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多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的制作方法

文檔序號:3263923閱讀:140來源:國知局
專利名稱:多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術(shù)
磁控濺射鍍膜技術(shù)是當前廣泛應(yīng)用的真空鍍膜技術(shù)方法,被普遍應(yīng)用于光學(xué)、微電子、耐磨、耐蝕、裝飾等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,用以提供可靠而穩(wěn)定的薄膜鍍層,可為被鍍膜產(chǎn)品提供某方面特定性能。比如在玻璃表面鍍一層ITO薄膜,可以形成透明導(dǎo)電玻璃,用以生產(chǎn)LCD顯示器、觸摸屏等。磁控濺射技術(shù)主要通過在濺射靶上的電場在稀薄氣體狀態(tài)下激發(fā)等離子體,通過磁場和電場的聯(lián)合控制下使正離子轟擊安裝在祀上的被派射祀材,使祀材物質(zhì)以原子、分子狀態(tài)被濺射到襯底上,進而形成需要的功能薄膜。連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備是通過多個真空腔室串聯(lián)連接,分成大氣向粗真空過渡室,粗真空向高真空過渡室,鍍膜室等不同功能區(qū),各個區(qū)真空系統(tǒng)獨立,之間可以進行密封的傳送。通過這一設(shè)計可以有效的減少抽真空時間,可以一片接一片連續(xù)的進行磁控濺射鍍膜。其主要應(yīng)用于大面積的平板基材表面鍍膜,如玻璃。當前的連續(xù)式磁控濺射鍍膜設(shè)備按鍍膜基材擺放的角度主要分為三類:1、立式:立式設(shè)備與水平面垂直,鍍膜基材是垂直通過設(shè)備,鍍膜過程也是垂直的,例如,中國專利文獻CN 102181839A公開一種“同端進出式連續(xù)濺射鍍膜設(shè)備”,其包括真空腔體和真空抽 氣裝置,所述真空抽氣裝置與真空腔體相連通,其特征在于所述真空腔體由相鄰且相通的預(yù)抽室和濺射室兩個真空室構(gòu)成,兩個真空室之間設(shè)有隔離閥,腔體的末端和前端分別設(shè)有盲法蘭和真空鎖閥,所述真空鎖閥外側(cè)設(shè)有一個裝卸片臺,在濺射室內(nèi)設(shè)置有工件架傳輸裝置,在預(yù)抽室內(nèi)裝有復(fù)合傳輸裝置,所述濺射室內(nèi)裝有至少三對相對布置的磁控濺射靶,所述工件架傳輸裝置能夠與工件架相配合,并能將工件架從裝卸片臺依次輸送到預(yù)抽室、濺射室,并從原路輸送回到裝卸片臺。對于此鍍膜設(shè)備,其鍍膜過程受真空腔體內(nèi)跌落的顆粒等污物的污染最小,最適宜于對潔凈度要求高的鍍膜產(chǎn)品,如ITO玻璃鍍膜等。但是此鍍膜方式具有以下缺陷:a、采用立式設(shè)備時,鍍膜基材的固定裝夾比較困難,采用夾具固定會在固定位置處留下夾具印,導(dǎo)致邊緣存在無效區(qū),鍍膜工藝較難控制,同時也不便于鍍多種大小規(guī)格的基材;b、此鍍膜方式是采用同端進出鍍膜室鍍膜,這樣的鍍膜輔助用時間較長,生產(chǎn)效率不高,浪費能源。2、臥式:臥式設(shè)備與水平面平行,鍍膜基材是水平通過設(shè)備,鍍膜過程也是水平的,對于臥式設(shè)備,其鍍膜過程不需要夾具,不存在無效區(qū),也可以同時鍍各種大小規(guī)格基材,效率高,應(yīng)用方便。但是其主要的問題是,腔體跌落的顆粒等污物會掉在基材上,其只能應(yīng)用于對基材潔凈度要求不高的領(lǐng)域。3、傾斜式:傾斜式設(shè)備與水平面成一定角度斜立擺放,鍍膜基材是斜立著通過設(shè)備,鍍膜過程也是斜立的,對于傾斜式設(shè)備,綜合了兩種設(shè)備的優(yōu)點,但由于設(shè)備整體傾斜,其安裝加工都較困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的,在于提供一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其既可立式也可傾斜安裝鍍膜基材,不僅能滿足不同基材鍍膜的需要,還能有效防止腔體內(nèi)跌落的顆粒等污物掉在基材上,保證基材不被污染,進而提聞鍛I吳質(zhì)量。為達上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,包括至少一個鍍膜室,其特征在于,所述鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶,對應(yīng)所述立式靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的立式基材承載架,對應(yīng)所述傾斜靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的傾斜式基材承載架。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述鍍膜室的第一側(cè)面開有靶位口,所述靶位口的一側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第一靶位門板,所述靶位口的另一側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第二靶位門板,以使所述第一靶位門板與所述第二靶位門板能交替的關(guān)閉在所述靶位口處。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一靶位門板上至少設(shè)置一個立式靶座,在所述立式靶座上拆卸式安裝有所述立式靶,所述第二靶位門板上至少設(shè)置一個傾斜靶座,在所述傾斜靶座上拆卸式安裝有所述傾斜靶。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述立式基材承載架的一端設(shè)置有第一滑行凹槽,另一端設(shè)置第一傳動摩擦部,所述鍍膜室內(nèi)側(cè)頂部對應(yīng)所述第一滑行凹槽設(shè)置直立導(dǎo)向輪,所述鍍膜室內(nèi)側(cè)底部對應(yīng)所述第一傳動摩擦部設(shè)置摩擦傳動輪,所述摩擦傳動輪通過傳動轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室外部的動力裝置連接,所述傳動轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室接觸處設(shè)置用于密封的磁流體密封件;

在所述直立導(dǎo)向輪的一側(cè)設(shè)置傾斜導(dǎo)向輪,對應(yīng)所述傾斜導(dǎo)向輪在所述傾斜式基材承載架端部設(shè)置第二滑行凹槽,在所述傾斜式基材承載架遠離所述第二滑行凹槽的一端設(shè)置與所述摩擦傳動輪相匹配的第二傳動摩擦部。優(yōu)選的,所述摩擦傳動輪為圓形輪,其與傳動摩擦部接觸處設(shè)置有容納所述傳動摩擦部的環(huán)形凹槽,以使所述傳動摩擦部能剛好嵌入到摩擦傳動輪的環(huán)形凹槽內(nèi),并能有效的實現(xiàn)導(dǎo)向,同時保證基材承載架在運動過程中不會左右搖擺甚至偏倒。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述立式靶座的座面與地面呈垂直設(shè)置,對應(yīng)的立式靶的靶面、直立基材承載架的架面也均與地面呈垂直設(shè)置,所述傾斜靶座的座面與地面呈夾角a設(shè)置,對應(yīng)的傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面也均與地面呈夾角a設(shè)置。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一靶位門板上平行設(shè)置兩個所述立式靶座,所述第二靶位門板上平行設(shè)置兩個所述傾斜靶座。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,還包括分別設(shè)置在所述鍍膜室兩側(cè)的第一鍍膜緩沖室和第二鍍膜緩沖室,所述第一鍍膜緩沖室遠離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第一過渡室,所述第二鍍膜緩沖室遠離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第二過渡室,所述第一過渡室遠離第一鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置進片室,所述第二過渡室遠離第二鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置出片室,所述進片室與第一過渡室之間、所述第一過渡室與第一鍍膜緩沖室之間、所述第二鍍膜緩沖室與第二過渡室之間、所述第二過渡室與出片室之間均設(shè)置用于隔絕各個腔室的隔離閥門,所述第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室之間呈貫通設(shè)置。通過在各個腔室之間設(shè)置隔離閥門,使得各個腔室在使用過程中保持獨立狀態(tài),并且對應(yīng)各個腔室均設(shè)置真空泵機組,可以獨立的對各個腔室進行抽取真空,這樣可以在連續(xù)送入和送出產(chǎn)品過程中不破壞鍍膜室內(nèi)的真空狀態(tài),保證鍍膜工作的正常運行。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述傾斜靶座的座面、傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面與地面的夾角α為銳角。優(yōu)選的,所述夾角α為83°。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述進片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室以及出片室上分別獨立設(shè)置真空泵機組,使各個腔室能獨立抽取真空。優(yōu)選的,所述進片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室、出片室內(nèi)均設(shè)置有與鍍膜室內(nèi)部相同設(shè)置的直立導(dǎo)向輪、傾斜導(dǎo)向輪、摩擦傳動輪、傳動轉(zhuǎn)軸、磁流體密封件,且均在各腔室外部對應(yīng)位置設(shè)置控制摩擦傳動輪勻速轉(zhuǎn)動的電機,使得基材承載架能連續(xù)的由進片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室進入鍍膜室鍍膜,鍍膜完成后由第二鍍膜緩沖室、第二過渡室、出片室送出,使得整個生產(chǎn)可連續(xù)性,提高生產(chǎn)效率,減少生產(chǎn)輔助工序。作為多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈,所述第二靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈。優(yōu)選的,所述第一靶位門板周邊至少設(shè)置一圈密封圈,所述第二靶位門板周邊至少設(shè)置一圈密封圈。 更加優(yōu)選的,所述第一靶位門板周邊設(shè)置兩圈密封圈,所述第二靶位門板周邊設(shè)置兩圈密封圈。優(yōu)選的,在所述靶位口處對應(yīng)第一靶位門板或第二靶位門板至少開設(shè)有一圈環(huán)形的密封用凹槽,在所述凹槽內(nèi)設(shè)置密封圈。更加優(yōu)選的,所述靶位口處開設(shè)有兩圈環(huán)形的密封用凹槽,在每個所述凹槽內(nèi)均設(shè)置密封圈。對比現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明的有益效果為:通過在鍍膜室的靶位口處設(shè)置可交替使用的立式靶和傾斜靶,并對應(yīng)立式靶和傾斜靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置立式基材承載架和傾斜式基材承載架,使得產(chǎn)品在鍍膜要求不高時可以使用立式靶進行鍍膜,當產(chǎn)品鍍膜要求高時可以使用傾斜靶進行鍍膜,并利用傾斜式基材承載架裝配產(chǎn)品,可以有效的避免裝夾時的夾痕,防止出現(xiàn)無效區(qū),并且立式靶和傾斜靶的可交替使用,使得鍍膜室能適應(yīng)更多規(guī)格的產(chǎn)品鍍膜,提高鍍膜裝置的通用性。


圖1為發(fā)明所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1中鍍膜室的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為圖2中鍍膜室使用立式靶時的剖視示意圖4為圖2中鍍膜室使用傾斜靶時的剖視示意圖。圖中:1、鍍膜室;101、連接口 ;102、靶位口 ;103、第一靶位門板;104、第二靶位門板;105、立式靶;106、傾斜革巴;107、立式靶座;108、傾斜靶座;109、直立導(dǎo)向輪;110、傾斜導(dǎo)向輪;111、立式基材承載架;112、傾斜基材承載架;113、第一傳動摩擦部;114、第二傳動摩擦部;115、第一滑行凹槽;116、第二滑行凹槽;117、摩擦傳動輪;118、傳動轉(zhuǎn)軸;119、磁流體S封件;2、進片室;3、第一過渡室;4、第一鍍膜緩沖室;5、第二鍍膜緩沖室;6、第二過渡室;7、出片室;8、隔離閥門;9、上料工位;10、下料工位;11、真空泵機組。
具體實施例方式如圖1所示,此實施例中所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,包括依次設(shè)置的進片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7,在進片室2遠離第一過渡室3的一側(cè)設(shè)置上料工位9,在出片室7遠離第二過渡室6的一側(cè)設(shè)置下料工位10,進片室2和第一過渡室3之間設(shè)置隔離閥門8,第一過渡室3和第一鍍膜緩沖室4之間設(shè)置隔離閥門8,第二鍍膜緩沖室5與第二過渡室6之間設(shè)置隔離閥門8,第二過渡室6和出片室7之間設(shè)置隔離閥門8,且第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5呈連通設(shè)置,其內(nèi)部的真空狀態(tài)一致。在進片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室1、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7上均設(shè)置一套獨立的真空泵機組,用于進行獨立的抽取真空工作,這樣可以在連續(xù)送入和送出產(chǎn)品過程中不破壞鍍膜室I內(nèi)的真空狀態(tài),保證鍍膜工作的正常運行。如圖2 4所示,鍍膜室I為長方體箱體,其包括四個與地面垂直的側(cè)面,分別為第一側(cè)面、第二側(cè)面、第三側(cè)面和第四側(cè)面,在第一側(cè)面上設(shè)置靶位口 102,在靶位口 102的左側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第一靶位門板103,在靶位口 102的右側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第二靶位門板104,第一靶位門板103和第二靶位門板104的外形尺寸均與靶位口 102的尺寸相匹配,使得第一靶位門板103和第二靶位門板104均能交替的關(guān)閉在靶位口 102處。第一靶位門板103外圍設(shè)置兩圈環(huán)形密封圈,使其在關(guān)閉到靶位口 102處時能與靶位口 102密封連接,第二靶位門板104外圍設(shè)置兩圈環(huán)形密封圈,使其在關(guān)閉到靶位口102處時能與靶位口 102密封連接。在第一靶位門板103上平行設(shè)置兩塊矩形立式靶座107,每個立式靶座107上拆卸式設(shè)置一塊立式靶105,在第二靶位門板104上平行設(shè)置兩塊矩形傾斜靶座108,每個傾斜靶座108上拆卸式設(shè)置一塊傾斜靶106,立式靶座107的座面與地面呈垂直狀態(tài),安裝在立式靶座107座面的立式靶105為長方體形狀,因此立式靶105的靶面與地面也呈垂直狀態(tài),而傾斜靶座108的座面與地面呈83°夾角設(shè)置,安裝在傾斜靶座108座面的傾斜靶106為長方體形狀,因此傾斜靶106的靶面與地面也呈83°夾角設(shè)置。在鍍膜室I內(nèi)部頂端平行設(shè)置兩排導(dǎo)向輪,分別為直立導(dǎo)向輪109和傾斜導(dǎo)向輪110,在直立導(dǎo)向輪109正下方、鍍膜室I內(nèi)設(shè)置摩擦傳動輪117,此摩擦傳動輪117通過傳 動轉(zhuǎn)軸118與鍍膜室I外部設(shè)置的電機 連接,使得電機能帶動摩擦傳動輪117勻速的轉(zhuǎn)動,在傳動轉(zhuǎn)軸118與鍍膜室I接觸處設(shè)置用于對傳動轉(zhuǎn)軸118進行真空密封的磁流體密封件119,以實現(xiàn)可靠的動態(tài)密封。在直立導(dǎo)向輪109與摩擦傳動輪117之間可以安放立式基材承載架111,此立式基材承載架111的外表面與立式靶105的靶面呈平行狀態(tài),這樣可以使得安放在立式基材承載架111表面的鍍膜基材與立式靶105平行,進一步使得鍍膜基材表面鍍膜均勻,保證膜層
穩(wěn)定可靠。在傾斜導(dǎo)向輪110與摩擦傳動輪117之間可以安放傾斜式基材承載架112,此傾斜式基材承載架112的外表面與傾斜靶106的靶面呈平行狀態(tài),且均與地面呈83°夾角設(shè)置,這樣可以使得安放在傾斜式基材承載架112表面的鍍膜基材與傾斜靶106平行,進而保證安放在傾斜式基材承載架112表面的鍍膜基材與傾斜靶106平行,使得鍍膜基材表面鍍膜均勻,保證膜層穩(wěn)定可靠,并且當鍍膜基材對膜層質(zhì)量要求較高時,可以使用此傾斜式基材承載架112,因為傾斜式基材承載架112與地面呈83度夾角設(shè)置,因此在安放鍍膜基材時可以不適用夾具,這樣就可以避免鍍膜無效區(qū)。立式基材承載架111的上端設(shè)置有與直立導(dǎo)向輪109相匹配的第一滑行凹槽115,立式基材承載架111的下端設(shè)置有與摩擦傳動輪117相匹配的第一傳動摩擦部113,使得立式基材承載架111能在鍍膜室I內(nèi)均勻的移動。傾斜式基材承載架112的上端設(shè)置有與傾斜導(dǎo)向輪110相匹配的第二滑行凹槽116,傾斜式基材承載架112的下端設(shè)置有與摩擦傳動輪117相匹配的第二傳動摩擦部114,使得傾斜式基材承載架112能在鍍膜室I內(nèi)均勻的移動。摩擦傳動輪117為圓形輪,其與傳動摩擦部接觸處設(shè)置有容納傳動摩擦部的環(huán)形凹槽,以使傳動摩擦部能剛好嵌入到摩擦傳動輪117的環(huán)形凹槽內(nèi),并能有效的實現(xiàn)導(dǎo)向,同時保證基材承載架在運動過程中不會左右搖擺甚至偏倒。在與鍍膜室I的第一側(cè)面連接的第二側(cè)面、第三側(cè)面分別設(shè)置與第一鍍膜緩沖室
4、第二鍍膜緩沖室5連通的連接口 101,在進片室2上正對連接口 101設(shè)置進片門,在出片室7上正對連接口 101設(shè)置出片門,進片門和出片門處均設(shè)置密封結(jié)構(gòu),使得進片室2和出片室7內(nèi)能保持真空密封狀態(tài)。進片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4、第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7內(nèi)部均設(shè)置與鍍膜室I內(nèi)部相同設(shè)置的直立導(dǎo)向輪109、傾斜導(dǎo)向輪110、摩擦傳動輪117、傳動轉(zhuǎn)軸118、磁流體密封件119,且均在各腔室外部對應(yīng)位置設(shè)置控制摩擦傳動輪117勻速轉(zhuǎn)動的電機,使得基材承載架能連續(xù)的由進片室2、第一過渡室3、第一鍍膜緩沖室4進入鍍膜室I鍍膜,鍍膜完成后由第二鍍膜緩沖室5、第二過渡室6、出片室7送出,使得整個生產(chǎn)可連續(xù)性,提高生產(chǎn)效率,減少生產(chǎn)輔助工序。如圖2所示,選擇采用立式基材承載架111裝載鍍膜基材:第一步、將鍍膜室I上的靶位口 102處的第一靶位門板103關(guān)閉并密封,然后將各個隔離閥門8關(guān)閉;第二步、由于第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室I以及第二鍍膜緩沖室5是呈貫通設(shè)置的,因此第一鍍膜緩沖室4、鍍膜室 I以及第二鍍膜緩沖室5統(tǒng)稱為鍍膜室組,開啟鍍膜室組上的真空泵機組11,對鍍膜室組內(nèi)抽取真空,直至鍍膜室組內(nèi)的氣壓為鍍膜時需要的氣壓,開啟第一過渡室3和第二過渡室6上的真空泵機組,分別對第一過渡室3和第二過渡室6內(nèi)部抽取真空,直至其內(nèi)部的氣壓為1/2鍍膜室組內(nèi)的氣壓,進片室2和出片室7暫不抽取真空;第三步、在上料工位9處將鍍膜基材固定在立式基材承載架111上,開啟進片室2的進片門,將帶有鍍膜基材的立式基材承載架111放入到進片室2內(nèi)的直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動輪之間,然后關(guān)閉進片門,并通過進片室2上設(shè)置真空泵機11組對進片室2抽取真空,使其內(nèi)部的真空壓力與第一過渡室3內(nèi)的真空壓力值一致;第四步、通過外部控制裝置打開進片室2與第一過渡室3之間的隔離閥門8,并利用直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動輪將立式基材承載架111送入到第一過渡室3內(nèi),關(guān)閉進片室2與第一過渡室3之間的隔離閥門8 ;第五步、利用第一過渡室3上設(shè)置的真空泵機組11對第一過渡室3抽取真空,使其內(nèi)部的氣壓值與鍍膜室組內(nèi)的氣壓值一致,然后通過外部控制裝置打開第一過渡室3與鍍膜室組之間的隔離閥門8,并利用直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動輪將立式基材承載架111送入到鍍膜室組內(nèi)的直立導(dǎo)向輪與摩擦傳動輪之間,關(guān)閉隔離閥門8,待立式基材承載架111從第一鍍膜緩沖室4進入到鍍膜室I內(nèi)后,再進行磁控濺射鍍膜;第六步、鍍膜完成后,開啟第二過渡室6上的真空泵機組,對第二過渡室6內(nèi)進行抽取真空,使第二過渡室6內(nèi)的壓力值與鍍膜室組的保持一致,然后將鍍膜室組與第二過渡室6之間的隔離閥門8開啟,將立式基材承載架111送入到第二過渡室6內(nèi)的直立導(dǎo)向輪和摩擦傳動輪上;第七步、開啟第二過渡室6與出片室7之間的隔離閥門8,將立式基材承載架111送入到出片室7內(nèi),并關(guān)閉第二過渡室6與出片室7之間的隔離閥門8 ;第八步、開啟出片室7上的大氣閥門,使空氣進入出片室7內(nèi),待出片室7內(nèi)的氣壓值與大氣壓一致,開啟出片室7的出門口,將立式基材承載架111從出片室7送出至下料工位10處,然后進行卸料;第九步、重復(fù)第一步至第八步,進行連續(xù)的重復(fù)的鍍膜工序。如圖3所示,選擇采用傾斜式基材承載架112裝載鍍膜基材時,操作步驟與上述步驟完全一致,只需要將傾斜式基材承載架112安放到傾斜式導(dǎo)向輪和摩擦傳動輪117之間,并且將靶位口 102處的第二靶位門板104關(guān)閉即可。以上結(jié)合具體實施例描述了本發(fā)明的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明的原理,而不能以任何方式解釋為對本發(fā)明保護范圍的限制?;诖颂幍慕忉?,本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本發(fā)明的其它具體實施方式
, 這些方式都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,包括至少一個鍍膜室,其特征在于,所述鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶,對應(yīng)所述立式靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的立式基材承載架,對應(yīng)所述傾斜靶在所述鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的傾斜式基材承載架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述鍍膜室的第一側(cè)面開有靶位口,所述靶位口的一側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第一靶位門板,所述靶位口的另一側(cè)轉(zhuǎn)動設(shè)置第二靶位門板,以使所述第一靶位門板與所述第二靶位門板能交替的關(guān)閉在所述靶位口處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述第一靶位門板上至少設(shè)置一個立式靶座,在所述立式靶座上拆卸式安裝有所述立式靶,所述第二靶位門板上至少設(shè)置一個傾斜靶座,在所述傾斜靶座上拆卸式安裝有所述傾斜靶。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述立式基材承載架的一端設(shè)置有第一滑行凹槽,另一端設(shè)置第一傳動摩擦部,所述鍍膜室內(nèi)側(cè)頂部對應(yīng)所述第一滑行凹槽設(shè)置直立導(dǎo)向輪,所述鍍膜室內(nèi)側(cè)底部對應(yīng)所述第一傳動摩擦部設(shè)置摩擦傳動輪,所述摩擦傳動輪通過傳動轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室外部的動力裝置連接,所述傳動轉(zhuǎn)軸與所述鍍膜室接觸處設(shè)置用于密封的磁流體密封件; 在所述直立導(dǎo)向輪的一側(cè)設(shè)置傾斜導(dǎo)向輪,對應(yīng)所述傾斜導(dǎo)向輪在所述傾斜式基材承載架端部設(shè)置第二滑行凹槽,在所述傾斜式基材承載架遠離所述第二滑行凹槽的一端設(shè)置與所述摩擦傳動輪相匹配的第二傳動摩擦部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述立式靶座的座面與地面呈垂直設(shè)置,對應(yīng)的立式靶的靶面、直立基材承載架的架面也均與地面呈垂直設(shè)置,所述傾斜靶座的座面與地面呈夾角a設(shè)置,對應(yīng)的傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面也均與地面呈夾角a設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述第一靶位門板上平行設(shè)置兩個所述立式靶`座,所述第二靶位門板上平行設(shè)置兩個所述傾斜靶座。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,還包括分別設(shè)置在所述鍍膜室兩側(cè)的第一鍍膜緩沖室和第二鍍膜緩沖室,所述第一鍍膜緩沖室遠離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第一過渡室,所述第二鍍膜緩沖室遠離鍍膜室的一側(cè)設(shè)置第二過渡室,所述第一過渡室遠離第一鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置進片室,所述第二過渡室遠離第二鍍膜緩沖室的一側(cè)設(shè)置出片室,所述進片室與第一過渡室之間、所述第一過渡室與第一鍍膜緩沖室之間、所述第二鍍膜緩沖室與第二過渡室之間、所述第二過渡室與出片室之間均設(shè)置用于隔絕各個腔室的隔離閥門,所述第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室之間呈貫通設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述傾斜靶座的座面、傾斜靶的靶面、傾斜式基材承載架的架面與地面的夾角a為銳角。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8任一所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述進片室、第一過渡室、第一鍍膜緩沖室、鍍膜室、第二鍍膜緩沖室、第二過渡室以及出片室上分別獨立設(shè)置真空泵機組,使各個腔室能獨立抽取真空。
10.根據(jù)權(quán)利要求2 8任一所述的多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于,所述第一靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位口密封連接的密封圈,所述第二靶位門板周邊設(shè)置用于與所述靶位 口密封連接的密封圈。
全文摘要
本發(fā)明公開一種多功能連續(xù)式磁控濺射鍍膜裝置,包括至少一個鍍膜室,鍍膜室內(nèi)壁上具有用于磁控濺射鍍膜的可交替使用的立式靶和傾斜靶,對應(yīng)立式靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的立式基材承載架,對應(yīng)傾斜靶在鍍膜室內(nèi)設(shè)置移動式的傾斜式基材承載架。通過在鍍膜室的靶位口處設(shè)置可交替使用的立式靶和傾斜靶,并對應(yīng)設(shè)置立式基材承載架和傾斜式基材承載架,使得鍍膜基材在不同要求時可以選用不同的靶材進行鍍膜,并且立式靶和傾斜靶的可交替使用,還可以使得鍍膜室能適應(yīng)更多規(guī)格的產(chǎn)品鍍膜,提高鍍膜裝置的通用性。
文檔編號C23C14/35GK103147053SQ20121054391
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者陳宇 申請人:廣東志成冠軍集團有限公司
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