專利名稱：選擇性蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與選自玻璃、硅、銅和鎳的基底基材相比優(yōu)先選擇性蝕刻設(shè)于前述基材上的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金的層的方法。
背景技術(shù)：
通常在蝕刻鈦時(shí),使用氫氟酸系的蝕刻液。但，使用氫氟酸系的蝕刻液時(shí)，當(dāng)基底為鎳、玻璃時(shí)，基底也會(huì)被一起蝕刻。
此外,還考慮了在蝕刻鈦時(shí)使用氫氧化鈉溶液的方法,但通過單獨(dú)使用該蝕刻液，鈦幾乎不被蝕刻，此外，即便為了提高蝕刻速度而組合使用過氧化氫，蝕刻速度也非常慢、不實(shí)用。
近年來，作為鈦的蝕刻液，已知使用EDTA作為絡(luò)合劑的方法，具體地說，已知使用含有EDTA和過氧化氫且為堿性的蝕刻液的方法(專利文獻(xiàn)I)。
但，該方法中盡管可選擇性蝕刻析出于鈮酸鋰(LiNbO3)上的鈦，但存在蝕刻速度慢這一問題。此外，該方法有時(shí)會(huì)存在有無法蝕刻的物質(zhì)(金屬)，或者有時(shí)會(huì)因基底基材的種類而對(duì)基底產(chǎn)生影響。例如，由于鈦的蝕刻速度比鎳的蝕刻速度慢，因而基底率先溶解。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:美國專利第4，554，050號(hào)發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明的技術(shù)問題在于，提供以實(shí)用的速度、且與基底基材相比優(yōu)先選擇性蝕刻鈦以及其它金屬的方法。
用于解決問題的方案
本發(fā)明人等為了解決上述技術(shù)問題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，含有特定的絡(luò)合劑且為堿性的蝕刻液能夠與選自玻璃、硅、銅和鎳的基底基材相比優(yōu)先選擇性蝕刻選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金，從而完成了本發(fā)明。
即,本發(fā)明為一種蝕刻方法，其特征在于，將設(shè)于選自玻璃、娃、銅和鎳的基底基材上的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金的層與本質(zhì)上含有I種以上絡(luò)合劑且為堿性的蝕刻液接觸，選擇性蝕刻選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金，前述絡(luò)合劑選自下式(I)和(II)所示的化合物，
權(quán)利要求
1.一種蝕刻方法，其特征在于，將設(shè)于選自玻璃、娃、銅和鎳的基底基材上的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金的層與本質(zhì)上含有I種以上絡(luò)合劑且為堿性的蝕刻液接觸，選擇性蝕刻選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金，所述絡(luò)合劑選自下式(I)和(II)所示的化合物，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，所述蝕刻液還含有氧化劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，所述蝕刻液的pH為11以上。
4.一種設(shè)于選自玻璃、硅、銅和鎳的基底基材上的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金用蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻液本質(zhì)上含有I種以上絡(luò)合劑且為堿性，所述絡(luò)合劑選自下式(I)和(II)所示的化合物
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金用蝕刻液，所述蝕刻液還含有氧化劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的選自鈦、鈮、鎢、鑰、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金用蝕刻液，所述蝕刻液的pH為 11以上。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種選擇性蝕刻方法，其為以實(shí)用的速度、且與基底基材相比優(yōu)先選擇性蝕刻鈦以及其它金屬的方法。該方法為一種蝕刻方法，其特征在于，將設(shè)于選自玻璃、硅、銅和鎳的基底基材上的選自鈦、鈮、鎢、鉬、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金的層與本質(zhì)上含有1種以上絡(luò)合劑且為堿性的蝕刻液接觸，選擇性蝕刻選自鈦、鈮、鎢、鉬、釕、銠、砷、鋁和鎵中的金屬、前述金屬的氧化物、前述金屬的氮化物、氮化硅、氮化鉿、氮化鉭或這些的合金，前述絡(luò)合劑選自下式(I)和(II)所示的化合物。
文檔編號(hào)C23F1/10GK103205259SQ20131007669
公開日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者克里斯托弗·科多尼爾, 鍋島三弘, 熊谷真吾, 高橋直貴 申請(qǐng)人:株式會(huì)社杰希優(yōu)