)的研磨面之間的距離為Din，并設(shè)外周端的上平臺(tái)的研磨面與下平臺(tái)的研磨面之間的距離為Dout時(shí)，對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨之前的雙面研磨裝置的上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀是從Dout減去Din后的AD( =Dout-Din)為-30 μ m?+30 μ m的形狀。
[0013]根據(jù)具有使用了本發(fā)明的研磨方法的研磨工序的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，能夠以高生產(chǎn)率制造板厚的均勻性優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。在本發(fā)明的平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上形成磁性層等薄膜而制造的磁盤在HDD (硬盤驅(qū)動(dòng))試驗(yàn)中，能夠消除或減少因磁頭與磁盤相接觸而產(chǎn)生的障礙。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的立體圖。
[0015]圖2是磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的剖視立體圖。
[0016]圖3A?圖3D是使用激光干涉儀測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度的例子。圖3A是通過(guò)激光干涉儀觀察到的干涉條紋根數(shù)與磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度之間的關(guān)系，圖3B?圖3D是通過(guò)激光干涉儀觀察到的干涉條紋的圖像(干涉條紋根數(shù)為I根、7根、12根的圖像)。
[0017]圖4是雙面研磨裝置的簡(jiǎn)圖。
[0018]圖5是示出上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀測(cè)定位置的簡(jiǎn)圖。
[0019]圖6是示意性地表示在對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨之前雙面研磨裝置的上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀為AD (=Dout-Din) >0時(shí)的形狀的剖視圖。
[0020]圖7是示意性地表示在對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨之前雙面研磨裝置的上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀為AD (=Dout-Din)〈O時(shí)的形狀的剖視圖。
[0021]圖8A?8E是上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀測(cè)定結(jié)果(例I?例5)。
[0022]圖9A?9D是上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀測(cè)定結(jié)果(例6?例9)。
[0023]圖10是表示研磨液溫度與修整水溫度之差(Λ Tsd)和玻璃基板的平行度之間的關(guān)系的坐標(biāo)圖。
[0024]圖11是表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的微小波紋度Wq與平行度之間的關(guān)系的圖形。
[0025]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0026]10:磁記錄介質(zhì)用玻璃基板[0027]101:磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主平面
[0028]102:內(nèi)周側(cè)面
[0029]103:外周側(cè)面
[0030]104:內(nèi)周倒角部
[0031]105:外周倒角部
[0032]Al和A6:磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的外徑側(cè)區(qū)域的板厚
[0033]A2和A5:磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的中間區(qū)域的板厚
[0034]A3和A4:磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的內(nèi)徑側(cè)區(qū)域的板厚
[0035]20:雙面研磨裝置
[0036]30:上平臺(tái)的研磨面
[0037]40:下平臺(tái)的研磨面
[0038]50:托架
[0039]201:上平臺(tái)
[0040]2O2:下平臺(tái)
[0041]203:太陽(yáng)齒輪
[0042]204:內(nèi)齒輪
[0043]X:研磨面的形狀測(cè)定位置
[0044]X2和X3:研磨面30、40的內(nèi)周端
[0045]Xl和X4:研磨面30、40的外周端
[0046]Din:內(nèi)周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離
[0047]Dout:外周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離
[0048]Λ Hl:上平臺(tái)的研磨面30的最大高低差
[0049]ΛΗ2:下平臺(tái)的研磨面40的最大高低差
【具體實(shí)施方式】
[0050]以下，說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的方式，但本發(fā)明并不局限于以下記載的實(shí)施方式。
[0051]首先，圖1不出本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的立體圖，圖2不出剖開(kāi)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10的剖視立體圖。在圖1和圖2中，各標(biāo)號(hào)分別表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主平面101、內(nèi)周側(cè)面102、外周側(cè)面103、內(nèi)周倒角部104、外周倒角部105。圖2中，Al和Α6表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的外徑側(cè)區(qū)域的板厚,Α2和Α5表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的中間區(qū)域的板厚，A3和Α4表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的內(nèi)徑側(cè)區(qū)域的板厚。
[0052]磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度當(dāng)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的各區(qū)域上的板厚(例如Al?Α6)均勻時(shí)優(yōu)良，當(dāng)各區(qū)域上的板厚不均勻(板厚偏差大)時(shí)變差。
[0053]磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度能夠使用千分尺、激光位移計(jì)、激光干涉儀等測(cè)定儀器進(jìn)行測(cè)定。在所述測(cè)定儀器中，激光干涉儀由于以光的波長(zhǎng)為尺度，因此能夠高精度地測(cè)定平行度。而且，由于能夠通過(guò)一次的數(shù)據(jù)獲取來(lái)測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度，因此測(cè)定效率優(yōu)良。因此，作為磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度測(cè)定儀器，優(yōu)選使用激光干涉儀。
[0054]圖3Α?圖3D展示利用本發(fā)明的實(shí)施例中使用的激光干涉儀(FUJIN0N公司制，產(chǎn)品名:平面測(cè)定用斐索(Fizeau)干涉儀，G102)測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度的例子。觀察由從兩主平面反射的反射光的相位差所形成的干涉條紋并對(duì)得到的干涉條紋進(jìn)行解析，從而進(jìn)行磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度的測(cè)定。通過(guò)激光干涉儀觀察到的明暗干涉條紋成為等高線，其間隔由光源的波長(zhǎng)和入射角決定。
[0055]圖3A表示通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例中使用的激光干涉儀觀察到的干涉條紋的根數(shù)與磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度之間的關(guān)系，圖3B?圖3D表示通過(guò)激光干涉儀觀察到的干涉條紋的圖像(干涉條紋根數(shù)為I根、7根、12根的圖像)。觀察到的干涉條紋根數(shù)越少，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度越優(yōu)良。即，意味著測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度的區(qū)域的板厚均勻，玻璃基板面內(nèi)的板厚分布優(yōu)良。
[0056]觀察到的干涉條紋根數(shù)為一根時(shí)，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度為0.32 μ m，測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度的區(qū)域的板厚分布形成為
0.32 μ m以下。平行度為3.2 μ m以下的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的干涉條紋根數(shù)為10根以下。
[0057]在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上形成磁性層等的薄膜而制造的磁盤的HDD (硬盤驅(qū)動(dòng))試驗(yàn)結(jié)果如表I所示。外徑側(cè)區(qū)域上的微小波紋度Wq超過(guò)0.52nm時(shí)，磁頭的上升姿勢(shì)紊舌L磁頭與磁記錄介質(zhì)接觸而產(chǎn)生障礙。外徑側(cè)區(qū)域上的微小波紋度Wq的值越小，磁頭的上升姿勢(shì)越穩(wěn)定。
[0058]在本發(fā)明中，微小波紋度Wq是使用光散射方式表面觀察儀測(cè)定的、具有40μ m?5000 μ m之間的周期的微小波紋度。使波長(zhǎng)405nm的激光以60°的角度入射到測(cè)定對(duì)象物的表面，檢測(cè)來(lái)自測(cè)定對(duì)象物的反射光，得到主平面的高度信息而測(cè)定微小波紋度Wq。測(cè)定區(qū)域以1.0mm的寬度在沿圓周方向一周的區(qū)域進(jìn)行。測(cè)定區(qū)域的圓周方向的位置(距離磁記錄介質(zhì)用玻璃基板中心的位置)能夠任意選擇。
[0059]本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度與外徑側(cè)區(qū)域上的微小波紋度Wq之間的存在相關(guān)關(guān)系。圖11示出研究了磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度與微小波紋度Wq之間的關(guān)系的結(jié)果。為了得到外徑側(cè)區(qū)域的微小波紋度Wq為0.52nm以下的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度為3.2 μ m以下。磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度優(yōu)選為3.0 μ m以下，更優(yōu)選2.8 μ m以下，特別優(yōu)選2.5μπι以下。
[0060]通常，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板及磁盤的制造工序包含以下的工序。(I)將通過(guò)浮法法或沖壓成形法成形的玻璃坯料基板加工成圓盤形狀后，對(duì)內(nèi)周側(cè)面和外周側(cè)面進(jìn)行倒角加工，制作玻璃基板。(2)對(duì)玻璃基板的上下主平面進(jìn)行磨削(lapping)加工。(3)對(duì)玻璃基板的側(cè)面部和倒角部進(jìn)行端面研磨。(4)對(duì)玻璃基板的上下主平面進(jìn)行研磨。研磨工序可以僅進(jìn)行一次研磨，也可以進(jìn)行一次研磨和二次研磨，還可以在二次研磨后進(jìn)行三次研磨。(5)進(jìn)行玻璃基板的精密清洗，制造磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。(6)在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上形成磁性層等薄膜，制造磁盤。
[0061]此外，在上述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板及磁盤的制造工序中，也可以在各工序間實(shí)施玻璃基板清洗(工序間清洗)或玻璃基板表面的蝕刻(工序間蝕刻)。此外，在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板需要高機(jī)械強(qiáng)度時(shí)，也可以在研磨工序前或研磨工序后或研磨工序間實(shí)施在玻璃基板的表層形成強(qiáng)化層的強(qiáng)化工序(例如化學(xué)強(qiáng)化工序)。[0062]在本發(fā)明中，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板可以是非結(jié)晶玻璃，也可以是結(jié)晶玻璃，還可以是在玻璃基板的表層具有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃(例如化學(xué)強(qiáng)化玻璃)。而且，本發(fā)明的玻璃基板的玻璃坯料基板可以通過(guò)浮法法制造，也可以通過(guò)沖壓成形法制造。
[0063]本發(fā)明關(guān)于(4)對(duì)玻璃基板的上下主平面進(jìn)行研磨的工序，涉及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的研磨加工。
[0064]圖4是雙面研磨裝置20的簡(jiǎn)圖。在圖4中，10表示磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，30表示上平臺(tái)的研磨面，40表示下平臺(tái)的研磨面,50表示托架,201表示上平臺(tái)，202表示下平臺(tái)，203表示太陽(yáng)齒輪，204表示內(nèi)齒輪。
[0065]磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10在由托架50的玻璃基板保持部保持的狀態(tài)下，被夾持在上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間，在使上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40相互按壓于玻璃基板的兩主平面的狀態(tài)下，向玻璃基板的兩主平面供給研磨液，并且使玻璃基板和研磨面相對(duì)移動(dòng)，而同時(shí)研磨玻璃基板的兩主平面。
[0066]雙面研磨裝置20通過(guò)分別以規(guī)定的轉(zhuǎn)速比驅(qū)動(dòng)太陽(yáng)齒輪203和內(nèi)齒輪204旋轉(zhuǎn)，而使托架以自轉(zhuǎn)并同時(shí)繞太陽(yáng)齒輪203公轉(zhuǎn)的方式移動(dòng)(行星驅(qū)動(dòng))，并且分別以規(guī)定的轉(zhuǎn)速驅(qū)動(dòng)上平臺(tái)201和下平臺(tái)202旋轉(zhuǎn)，從而研磨玻璃基板。
[0067]在上平臺(tái)201與下平臺(tái)202的玻璃基板相對(duì)向的面上安裝有研磨墊。安裝在上平臺(tái)201和下平臺(tái)202上的研磨墊為了將上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40分別形成為規(guī)定的形狀，而使用修整工具實(shí)施修整處理。通過(guò)向修整工具與研磨墊之間供給修整水，并使修整工具與研磨墊進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，磨削研磨墊的表面(作為上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的面)從而進(jìn)行修整處理。
[0068]實(shí)施了修整處理的研磨墊的表面的形狀、即上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40使用直線度計(jì)、千分表、平尺和間隙計(jì)等進(jìn)行測(cè)定。使用了直線度計(jì)的研磨面的形狀測(cè)定能夠在將上平臺(tái)201或下平臺(tái)202安裝在雙面研磨裝置上的狀態(tài)下進(jìn)行計(jì)測(cè)。
[0069]圖5示出上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀測(cè)定位置。使直線度計(jì)的測(cè)定元件以通過(guò)研磨面30、40的內(nèi)周端(X2、X3)和外周端(X1、X4)的方式掃描而進(jìn)行形狀測(cè)定。
[0070]在研磨玻璃基板之前上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀的示意性形狀剖視圖如圖6和圖7所示，在圖6和圖7中，Din表示內(nèi)周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離，Dout表示外周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離，Λ Hl表示上平臺(tái)的研磨面30的最大高低差，ΔΗ2表示下平臺(tái)的研磨面40的最大高低差。內(nèi)周端(Χ2、Χ3)高于外周端(XI和Χ4)時(shí)，最大高低差Λ H為正值，內(nèi)周端(Χ2、Χ3)低于外周端(XI和Χ4)時(shí)，最大高低差Λ H為負(fù)值。
[0071]設(shè)內(nèi)周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離為Din，并設(shè)外周端的上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間的距離為Dout時(shí)，通過(guò)從下平臺(tái)的研磨面40的最大高低差Λ H2減去上平臺(tái)的研磨面30的最大高低差Λ Hl來(lái)求出從Dout減去Din 后的 AD (=Dout-Din), Δ D=Dout-Din= Δ Η2-Δ Hl。
[0072]圖6是示意性地示出AD (=Dout-Din) >0時(shí)的研磨面的形狀的剖視圖，是上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)較強(qiáng)接觸的內(nèi)接觸狀態(tài)的研磨面形狀。圖7是示意性地示出AD (=Dout-DinXO時(shí)的研磨面的形狀的剖視圖，是上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)較強(qiáng)接觸的外接觸狀態(tài)的研磨面形狀。
[0073]使用直線度計(jì)測(cè)定的上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀測(cè)定結(jié)果如圖8A-8E和圖9A-9D所示(本發(fā)明的實(shí)施例)。在圖8A-8E和圖9A-9D中，上段的分布圖是上平臺(tái)的研磨面30的形狀測(cè)定結(jié)果，下段的分布圖是下平臺(tái)的研磨面40的形狀測(cè)定結(jié)果。根據(jù)研磨面的形狀測(cè)定結(jié)果，求出以外周端(XI和X4)為基準(zhǔn)點(diǎn)的最高高度(Hmax)和最低高度(Hmin),算出最大高低差ΔΗ (=Hmax-Hmin)?
[0074]使用圖8A (例1)，進(jìn)一步說(shuō)明研磨面的形狀測(cè)定結(jié)果。在例I中，上平臺(tái)的研磨面30的最高高度(Hmax)為+49.2 μ m,最低高度(Hmin)為-0.1 μ m,因此上平臺(tái)的研磨面30的最大高低差ΔΗ1 (=Hmax-Hmin)為+49.3 μ m。在例I中，下平臺(tái)的研磨面40的最高高度(Hmax)為+73.2 μ m,最低高度(Hmin)為-1.2 μ m,因此下平臺(tái)的研磨面40的最大高低差 ΛΗ2 (=Hmax-Hmin)為+74.4 μ m。AD (=Dout-Din= ΛH2-ΛHl)為+25 μ m，圖 8A (例I)的研磨面為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)較強(qiáng)接觸的內(nèi)接觸狀態(tài)(圖6所示的形狀)。
[0075]為了使用雙面研磨裝置20對(duì)玻璃基板進(jìn)行研磨加工并得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀A(yù)D (=Dout-Din)為-30 μ m -+30 μ m。
[0076]AD小于-30 μ m時(shí)(例如為-40 μ m)，由于上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)較強(qiáng)接觸，因此對(duì)玻璃基板的研磨加工的壓力在研磨面的外周端側(cè)變高。而且，研磨的玻璃基板的周向速度在研磨面的外周端側(cè)比內(nèi)周端側(cè)快。因此，研磨加工的玻璃基板的研磨量在通過(guò)研磨面的外周端側(cè)時(shí)增多，同一玻璃基板面內(nèi)的研磨量或在同一批次內(nèi)研磨的玻璃基板間的研磨量產(chǎn)生偏差，從而難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0077]ΛD超過(guò)+30 μ m時(shí)，上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)過(guò)強(qiáng)地接觸，無(wú)法穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)上平臺(tái)201和下平臺(tái)202旋轉(zhuǎn)，而研磨加工的壓力無(wú)法均勻地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量產(chǎn)生偏差，難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0078]ΔD (=Dout-Din)優(yōu)選為-25 μ m -+25 μ m,更優(yōu)選-23 μ m -+23 μ m,特別優(yōu)選-10 μ m -+20 μ m。
[0079]向修整工具與研磨面30、40之間供給修整水，并使修整工具與研磨面30、40進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，磨削研磨面30、40，從而進(jìn)行修整處理。通過(guò)調(diào)整修整水的溫度Td與上平臺(tái)201的溫度Tp之間的溫度差A(yù)Tpd (Tp-Td)，而能夠?qū)⑸掀脚_(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40的形狀形成為規(guī)定的形狀。在本說(shuō)明書(shū)中，只要未特別說(shuō)明，上平臺(tái)201和下平臺(tái)202就被控制成相同溫度。
[0080]修整水的溫度Td低于上平臺(tái)201的溫度Tp時(shí)，上平臺(tái)201在上平臺(tái)的研磨面?zhèn)仁湛s且下平臺(tái)202在下平臺(tái)的研磨面?zhèn)仁湛s，因此進(jìn)行修整處理時(shí)上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)較強(qiáng)接觸的外接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖7所示的形狀)。使研磨面為外接觸狀態(tài)而進(jìn)行修整處理時(shí)，研磨面的外周端側(cè)被磨削較多，在實(shí)施了修整處理后，上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀形成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)較強(qiáng)接觸的內(nèi)接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖6所示的形狀)。[0081]修整水的溫度Td高于上平臺(tái)201的溫度Tp時(shí)，上平臺(tái)201在上平臺(tái)的研磨面?zhèn)扰蛎浨蚁缕脚_(tái)202在下平臺(tái)的研磨面?zhèn)扰蛎?，因此進(jìn)行修整處理時(shí)的上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)較強(qiáng)接觸的內(nèi)接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖6所示的形狀)。使研磨面為內(nèi)接觸狀態(tài)而進(jìn)行修整處理時(shí)，研磨面的內(nèi)周端側(cè)被磨削較多，在實(shí)施了修整處理后，上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀形成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)較強(qiáng)接觸的外接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖7所示的形狀)。
[0082]為了將上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀A(yù)D (=Dout-Din)形成為-30μπι ?+30μπι，而優(yōu)選使 ATpd (=Tp-Td)為 _3°C ?+5°C。
[0083]在Λ Tpd (=Tp-Td)小于_3°C (例如_6°C )的溫度下進(jìn)行修整處理時(shí)，形成的上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀有可能成為AD (=Dout-Din)超過(guò)+30 μ m的研磨面形狀，上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)過(guò)強(qiáng)地接觸，無(wú)法穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)上平臺(tái)201和下平臺(tái)202旋轉(zhuǎn)，無(wú)法使研磨加工的壓力均勻地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量產(chǎn)生偏差，有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0084]在ATpd (=Tp-Td)超過(guò)+5°C的狀態(tài)下進(jìn)行修整處理時(shí)，形成的上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀成為AD (=Dout-Din)小于-30 μ m的研磨面形狀，由于上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)過(guò)強(qiáng)地接觸而使對(duì)玻璃基板的研磨加工的壓力在外周端側(cè)升高、研磨的玻璃基板的周向速度在外周端側(cè)比內(nèi)周端側(cè)快等理由，所以研磨加工的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板在通過(guò)外周端側(cè)時(shí)研磨量增多，同一玻璃基板面內(nèi)的研磨量或在同一批次內(nèi)研磨的玻璃基板間的研磨量產(chǎn)生偏差，從而有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0085]修整水的溫度Td與上平臺(tái)201的溫度Tp之間的溫度差A(yù)Tpd (=Tp-Td)優(yōu)選為-3V?+5 V，特別優(yōu)選-2 V?+4°C。
[0086]通過(guò)修整處理，在將上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀分別形成為規(guī)定的形狀后，進(jìn)行玻璃基板的研磨加工。
[0087]磁記錄介質(zhì)用玻璃基板10在由托架50的玻璃基板保持部保持的狀態(tài)下，被夾持在上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40之間，在使上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40相互按壓于玻璃基板的兩主平面的狀態(tài)下，向玻璃基板的兩主平面供給研磨液，并且使玻璃基板和研磨面相對(duì)移動(dòng)，而同時(shí)研磨玻璃基板的兩主平面。
[0088]通過(guò)調(diào)整向玻璃基板的兩主平面供給的研磨液的溫度Ts與上平臺(tái)201的溫度Tp之間的溫度差A(yù)Tsp(=Ts-Tp)，而能夠控制研磨加工玻璃基板時(shí)的上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀。
[0089]研磨液的溫度Ts低于上平臺(tái)201的溫度Tp時(shí)，上平臺(tái)201在上平臺(tái)的研磨面?zhèn)仁湛s且下平臺(tái)202在下平臺(tái)的研磨面?zhèn)仁湛s，因此在研磨加工玻璃基板時(shí)上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)較強(qiáng)接觸的外接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖7所示的形狀)。
[0090]研磨液的溫度Ts高于上平臺(tái)201的溫度Tp時(shí)，上平臺(tái)201在上平臺(tái)的研磨面?zhèn)扰蛎浨蚁缕脚_(tái)202在下平臺(tái)的研磨面?zhèn)扰蛎?，因此研磨加工玻璃基板時(shí)上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀成為上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)較強(qiáng)接觸的內(nèi)接觸狀態(tài)的研磨面形狀(圖6所示的形狀)。
[0091]向玻璃基板的兩主平面供給的研磨液的溫度Ts與上平臺(tái)201的溫度Tp之間的溫度差 ATsp (=Ts-Tp)優(yōu)選為-6°C?+10°C。
[0092]在ATsp (=Ts-Tp)小于_6°C (例如-10°C)的溫度下研磨加工玻璃基板時(shí)，由于上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在外周端側(cè)過(guò)強(qiáng)地接觸，因此玻璃基板的研磨量在研磨面的外周端側(cè)增多，同一玻璃基板面內(nèi)的研磨量或在同一批次中研磨加工的玻璃基板之間的研磨量產(chǎn)生偏差，從而有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0093]在ATsp (=Ts-Tp)超過(guò)+10°C的狀態(tài)下研磨加工玻璃基板時(shí)，由于上平臺(tái)的研磨面30與下平臺(tái)的研磨面40在內(nèi)周端側(cè)過(guò)強(qiáng)地接觸，因此無(wú)法穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)上平臺(tái)201和下平臺(tái)202旋轉(zhuǎn)，無(wú)法使研磨加工的壓力均勻地施加于玻璃基板，玻璃基板的研磨量產(chǎn)生偏差，有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0094]向玻璃基板的兩主平面供給的研磨液的溫度Ts與上平臺(tái)201的溫度Tp之間的溫度差A(yù)Tsp (=Ts-Tp)優(yōu)選為-6°C?+10°C，更優(yōu)選_6°C?+8°C，特別優(yōu)選_5°C?+7°C。
[0095]將上平臺(tái)的研磨面30和下平臺(tái)的研磨面40的形狀形成為規(guī)定形狀的修整處理中使用的修整水的溫度Td影響研磨玻璃基板前的研磨面的形狀，玻璃基板的研磨加工中使用的研磨液的溫度Ts影響研磨玻璃基板時(shí)的研磨面的形狀。因此，優(yōu)選將修整水的溫度Td與研磨液的溫度Ts之間的溫度差A(yù)Tsd (=Ts-Td)調(diào)整為規(guī)定的溫度范圍，而研磨玻璃基板。修整水的溫度Td與研磨液的溫度Ts之間的溫度差A(yù)Tsd (=Ts-Td)優(yōu)選為-6°C?+10。。。
[0096]圖10示出研究了修整水的溫度Td與研磨液的溫度Ts的溫度差Λ Tsd和研磨后的玻璃基板的平行度之間的關(guān)系的結(jié)果(實(shí)施例)。ATsd (=Ts-Td)小于_6°C時(shí)，有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。而且，ATsd (=Ts-Td)超過(guò)+10°C時(shí)，有可能難以得到平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。ATsd (=Ts-Td)優(yōu)選為_(kāi)6°C?+10°C，更優(yōu)選-6 V?+8 °C，特別優(yōu)選-5 V?+7 °C。
[0097]根據(jù)具有本發(fā)明的研磨工序的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，能夠高生產(chǎn)率地制造磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度為3.2μπι以下的平行度優(yōu)良的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的兩主平面的平行度為3.2 μ m以下,優(yōu)選3.0 μ m以下，更優(yōu)選2.8 μ m以下，特別優(yōu)選2.5 μ m以下。
[0098]此外，根據(jù)具有本發(fā)明的研磨工序的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，能夠高生產(chǎn)率地制造同一批次中研磨加工的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板之間的平行度的偏差為
1.5 μ m以下的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。同一批次中研磨加工的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板之間的兩主平面的平行度的偏差為1.5 μ m以下，優(yōu)選1.2 μ m以下，更優(yōu)選1.0 μ m以下，特別優(yōu)選0.8 μ m以下。
[0099][實(shí)施例]
[0100]以下列舉實(shí)施例及比較例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并未受此限制。
[0101][磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的調(diào)整]
[0102]為了用于外徑65mm、內(nèi)徑20mm、板厚0.635mm的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板,將通過(guò)浮法法成形的以SiO2為主成分的玻璃基板加工成環(huán)狀圓形玻璃基板(在中央部具有圓孔的圓盤形狀玻璃基板)。[0103]將該環(huán)狀圓形玻璃基板的內(nèi)周側(cè)面和外周側(cè)面進(jìn)行倒角加工以得到倒角寬度
0.15mm、倒角角度45°的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，然后使用氧化鋁磨粒，進(jìn)行玻璃基板上下主平面的磨削，清洗除去磨粒。
[0104]接下來(lái)，使用研磨刷和氧化鈰磨粒對(duì)內(nèi)周側(cè)面和內(nèi)周倒角部進(jìn)行研磨，除去內(nèi)周側(cè)面和內(nèi)周倒角部的傷痕，將內(nèi)周端面研磨加工成鏡面。進(jìn)行了內(nèi)周端面研磨后的玻璃基板通過(guò)使用了堿性洗滌劑的擦洗、浸潰于堿性洗滌劑溶液的狀態(tài)下的超聲波清洗，而清洗除去磨粒。
[0105]使用研磨刷和氧化鈰磨粒對(duì)內(nèi)周端面研磨后的玻璃基板的外周側(cè)面和外周倒角部進(jìn)行研磨，除去外周側(cè)面和外周倒角部的傷痕，將外周端面研磨加工成鏡面。外周端面研磨后的玻璃基板通過(guò)使用了堿性洗滌劑的擦洗、浸潰于堿性洗滌劑溶液的狀態(tài)下的超聲波清洗，而清洗除去磨粒。
[0106][磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的一次-三次研磨]
[0107]端面加工后的玻璃基板使用硬質(zhì)聚氨酯制的研磨墊和含有氧化鈰磨粒的研磨液(以平均粒子直徑、以下簡(jiǎn)稱為平均粒徑約為1.3 μ m的氧化鈰為主要成分的研磨液組成物)作為研磨用具，通過(guò)22B型雙面研磨裝置(Speedfam公司制，產(chǎn)品名:DSM22B-6PV_4MH)或16B型雙面研磨裝置(濱井產(chǎn)業(yè)公司制,產(chǎn)品名:16BF-4M5P)對(duì)上下主平面進(jìn)行一次研磨。主要的研磨加工壓力為85g/cm2，平臺(tái)轉(zhuǎn)速為30rpm (22B型)、45rpm (16B型)，以使研磨量在上下主平面的厚度方向上成為總計(jì)40 μ m的方式設(shè)定研磨時(shí)間而進(jìn)行研磨。研磨后的玻璃基板在清洗除去了氧化鈰后，測(cè)定平行度。
[0108]在一次研磨工序中，安裝在雙面研磨裝置的上平臺(tái)和下平臺(tái)上的研磨墊在研磨玻璃基板之前，使用由含有金剛石磨粒的顆粒構(gòu)成的修整工具進(jìn)行修整處理，形成為規(guī)定的研磨面。實(shí)施了修整處理的研磨墊的研磨面的形狀使用直線度計(jì)公司制，產(chǎn)品名:HSS-1700)進(jìn)行測(cè)定。
[0109]實(shí)施了修整處理后的上平臺(tái)和下平臺(tái)的研磨面的形狀，通過(guò)在研磨面上設(shè)置直線度計(jì)(以沿圖5所示的X線上的方式)，并使直線度計(jì)的測(cè)定元件以通過(guò)研磨面的外周端(XI和X4)和內(nèi)周端(X2和X3)的方式進(jìn)行掃描而測(cè)定。根據(jù)通過(guò)直線度計(jì)測(cè)定到的實(shí)施了修整處理的研磨墊的研磨面的結(jié)果，求出上平臺(tái)的研磨面的最大高低差Δ Hl、下平臺(tái)的研磨面的最大高低差 ΔΗ2、AD ( = ΔΗ2-ΔHl=Dout-DinX
[0110]研磨后的玻璃基板的平行度使用激光干涉儀(FUJIN0N公司制，產(chǎn)品名:G102)進(jìn)行測(cè)定。如圖3A所示，觀察通過(guò)來(lái)自玻璃基板兩主平面的反射光的相位差而形成的干涉條紋根數(shù)，將觀測(cè)到的干涉條紋根數(shù)乘以0.32，算出平行度。平行度的測(cè)定以包含外徑65_、內(nèi)徑20_的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的記錄重放區(qū)域的方式設(shè)定測(cè)定區(qū)域。在本實(shí)施例中，將測(cè)定區(qū)域設(shè)定為距圓盤中心部為10.0mm-32.5mm而進(jìn)行測(cè)定。平行度在通過(guò)22B型雙面研磨裝置進(jìn)行研磨時(shí)，每I批次(180張)抽取6張玻璃基板進(jìn)行測(cè)定，在通過(guò)16B型雙面研磨裝置進(jìn)行研磨時(shí)，每I批次(100張)抽取5張玻璃基板進(jìn)行測(cè)定。
[0111]表I的例I-例5示出通過(guò)具有各研磨面的形狀(Δ Hl、Δ H2、AD)的雙面研磨裝置進(jìn)行了研磨的玻璃基板的平行度的測(cè)定結(jié)果。例2是通過(guò)16Β型雙面研磨裝置研磨了玻璃基板的結(jié)果，除此之外的例1、例3、例4、例5是通過(guò)22Β型雙面研磨裝置研磨了玻璃基板的結(jié)果。在表I中，例I-例4是實(shí)施例，例5是比較例。而且，圖8的例I-例5示出了研磨玻璃基板前的上平臺(tái)的研磨面和下平臺(tái)的研磨面的形狀測(cè)定結(jié)果(直線度計(jì)的分布圖)。
[0112]在表示雙面研磨裝置的研磨面的形狀的AD為-30 μ m?+30 μ m的例I?例4中，玻璃基板的平行度為3.2μπι以下，在同一批次中研磨加工的玻璃基板間的平行度的偏差(最大平行度值與最小平行度值之差)為1.5 μ m以下。
[0113]表3的例6?例9示出在各上平臺(tái)的溫度Tp和修整水的溫度Td下進(jìn)行修整處理時(shí)形成的研磨面的形狀(ΛΗ1、ΛΗ2、AD)。例7是關(guān)于16B型雙面研磨裝置的結(jié)果，此外的例6、例8、例9是關(guān)于22B型雙面研磨裝置的結(jié)果。在表3中，例7和例8是實(shí)施例，例6和例9是比較例。在本實(shí)施例中，修整水的溫度Td是向雙面磨削裝置供給前的修整的溫度。
[0114]在ATpd (=Tp-Td)為_(kāi)3°C?+5°C的例7和例8中，修整處理后的研磨面的形狀Δ D 形成為-30 μ m ?+30 μ m。
[0115]圖10示出將研磨液的溫度Ts與修整水的溫度Td之差A(yù)Tsd (=Ts-Td)設(shè)定為各溫度差，而研磨玻璃基板時(shí)的玻璃基板的平行度。在本實(shí)施例中，研磨液的溫度Ts是向雙面研磨裝置供給前的研磨液的溫度。以使Λ Tsd成為-6°C?+10°C的方式設(shè)定研磨液的溫度Ts，研磨后的玻璃基板的平行度為3.2 μ m以下。
[0116]一次研磨后的玻璃基板使用軟質(zhì)聚氨酯制的研磨墊和含有平均粒徑比上述氧化鈰磨粒小的氧化鈰磨粒的研磨液(以平均粒徑約0.5 μ m的氧化鈰為主要成分的研磨液組成物)作為研磨用具，通過(guò)雙面研磨裝置對(duì)上下主平面進(jìn)行研磨，清洗除去氧化鈰。
[0117]二次研磨后的玻璃基板進(jìn)行精研磨(三次研磨)。使用軟質(zhì)聚氨酯制的研磨墊和含有硅膠的研磨液(以一次粒子的平均粒徑為20?30nm的硅膠為主要成分的研磨液組成物)作為精研磨(三次研磨)的研磨用具，通過(guò)雙面研磨裝置對(duì)上下主平面進(jìn)行研磨加工。
[0118]將進(jìn)行了三次研磨后的玻璃基板浸潰在調(diào)整成與精研磨的研磨液相同的pH后的溶液中，依次進(jìn)行基于堿性洗滌劑的擦洗、浸潰在堿性洗滌劑溶液的狀態(tài)下的超聲波清洗、浸潰在純水中的狀態(tài)下的超聲波清洗，利用異丙醇蒸氣進(jìn)行干燥。
[0119]在對(duì)玻璃基板進(jìn)行了清洗干燥后，測(cè)定磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度。磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度通過(guò)與一次研磨后的玻璃基板相同的方法測(cè)定。對(duì)通過(guò)具有例I?例4的研磨面的形狀的雙面研磨裝置研磨后的玻璃基板進(jìn)行二次研磨、三次研磨而得到的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度為1.5μπι以下，同一批次中研磨加工后的玻璃基板間的平行度的偏差(最大平行度值與最小平行度值之差)為Ι.Ομπι以下。而且，對(duì)圖10所示的以使Λ Tsd成為_(kāi)6°C?+10°C的方式設(shè)定研磨液的溫度Ts而進(jìn)行研磨加工后的玻璃基板進(jìn)行二次研磨、三次研磨而得到的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度為1.5 μ m以下，同一批次中研磨加工后的玻璃基板間的平行度的偏差(最大平行度值與最小平行度值之差)為1.0 μ m以下。
[0120]使用光散射方式表面觀察儀(KLA Tencor公司制，產(chǎn)品名:Candela6100)對(duì)測(cè)定了平行度后的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的微小波紋度Wq進(jìn)行測(cè)定。將微小波紋度Wq的測(cè)定區(qū)域設(shè)定為磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主平面的外徑側(cè)區(qū)域(距圓盤中心部為30.5mm?31.5mm的位置)而進(jìn)行測(cè)定。標(biāo)繪了磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度與外徑側(cè)區(qū)域的微小波紋度Wq的相關(guān)坐標(biāo)圖如圖11所示。平行度超過(guò)3.5μπι時(shí)，外徑側(cè)區(qū)域的微小波紋度Wq超過(guò) 0.52nm。
[0121]在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上形成磁性層等薄膜而制造的磁盤的HDD試驗(yàn)結(jié)果如表I所示。外徑側(cè)區(qū)域上的微小波紋度Wq超過(guò)0.52nm時(shí)，磁頭的上升姿勢(shì)紊亂，磁頭與磁記錄介質(zhì)接觸，產(chǎn)生HDD的障礙。根據(jù)磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度與外徑側(cè)區(qū)域的微小波紋度Wq的相關(guān)坐標(biāo)圖可知，在HDD試驗(yàn)結(jié)果中不產(chǎn)生磁頭障礙的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的平行度為3.2μπι以下。
[0122][表I]
【權(quán)利要求】
1.一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，為在中心部具有圓孔，并具有內(nèi)周側(cè)面、夕卜周側(cè)面及兩主平面的圓盤形狀，其特征在于， 使用雙面研磨裝置來(lái)研磨所述兩主平面，該雙面研磨裝置為具有上平臺(tái)及下平臺(tái)的雙面研磨裝置，所述上平臺(tái)及所述下平臺(tái)為存在內(nèi)周端和外周端的圓盤形狀，在設(shè)所述內(nèi)周端的所述上平臺(tái)的研磨面與所述下平臺(tái)的研磨面之間的距離為Din，并設(shè)所述外周端的所述上平臺(tái)的研磨面與所述下平臺(tái)的研磨面之間的距離為Dout時(shí),從Dout減去Din后的AD(=Dout-Din)為-30 μ m ?+23 μ m, 使用激光干涉儀測(cè)定的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的至少記錄重放區(qū)域上的兩主平面的平行度為0.6 μ m以下，且通過(guò)光散射方式表面觀察儀使用波長(zhǎng)405nm的激光對(duì)所述主平面的外徑側(cè)區(qū)域進(jìn)行測(cè)定的、具有40μηι?5000 μ m之間的周期的微小波紋度為0.4nm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板為非結(jié)晶玻璃基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中， 所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板為在玻璃基板的表層具有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃基板。
【文檔編號(hào)】B24B37/07GK103456321SQ201310347225
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2011年2月1日 優(yōu)先權(quán)日:2010年2月1日
【發(fā)明者】萬(wàn)波和夫, 三代均, 志田德仁, 伊藤正文, 增田裕之, 百瀨徹 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社