真空處理裝置制造方法
【專利摘要】一種真空處理裝置，包括：處理腔室；裝載鎖定腔室，該裝載鎖定腔室與處理腔室連接；以及傳遞裝置，該傳遞裝置設(shè)置成將基板從裝載鎖定腔室傳遞至處理腔室。傳遞裝置設(shè)置成通過重力而使得基板運(yùn)動(dòng)。傳遞裝置包括：引導(dǎo)件，該引導(dǎo)件設(shè)置成當(dāng)基板通過重力而運(yùn)動(dòng)時(shí)形成傳遞通路；以及止動(dòng)器，該止動(dòng)器設(shè)置成在保持基板時(shí)限制基板通過重力而進(jìn)行的運(yùn)動(dòng)，并當(dāng)使得基板運(yùn)動(dòng)時(shí)消除該限制。
【專利說明】真空處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種適用于片形或板形基板的真空處理的真空處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，為了將大約I至3層沉積在基板上，有時(shí)使用通過將一個(gè)裝載鎖定腔室LL連接至一個(gè)處理腔室PC上而形成的沉積裝置(例如見PTL1)。
[0003]在由一個(gè)處理腔室PC和一個(gè)裝載鎖定腔室LL形成的這種沉積裝置中，當(dāng)在裝載鎖定腔室LL中基板交換時(shí)不能在處理腔室PC中進(jìn)行沉積。因此，基本能力利用率的提高有限，且很難提高沉積處理的生產(chǎn)率(產(chǎn)量)。
[0004]在由一個(gè)處理腔室PC和一個(gè)裝載鎖定腔室LL形成的沉積裝置中，在一些實(shí)例中使用傳遞真空容器的裝置，該真空容器有保持在載體中的基板。在這種裝置中，基板的附接/取出可以在載體從真空容器中抽取的狀態(tài)中進(jìn)行。需要大量的人工來用于基板附接/取出操作，且很難提高生產(chǎn)率。
[0005]為了縮短在裝載鎖定腔室LL中的操作時(shí)間，使用這樣的方法，該方法將裝載鎖定腔室LL布置在處理腔室PC的各上游側(cè)和下游側(cè)，且基板沿一個(gè)方向通過(例如見PTL2)。
[0006]例如，在PTL2中公 開的技術(shù)使用真空處理裝置，其中，多個(gè)處理腔室布置在裝載腔室和卸載腔室之間。在這種真空處理裝置中，因?yàn)榛瀹?dāng)保持在載體中時(shí)能夠進(jìn)行傳遞，因此多層薄膜能夠連續(xù)形成于基板上。
[0007]引用列表
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]PTLl:日本專利申請(qǐng)公開N0.9-272979
[0010]PTL2:日本專利申請(qǐng)公開N0.7-243037

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問題
[0012]不過，在PTL2的技術(shù)中，將載體(或保持器)與保持的基板一起傳遞至真空容器中的機(jī)構(gòu)是復(fù)雜的，且沉積裝置的成本降低很困難。另外，當(dāng)要堆垛在基板上的層數(shù)較小時(shí)，在裝載腔室和卸載腔室中的操作時(shí)間變得相對(duì)較長。為了提高處理腔室的操作速率，需要制備大量的載體。因此，成本降低很困難。
[0013]考慮到上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種真空處理裝置，該真空處理裝置能夠提高沉積處理的生產(chǎn)率，還有助于降低成本。
[0014]問題的解決方案
[0015]根據(jù)本發(fā)明，提供了一種真空處理裝置，它包括:處理腔室；裝載鎖定腔室，該裝載鎖定腔室與處理腔室連接；以及傳遞裝置，該傳遞裝置設(shè)置成將基板從裝載鎖定腔室傳遞至處理腔室，其中，傳遞裝置設(shè)置成通過重力而使得基板運(yùn)動(dòng)，且傳遞裝置包括引導(dǎo)件，該引導(dǎo)件設(shè)置成當(dāng)基板通過重力而運(yùn)動(dòng)時(shí)形成傳遞通路；以及止動(dòng)器，該止動(dòng)器設(shè)置成在保持基板時(shí)限制基板通過重力而進(jìn)行的運(yùn)動(dòng)，并當(dāng)使得基板運(yùn)動(dòng)時(shí)消除該限制。
[0016]發(fā)明的有利效果
[0017]本發(fā)明能夠提供一種真空處理裝置，該真空處理裝置能夠很容易地節(jié)省能量，因?yàn)榛謇弥亓韨鬟f。因?yàn)檫@種真空處理裝置使用相對(duì)簡單的結(jié)構(gòu)來傳遞基板，因此能夠降低初始成本或運(yùn)行成本。
[0018]通過下面結(jié)合附圖的說明將清楚本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，在全部附圖中，相同參考符號(hào)表示相同或類似的部件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]包含在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖表示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0020]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的真空處理裝置的正視圖；
[0021]圖2是沿圖1中的線A-A的剖視圖；
[0022]圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的傳遞裝置的示意圖；
[0023]圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的傳遞裝置的示意圖；
[0024]圖5是沿圖4中的線B-B的剖視圖； [0025]圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的傳遞裝置的放大示意圖；
[0026]圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的傳遞裝置的止動(dòng)器的示意圖；
[0027]圖8A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的止動(dòng)器的操作的解釋圖；
[0028]圖SB是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的止動(dòng)器的操作的解釋圖；以及
[0029]圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的真空處理裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將參考附圖介紹本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)知道，下面將介紹的部件、結(jié)構(gòu)等只是本發(fā)明的特殊實(shí)例，而不是為了限制本發(fā)明的范圍，當(dāng)然，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)能夠進(jìn)行多種變化和改變。應(yīng)當(dāng)知道，一些部件未示出，以防止附圖變復(fù)雜。
[0031]在本說明書中，用于沉積DLC(金剛石狀碳)的CVD裝置(真空處理裝置I或2)將介紹為真空處理裝置。不過，本發(fā)明并不局限于此。本發(fā)明例如可用于濺射裝置、另外的PVD裝置、另外的CVD裝置等。本發(fā)明也可用于不同于沉積裝置的處理裝置，例如干蝕刻裝置、灰化裝置、退火裝置等。
[0032]下面將參考圖1和2介紹真空處理裝置I的示意結(jié)構(gòu)。真空處理裝置I是CVD裝置，其中，三個(gè)真空腔室沿重力方向串聯(lián)連接。更具體地說，在真空處理裝置I中，裝載鎖定腔室LL、處理腔室PC和卸載腔室UL通過閘閥GV而以該順序連接成直線。另外，將未處理的基板5供給裝載鎖定腔室LL的儲(chǔ)料架11以及接收從卸載腔室UL排出的處理后基板5的收集盒12與該真空處理裝置I連接。真空處理裝置I包括傳遞裝置T，該傳遞裝置T在腔室之間傳遞基板5，如后面所述。處理腔室PC從上面的裝載鎖定腔室LL接收基板5，處理它，并將它排出至下面的卸載腔室UL。
[0033]處理腔室PC是設(shè)置成沉積DLC(金剛石狀碳)的CVD沉積腔室，并包括氣體引入系統(tǒng)17、電源系統(tǒng)19和排氣系統(tǒng)20，盡管將省略它們的詳細(xì)說明。從氣體引入系統(tǒng)17引入的氣體例如是CxHy (烴氣體)、H2、N2或Ar。設(shè)置成在處理過程中監(jiān)測壓力的真空計(jì)15也能夠提供于處理腔室PC上。除了用于沉積DLC薄膜的CVD處理裝置，處理腔室PC包括灰化裝置和加熱器，該加熱器將基板5加熱至預(yù)定溫度。
[0034]作為基板5，可使用導(dǎo)電板形或片形基板?；?能夠是例如金屬板，例如不銹鋼板。當(dāng)在處理腔室PC中執(zhí)行不施加偏壓(后面將介紹)的處理(也就是，并不向基板供電的處理)時(shí)，基板5能夠是不導(dǎo)電基板。
[0035]裝載鎖定腔室LL是將基板5從上面供給處理腔室PC的腔室，并通過閘閥GV而與處理腔室PC的上側(cè)連接。卸載腔室UL是將基板5從處理腔室PC向下排出的腔室，并通過閘閥GV而與處理腔室PC的下側(cè)連接。這些腔室各自包括氣體引入系統(tǒng)18和排氣系統(tǒng)(未示出)。該腔室通過閘閥GV而與處理腔室PC的上側(cè)和下側(cè)連接，真空處理在該處理腔室PC中進(jìn)行。
[0036]當(dāng)基板5從大氣側(cè)(儲(chǔ)料架11)引入時(shí)，氣體引入(通氣至)裝載鎖定腔室LL中，且閘閥GV打開。在基板5引入之后，閘閥GV關(guān)閉，裝載鎖定腔室LL通過真空泵而排空。類似的，當(dāng)基板5從處理腔室PC引入時(shí)，卸載腔室UL通過真空泵而排空，且閘閥GV在這種狀態(tài)下打開。在引入基板5之后，閘閥GV關(guān)閉，氣體引入(通氣)。然后，基板5排出至大氣側(cè)(收集盒)。也就是，裝載鎖定腔室LL和卸載腔室UL各自有用于重復(fù)地執(zhí)行排氣/通氣和供給/排出基板5的機(jī)構(gòu)。設(shè)置成監(jiān)測腔室中的壓力的真空計(jì)16附接在各裝載鎖定腔室LL和卸載腔室UL上。
[0037]儲(chǔ)料架11是將基板5 —個(gè)接一個(gè)地供給裝載鎖定腔室LL的引入口的裝置。在該實(shí)施例中，使用將沿厚度方向堆垛的基板5 —個(gè)接一個(gè)地供給斜面13的裝置。斜面13將基板5引導(dǎo)至裝載鎖定腔室LL的引入口。應(yīng)當(dāng)知道，具有手(該手能夠一個(gè)接一個(gè)地抓住基板5)的機(jī)器人可以用于 將基板5直接供給裝載鎖定腔室LL的引入口。收集盒12是接收從處理腔室PC排出的基板5的裝置。斜面14與處理腔室PC的排出口連接，以使得基板能夠沿厚度方向堆垛和一個(gè)接一個(gè)地收集。
[0038]儲(chǔ)料架11和收集盒12可以由傳送器(例如皮帶傳送器)代替。在這種情況下，通過傳送器而一個(gè)接一個(gè)地從預(yù)處理裝置輸送的未處理基板能夠順序地供給裝載鎖定腔室LL的引入口。以類似方式，處理后的基板5能夠通過傳送器而一個(gè)接一個(gè)地從卸載腔室UL的下側(cè)輸送給下一處理裝置。
[0039]下面將參考圖3至7介紹用于傳遞基板的傳遞裝置。傳遞裝置T利用重力來傳遞基板。傳遞裝置T在預(yù)定正時(shí)傳遞基板5通過裝載鎖定腔室LL、處理腔室PC和卸載腔室UL(以該順序)。傳遞裝置T包括引導(dǎo)件21和止動(dòng)器23。當(dāng)基板5下降時(shí)，引導(dǎo)件21形成傳遞通路，而止動(dòng)器23的操作能夠確定基板5沿重力方向供給下一腔室的正時(shí)。
[0040]如圖3中所示，引導(dǎo)件21和止動(dòng)器23在左側(cè)和右側(cè)提供于各腔室中(基板5的傳遞通路的兩側(cè))，并將基板5的水平運(yùn)動(dòng)限制為預(yù)定量或更大。應(yīng)當(dāng)知道，在本說明書中，“下降”不僅包括沿重力方向的運(yùn)動(dòng)，還包括只通過重力作用來傳遞的基板5的運(yùn)動(dòng)方向。也就是，當(dāng)形成的傳遞通路相對(duì)于重力方向具有一定角度時(shí)，基板5沿傳遞通路的角度來傳遞。該運(yùn)動(dòng)也將稱為“下降”。
[0041]圖4至6表示了在處理腔室PC中的傳遞裝置T。引導(dǎo)件21包括:金屬線25 (第一引導(dǎo)件)，該金屬線25調(diào)芐基板5沿厚度方向的運(yùn)動(dòng)；以及輥27 (第二引導(dǎo)件)，該輥27調(diào)節(jié)沿寬度方向的運(yùn)動(dòng)。沿厚度方向在基板5的兩個(gè)表面?zhèn)纫灶A(yù)定間隙提供一對(duì)金屬線25。沿寬度方向在基板5的兩側(cè)以預(yù)定間隙提供一對(duì)輥27。也就是，引導(dǎo)件21通過一對(duì)金屬線25和一對(duì)輥27來調(diào)芐基板5沿水平方向(橫過重力方向的方向)的運(yùn)動(dòng)范圍，從而形成基板5的傳遞通路。
[0042]如圖4中所示，該實(shí)施例的金屬線25通過將金屬制造的細(xì)線(金屬線)固定在提供于腔室中的兩個(gè)凸起25a之間而形成。不過，可以使用具有平滑處理拐角、輥或網(wǎng)的板形部件。狹縫可以形成于腔室的、沿寬度方向位于基板5的兩側(cè)的內(nèi)壁中。輥27由軸承來支承。不過，基板5可以與具有平滑處理和涂覆表面的部件可滑動(dòng)地接觸。
[0043]止動(dòng)器23是能夠支承或打開基板5的下側(cè)(該下側(cè)由引導(dǎo)件21支承)的部件。止動(dòng)器23能夠在一端處繞軸部分2 3a樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)保持基板5時(shí)，止動(dòng)器23凸出至傳遞通路中，基板5經(jīng)過該傳遞通路，從而限制基板5的向下下降。另一方面，當(dāng)使得基板5運(yùn)動(dòng)時(shí)，止動(dòng)器23從傳遞通路退回。因?yàn)檫@消除了對(duì)基板5下降的限制，因此基板5向下下降。軸部分23a與驅(qū)動(dòng)裝置23b (見圖5)連接，并能夠在預(yù)定正時(shí)操作止動(dòng)器23。該實(shí)施例的止動(dòng)器23由耐火金屬(例如鎢)來制造，且偏壓電源29能夠向它供電(偏壓電)。因此，當(dāng)止動(dòng)器23 (電供給該止動(dòng)器23)抵靠基板5時(shí)，偏壓電能夠施加給基板5。
[0044]圖7是止動(dòng)器23的放大圖。圖8A和8B是止動(dòng)器23的操作的解釋圖。圖8A表示了止動(dòng)器23支承基板5的下側(cè)時(shí)的狀態(tài)，圖SB表示了止動(dòng)器23樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)以便使得基板5傳遞(下降)至下側(cè)時(shí)的狀態(tài)。
[0045]止動(dòng)器23在抵靠基板5的部分處有狹縫24。當(dāng)支承基板5的下側(cè)時(shí)，該狹縫24裝配在基板5的下邊緣上，以便調(diào)節(jié)該邊緣的位置。因此，能夠調(diào)芐基板5在傳遞通路中的支承位置。當(dāng)基板5支承在閘閥GV的開口的中心位置處時(shí)，能夠有效防止基板5與閘閥GV的內(nèi)壁接觸。另外，基板5能夠平滑地運(yùn)動(dòng)至在下一腔室中的引導(dǎo)件21。
[0046]當(dāng)止動(dòng)器23樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)以便將基板5傳遞給位于下側(cè)的腔室時(shí)，狹縫24能夠沿寬度方向裝配在基板5的邊緣上，以便調(diào)節(jié)該邊緣的位置。因此，基板5在運(yùn)動(dòng)過程中的支承位置也能夠調(diào)節(jié)。當(dāng)調(diào)芐基板5在傳遞過程中的支承位置時(shí)，能夠防止基板5接觸閘閥V的內(nèi)壁。另外，基板5能夠平滑地運(yùn)動(dòng)至在下一腔室中的引導(dǎo)件21。應(yīng)當(dāng)知道，盡管該實(shí)施例的止動(dòng)器23設(shè)置成繞軸部分23a樞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，但是止動(dòng)器也可以沿凸出至傳遞通路中的方向來回運(yùn)動(dòng)(滑動(dòng))。
[0047]下面將介紹真空處理裝置I的處理步驟。首先，打開在裝載鎖定腔室LL上面的閘閥GV (將稱為GVl)。由儲(chǔ)料架11保持的基板5通過斜面13而供給裝載鎖定腔室LL中。
[0048]閘閥GVl關(guān)閉，且裝載鎖定腔室LL排空。這時(shí)，基板5由裝載鎖定腔室LL中的引導(dǎo)件21和止動(dòng)器23 (將稱為231)來支承。然后，在裝載鎖定腔室LL和處理腔室PC之間的閘閥GV(將稱為GV2)打開，且裝載鎖定腔室LL的止動(dòng)器23操作，以便將基板5傳遞至處理腔室PC中。止動(dòng)器231在閘閥GV2打開的同時(shí)操作，或者在比閘閥GV2的打開稍微更遲的正時(shí)來操作。
[0049]基板5通過在處理腔室PC中的引導(dǎo)件21而傳遞至預(yù)定位置(通過傳遞通路)，并在抵靠處理腔室PC中的止動(dòng)器23 (將稱為232)的同時(shí)被支承。閘閥GV2關(guān)閉，并在處理腔室PC中進(jìn)行真空處理。在該實(shí)施例中，硬碳薄膜(DLC薄膜)通過CVD處理而形成于基板5的兩個(gè)表面上。在真空處理過程中，基板5由處理腔室PC中的引導(dǎo)件21和止動(dòng)器23(232)支承。也可選擇，偏壓電通過處理腔室PC中的止動(dòng)器23(232)而施加給基板5。
[0050]當(dāng)真空處理結(jié)束時(shí)，在處理腔室PC和卸載腔室UL之間的閘閥GV (將稱為GV3)打開，處理腔室PC的止動(dòng)器23 (232)操作成使得基板5傳遞至卸載腔室UL中。基板5通過在卸載腔室UL中的引導(dǎo)件21而傳遞至預(yù)定位置(傳遞通路)，并在抵靠卸載腔室UL中的止動(dòng)器23 (將稱為233)的同時(shí)被支承。
[0051]閘閥GV3關(guān)閉，并引入(通入)氮?dú)?，直到在卸載腔室UL中獲得大氣壓力。在卸載腔室UL下側(cè)上的閘閥GV (GV4)打開，且止動(dòng)器23 (233)操作成使得基板5從卸載腔室UL排出。已經(jīng)進(jìn)行了真空處理的排出基板5通過斜面14而由收集盒12來收集。應(yīng)當(dāng)知道，止動(dòng)器232和233在與它們互鎖的閘閥GV(GV2和GV3)打開的同時(shí)操作，或者在比它們的打開稍微更遲的正時(shí)來操作。
[0052]上面已經(jīng)介紹了一個(gè)基板5的處理步驟。在真空處理裝置I中，在處理腔室PC的真空處理過程中，能夠在裝載鎖定腔室LL和卸載腔室UL中進(jìn)行抽空或通氣(開口至大氣)，并能夠進(jìn)行未處理基板5的供給或處理后基板5的排出。
[0053]根據(jù)該實(shí)施例的真空處理裝置1，基板5利用重力來傳遞。因此，不需要?jiǎng)恿眚?qū)動(dòng)基板5，并能夠很容易地節(jié)省能量。另外，因?yàn)檎婵仗幚硌b置I不使用載體或基板保持器，因此不會(huì)由載體等產(chǎn)生顆粒。而且，因?yàn)檎婵仗幚硌b置使用簡單的結(jié)構(gòu)來傳遞基板5，因此能夠降低初始成本或運(yùn)行成本。
[0054]圖9表示了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的真空處理裝置2。相同參考標(biāo)號(hào)表示與上述實(shí)施例相同的部件、結(jié)構(gòu) 等，并將省略它們的詳細(xì)說明。真空處理裝置2通過相對(duì)于重力方向以一定角度連接裝載鎖定腔室LL、處理腔室PC和卸載腔室UL而形成。因?yàn)檎婵仗幚硌b置2的傳遞裝置形成為相對(duì)于重力方向成一定角度，因此基板5在與引導(dǎo)件21接觸的同時(shí)傳遞通過腔室。因此，當(dāng)真空處理裝置2的傾斜角度進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)，能夠調(diào)芐基板5的傳遞位置和速度。根據(jù)真空處理裝置2，除了上述真空處理裝置I的效果，還能夠調(diào)芐基板5的傳遞位置和速度。
[0055]應(yīng)當(dāng)知道，根據(jù)上述實(shí)施例的真空處理裝置I和2的每一個(gè)包括卸載腔室UL。不過，本發(fā)明當(dāng)然也可用于不包括卸載腔室UL和將處理后的基板5從處理腔室PC直接排出的結(jié)構(gòu)。
[0056]本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)能夠進(jìn)行多種變化和改變。因此，為了向公眾告知本發(fā)明的范圍，提出以下權(quán)利要求。
[0057]本申請(qǐng)要求日本專利申請(qǐng)N0.2011-236597的優(yōu)先權(quán)，該日本專利申請(qǐng)的申請(qǐng)日為2011年10月28日，該文獻(xiàn)整個(gè)被本文參引。
[0058]參考符號(hào)列表
[0059]LL...裝載鎖定腔室
[0060]PC…處理腔室
[0061]GV…閘閥
[0062]T…傳遞裝置
[0063]1、2…真空處理裝置
[0064]5…基板
[0065]11…儲(chǔ)料架[0066]12…收集盒
[0067]13、14 …斜面
[0068]15、16…真空計(jì)
[0069]17、18…氣體引入系統(tǒng)
[0070]19…電源裝置
[0071]20…排氣系統(tǒng)
[0072]21…引導(dǎo)件
[0073]23…止動(dòng)器
[0074]25…金屬線
[0075]27 …輥
【權(quán)利要求】
1.一種真空處理裝置，包括: 處理腔室； 裝載鎖定腔室，該裝載鎖定腔室與處理腔室連接；以及 傳遞裝置，該傳遞裝置設(shè)置成將基板從裝載鎖定腔室傳遞至處理腔室， 其中，傳遞裝置設(shè)置成通過重力而使得基板運(yùn)動(dòng)，以及 其中，傳遞裝置包括: 引導(dǎo)件，該引導(dǎo)件設(shè)置成當(dāng)基板通過重力而運(yùn)動(dòng)時(shí)形成傳遞通路；以及止動(dòng)器，該止動(dòng)器設(shè)置成在保持基板時(shí)限制基板通過重力而進(jìn)行的運(yùn)動(dòng)，并當(dāng)使得基板運(yùn)動(dòng)時(shí)消除該限制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中:偏壓電能夠通過止動(dòng)器而施加給基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中:止動(dòng)器有狹縫，該狹縫設(shè)置成調(diào)芐基板的邊緣的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中:傳遞通路設(shè)置成使得基板沿重力方向下降。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的真空處理裝置，其中:傳遞通路設(shè)置成使得基板相對(duì)于重力方向以一 定角度下降。
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK104024472SQ201280053643
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月28日
【發(fā)明者】梶原雄二, 平松祥悟, 山中和人, 上田敬, 吉林和俊, 佐藤賢司, 佐長谷肇, 平柳裕久, 厚見正浩 申請(qǐng)人:佳能安內(nèi)華股份有限公司