專利名稱：處理裝置和處理狀態(tài)的確認(rèn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種處理裝置，該處理裝置例如對半導(dǎo)體晶片等的被處理體供給處理氣體進(jìn)行成膜處理等，本發(fā)明還涉及一種處理(process)狀態(tài)的確認(rèn)方法，其用于在該處理裝置中，確認(rèn)處理的狀態(tài)，檢測異?；虮苊猱惓?。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置的制造過程中，對半導(dǎo)體晶片等的被處理體反復(fù)進(jìn)行成膜處理、刻蝕處理、熱處理、改性處理等的各種處理。例如已知,基于CVD(Chemical Vapor Deposition、化學(xué)氣相沉積)法的成膜，該成膜方法中，在半導(dǎo)體晶片的表面形成薄膜時(shí)，在成膜裝置的處理容器內(nèi)配置半導(dǎo)體晶片，將包括原料氣體的處理氣體導(dǎo)入至處理容器內(nèi)，生成反應(yīng)產(chǎn)物，并在半導(dǎo)體晶片的表面使該反應(yīng)產(chǎn)物的薄膜沉積。另外,近年來,也已知所謂ALD (Atomic Layer Deposition、原子層沉積)法的成膜方法，該方法將原料氣體和反應(yīng)氣體交替供給至處理容器內(nèi)，一層一層地形成原子水平或分子水平的厚度的薄膜。該ALD法能夠良好地控制膜質(zhì)量并且高精度地控制膜厚，因此作為向精細(xì)化發(fā)展的半導(dǎo)體裝置的制造方法備受關(guān)注?；贏LD法的成膜中，例如在形成TiN的薄膜時(shí)，通過反復(fù)進(jìn)行如下的i廣iv)的一連的工序，使薄膜沉積。i)向處理容器內(nèi)供給作為原料氣體的例如TiCl4氣體，使TiCl4附著在晶片表面。ii)通過利用N2氣體對處理容器內(nèi)部進(jìn)行吹掃(purge、凈化)，排除殘留的原料氣體。iii)向處理容器內(nèi) 供給作為反應(yīng)氣體的例如NH3氣體，并使其與附著在晶片表面的上述TiCl4反應(yīng)，從而形成一層薄的TiN膜。iv)通過利用N2氣體對處理容器內(nèi)部進(jìn)行吹掃，排除殘留氣體。在ALD法中，如上述的TiN膜的成膜例所示,需要在短時(shí)間內(nèi)間歇性地反復(fù)進(jìn)行包括原料氣體的各種氣體的供給和停止。在ALD裝置中，氣體的供給和停止是通過控制部基于氣體供給方案(recipe)將信號傳送至設(shè)置于將氣體導(dǎo)入至處理容器內(nèi)的氣體供給通路的電磁閥從而使閥門開閉來進(jìn)行的。通過ALD法進(jìn)行成膜處理時(shí)，與通過CVD法進(jìn)行成膜處理相比，閥門的一次的開閉時(shí)間變短，開閉頻率極度增多。這樣，在ALD裝置中，由于閥門的切換速度非常快，于是，存在在已有的控制系統(tǒng)中，難以實(shí)時(shí)監(jiān)測并掌握導(dǎo)入至處理容器內(nèi)的氣體流量、由于氣體導(dǎo)入所致的處理容器內(nèi)的壓力上升等的處理狀態(tài)的問題。關(guān)于基于ALD法的成膜，專利文獻(xiàn)I中提出了一種控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)中設(shè)置有與系統(tǒng)控制計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信并且與被電控制的閥門在動(dòng)作上結(jié)合的可編程邏輯控制器，從而將閥門控制的刷新時(shí)間(refresh time)縮短為10毫秒以下。另外，專利文獻(xiàn)2中提出了一種方法，該方法為，在ALD裝置中，為了測量以脈沖狀供給至處理容器內(nèi)的氣體的變化，利用傳感器檢測氣體流路的壓力或流量、閥門的振動(dòng)等的特性參數(shù)，并作為時(shí)間的函數(shù)進(jìn)行信號表示，由該信號生成曲線的形狀，并對其變化進(jìn)行監(jiān)測。雖然專利文獻(xiàn)I中公開有能夠與閥門的高速的開閉相對應(yīng)的ALD裝置，但是沒有針對迅速掌握導(dǎo)入至處理容器內(nèi)的氣體流量和由于氣體導(dǎo)入所致的處理容器內(nèi)的壓力上升等的處理狀態(tài)的任何討論。專利文獻(xiàn)2中通過特性參數(shù)的變化監(jiān)測處理的狀態(tài)。但是，專利文獻(xiàn)2中，由于對特性參數(shù)進(jìn)行信號表示并對得到的曲線的形狀進(jìn)行監(jiān)測，因此對故障的檢測精度留有疑問，另外，有可能在檢測故障上費(fèi)時(shí)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-329674號公報(bào)(圖1等)專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-286575號公報(bào)(權(quán)利要求等)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明需要解決的課題本發(fā)明的目的在于 ，掌握處理裝置中的處理的狀態(tài)，迅速檢測處理的異常，乃至將異常防患于未然。用于解決課題的技術(shù)方案本發(fā)明的處理裝置的特征在于，包括:收納被處理體的處理容器；氣體供給通路，其與供給至所述處理容器內(nèi)的處理氣體的種類對應(yīng)地設(shè)置于多個(gè)系統(tǒng)；配置于上述多個(gè)系統(tǒng)的各個(gè)氣體供給通路，進(jìn)行上述氣體供給通路的開啟和關(guān)閉的多個(gè)閥門(閥)；測量部，其測量上述氣體供給通路的處理氣體的物理參數(shù)；寄存部，其保存由上述測量部測量到的上述物理參數(shù)；和控制部，其根據(jù)保存于上述寄存部的上述物理參數(shù)的信息，判斷處理的狀態(tài)，其中，上述寄存部設(shè)置于下級的控制單元，該下級的控制單元以能夠與上述控制部進(jìn)行信號的發(fā)送和接收的方式與上述控制部連接并受上述控制部控制，并且對上述控制部與終端器件之間的輸入輸出信號進(jìn)行控制。本發(fā)明的處理裝置，在上述多個(gè)系統(tǒng)的氣體供給通路的一部分或全部還設(shè)置有緩沖罐(緩沖容器)，該緩沖罐作為上述氣體供給通路的一部分設(shè)置在與上述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置，上述測量部為測量上述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的壓力計(jì)，上述物理參數(shù)為上述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的變化的最大值和/或最小值。此時(shí)，上述控制部在上述最大值和/或最小值超過規(guī)定的閾值時(shí)判斷為處理異常。本發(fā)明的處理裝置中，上述測量部為:在上述氣體供給通路中設(shè)置于與上述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置，并對通過該氣體供給通路的氣體流量進(jìn)行測量的流量計(jì)，上述物理參數(shù)為在單位期間內(nèi)由上述流量計(jì)測量出的氣體流量的累計(jì)值。此時(shí)，上述單位期間也可以為對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中的一個(gè)循環(huán)。本發(fā)明的處理裝置也可以為對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD裝置。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其為在處理裝置中對處理的狀態(tài)進(jìn)行判斷的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其中，上述處理裝置包括:收納被處理體的處理容器；氣體供給通路，其與供給至上述處理容器內(nèi)的處理氣體的種類對應(yīng)地設(shè)置于多個(gè)系統(tǒng)；配置于上述多個(gè)系統(tǒng)的各個(gè)氣體供給通路，進(jìn)行上述氣體供給通路的開啟和關(guān)閉的多個(gè)閥門；測量部，其測量上述氣體供給通路中的處理氣體的物理參數(shù)；寄存部，其保存由上述測量部測量到的上述物理參數(shù)；和控制部，其根據(jù)保存于上述寄存部的上述物理參數(shù)的信息，判斷上述處理的狀態(tài)，上述處理狀態(tài)的確認(rèn)方法的特征在于，包括:上述寄存部保存上述物理參數(shù)的步驟；和上述控制部從上述寄存部取得有關(guān)上述物理參數(shù)的信息，對上述處理的狀態(tài)進(jìn)行判斷的步驟，上述寄存部設(shè)置于下級的控制單元，該下級的控制單元以能夠與上述控制部進(jìn)行信號的發(fā)送與接收的方式與上述控制部連接，并受上述控制部控制，并且對上述控制部與終端器件之間的輸入輸出信號進(jìn)行控制。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法中，上述處理裝置也可以在上述多個(gè)系統(tǒng)的氣體供給通路的一部分或全部還設(shè)置有緩沖罐，該緩沖罐作為上述氣體供給通路的一部分設(shè)置在與上述閥門相比位于氣 體供給方向的上游側(cè)的位置，上述測量部為測量上述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的壓力計(jì)，上述物理參數(shù)為上述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的變化的最大值和/或最小值。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法中，上述控制部也可以在上述氣體壓力的變化的最大值和/或最小值超過規(guī)定的閾值時(shí)判斷為處理異常。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法中，上述測量部也可以為:在上述氣體供給通路中設(shè)置于與上述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置，并對通過該氣體供給通路的氣體流量進(jìn)行測量的流量計(jì)，上述物理參數(shù)為在單位期間內(nèi)通過上述流量計(jì)測量出的氣體流量的累計(jì)值。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法中，上述單位期間也可以為:對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中的一個(gè)循環(huán)環(huán)。本發(fā)明的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法也可以在對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中被執(zhí)行。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，基于保存于寄存部(register)的物理參數(shù)的信息，確認(rèn)處理的狀態(tài)，由此能夠迅速檢測處理的異?；?qū)惓７阑加谖慈?。其中上述?jì)數(shù)器寄存部設(shè)置于與控制部以能夠進(jìn)行信號的發(fā)送與接收的方式連接并受其控制的下級的控制單元。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的成膜裝置的概略構(gòu)成的說明圖。圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的包括成膜裝置的基板處理系統(tǒng)的控制系統(tǒng)的概略構(gòu)成的說明圖。圖3是表示模塊控制器的概略構(gòu)成的說明圖。圖4是摘取本發(fā)明的第一實(shí)施方式的包括寄存部的控制系統(tǒng)來表示的說明圖。圖5是說明基于最大值寄存器和最小值寄存器的測量的原理的時(shí)序圖。圖6是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的包括成膜裝置的基板處理系統(tǒng)的控制系統(tǒng)的概略構(gòu)成的說明圖。圖7是摘取本發(fā)明的第二實(shí)施方式的包括寄存部的控制系統(tǒng)來表示的說明圖。圖8是說明基于累計(jì)寄存器的測量的原理的時(shí)序圖。圖9是基于累計(jì)寄存器的累計(jì)原理的說明圖。附圖符號37a、47a、57a、67a......電磁閥，48、58......緩沖罐，48A、58A......壓力計(jì)，39、49、59、
69……CV傳感器，201……終端器件，300……控制部，301……EC、303……CPU (中央運(yùn)算裝置)，305……RAM, 307……硬盤裝置，401……MC (模塊控制器)，411……網(wǎng)絡(luò)，413……I/O模塊，415……I/O板，441……最大值寄存器，443……最小值寄存器，501……用戶界面，503……系統(tǒng)內(nèi)LAN, 505……交換集線器，601……LAN, 603……主計(jì)算機(jī)
具體實(shí)施例方式下面參照附圖 詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。第一實(shí)施方式<成膜裝置的構(gòu)成例>首先，參照圖1說明第一實(shí)施方式所涉及的處理裝置。圖1表示以對例如作為基板的半導(dǎo)體晶片(以下簡記為‘晶片’ )W進(jìn)行基于ALD法的成膜處理的方式構(gòu)成的成膜裝置100的概略的結(jié)構(gòu)例。該成膜裝置100具有氣密地構(gòu)成的大致圓筒狀的處理容器I。處理容器I之中配備有用于水平支承作為被處理體的晶片W的基座(susc印tor) 3?；?被圓筒狀的支承部件5支承。另外，基座3中埋入有無圖示的加熱器，通過對該加熱器供電，將晶片W加熱至規(guī)定的溫度。在處理容器I的頂壁Ia設(shè)置有氣體導(dǎo)入部11。在該氣體導(dǎo)入部11形成有無圖示的氣體排出孔。另外，氣體導(dǎo)入部11上連接有作為氣體供給通路的管道13。管道13為管道31、41、51、61匯合而成，這些管道31、41、51、61各自與供給成膜原料氣體等的氣體供給源20連接。圖1的成膜裝置100表示在晶片W表面通過ALD法形成TiN膜的情況的例子。此時(shí)，氣體供給源20具有作為吹掃氣體(purge gas)源的N2氣體供給源30、作為反應(yīng)氣體源的NH3氣體供給源40、作為原料氣體源的TiCl4氣體供給源50、作為另外的吹掃氣體源的N2氣體供給源60。N2氣體供給源30經(jīng)由管道31、13與氣體導(dǎo)入部11連接。在管道31設(shè)置有閥門33、用于流量控制的MFC (Mass Flow Controller、質(zhì)量流量控制器)35和腔室閥(chambervalve)37。NH3氣體供給源40經(jīng)由管道41、13與氣體導(dǎo)入部11連接。在管道41設(shè)置有閥門43、用于流量控制的MFC (Mass Flow Controller、質(zhì)量流量控制器)45和腔室閥(chambervalve) 47。另外，管道41中，比腔室閥47更靠近NH3氣體供給源40的氣體的供給方向上游側(cè)設(shè)置有緩沖罐48。在緩沖罐48附設(shè)有測量內(nèi)部的壓力的壓力計(jì)48A。TiCl4氣體供給源50經(jīng)由管道51、13與氣體導(dǎo)入部11連接。TiCl4氣體供給源50具有無圖示的汽化器(carbureter)。在管道51設(shè)置有閥門53、用于流量控制的MFC(MassFlow Controller、質(zhì)量流量控制器)55和腔室閥(chamber valve) 57。另外，管道51中，比腔室閥57更靠近TiCl4氣體供給源50的氣體的供給方向上游側(cè)設(shè)置有緩沖罐58。在緩沖罐58附設(shè)有測量內(nèi)部的壓力的壓力計(jì)58A。N2氣體供給源60經(jīng)由管道61、13與氣體導(dǎo)入部11連接。在管道61設(shè)置有閥門63、用于流量控制的MFC (Mass Flow Controller、質(zhì)量流量控制器)65和腔室閥(chambervalve)67。腔室閥37、47、57、67分別為在管道31、41、51、61中設(shè)置于最靠近處理容器I的位置的閥門。通過開放這些腔室閥37、47、57、67，向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入各氣體，并通過關(guān)閉腔室閥37、47、57、67，停止向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入各氣體。腔室閥37、47、57、67全都為能夠快速開閉的電磁閥(solenoid valve)。圖1中為了便于說明，針對各腔室閥37、47、57、67表示作為閥門驅(qū)動(dòng)部的電磁閥(so I eno i d ) 37a、47a、57a、67a。其中，電磁閥37a、47a、57a、67a為腔室閥37、47、57、67的一個(gè)構(gòu)成部分。另外，在各腔室閥37、47、57、67作為傳感部配備有例如包括位置傳感器等的腔室閥傳感器(CV傳感器)39、49、59、69。CV傳感器39、49、59、69分別監(jiān)測被電磁閥37a、47a、57a、67a驅(qū)動(dòng)的各腔室閥37、47、57、67的開閉狀態(tài)。另外，圖1的成膜裝置100中，表示有反應(yīng)氣體、原料氣體以及吹掃氣體的供給源，但是，氣體供給源20也可以具有例如用于清潔(cleaning)處理容器I內(nèi)部的清潔氣體供給源等的其它的氣體源、管道、閥門等。

在處理容器I的底壁Ib形成有排氣口 lc，在該排氣口 Ic經(jīng)由排氣管71連接有排氣裝置70。并且構(gòu)成為，通過使該排氣裝置70運(yùn)行，能夠?qū)⑻幚砣萜鱅內(nèi)部減壓至規(guī)定的
真空度。<控制系統(tǒng)的構(gòu)成例>接著參照圖1、圖2以及圖3說明成膜裝置100中的控制系統(tǒng)的概要。如后所述，成膜裝置100通過模塊控制器(Module Controller:MC)401以能夠在處理容器I內(nèi)進(jìn)行規(guī)定的處理的方式進(jìn)行控制。圖2表示與在包括成膜裝置100的基板處理系統(tǒng)(無圖示)中的控制系統(tǒng)之中進(jìn)行ALD處理的成膜裝置100的控制相關(guān)的部分的概略。由控制部300進(jìn)行基板處理系統(tǒng)中的整體的控制和構(gòu)成作為處理船(process ship)的成膜裝置100的各構(gòu)成部即終端器件201的控制。在此，作為終端器件201能夠舉出，例如圖1所示的成膜裝置100中的腔室閥37、47、57、67 (電磁閥 37a、47a、57a、67a)、MFC35、45、55、65、壓力計(jì) 48A、58A、CV 傳感器 39、49、59、69、排氣裝置70等。如圖2所示，控制部300，作為主要的構(gòu)成，具有:作為以成膜裝置100為首的與基板處理系統(tǒng)的各處理裝置對應(yīng)地進(jìn)行設(shè)置的個(gè)別的控制部的多個(gè)MC401、作為控制基板處理系統(tǒng)整體的總括控制部的EC (Equipment Controller、裝置控制器)301和與EC301連接的用戶界面501。其中，在基板處理系統(tǒng)中，MC401不僅能夠配置于成膜裝置100，也可配置于進(jìn)行其它的處理的處理裝置、負(fù)載鎖定室、加載單元(loader unit),它們也被全面控制于EC301之下，但是，這里省略其圖示和說明。(EC)EC301是全面控制各MC401并控制基板處理系統(tǒng)整體的動(dòng)作的總體控制部。EC301具有CPU (中央運(yùn)算裝置)303、作為易失性存儲(chǔ)器的RAM305和作為存儲(chǔ)部的硬盤裝置307。EC301和各MC401通過系統(tǒng)內(nèi)LAN(Local Area Network、局域網(wǎng))503連接。系統(tǒng)內(nèi)LAN503具有交換集線器(HUB)505。該交換集線器505按照來自EC301的控制信號進(jìn)行作為EC301的連接對象的MC401的切換。另外，EC301經(jīng)由LAN601與作為管理設(shè)置有基板處理系統(tǒng)的工廠整體的制造工序的MES (Manufacturing Execution System、制造執(zhí)行管理系統(tǒng))的主計(jì)算機(jī)(hostcomputer) 603連接。主計(jì)算機(jī)603與控制部300協(xié)作將有關(guān)工廠中的各種工序的實(shí)時(shí)信息反饋至基礎(chǔ)任務(wù)系統(tǒng)(無圖示)，并且考慮工廠整體的載荷等，進(jìn)行有關(guān)工序的判斷。另外，在EC301也連接有用戶界面501。用戶界面501具有工序管理者為了管理基板處理系統(tǒng)而進(jìn)行命令的輸入操作等的鍵盤、將基板處理系統(tǒng)的運(yùn)行狀況進(jìn)行可視化顯示的顯示器、機(jī)械開關(guān)等。EC301能夠?qū)⑿畔⒂涗浽谟?jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)(以下簡記為‘存儲(chǔ)介質(zhì)’)507，并且從存儲(chǔ)介質(zhì)507讀取信息?？刂瞥绦蚝吞幚矸桨?recipe)例如能夠通過將存儲(chǔ)于存儲(chǔ)介質(zhì)507的狀態(tài)安裝在作為存儲(chǔ)部的硬盤裝置307而得以利用。作為存儲(chǔ)介質(zhì)507例如能夠使用CD-ROM (只讀高密度光盤)、硬盤、軟盤、閃存、DVD等。另外，上述方案也能夠從其它的裝置例如經(jīng)由專用線路隨時(shí)傳送，聯(lián)網(wǎng)利用。在EC301，CPU303將在用戶界面501中包括由用戶等指定的關(guān)于晶片W的處理方法的處理方案的程序(軟件)從硬盤裝置307或存儲(chǔ)介質(zhì)507讀出。并且構(gòu)成為，能夠通過從EC301將該程序發(fā)送 至各MC401，由各MC401控制以成膜裝置100為首的處理裝置中的處理。下面，說明成膜裝置100和控制該裝置的MC401的關(guān)系。(MC)MC401作為控制成膜裝置100的動(dòng)作的獨(dú)立的控制部而設(shè)置。如圖3所示，MC401具有CPU403、RAM等的易失性存儲(chǔ)部405、作為1/0信息存儲(chǔ)部的非易失性存儲(chǔ)部407和I/O控制部409。MC401的非易失性存儲(chǔ)部407例如由SRAM、MRAM、EEPR0M、閃存等的非易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成。非易失性存儲(chǔ)部407中，保存有成膜裝置100中的各種歷史信息，例如基座3中的加熱器的交換時(shí)間、排氣裝置70的運(yùn)行時(shí)間等。另外，非易失性存儲(chǔ)部407也作為1/0信息存儲(chǔ)部發(fā)揮作用，如后所述構(gòu)成為，能夠?qū)⒃贛C401和各終端器件201之間交換的各種的1/0信息(特別是數(shù)字.輸出信息DO和模擬.輸出信息A0)即時(shí)寫入非易失性存儲(chǔ)部407而保存。(1/0 模塊)MC401的1/0控制部409對1/0 (輸入輸出)模塊413發(fā)送各種控制信號，或者從I/o模塊413接受有關(guān)各終端器件201的狀態(tài)信息等的信號。基于MC401的各終端器件201的控制是經(jīng)由1/0模塊413進(jìn)行的。1/0模塊413進(jìn)行向各終端器件201的控制信號和從各終端器件201的輸入信號的傳遞。各MC401經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)411分別與1/0模塊413連接。與各MC401連接的網(wǎng)絡(luò)411具有諸如通道(channeI) CHO、CHl、CH2之類的多個(gè)系統(tǒng)。I/O模塊413具有與構(gòu)成成膜裝置100的各終端器件201連接的多個(gè)I/O板415。該I/o板為在MC401的支配下工作的下級的控制單元。在這些I/O板415中進(jìn)行I/O模塊413中的數(shù)字信號、模擬信號以及串行信號的輸入輸出的控制。另外，圖1、圖2中，為了便于說明，作為代表，只表示一些終端器件201 (壓力計(jì)48A、58A)與I/O板415的連接。I/O板415中管理的輸入輸出信息包括數(shù)字 輸入信息D1、數(shù)字-輸出信息D0、模擬_輸入信息Al、模擬-輸出信息AO四種。數(shù)字-輸入信息DI涉及從位于控制系統(tǒng)的下級的各終端器件201向位于控制系統(tǒng)的上級的MC401輸入的數(shù)字信息。數(shù)字-輸出信息DO涉及從位于控制系統(tǒng)的上級的MC401向位于控制系統(tǒng)的下級的各終端器件201輸出的數(shù)字信息。模擬-輸入信息Al涉及從各終端器件201向MC401輸入的模擬信息。數(shù)字-輸出信息AO涉及從MC401向各終端器件201輸出的模擬信息。 數(shù)字-輸入信息DI和模擬-輸入信息Al例如包括有關(guān)各終端器件201的狀態(tài)的信息。數(shù)字-輸出信息DO和模擬-輸出信息AO例如包括有關(guān)對各終端器件201的處理?xiàng)l件等的值的設(shè)定或指令(command、命令)。另外,作為數(shù)字信息,可舉出:各腔室閥37、47、57,67 (電磁閥37a、47a、57a、67a)的開閉、排氣裝置70的0N/0FF (開啟/關(guān)閉)、排氣系統(tǒng)中的閥門(無圖示)的開閉等的信息。另外，作為模擬信息可舉出:基座3中的加熱器(無圖示)的設(shè)定溫度、MFC35、45、55、65中的流量、緩沖罐48、58內(nèi)的壓力等的信息。上述四種輸入輸出信息D1、D0、A1、A0與各自的內(nèi)容對應(yīng)地，賦予有I/O地址。各I/O地址例如包括16位((Γ15)的數(shù)字信息或模擬信息。模擬信息例如以(Tfff的16進(jìn)制數(shù)表示。另外，對各I/o地址分配有I/O地址編號Addr。如上所述，與各MC401連接的網(wǎng)絡(luò)411具有多個(gè)通道例如CHO、CHU CH2……。另外，對各I/O板415分配有從數(shù)字I開始的節(jié)點(diǎn)編號Node。從而，通過通道編號、fn (η為整數(shù))的節(jié)點(diǎn)編號Node和I/O地址編號Addr三種類的參數(shù)，能夠確定四種輸入輸出信號D1、D0、Al、AO的1/0地址。另外，省略有關(guān)各輸入輸出信息的詳細(xì)的 內(nèi)容的圖示和說明。(寄存部)本實(shí)施方式的成膜裝置100中，在1/0板415，作為保存緩沖罐內(nèi)的壓力變化的單元，具有兩個(gè)寄存部。第一個(gè)寄存部為最大值寄存器441，該最大值寄存器441接受作為緩沖罐48、58中的有關(guān)壓力的模擬 輸入信息的來自壓力計(jì)48A、58A的壓力Al信號并保存緩沖罐48、58內(nèi)的氣體壓力的變化中的峰頂?shù)淖畲笾?；第二個(gè)寄存部為最小值寄存器443，該最小值寄存器443接受壓力Al信號并保存緩沖罐48、58內(nèi)的氣體壓力的變化中的谷底的最小值。這兩個(gè)寄存部是利用例如搭載于1/0板415的FPGA (Field Programmable GateArray、現(xiàn)場可編程門陣列)等的固件而設(shè)置的。在后面詳細(xì)說明最大值寄存器441和最小值寄存器443。具有以上的構(gòu)成的控制部300中，與多個(gè)終端器件201連接的1/0板415被模塊化并構(gòu)成I/o模塊413。并且，該1/0模塊413經(jīng)由MC401和交換集線器505與EC301連接。這樣，多個(gè)終端器件201不直接與EC301連接，而是經(jīng)由1/0模塊413和MC401而連接的構(gòu)成，由此實(shí)現(xiàn)控制系統(tǒng)的分層化。另外，在本實(shí)施方式中，采用的構(gòu)成為，維持上述EC301 — MC401 — 1/0模塊413 —終端器件201的控制系統(tǒng)的基本構(gòu)成，并將最大值寄存器441和最小值寄存器443設(shè)置于比MC401更下級的控制單元的1/0板415，并從利用壓力計(jì)48A、58A測量出的有關(guān)緩沖罐48、58的壓力的壓力Al信號，保存壓力的變化中的峰頂和谷底的值。也就是說，使用MC401的下級的控制單元保存緩沖罐48、58中的壓力變化的峰值，使得MC401能夠隨時(shí)讀取該結(jié)果。由此，在成膜裝置100實(shí)施ALD處理的期間，能夠?qū)⒆鳛榫彌_罐48、58中的壓力變化作為指標(biāo)，掌握處理的狀態(tài)。通過利用這樣的多階段的控制系統(tǒng)，優(yōu)點(diǎn)在于，與總是將緩沖罐48、58中的壓力直接發(fā)送至MC401的方法相比，能夠迅速且可靠地確認(rèn)處理的狀態(tài)?！碅LD 處理 >在成膜裝置100中，在基座3載置晶片W的狀態(tài)下，通過無圖示的加熱器加熱晶片W,并且從氣體導(dǎo)入部11向晶片W供給處理氣體，由此，能夠通過ALD法在晶片W的表面上形成規(guī)定的薄膜。例如，在基于TiN膜的ALD法的成膜中，將以下的1)1)的一連的工序(步驟)作為一個(gè)循環(huán)，通過反復(fù)進(jìn)行多個(gè)循環(huán)，能夠使薄膜沉積。一個(gè)循環(huán)的ALD處理:I)開放腔室閥57，從TiCl4氣體供給源50向處理容器I內(nèi)供給作為原料氣體的TiCl4氣體，使TiCl4附著在晶片W表面。2)關(guān)閉腔室閥57， 停止供給TiCl4氣體。3)開放腔室閥67，從凡氣供給源60向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入N2氣體，通過對處理容器I內(nèi)部進(jìn)行吹掃，排除殘留的TiCl4氣體。4)關(guān)閉腔室閥67，停止供給N2氣體。5)開放腔室閥47，從NH3氣體供給源40向處理容器I內(nèi)供給作為反應(yīng)氣體的NH3氣體，使其與附著在晶片W表面的TiCl4反應(yīng)，從而形成一層薄的TiN膜。6)關(guān)閉腔室閥47，停止供給NH3氣體。7)開放腔室閥37，從N2氣體供給源30向處理容器I內(nèi)導(dǎo)入N2氣體，通過對處理容器I內(nèi)部進(jìn)行吹掃，排除殘留的NH3氣體。上述I廣7)的一連的工序中，在腔室閥57關(guān)閉的狀態(tài)中，緩沖罐58內(nèi)被TiCl4氣體充滿，緩沖罐58內(nèi)的壓力升高。利用該壓力的上升，在工序I)開放腔室閥57時(shí)，從導(dǎo)入部11向處理容器I內(nèi)猛烈排出TiCl4氣體。同樣，在腔室閥47關(guān)閉的狀態(tài)下，緩沖罐48內(nèi)部被NH3氣體充滿，緩沖罐48內(nèi)的壓力升高。利用該壓力的上升，在工序5)開放腔室閥47時(shí)，從導(dǎo)入部11向處理容器I內(nèi)猛烈排出NH3氣體。從而，由于腔室閥47、57的開閉，緩沖罐48、58內(nèi)的壓力，反復(fù)發(fā)生較大的高低的變化。緩沖罐48、58內(nèi)的壓力變化例如與管道41,51內(nèi)相比變得非常大，因此，通過將此作為指標(biāo)利用，檢測處理的異常變?nèi)菀?。ALD處理中，由于重復(fù)上述循環(huán)，于是為了進(jìn)行良好的成膜處理，需要正確地在短時(shí)間斷續(xù)地(間歇地)反復(fù)進(jìn)行氣體的供給和停止。從而，在ALD處理中，在短時(shí)間迅速檢測出變化較大的緩沖罐48、58內(nèi)的壓力的異常變得很重要。本實(shí)施方式中，通過在I/O板415上設(shè)置最大值寄存器441和最小值寄存器443，能夠可靠地檢測緩沖罐48、58內(nèi)的壓力的變化，因此，能夠在早期檢測出處理的不良。圖4摘取有關(guān)緩沖罐48內(nèi)的壓力檢測的控制系統(tǒng)的局部來表示。圖5是表示在最大值寄存器441和最小值寄存器443中保存氣體壓力的變化中的最大值和/或最小值的原理的時(shí)序圖。在此，代表性地舉出NH3氣體的例子進(jìn)行說明。在成膜裝置100進(jìn)行ALD處理的期間，從壓力計(jì)48A作為模擬.輸入信息的氨氣壓力Al信號經(jīng)由用于A/D轉(zhuǎn)換的Al電路90傳遞至MC401。I/O板415上的最大值寄存器441接受該氨氣壓力Al信號的一部分，并作為緩沖罐48內(nèi)的壓力變化的最大值保存。另夕卜，I/O板415上的最小值寄存器443接受該氨氣壓力Al信號的一部分，并作為緩沖罐48內(nèi)的壓力變化的最小值保存。圖5的時(shí)序圖以虛線表示緩沖罐48內(nèi)的NH3氣體的壓力變化的峰頂與谷底和最大值寄存器441及最小值寄存器443的對應(yīng)關(guān)系。最大值寄存器441和最小值寄存器443是12位的寄存器，如圖5所示，根據(jù)來自MC401的開始(START) /停止(STOP)指令，開始/停止保存，根據(jù)復(fù)位(RESET)指令進(jìn)行清零。成膜裝置100中，例如能夠與ALD處理的一次的循環(huán)相對應(yīng)地開始/停止基于最大值寄存器441和最小值寄存器443的保存，或者與一個(gè)晶片W的處理的開始/結(jié)束相對應(yīng)地開始/停止，還能夠在預(yù)先設(shè)定的每個(gè)多個(gè)晶片W的處理的期間，繼續(xù)保存。最大值寄存器441和最小值寄存器443的采樣鐘(sampling clock)例如能夠設(shè)為0.1ms?；谧畲笾导拇嫫?41和最小值寄存器443的峰頂和谷底的最大值和最小值的數(shù)據(jù)，以12位的數(shù)據(jù)，向MC401發(fā)送。(判斷方法)通過例如預(yù)先測量ALD處理的一次的循環(huán)中的正常運(yùn)行時(shí)的緩沖罐48內(nèi)的壓力變化的最大值或最小值的數(shù)據(jù)，將實(shí)際運(yùn)行時(shí)觀察的ALD處理的一次的循環(huán)中的緩沖罐48內(nèi)的壓力變化的最大值或最小值與各自的正常運(yùn)行時(shí)的最大值或最小值進(jìn)行比較，使得利用最大值寄存器441和最小值寄存器443來確認(rèn)處理狀態(tài)和判斷異常成為可能。并且，如果實(shí)際運(yùn)行時(shí)的壓力變化的最大值或最小值與正常運(yùn)行時(shí)的壓力變化的最大值或最小值大不相同，則能夠判斷存在出現(xiàn)處理異常的可能性。此時(shí)，也可以預(yù)先從正常運(yùn)行時(shí)的壓力變化的最大值或最小值設(shè)定閾值，并將實(shí)際運(yùn)行時(shí)觀測的壓力變化的最大值或最小值與該閾值進(jìn)行比較。該判斷能夠通過MC401的軟件(處理方案(recipe))進(jìn)行。另外,在上述專利文獻(xiàn)2中，基于壓力等的 特性參數(shù)的檢測結(jié)果生成變化曲線，監(jiān)測曲線的形狀變化。與此相比，本實(shí)施方式中，作為用于間接確認(rèn)處理的狀態(tài)的指標(biāo)，利用緩沖罐48內(nèi)的壓力變化的峰頂和谷底的值，這是因?yàn)?，例如由于與氣體供給機(jī)構(gòu)關(guān)聯(lián)的異常而發(fā)生處理異常時(shí)，緩沖罐48內(nèi)的壓力變化，尤其是，其峰頂和谷底的值變化最大。從而，通過檢測變化的峰頂和谷底的增減，以高的靈敏度，處理的不良在有征兆的階段就能夠被檢測出。在此，‘與氣體供給機(jī)構(gòu)關(guān)聯(lián)的異?！瘻?zhǔn)確地是指NH3氣體供給源40、MFC45、腔室閥47、電磁閥47a、與此相關(guān)的線路、管道41、13等的不良。當(dāng)檢測出處理的異常時(shí)，例如能夠進(jìn)行諸如將其旨意顯示在用戶界面501的顯示器上，或者M(jìn)C401發(fā)送中止成膜裝置100中的ALD處理的控制信號的處理。也能夠在ALD處理中讀取基于MC401的壓力變化的最大值或最小值，能夠?qū)崟r(shí)檢測處理異常。以上，以緩沖罐48為例進(jìn)行了說明，但是，對緩沖罐58，也能夠通過利用最大值寄存器441和最小值寄存器443監(jiān)測利用壓力計(jì)58A測量的緩沖罐58內(nèi)的壓力的變化，來同樣地進(jìn)行處理狀態(tài)的確認(rèn)和異常的檢測。另外，當(dāng)在管道31、61設(shè)置有緩沖罐時(shí)，能夠利用最大值寄存器441和最小值寄存器443同樣地進(jìn)行處理狀態(tài)的確認(rèn)和異常的檢測。如上所述，本實(shí)施方式的成膜裝置100中，作為控制MC401和終端器件201之間的輸入輸出信號并且在屬于MC401的下級的控制單元的I/O板415內(nèi)，設(shè)置有與緩沖罐48、58內(nèi)的壓力變化相關(guān)的最大值寄存器441和最小值寄存器443。并且，利用這些最大值寄存器441和最小值寄存器443取得的緩沖罐48、58內(nèi)的壓力變化的最大值和/或最小值，確認(rèn)處理的狀態(tài)，能夠可靠地檢測處理異常。其次，在有關(guān)處理氣體的很多物理參數(shù)之中，通過利用取得發(fā)生顯著的壓力變化的緩沖罐48、58內(nèi)的壓力的最大值和最小值的最大值寄存器441和最小值寄存器443，能夠以簡單的指標(biāo)檢測處理的不良，并能夠抑制I/O板415和MC401之間的通信數(shù)據(jù)量。從而能夠做出迅速的判斷。再其次，通過利用最大值寄存器441和最小值寄存器443，也能夠掌握異常的征兆(零件的劣化等)，因此能夠?qū)⑻幚聿涣嫉陌l(fā)生防患于未然。第二實(shí)施方式接著，參照圖6 9，說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的成膜裝置。本實(shí)施方式中，如圖6所示，在作為屬于比MC401更下級的控制單元的I/O板415設(shè)置有累計(jì)通過MFC45、55的氣體的流量的寄存部。具體而言，該寄存部具有基于來自MFC45、55的流量計(jì)(無圖示)的Al信號來累計(jì)通過MFC45、55的氣體的流量的累計(jì)寄存器451。在本實(shí)施方式的成膜裝置中，上述寄存部以外的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的成膜裝置100相同，因此在下面的說明中以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖7摘錄包括累計(jì)寄存器451的MFC45、55的流量的控制系統(tǒng)的局部來表示。圖8是表示累計(jì)寄存器451的累計(jì)氣體流量的原理的時(shí)序圖。在此，作為代表，以MFC45為例進(jìn)行說明。在成膜裝置100中進(jìn)行ALD處理的期間，從MFC45經(jīng)由用于進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換的Al電路90，將內(nèi)部的流量計(jì)測量出的NH3氣體的流量作為模擬-輸入信息Al的氨氣流量Al信號，發(fā)送至MC401。該氨氣流量Al信號的一部分被I/O板415上的累計(jì)寄存器451接受。累計(jì)寄存器451是32位的寄存器，如圖8所示，根據(jù)來自MC401的開始(START)/停止(STOP)指令，開 始/停止檢測，根據(jù)復(fù)位(RESET)指令進(jìn)行清零。當(dāng)累積的單位時(shí)間例如為ALD處理的一次的循環(huán)時(shí)，能夠與該循環(huán)的開始/結(jié)束相對應(yīng)地開始/停止。另外，如ALD處理，當(dāng)一個(gè)循環(huán)中的各步驟為短時(shí)間時(shí)，有時(shí)在一個(gè)步驟單位，難以判斷氨氣流量的累計(jì)值的正常/異常。此時(shí)，也可以累計(jì)多個(gè)步驟(即多個(gè)循環(huán)的相同的步驟)的氨氣流量的值。通過累計(jì)多個(gè)步驟的值，比一個(gè)步驟單位，能夠更正確地確認(rèn)處理的狀態(tài)，判斷異常。另外，其中，多個(gè)步驟例如能夠設(shè)為直到處理一個(gè)晶片W為止的步驟數(shù)。累計(jì)寄存器451中，由上述氨氣流量Al信號，累計(jì)例如相當(dāng)于ALD處理的一個(gè)循環(huán)份量的氨氣流量。圖8的時(shí)序圖中，下半部分表示相當(dāng)于ALD處理的一個(gè)循環(huán)份量的氨氣流量的累計(jì)原理，上半部分放大表示其局部。從圖8所示的氨氣流量Al信號的波形可以理解，在一個(gè)循環(huán)的ALD處理的初期，氨氣流量形成較大的峰值，其后流量逐漸減少為零，當(dāng)下一個(gè)循環(huán)開始時(shí)，在其初期形成較大的峰值，這樣，流量較大的期間形成為脈沖狀。累計(jì)寄存器451例如以304 μ s的間隔，累計(jì)12位的氨氣流量Al信號。例如如圖9所示，累計(jì)寄存器451中的氨氣流量的累計(jì)，以時(shí)間△ t細(xì)微地劃分基于氨氣流量Al信號的氨氣流量的曲線，例如能夠由下式計(jì)算出各之間的梯形的面積的總和。由累計(jì)寄存器451得到的累計(jì)值作為32位的數(shù)據(jù)被發(fā)送至MC401。數(shù)I氣體流量的累加值
= 士(V1 + V2) X At +V2 + V3) X At +......去(Vn4.Vn) X At= ( * V1 + V2 + V3 ……+ Vn4 + * Vn) X At(判斷方法)例如能夠通過比較有關(guān)基于MC401的氨氣流量的控制指令的模擬-輸出信號的ALD處理一個(gè)循環(huán)中的設(shè)定流量值，和由累計(jì)寄存器451得到的ALD處理一個(gè)循環(huán)中的實(shí)際運(yùn)行時(shí)的氨氣流量的累計(jì)值來進(jìn)行基于累計(jì)寄存器451的處理狀態(tài)的確認(rèn)和異常的判斷。另外，例如也可以為，預(yù)先測量正常運(yùn)行時(shí)的ALD處理一個(gè)循環(huán)中的氨氣流量的累計(jì)值，并將實(shí)際運(yùn)行時(shí)觀測到的ALD處理一個(gè)循環(huán)中的氨氣流量的累計(jì)值與正常運(yùn)行時(shí)的累計(jì)值比較的方法。并且，如果實(shí)際運(yùn)行時(shí)的氨氣流量的累計(jì)值與氨氣流量的設(shè)定流量值或正常運(yùn)行時(shí)的累計(jì)值大不相同，則能夠判斷存在出現(xiàn)處理異常的可能性。此時(shí)，也可以將實(shí)際運(yùn)行時(shí)測量出的累計(jì)值與預(yù)先設(shè)定的閾值比較。在本實(shí)施方式中，作為用于間接地確認(rèn)處理狀態(tài)的指標(biāo)，利用在ALD處理一個(gè)循環(huán)的期間通過MFC45的氨氣流量的累計(jì)值。其原因在于，當(dāng)氣體供給機(jī)構(gòu)發(fā)生異常，例如處于:由于NH3氣體供給源40的氣體供給壓力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足或原料氣體的反應(yīng)生成物等所致的管道41的閉塞狀態(tài)等的異常的狀態(tài)時(shí)，表現(xiàn)為通過MFC45的氨氣流量的變化，通過在ALD處理的一個(gè)循環(huán)單位掌握其增減，在有征兆的階段就能夠高精度的檢測不良。另外，在上述專利文獻(xiàn)2中，基于氣體流量等的特性參數(shù)的檢測結(jié)果，生成變化曲線，并監(jiān)測曲線的形狀變化。與此相比，在本實(shí)施方式中，不是根據(jù)氣體流量的變化曲線的形狀本身，而是根據(jù)由變化曲線所形成的面積計(jì)算出的流量的累計(jì)值，進(jìn)行處理狀態(tài)的確認(rèn)，因此處理的不良的檢測靈敏度高，容易判斷。能夠通過MC401的軟件(方案(recipe))進(jìn)行以上的判斷。當(dāng)檢測出處理的異常時(shí)，MC401發(fā)送控制信號，例如能夠進(jìn)行諸如中止成膜裝置100中的ALD處理之類的處理。也可以在ALD處理中讀取基于累計(jì)寄存器451的氨氣流量的累計(jì)值，能夠?qū)崟r(shí)確認(rèn)處理的狀態(tài)并檢測異常。另外，當(dāng)例如以304μ s的間隔將12位的氨氣流量Al信號的數(shù)據(jù)累計(jì)在32位的累計(jì)寄存器451時(shí)，能 夠累計(jì)到304 μ sX 2 (32_12)=5分鐘，能夠充分累計(jì)ALD處理的一個(gè)循環(huán)。 以上，舉例說明的是通過MFC45的氨氣的流量，但是，通過MFC55的11(:14氣體的流量也能夠利用有關(guān)TiCl4氣體的流量的累計(jì)寄存器451進(jìn)行同樣的判斷。另外，對于N2氣體，也能夠利用累計(jì)寄存器451進(jìn)行同樣的判斷。在本實(shí)施方式的成膜裝置中，在作為控制MC401和終端器件201之間的輸入輸出信號，并且在屬于MC401的下級的控制單元的I/O板415內(nèi)設(shè)置有測量通過MFC45、55的氣體的流量的累計(jì)值的累計(jì)寄存器451。并且，利用由累計(jì)寄存器451取得的累計(jì)值，能夠迅速確認(rèn)檢測處理的狀態(tài)和迅速檢測異常。另外，有關(guān)處理氣體的很多物理參數(shù)之中，通過利用取得氣體流量的累計(jì)值的累計(jì)寄存器451，能夠抑制I/O板415和MC401之間的通信數(shù)據(jù)量，并且能夠抑制MC401中用于判斷處理的不良的的信息量，因此，能夠進(jìn)行迅速的判斷。另外，通過利用累計(jì)寄存器451，能夠掌握異常的征兆(例如，管道等的氣體供給通路的狹窄或閉塞等)，因此，能夠?qū)⑻幚聿涣嫉陌l(fā)生防患于未然。
本實(shí)施方式的成膜裝置中的其它的構(gòu)成和效果與第一實(shí)施方式相同。以上，敘述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，能夠由各種變形。例如，本發(fā)明并不限于半導(dǎo)體晶片，也能夠適用于例如處理用于液晶顯示裝置、有機(jī)EL (electro-luminesc ence、電致發(fā)光)顯示器等的大型的玻璃基板等的處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種處理裝置，其特征在于，包括: 收納被處理體的處理容器； 氣體供給通路，其與供給至所述處理容器內(nèi)的處理氣體的種類對應(yīng)地設(shè)置于多個(gè)系統(tǒng)； 配置于所述多個(gè)系統(tǒng)的各個(gè)氣體供給通路，進(jìn)行所述氣體供給通路的開啟和關(guān)閉的多個(gè)閥門； 測量部，其測量所述氣體供給通路的處理氣體的物理參數(shù)； 寄存部，其保存由所述測量部測量到的所述物理參數(shù)；和控制部，其根據(jù)保存于所述寄存部的所述物理參數(shù)的信息，判斷處理的狀態(tài)，其中，所述寄存部設(shè)置于 下級的控制單元，該下級的控制單元以能夠與所述控制部進(jìn)行信號的發(fā)送和接收的方式與所述控制部連接并受所述控制部控制，并且對所述控制部與終端器件之間的輸入輸出信號進(jìn)行控制。
2.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于: 在所述多個(gè)系統(tǒng)的氣體供給通路的一部分或全部還設(shè)置有緩沖罐，該緩沖罐作為所述氣體供給通路的一部分設(shè)置在與所述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置， 所述測量部為測量所述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的壓力計(jì)， 所述物理參數(shù)為所述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的變化的最大值和/或最小值。
3.如權(quán)利要求2所述的處理裝置，其特征在于: 所述控制部在所述最大值和/或最小值超過規(guī)定的閾值時(shí)判斷為處理異常。
4.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于: 所述測量部為:在所述氣體供給通路中設(shè)置于與所述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置，并對通過該氣體供給通路的氣體流量進(jìn)行測量的流量計(jì)， 所述物理參數(shù)為在單位期間內(nèi)由所述流量計(jì)測量出的氣體流量的累計(jì)值。
5.如權(quán)利要求4所述的處理裝置，其特征在于: 所述單位期間為對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中的一個(gè)循環(huán)。
6.如權(quán)利要求1飛中的任一項(xiàng)所述的處理裝置，其特征在于: 該處理裝置為對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD裝置。
7.一種處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其為在處理裝置中對處理的狀態(tài)進(jìn)行判斷的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其中，所述處理裝置包括: 收納被處理體的處理容器； 氣體供給通路，其與供給至所述處理容器內(nèi)的處理氣體的種類對應(yīng)地設(shè)置于多個(gè)系統(tǒng)； 配置于所述多個(gè)系統(tǒng)的各個(gè)氣體供給通路，進(jìn)行所述氣體供給通路的開啟和關(guān)閉的多個(gè)閥門； 測量部，其測量所述氣體供給通路中的處理氣體的物理參數(shù)； 寄存部，其保存由所述測量部測量到的所述物理參數(shù)；和 控制部，其根據(jù)保存于所述寄存部的所述物理參數(shù)的信息，判斷所述處理的狀態(tài)， 所述處理狀態(tài)的確認(rèn)方法的特征在于，包括:所述寄存部保存所述物理參數(shù)的步驟；和 所述控制部從所述寄存部取得有關(guān)所述物理參數(shù)的信息，對所述處理的狀態(tài)進(jìn)行判斷的步驟， 所述寄存部設(shè)置于下級的控制單元，該下級的控制單元以能夠與所述控制部進(jìn)行信號的發(fā)送與接收的方式與所述控制部連接，并受所述控制部控制，并且對所述控制部與終端器件之間的輸入輸出信號進(jìn)行控制。
8.如權(quán)利要求7所述的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其特征在于: 所述處理裝置，在所述多個(gè)系統(tǒng)的氣體供給通路的一部分或全部還設(shè)置有緩沖罐，該緩沖罐作為所述氣體供給通路的一部分設(shè)置在與所述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置， 所述測量部為測量所述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的壓力計(jì)， 所述物理參數(shù)為所述緩沖罐內(nèi)的氣體壓力的變化的最大值和/或最小值。
9.如權(quán)利要求8所述的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其特征在于: 所述控制部在所述氣體壓力的變化的最大值和/或最小值超過規(guī)定的閾值時(shí)判斷為 處理異常。
10.如權(quán)利要求7所述的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其特征在于: 所述測量部為:在所述氣體供給通路中設(shè)置于與所述閥門相比位于氣體供給方向的上游側(cè)的位置，并對通過該氣體供給通路的氣體流量進(jìn)行測量的流量計(jì)， 所述物理參數(shù)為在單位期間內(nèi)通過所述流量計(jì)測量出的氣體流量的累計(jì)值。
11.如權(quán)利要求10所述的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其特征在于: 所述單位期間為:對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中的一個(gè)循環(huán)。
12.如權(quán)利要求疒11中的任一項(xiàng)所述的處理狀態(tài)的確認(rèn)方法，其特征在于: 該處理狀態(tài)的確認(rèn)方法在對被處理體交替供給多個(gè)種類的氣體來進(jìn)行成膜的ALD處理中被執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種處理裝置和處理狀態(tài)的確認(rèn)方法。掌握處理裝置中的處理的狀態(tài)，迅速檢測處理的異?；?qū)惓７阑加谖慈?。在作為MC(401)的下級的控制單元的I/O板(415)上設(shè)置最大值寄存器(441)和最小值寄存器(443)，從與利用壓力計(jì)(48A、58A)測量出的緩沖罐(48、58)中的壓力相關(guān)的壓力AI信號中，保存壓力變化的最大值和最小值。通過將實(shí)際運(yùn)行時(shí)所觀測的緩沖罐(48、58)內(nèi)的壓力變化的最大值或最小值與預(yù)先測量出的正常運(yùn)行時(shí)的緩沖罐(48、58)內(nèi)的壓力變化的最大值或最小值的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來進(jìn)行處理的狀態(tài)的判斷。
文檔編號C23C16/455GK103225074SQ201310027600
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月25日
發(fā)明者廣瀬勝人, 宮澤俊男, 平田俊治, 田中利昌 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社