真空蒸鍍裝置制造方法
【專利摘要】目的在于，在真空蒸鍍裝置中，在使用了多個蒸發(fā)源時，不易發(fā)生在被蒸鍍體上形成的蒸鍍膜的不均，能夠形成所希望的膜厚的蒸鍍膜。真空蒸鍍裝置（1）具備：多個蒸發(fā)源（3）；將蒸發(fā)源（3）及被蒸鍍體（2）之間的空間包圍、在被蒸鍍體側(cè)具有開口面（41）的筒狀體（4）。并且，具備在筒狀體（4）的內(nèi)部配置的分隔板（7）。分隔板（7）具有開口部（70），開口部（70）在以重心（P）為中心的直徑（D）的圓周范圍內(nèi)設(shè)有至少1個以上，直徑（D）是分隔板（7）的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。根據(jù)該構(gòu)成，能夠使從分隔板（7）的開口部（70）流向被蒸鍍體（2）側(cè)的氣化材料的流束分布相同，因此在使用了多個蒸發(fā)源（3）時，不易發(fā)生在被蒸鍍體（2）上形成的蒸鍍膜的不均，能夠獲得所希望的膜厚的蒸鍍膜。
【專利說明】真空蒸鍍裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使蒸鍍材料在基板等被蒸鍍體上蒸鍍而形成薄膜的真空蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]真空蒸鍍裝置在真空室內(nèi)配置含有蒸鍍材料的蒸發(fā)源、和基板等被蒸鍍體，在使真空室內(nèi)減壓了的狀態(tài)下，對蒸發(fā)源進行加熱使蒸發(fā)源氣化，使該氣化的蒸鍍材料在被蒸鍍體的表面堆積而形成薄膜。但是，有從蒸發(fā)源氣化而得到的蒸鍍材料的一部分不向被蒸鍍體行進、不在被蒸鍍體的表面附著的情況。當(dāng)這樣的不在被蒸鍍體上附著的蒸鍍材料增多時，成為材料使用效率的降低及蒸鍍速度的降低的原因。
[0003]因此 ，提出了如下真空蒸鍍裝置:用筒狀體將蒸發(fā)源與被蒸鍍體相對置的空間包圍，以使蒸鍍材料再蒸發(fā)的溫度對該筒狀體進行加熱，使氣化了的蒸鍍材料在筒狀體內(nèi)通過并蒸鍍在被蒸鍍體的表面上(例如參照專利文獻I)。
[0004]但是，在為了以多種材料形成薄膜而使用了多個蒸發(fā)源的情況下，若這些蒸發(fā)源的配置位置不同，則有筒狀體內(nèi)的氣化了的材料不均勻分布、在被蒸鍍體上蒸鍍的蒸鍍材料不均的情況。因此，公知有如下真空蒸鍍機:在從多個蒸發(fā)源放出的蒸鍍材料的蒸氣的流路上，設(shè)有對蒸鍍材料的分布及流動進行調(diào)整的多孔板閘門(例如參照專利文獻2)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開平9-272703號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2005-213570號公報
發(fā)明概要
[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]但是，如上述專利文獻2所述的蒸鍍裝置那樣在蒸鍍材料的流路上設(shè)置多孔板閘門時，可能在該多孔板閘門上附著蒸鍍材料而引起堵塞。多孔板閘門堵塞時，可能發(fā)生被蒸鍍體的蒸鍍不均，并且，有可能無法正確地控制蒸鍍速度，從而無法形成所希望的膜厚的蒸鍍膜。
[0011]
【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明目的在于解決上述課題，提供一種真空蒸鍍裝置，在使用了多個蒸發(fā)源時，不易發(fā)生在被蒸鍍體上形成的蒸鍍膜的不均，能夠形成所希望的膜厚的蒸鍍膜。
[0013]用于解決課題的手段
[0014]為了解決上述課題，本發(fā)明的真空蒸鍍裝置，具備:用于在被蒸鍍體上蒸鍍多種材料的多個蒸發(fā)源；將上述多個蒸發(fā)源及上述被蒸鍍體之間的空間包圍、在上述被蒸鍍體側(cè)具有開口面的筒狀體；使配置上述被蒸鍍體、上述蒸發(fā)源以及上述筒狀體的空間為真空狀態(tài)的真空室；該真空蒸鍍裝置的特征在于，具備在上述筒狀體的內(nèi)部配置的分隔板，上述分隔板具有開口部，該開口部在以上述分隔板的平面視形狀的重心為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)設(shè)有至少I個以上，上述直徑D是上述分隔板的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。
[0015]在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述開口部形成為幾何學(xué)形狀。
[0016]在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述分隔板在該分隔板的平面視形狀的外周位置具有開口面積比上述開口部小的輔助開口部。
[0017]在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述開口部形成為相對于上述分隔板的重心點對稱。
[0018]在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，具備多個上述分隔板，上述多個分隔板具有形狀互不相同的開口部。
[0019]在上述真空蒸鍍裝置中，優(yōu)選的是，上述分隔板具有加熱機構(gòu)以及溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。
[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，分隔板的開口部設(shè)置在以分隔板的平面視形狀的重心為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)，該直徑D是分隔板的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。因此，能夠使朝向被蒸鍍體側(cè)的氣化材料的流束分布相同，在使用了多個蒸發(fā)源時，不易發(fā)生在被蒸鍍體上形成的蒸鍍膜的不均，能夠獲得所希望的膜厚的蒸鍍膜。
【專利附圖】

【附圖說明】[0022]圖1是本發(fā)明第一實施方式的真空蒸鍍裝置的側(cè)剖面圖。
[0023]圖2 (a) (b)分別是表示該裝置中采用的分隔板的形狀的俯視圖。
[0024]圖3 (a)至(e)分別是表示上述分隔板的變形例的俯視圖。
[0025]圖4是表示沒有分隔板的比較例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0026]圖5是表示開口部的口徑為分隔板的直徑的3/4時的比較例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0027]圖6是表示開口部的口徑為分隔板的直徑的2/3時的比較例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0028]圖7是表示開口部的口徑為分隔板的直徑的1/2時的實施例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0029]圖8是表示開口部的口徑為分隔板的直徑的3/20時的實施例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0030]圖9是上述實施方式的變形例的真空蒸鍍裝置的側(cè)剖面圖。
[0031]圖10是本發(fā)明第二實施方式的真空蒸鍍裝置的側(cè)剖面圖。
[0032]圖11是表示該裝置中采用的分隔板的形狀的俯視圖。
[0033]圖12是用于說明該實施例的各構(gòu)成的位置關(guān)系的立體圖。
[0034]圖13是表示使用了設(shè)有輔助開口部的分隔板時的實施例的真空蒸鍍裝置的、膜厚分布的模擬結(jié)果的圖。
[0035]圖14是本發(fā)明第3實施方式的真空蒸鍍裝置的側(cè)剖面圖。
[0036]圖15 (a) (b)是表示該裝置中采用的分隔板的形狀的俯視圖。
[0037]圖16是表示該裝置中采用的分隔板與蒸發(fā)源的位置關(guān)系的形狀的側(cè)剖面圖?！揪唧w實施方式】
[0038] 對于本發(fā)明第一實施方式的真空蒸鍍裝置，參照圖1至圖3進行說明。如圖1所示，本實施方式的真空蒸鍍裝置I具備用于在被蒸鍍體2上蒸鍍多種材料的多個蒸發(fā)源3、和將這多個蒸發(fā)源3及被蒸鍍體2之間的空間包圍且在被蒸鍍體2側(cè)具有開口面的筒狀體4。并且，具備使配置這些被蒸鍍體2、蒸發(fā)源3及筒狀體4的空間成為真空狀態(tài)的真空室5。真空室5構(gòu)成為能夠通過真空泵6排氣而減壓為真空狀態(tài)。
[0039]筒狀體4在其一端具有開口面41,在該開口面41設(shè)置后述的流量控制用的校正板48，與其相對置地配置基板等被蒸鍍體2。在筒狀體4的另一端，將多個蒸發(fā)源3配置于各個不同的位置，沒有配置蒸發(fā)源3的部分通過底部42連結(jié)。
[0040]在筒狀體4的內(nèi)部,配置有具有至少I處以上的開口部70的分隔板7。在筒狀體4的內(nèi)壁，形成有用于將分隔板7水平卡止的卡止部(未圖示)。該卡止部從筒狀體4的底部42到開口面41以規(guī)定間隔設(shè)有多個，能夠?qū)⒎指舭?設(shè)在筒狀體4內(nèi)的適宜的高度。分隔板7的設(shè)置高度根據(jù)筒狀體4的筒徑等而不同，優(yōu)選設(shè)置在比開口面41側(cè)靠近底部42的位置。這樣，能夠充分確保筒狀體4內(nèi)的分隔板7與開口面41之間的空間，因此能夠使氣化材料在被蒸鍍體2上均勻地附著。另一方面，若分隔板7在靠近開口面41的位置設(shè)置，則分隔板7的開口部70與被蒸鍍體2之間的距離接近，容易在被蒸鍍體2的中央?yún)^(qū)域集中地附著蒸鍍材料。因此，優(yōu)選將分隔板7設(shè)置為:在其所劃分的筒狀體4內(nèi)，蒸發(fā)源3側(cè)的空間與被蒸鍍體2側(cè)的空間之比例如為1:2~1:5。
[0041]分隔板7的開口部70在以分隔板7的平面視形狀的重心P (參照圖2)為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)設(shè)有至少I個以上。另外，該直徑D是分隔板7的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。
[0042]在筒狀體4的外周，卷繞有由電熱線加熱器(sheath heater)等構(gòu)成的筒狀體加熱器(以下為加熱器43)。該加熱器43與電源44連接而接受供電，從而對筒狀體4內(nèi)進行加熱。并且，在筒狀體4的底部42，設(shè)置用于對筒狀體4內(nèi)的溫度進行測定的溫度傳感器45，溫度傳感器45的測定信息被輸出到由CPU及存儲器等構(gòu)成的筒狀體溫度控制器46。筒狀體溫度控制器46接受溫度傳感器45的測定信息，對從電源44向加熱器43供給的電力量進行控制，從而能夠?qū)ν矤铙w4內(nèi)的溫度進行調(diào)節(jié)。此時，也可以構(gòu)成為:通過加熱器43對筒狀體4內(nèi)的分隔板7也進行加熱。
[0043]筒狀體4在其側(cè)壁具有側(cè)面開口部47，與該側(cè)面開口部47面對地安裝有膜厚計
8。膜厚計8由水晶振子膜厚計等構(gòu)成，對在其表面上通過蒸鍍而附著的膜的膜厚進行自動計測。膜厚計8將其獲取的膜厚數(shù)據(jù)向蒸鍍速度控制器37輸出。在開口面41，設(shè)有用于對從筒狀體4流向被蒸鍍體2的氣化的蒸鍍材料的流量進行控制的校正板48。校正板48設(shè)有開閉自由的多個開口。這些開口形成在以校正板48的重心為中心的點對稱的位置。
[0044]蒸發(fā)源3在熔爐等加熱容器31內(nèi)保持有蒸鍍材料32。加熱容器31以其開口側(cè)與筒狀體4的底部42處于相同高度的方式埋入筒狀體4。在本實施方式的真空蒸鍍裝置I中，多個蒸發(fā)源3分別設(shè)置在筒狀體4的底部42的不同位置。蒸鍍材料32可以采用任意的材料，例如適當(dāng)?shù)夭捎迷谟袡C電致發(fā)光元件中使用的有機半導(dǎo)體材料等有機材料。在加熱容器31的周邊部，配置有蒸發(fā)源加熱器33。該蒸發(fā)源加熱器33與電源34連接而被供電，從而對加熱容器31及蒸鍍材料32進行加熱。加熱容器31設(shè)置用于對其溫度進行測定的溫度計35，溫度計35的測定信息被輸出到蒸發(fā)源溫度控制器36。該蒸發(fā)源溫度控制器36與蒸鍍速度控制器37連接。蒸鍍速度控制器37接受溫度計35的測定信息，對從電源34向蒸發(fā)源加熱器33供給的電力量進行控制，從而對加熱容器31內(nèi)的溫度進行調(diào)節(jié)，計測膜厚計8的膜厚數(shù)據(jù)并對蒸鍍速度進行控制。
[0045]如圖2 (a) (b)所示，分隔板7的開口部70在以分隔板7的平面視形狀的重心P為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)設(shè)置，該直徑D是分隔板7的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。換言之，上述分隔板7的2點間距離的最大值是直徑D的3/2。即，如果使開口部70的口徑在上述范圍內(nèi)，則能夠使從開口部70向被蒸鍍體2側(cè)放出的氣化材料的流束分布相同。在分隔板7的開口部70為I個的情況下，優(yōu)選的是，該開口部70的口徑大于以分隔板7的外周上的2點間距離中的最大值的1/10為直徑的圓周。開口部70的口徑在上述范圍內(nèi)時，從蒸發(fā)源3氣化的蒸鍍材料32能夠不受分隔板7顯著妨礙地向被蒸鍍體2側(cè)行進。
[0046]并且，優(yōu)選的是，分隔板7的開口部70設(shè)置成相對于分隔板7的重心P點對稱。這樣，能夠使蒸鍍材料32在被蒸鍍體2上均勻地附著。分隔板7的開口部70形成為幾何學(xué)形狀。不限于圖2 (a) (b)所示的正圓形狀，例如圖3 (a)至(d)所示，可以是橢圓、正方形、長方形、或正多邊形(在圖例中為正六邊形)中的任意一種。另外，如圖3 (e)所示，也可以將正方形與正圓形狀的多個開口部70組合。分隔板7的開口部40的形狀可以根據(jù)蒸發(fā)源3的位置及蒸鍍速度等適當(dāng)?shù)剡x擇。 [0047]在這樣構(gòu)成的真空蒸鍍裝置I中，當(dāng)使蒸鍍材料32蒸鍍在被蒸鍍體2上時，首先，在各蒸發(fā)源3的加熱容器31中分別容納蒸鍍材料32，使真空泵6動作而使真空室5內(nèi)減壓為真空狀態(tài)。接著，使各蒸發(fā)源3的蒸發(fā)源加熱器33發(fā)熱，對各蒸鍍材料32進行加熱，并且，將筒狀體4和分隔板7通過加熱器43等加熱至使全部的蒸鍍材料32氣化且不分解等的程度的溫度。并且，通過各蒸發(fā)源3的蒸發(fā)源加熱器33的加熱，各蒸鍍材料32從熔融狀態(tài)蒸發(fā)或升華從而氣化時，氣化的蒸鍍材料直接向筒狀體4的開口面41方向行進，或者一邊在被設(shè)定成使蒸鍍材料32氣化的溫度的筒狀體4的內(nèi)壁面及分隔板7的兩面反射，一邊向筒狀體4的開口面41方向行進，從校正板48的開口放出而在被蒸鍍體2的表面堆積。
[0048]此時，從各蒸發(fā)源3氣化的蒸鍍材料32不依賴于被蒸鍍體2和蒸發(fā)源3的位置關(guān)系、蒸發(fā)源3的形狀及傾斜等，通過分隔板7的開口部70，向比筒狀體4的分隔板7靠近被蒸鍍體2側(cè)的區(qū)域行進。因此，在筒狀體4的被蒸鍍體2側(cè)的開口面41附近，各氣化材料的流束分布相同，能夠使各蒸鍍材料32的混合比遍及被蒸鍍體2的整面而均勻。
[0049]并且，分隔板7的開口部70相對于分隔板7的重心P點對稱地設(shè)置時，各氣化材料的流束分布以筒狀體4的開口面41的重心為中心而點對稱。并且，基于點對稱的流束分布，通過確定形狀的校正板48，能夠使在被蒸鍍體2上堆積的膜厚分布均勻。
[0050]對于使用本實施方式的真空蒸鍍裝置I形成怎樣的蒸鍍膜，使用直接模擬蒙特卡羅法進行了模擬。作為筒狀體4,采用內(nèi)壁寬度為200mm、進深為100mm、高度為200mm的長方體狀的方筒，設(shè)筒狀體4的加熱溫度為300°C。另外，在筒狀體4內(nèi)將2個蒸發(fā)源3分別配置在不同的位置。一個蒸發(fā)源3 (第一蒸發(fā)源)位于筒狀體4的底部42的重心，開口直徑為30mm的加熱容器31的開口面處于筒狀體4的底部42的高度。該一個蒸發(fā)源3配置于筒狀體4的底部42的重心，開口直徑為30mm的加熱容器31的開口面處于筒狀體4的底部42的高度。另一個蒸發(fā)源3 (第二蒸發(fā)源)配置在以從筒狀體4的底部42的重心起沿筒狀體4的寬度方向移動了 65mm的點為中心的位置，開口直徑為30mm的加熱容器31的開口面處于筒狀體4的底部42的高度。
[0051]假設(shè)在第一及第二蒸發(fā)源的各加熱容器31內(nèi)，均容納有三(8-羥基喹啉)鋁絡(luò)合物(Alq3),基于該Alq3的分子量、分子尺寸、蒸發(fā)溫度等來確定模擬的計算條件。首先，作為基準(zhǔn)，在上述情況下，以使被蒸鍍體2上的第一蒸發(fā)源3和第二蒸發(fā)源3的蒸鍍速度比為1:0.1的方式，確定各蒸發(fā)源3的蒸鍍速度來進行了模擬。
[0052]圖4表示使用不具備分隔板7的真空蒸鍍裝置、即比較例I的真空蒸鍍裝置時的、在被蒸鍍體2上形成的蒸鍍膜的膜厚分布的模擬結(jié)果。如該圖所示可知，來自第一蒸發(fā)源的氣化材料的膜厚分布(Λ)與來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)不一致，特別是對于第二蒸發(fā)源，在膜厚分布中產(chǎn)生偏倚。此時，根據(jù)被蒸鍍體2上的位置，在2種蒸鍍材料的混合比中產(chǎn)生10%左右的差。
[0053]圖5表示使用在距筒狀體4的底部42為50mm的高度處設(shè)有分隔板7的真空蒸鍍裝置(比較例2)時的膜厚分布的模擬結(jié)果。該分隔板7在筒狀體4內(nèi)劃分為:蒸發(fā)源3側(cè)的空間與被蒸鍍體2側(cè)的空間之比為1:3。該分隔板7的開口部70的口徑為150mm，相對于筒狀體4的內(nèi)壁的寬度(200mm)而言開口部70的口徑為3/4。如該圖所示可知，與上述圖4所示的比較例I相比，來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)實現(xiàn)均勻化，但是來自第一蒸發(fā)源的氣化材料的膜厚分布(Λ)與來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)仍然不一致。此時，根據(jù)被蒸鍍體2上的位置，在2 種蒸鍍材料的混合比中產(chǎn)生8%左右的差。
[0054]圖6表示使用了分隔板7的開口部70的口徑為133mm、相對于筒狀體4的內(nèi)壁的寬度(200mm)而言開口部70的口徑為2/3的真空蒸鍍裝置(實施例1)時的、膜厚分布的模擬結(jié)果。如該圖所示，與上述圖4及圖5所示的比較例1、2相比，來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(O)實現(xiàn)均勻化，來自第一蒸發(fā)源的氣化材料的膜厚分布(Λ)與來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)一致。此時，根據(jù)被蒸鍍體2上的位置，在2種蒸鍍材料的混合比中產(chǎn)生5%左右的差。即，可知蒸鍍膜遍及被蒸鍍體2的整面均勻地形成。
[0055]圖7表示使用了分隔板7的開口部70的口徑為100mm、相對于筒狀體4的內(nèi)壁的寬度(200mm)而言開口部70的口徑為1/2的真空蒸鍍裝置(實施例2)時的、膜厚分布的模擬結(jié)果。如該圖所示可知，與上述實施例1相比，來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)實現(xiàn)均勻化，來自第一蒸發(fā)源的氣化材料的膜厚分布(Λ)與來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?) 一致。此時，根據(jù)被蒸鍍體2上的位置，在2種蒸鍍材料的混合比中產(chǎn)生4%左右的差。
[0056]圖8表示使用了分隔板7的開口部70的口徑為30mm、相對于筒狀體4的內(nèi)壁的寬度(200mm)而言開口部70的口徑為3/20的真空蒸鍍裝置(實施例3)時的、膜厚分布的模擬結(jié)果。如該圖所示可知，與上述實施例1、2相比，來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)更加均勻化，來自第一蒸發(fā)源的氣化材料的膜厚分布(Λ)與來自第二蒸發(fā)源的膜厚分布(?)更加一致。此時，根據(jù)被蒸鍍體2上的位置，在2種蒸鍍材料的混合比中產(chǎn)生3%左右的差。
[0057]這些模擬的結(jié)果，將分隔板7的開口部70設(shè)置在以重心P為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)，直徑D為分隔板7的外周上的2點間距離中的最大值的2/3，由此，能夠使從開口部70向被蒸鍍體2側(cè)放出的氣化材料的流束分布相同。因此，根據(jù)本實施方式的真空蒸鍍裝置，即使在使用了多個蒸發(fā)源的情況下，也不易發(fā)生在被蒸鍍體2上形成的蒸鍍膜的不均，能夠形成所希望的膜厚的蒸鍍膜。
[0058]對上述實施方式的變形例的真空蒸鍍裝置，參照圖9進行說明。該變形例的真空蒸鍍裝置I中，分隔板7作為加熱機構(gòu)而具有加熱器71。加熱器71通過在分隔板7中埋入電熱線加熱器等而構(gòu)成。該加熱器71也與筒狀體4等同樣地，與電源72連接而被供電，從而能夠?qū)Ψ指舭?進行加熱。并且，分隔板7設(shè)有用于對分隔板7自身的溫度進行測定的溫度傳感器73，溫度傳感器73的測定信息被輸出到分隔板溫度控制器74。分隔板溫度控制器74對從電源72向加熱器71供給的電力量進行控制，從而能夠?qū)Ψ指舭?的溫度進行調(diào)節(jié)。并且，分隔板溫度控制器74構(gòu)成為:電連接于筒狀體溫度控制器46，對分隔板7的溫度進行調(diào)節(jié)，以使得分隔板7的溫度與筒狀體4相等。
[0059]如果筒狀體4的筒徑較小，則分隔板7的大小也較小，因此如果筒狀體4被加熱器
43加熱，則筒狀體4的熱還向在筒狀體4的內(nèi)壁上安裝的分隔板7傳導(dǎo)。但是，如果筒狀體4的筒徑變大，則無法用加熱器43對分隔板7整體進行加熱。因此，通過使加熱器71內(nèi)裝于分隔板7自身，能夠抑制在分隔板7上附著蒸鍍材料32的情況，并且，能夠防止開口部70因蒸鍍材料32而堵塞等。
[0060]對于本發(fā)明的第二實施方式的真空蒸鍍裝置，參照圖10至圖13進行說明。如圖10及圖11所示，本實施方式的真空蒸鍍裝置1，在分隔板7的平面視形狀的外周位置，具有開口面積比開口部70小的輔助開口部75。
[0061]當(dāng)蒸發(fā)源3遠離筒狀體4的平面視的中心而配置時，難以得到利用分隔板7的開口部70而實現(xiàn)的均勻化的效果。因此，在本實施方式中，通過在分隔板7的外周位置設(shè)置輔助開口部75，從而來自遠離上述中心而配置的蒸發(fā)源3的蒸鍍材料32經(jīng)由輔助開口部75向筒狀體4內(nèi)分散，能夠使在被蒸鍍體2上附著的膜厚的分布優(yōu)化。并且，由于使輔助開口部75的開口面積比開口部 70小，因此能夠減小其它蒸發(fā)源3對膜厚分布的影響。
[0062]參照圖12及圖13，說明這些蒸發(fā)源3與分隔板的開口部70及輔助開口部75之間的位置關(guān)系、以及分隔板7的輔助開口部75的有無的情況下各自的膜厚分布。這里，如圖12所示，將第一蒸發(fā)源3a配置在筒狀體4的平面視的中心，將第二蒸發(fā)源3b配置在從第一蒸發(fā)源3a向外周側(cè)遠離150mm的位置。并且,筒狀體4是內(nèi)壁的寬度為350mm、進深為100mm、高度為250mm的長方體狀的方筒，在距筒狀體4的底面42為IOOmm的位置設(shè)有分隔板7。分隔板7的開口部70的開口面積為50cm2，輔助開口部75的開口面積為5cm2。
[0063]如圖13所示，在分隔板7沒有輔助開口部75的情況下(□)，在基于第二蒸發(fā)源3b的膜厚分布中產(chǎn)生偏倚，在寬度方向± IOOmm的范圍內(nèi)膜厚分布范圍為9.5%。相對于此，在分隔板7外周位置設(shè)有輔助開口部75的情況下(?)，膜厚分布范圍改善為3.4%。并且，由于使輔助開口部75的開口面積為開口部70的1/10，因此還能夠使第一蒸發(fā)源3a對膜厚分布的影響減少。
[0064]參照圖14至圖16，說明本發(fā)明的第3實施方式的真空蒸鍍裝置。如圖14所示，本實施方式的真空蒸鍍裝置I具備多個分隔板，這些分隔板具有彼此形狀不同的開口部。并且，作為開口部的形狀差異，也包括分隔板的開口部的位置、開口部的個數(shù)不同的情況。這里，基于具備第一分隔板7、和在比該第一分隔板7靠近蒸發(fā)源3的一側(cè)空出規(guī)定間隔而設(shè)置的第二分隔板9的結(jié)構(gòu)進行說明。第一分隔板7如圖15 (a)所示，具有以分隔板7的平面視形狀的重心P為中心的開口部70。并且，第二分隔板9如圖15 (b)所示，具有相對于重心P對稱的2個開口部90。這些開口部70、90均在以重心P為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)設(shè)置，該直徑D是分隔板7的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。第一分隔板7與第二分隔板9的間隔、各開口部70、90的位置例如如圖16所示那樣被設(shè)定為:將第二分隔板9的開口部90配置在如下范圍內(nèi)，即在將第一分隔板7的開口部70和各蒸發(fā)源3分別連結(jié)的直線上不干涉的范圍。
[0065]如上所述，越是從筒狀體4的平面視的中心遠離地配置的蒸發(fā)源3，越是難以得到基于第一分隔板7的膜厚分布均勻化的效果。該情況下，例如，將相對于第一分隔板7的中心對稱地設(shè)有2個開口部90的第二分隔板9,在第一分隔板7的下部,配置于在將第一分隔板7的開口部70與各蒸發(fā)源3分別連結(jié)的直線上不干涉的范圍內(nèi)，從而開口部90成為假想的蒸發(fā)面，能夠提高膜厚分布的均勻化的效果。 [0066]并且，本發(fā)明不限于上述實施方式而能夠進行各種變形。例如，可以設(shè)置使筒狀體4內(nèi)的分隔板7的設(shè)置高度可變的驅(qū)動機構(gòu)。
[0067]本申請基于日本專利申請2011-151044號,其內(nèi)容通過對上述專利申請的說明書及附圖進行參照而包含于本申請發(fā)明。
[0068]符號說明
[0069]1:真空蒸鍍裝置
[0070]2:被蒸鍍體
[0071]3:蒸發(fā)源
[0072]4:筒狀體
[0073]41:開口面
[0074]5:真空室
[0075]7:分隔板
[0076]70:開口部
[0077]71:加熱器(加熱機構(gòu))
[0078]73:溫度傳感器(溫度調(diào)節(jié)機構(gòu))
[0079]75:輔助開口部
[0080]9:分隔板
[0081]90:開口部
[0082]P:分隔板的平面視形狀的重心。
【權(quán)利要求】
1.一種真空蒸鍍裝置，具備:用于在被蒸鍍體上蒸鍍多種材料的多個蒸發(fā)源；將上述多個蒸發(fā)源及上述被蒸鍍體之間的空間包圍、在上述被蒸鍍體側(cè)具有開口面的筒狀體；使配置上述被蒸鍍體、上述蒸發(fā)源以及上述筒狀體的空間為真空狀態(tài)的真空室， 該真空蒸鍍裝置的特征在于， 具備在上述筒狀體的內(nèi)部配置的分隔板， 上述分隔板具有開口部，該開口部在以上述分隔板的平面視形狀的重心為中心的直徑D的圓周范圍內(nèi)設(shè)有至少I個以上，上述直徑D是上述分隔板的外周上的2點間距離中的最大值的2/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述開口部形成為幾何學(xué)形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述分隔板在該分隔板的平面視形狀的外周位置具有開口面積比上述開口部小的輔助開口部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述開口部形成為相對于上述分隔板的重心點對稱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至 4中的任一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 具備多個上述分隔板， 上述多個分隔板具備形狀互不相同的開口部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述分隔板具有加熱機構(gòu)以及溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。
【文檔編號】C23C14/24GK103649364SQ201280033540
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月7日
【發(fā)明者】宮川展幸, 西森泰輔, 安食高志, 北村一樹 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社