專利名稱：一種銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種電接觸材料，具體地說(shuō)，涉及的是一種銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法。
背景技術(shù)：
銀基電觸頭是電器開(kāi)關(guān)的核心元件，它擔(dān)負(fù)著電路間的接通與斷開(kāi)的任務(wù)，被廣泛應(yīng)用于各類空氣開(kāi)關(guān)、繼電器、交直流接觸器等低壓電器中。近年來(lái)，隨著工業(yè)應(yīng)用水平及性價(jià)比需求的不斷提高，不斷有新的制備工藝及銀基電接觸復(fù)合材料推出。經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索發(fā)現(xiàn)，2011年公告的授權(quán)發(fā)明專利(201010579827. 4，顆粒定向排列增強(qiáng)銀基電觸頭材料的制備方法)中公開(kāi)了一種化學(xué)鍍包覆法制備Ag包覆增強(qiáng)相顆粒的中間體復(fù)合顆粒，將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉進(jìn)一步混合，將增強(qiáng)相含量降低至成品含量，通過(guò)混粉、壓制、燒結(jié)、熱擠壓等工藝，獲得增強(qiáng)相顆粒在基體中呈纖維狀排布的
傳統(tǒng)的粉末冶金工藝一般將增強(qiáng)相粉體與銀粉一次性混合，由于增強(qiáng)相粉體粒徑分布的原因，導(dǎo)致相當(dāng)比例的超細(xì)增強(qiáng)相粉體過(guò)分彌散在銀基體中，從而降低電接觸材料的導(dǎo)電率和延伸率。以上文獻(xiàn)(發(fā)明專利201010579827. 4)的技術(shù)原理是將對(duì)材料電學(xué)性能和機(jī)械性能有不良影響的增強(qiáng)相顆粒以纖維狀排布的形式約束在局部區(qū)域，從而提高了材料的導(dǎo)電率和延伸率。該局部區(qū)域的銀僅是起到了增強(qiáng)相載體的作用，而其中的貴金屬銀對(duì)整體材料的導(dǎo)電性和延伸率貢獻(xiàn)較為有限。進(jìn)一步的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，上述發(fā)明專利的主要發(fā)明人于2012年5月在第26屆電接觸國(guó)際會(huì)議(ICEC2012)上發(fā)表了題為 “Ag/(SnO2) 12Electrical Contact Materialwith Fibre-like Arrangement of Reinforcing Nanoparticles :Preparation，F(xiàn)ormationMechanism, and Properties”的研究文章，介紹了基于類似原理的制備方法和材料性能，具體描述了利用機(jī)械合金化的方法制備SnO2含量為60%的Ag/(SnO2)中間體復(fù)合顆粒，將Ag/ (SnO2)中間體復(fù)合顆粒與純Ag粉按照I : 4的比例混合，使SnO2含量降為12 %，后續(xù)通過(guò)壓制、燒結(jié)和熱擠壓等工藝，獲得SnO2在銀基體中呈纖維狀排布的新型Ag/(SnO2)環(huán)保電接觸材料。與傳統(tǒng)粉末冶金工藝相比，電阻率從2. 31 μ Ω · cm降至2. 08 μ Ω · cm,延伸率由7%提高至24%。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明在以上文獻(xiàn)技術(shù)原理的基礎(chǔ)上，提供一種銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，對(duì)原有的銀/金屬氧化物制備工藝進(jìn)行改進(jìn)，采用鎳代替貴金屬銀作為金屬氧化物增強(qiáng)相的載體，制備鎳/金屬氧化物中間體復(fù)合顆粒，從而將金屬氧化物約束在中間體復(fù)合顆粒中，避免超細(xì)金屬氧化物粉體對(duì)電接觸材料性能的不利影響，然后將該中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，經(jīng)壓制、燒結(jié)、擠壓和拉拔等工藝，獲得鎳包覆的金屬氧化物顆粒在材料中呈纖維狀分布的新型銀/鎳/金屬氧化物材料。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明采用化學(xué)鍍的方法，對(duì)金屬氧化物包覆金屬鎳，然后再包覆銀，形成Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合粉體。對(duì)獲得的復(fù)合粉體進(jìn)行保護(hù)氣氛燒結(jié)造粒，獲得高金屬氧化物含量和高鎳含量的中間體復(fù)合顆粒，將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，經(jīng)過(guò)壓制、燒結(jié)、擠壓和拉拔等工藝，使鎳包覆的金屬氧化物顆粒在材料中呈纖維狀分布。本發(fā)明上述方法具體步驟如下第一步，采用化學(xué)鍍的方法使金屬氧化物顆粒包覆一層金屬鎳；第二步，采用化學(xué)鍍的方法對(duì)第一步包覆鎳后的金屬氧化物顆粒進(jìn)一步包覆一層銀；第三步，采用氮?dú)獗Ｗo(hù)對(duì)第二步包覆后形成的Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的粉體進(jìn)行燒結(jié)造粒，獲得中間體復(fù)合顆粒粉體，然后篩分；
第四步，將第三步篩分后的中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，減低金屬氧化物的含量至設(shè)定數(shù)值；第五步，將第四步混合好的粉體壓制，氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)，再經(jīng)擠壓、拉拔，獲得金屬氧化物顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料，而該局部區(qū)域除了金屬氧化物增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。上述方法第一步中，采用化學(xué)鍍包覆鎳后的粉體中金屬氧化物的平均重量百分比含量為40% 80%，鎳的平均重量百分比含量為20% 60%。第二步中，采用化學(xué)鍍包覆銀后的粉體中銀的平均重量百分比含量小于10%。第三步中，采用氮?dú)獗Ｗo(hù)對(duì)包覆后形成的Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的粉體進(jìn)行燒結(jié)造粒，燒結(jié)的溫度為700°C 800°C。第三步中，將獲得的中間體復(fù)合顆粒粉體篩分，留用粒度為-100目 +400目。第四步中，將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，金屬氧化物的重量百分比含量降低至8% 20%。本發(fā)明上述方法中，所述金屬氧化物是能適用于電接觸材料且實(shí)現(xiàn)上述目的的金屬氧化物，較優(yōu)的，金屬氧化物包括但不限于Cdo，SnO2, ZnO, CuO, Ni2O, W03，以及這些金屬氧化物的混合物。本發(fā)明上述方法，經(jīng)過(guò)第四步和第五步的混粉、粉體壓制、保護(hù)氣氛燒結(jié)、擠壓、拉拔工藝后，得到的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料中金屬氧化物顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布，即纖維狀組織結(jié)構(gòu)是由金屬氧化物顆粒定向排列而成的，而該局部區(qū)域除了金屬氧化物增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。本發(fā)明采用化學(xué)鍍的方法對(duì)金屬氧化物顆粒包覆一層鎳，然后再包覆銀，形成Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)，改善了金屬氧化物顆粒與銀基體的界面浸潤(rùn)特性，消除了傳統(tǒng)粉末冶金方法中因界面浸潤(rùn)特性差對(duì)電接觸材料力學(xué)性能的不利影響。更重要的是通過(guò)金屬鎳的包覆，取代了以上文獻(xiàn)中中間體復(fù)合顆粒中的銀，從而降低銀的用量。銀的包覆主要作用是提高中間體復(fù)合顆粒的抗氧化性以及提高燒結(jié)造粒的性能，以及中間體復(fù)合顆粒在加工過(guò)程中的變形能力，從而提高工藝性能。
具體實(shí)施例方式下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。本發(fā)明采用化學(xué)鍍的方法，對(duì)金屬氧化物顆粒包覆鎳，然后再包覆銀，形成Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合粉體，其中化學(xué)鍍鎳和鍍銀的方法可以采用以下實(shí)施例中操作實(shí)現(xiàn)，但并不限于該操作，也可以采用其他現(xiàn)有化學(xué)鍍的方法實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明方法第四步和第五步分別采用現(xiàn)有技術(shù)中的混粉、粉體壓制、氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)、擠壓、拉拔工藝，具體并不限于以下實(shí)施例中的操作和工藝參數(shù)。實(shí)施例I :I.對(duì)CdO粉體采用化學(xué)鍍的方法包覆一層鎳，使粉體中CdO的平均含量(重量百分比)為80%，鎳的平均重量百分比含量為20% ;本實(shí)施例中可以采用以下工藝實(shí)現(xiàn) a)鍍前分散納米顆粒分散效果的好壞直接關(guān)系到其在復(fù)合鍍層中的微粒的分布和含量，進(jìn)而直接影響到復(fù)合鍍層的性能。較好的，本實(shí)施例采用海藻酸鈉(或聚乙烯基吡咯烷酮)作分散劑。具體的先用200mL的無(wú)水乙醇潤(rùn)濕12. 5g的CdO納米微粒；然后稱取7. 5g的海藻酸鈉，將其溶解于IL去離子水中；然后將用無(wú)水乙醇潤(rùn)濕的CdO納米微粒緩慢加入到海藻酸鈉溶液中，超聲波分散并機(jī)械攪拌，可得到分散液；b)敏化和活化將上述溶液在在16g/L的SnCl2 · 2H O和O. 18g/L PdCl2膠體鈀活化液中進(jìn)行敏化和活化；此過(guò)程中，Sn (OH) CL將Pd2+還原成Pd，Pd吸附于基體CdO表面并成為化學(xué)鍍鎳的催化活化中心，過(guò)濾，清洗，待用。c)還原采用30g/L NaH2PO3 · 2H20溶液，將經(jīng)活化處理的CdO粉末顆粒放入還原液中3min，還原可能殘留于其表面的Pd2+，防止其帶入鍍液中導(dǎo)致鍍液分解，過(guò)濾，得到表面附有Pd的CdO粉末，準(zhǔn)備化學(xué)鍍鎳；d)化學(xué)鍍鎳將上述處理好的CdO粉末緩慢加入到配置好的200mL化學(xué)鍍液中(鍍液配方硫酸鎳30g/L、次磷酸鈉25g/L、無(wú)水乙酸鈉6g/L、檸檬酸鈉5. 5g/L、溫度65°C、pH 4.5)。施鍍溫度為(83±3)°C，鍍覆時(shí)間為90min。然后蒸餾水沖洗，烘干。2、化學(xué)鍍銀對(duì)包覆鎳的CdO進(jìn)一步采用化學(xué)鍍包覆一層銀，包覆后粉體中銀的平均重量百分比含量小于10% ；3、對(duì)制備得到的Ag/Ni/CdO核殼結(jié)構(gòu)粉體放入氮?dú)鉄Y(jié)爐內(nèi)燒結(jié)造粒，燒結(jié)溫度為700°C，造粒后篩分，去除過(guò)細(xì)顆粒，留用粒度-100目 +400目之間的中間體復(fù)合顆粒粉體；4、將篩分獲得的Ag/Ni/CdO中間體復(fù)合顆粒粉體與純銀粉混合，使混合后粉體中的CdO平均重量百分比含量為20%，然后將粉體倒入“V”型混粉機(jī)中，進(jìn)行均勻混粉，混粉時(shí)轉(zhuǎn)速30轉(zhuǎn)/分鐘，時(shí)間4小時(shí)；5、將混合好的粉體裝入直徑為90cm，長(zhǎng)度150cm塑膠筒中，進(jìn)行冷等靜壓，冷等靜壓壓強(qiáng)200Mpa ；6、將冷等靜壓后獲得的坯體進(jìn)行氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)，燒結(jié)溫度800°C，燒結(jié)5小時(shí)；7、將燒結(jié)后獲得的坯體進(jìn)行熱壓，溫度800°C，熱壓壓強(qiáng)700MPa，熱壓時(shí)間IOmin ；
8、將熱壓好的坯體進(jìn)行熱擠壓，熱擠壓溫度600°C，擠壓比180，擠壓速度5cm/min，擠壓模具預(yù)熱溫度500°C ；本實(shí)施例最終獲得氧化鎘顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型Ag/Ni/CdO電接觸材料，而該局部區(qū)域除了 CdO增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。獲得的材料沿?cái)D壓方向電阻率為3. 9 μ Q.crn;硬度為87HV。實(shí)施例2 I.對(duì)SnO2采用化學(xué)鍍的方法包覆一層鎳，使粉體中SnO2的平均重量百分比含量為60%,鎳的平均重量百分比含量為40% ；2.對(duì)包覆鎳的SnO2進(jìn)一步采用化學(xué)鍍包覆一層銀，包覆后粉體中銀的平均重量百分比含量小于10% ;本實(shí)施例中可以采用以下現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)
將Ni-CdO粉體放入還原液并機(jī)械攪拌分散5min，將銀氨溶液用滴管逐滴滴加到還原液中并機(jī)械攪拌，使銀離子還原沉積于Ni-CdO表面，用去離子水清洗干凈，50°C烘干即得具有核殼結(jié)構(gòu)Ag/Ni/CdO粉體；本實(shí)施例中，所述銀氨溶液與還原液按照I : I分別配制；所述50ml還原液的配制甲醒I. Iml,加水至50ml ;所述50ml銀氨溶液的配制30ml的去離子水中加入I. 75g硝酸銀，攪拌溶解后再加人IOml氨水并不斷攪拌，并以適量的NaOH溶液提高PH值，再加水至50ml ο3.對(duì)制備得到的Ag/Ni/Sn02核殼結(jié)構(gòu)粉體放入氮?dú)鉄Y(jié)爐內(nèi)燒結(jié)造粒，燒結(jié)溫度為800°C，造粒后篩分，去除過(guò)細(xì)顆粒，留用粒度-100目 +400目之間的中間體復(fù)合顆粒粉體；4.將篩分獲得的Ag/Ni/Sn02中間體復(fù)合顆粒粉體與純銀粉混合，使混合后粉體中的SnO2平均重量百分比含量為12%，然后將粉體倒入“V”型混粉機(jī)中，進(jìn)行均勻混粉；5.將混合好的粉體裝入直徑為90cm，長(zhǎng)度150cm塑膠筒中，進(jìn)行冷等靜壓，冷等靜壓壓強(qiáng)200Mpa ；6.將冷等靜壓后獲得的坯體進(jìn)行氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)，燒結(jié)溫度865°C，燒結(jié)5小時(shí)；7.將燒結(jié)后獲得的坯體進(jìn)行熱壓，溫度800°C，熱壓壓強(qiáng)700MPa，熱壓時(shí)間IOmin ；8.將熱壓好的坯體進(jìn)行熱擠壓，熱擠壓溫度600°C，擠壓比180，擠壓速度5cm/min，擠壓模具預(yù)熱溫度500°C ；本實(shí)施例最終獲得SnO2顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型Ag/Ni/Sn02電接觸材料，而該局部區(qū)域除了 SnO2增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。獲得的材料沿?cái)D壓方向電阻率為3. O μ Ω. cm;硬度為78HV。實(shí)施例3:I.對(duì)ZnO采用化學(xué)鍍的方法包覆一層鎳，使粉體中ZnO的平均重量百分比含量為40%，鎳的平均重量百分比含量為60% ；2.對(duì)包覆鎳的ZnO進(jìn)一步采用化學(xué)鍍包覆一層銀，包覆后粉體中銀的平均重量百分比含量小于10% ；3.對(duì)制備得到的Ag/Ni/ZnO核殼結(jié)構(gòu)粉體放入氮?dú)鉄Y(jié)爐內(nèi)燒結(jié)造粒，燒結(jié)溫度為700°C，造粒后篩分，去除過(guò)細(xì)顆粒，留用粒度-100目 +400目之間的中間體復(fù)合顆粒粉體；4.將篩分獲得的Ag/Ni/ZnO中間體復(fù)合顆粒粉體與純銀粉混合，使混合后粉體中的ZnO平均重量百分比含量為10 %，然后將粉體倒入“V”型混粉機(jī)中，進(jìn)行均勻混粉，混粉時(shí)轉(zhuǎn)速30轉(zhuǎn)/分鐘，時(shí)間4小時(shí)；5.將第4步混合好的粉體，采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行粉體壓制，氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)，再經(jīng)擠壓、拉拔，獲得銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料。本實(shí)施例最終獲得ZnO顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型Ag/Ni/MeO電接觸材料，而該局部區(qū)域除了 ZnO增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。獲得的材料沿?cái)D壓方向電阻率為3. 4 μ Ω. cm;硬度為75HV。實(shí)施例4 ·
I.對(duì)SnO2采用化學(xué)鍍的方法包覆一層鎳，使粉體中SnO2的平均重量百分比含量為50%，鎳的平均重量百分比含量為50% ；2.對(duì)包覆鎳的SnO2進(jìn)一步采用化學(xué)鍍包覆一層銀，包覆后粉體中銀的平均重量百分比含量小于10% ；3.對(duì)制備得到的Ag/Ni/Sn02核殼結(jié)構(gòu)粉體放入氮?dú)鉄Y(jié)爐內(nèi)燒結(jié)造粒，燒結(jié)溫度為800°C，造粒后篩分，去除過(guò)細(xì)顆粒，留用粒度-100目 +400目之間的中間體復(fù)合顆粒粉體；4.將篩分獲得的Ag/Ni/Sn02中間體復(fù)合顆粒粉體與純銀粉混合，使混合后粉體中的SnO2平均重量百分比含量為8 %，然后將粉體倒入“V”型混粉機(jī)中，進(jìn)行均勻混粉；5.將第4步混合好的粉體，對(duì)粉體進(jìn)行冷等壓制，氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛燒結(jié)，再經(jīng)擠壓、拉拔，獲得銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料。本實(shí)施例最終獲得SnO2顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型Ag/Ni/Sn02電接觸材料，而該局部區(qū)域除了 SnO2增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。獲得的材料沿?cái)D壓方向電阻率為2. 5 μ Ω. cm;硬度為70HV。以上為本發(fā)明部分實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)指出的是，本發(fā)明還有其他的實(shí)施方式，比如變換實(shí)施參數(shù)或者用現(xiàn)有技術(shù)替換上述實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)操作。盡管本發(fā)明的內(nèi)容通過(guò)上述實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對(duì)于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟 第一步，采用化學(xué)鍍的方法使金屬氧化物顆粒包覆一層金屬鎳； 第二步，采用化學(xué)鍍的方法對(duì)第一步包覆鎳后的金屬氧化物顆粒進(jìn)一步包覆一層銀； 第三步，采用氮?dú)獗Ｗo(hù)對(duì)第二步包覆后形成的Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的粉體進(jìn)行燒結(jié)造粒，獲得中間體復(fù)合顆粒粉體，然后篩分，去除過(guò)粗和過(guò)細(xì)的顆粒； 第四步，將第三步篩分后的中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，減低金屬氧化物的含量至設(shè)定數(shù)值； 第五步，將第四步混合好的粉體壓制，保護(hù)氣氛燒結(jié)，再經(jīng)擠壓、拉拔，獲得膠體石墨顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料，而該局部區(qū)域除了金屬氧化物增強(qiáng)相以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。
2.如權(quán)利要求I所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第一步中，采用化學(xué)鍍包覆鎳后的粉體中金屬氧化物的平均含量為40% 80%，鎳的平均含量為20% 60%,所述含量是指重量百分比含量。
3.如權(quán)利要求I所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第二步中，采用化學(xué)鍍包覆銀后的粉體中銀的平均含量小于10%，所述含量是指重量百分比含量。
4.如權(quán)利要求I所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第四步中，將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，金屬氧化物的重量百分比含量降低至8% 20%。
5.如權(quán)利要求I所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第一步中采用化學(xué)鍍包覆鎳后的粉體中金屬氧化物的平均含量為40% 80%，鎳的平均含量為20% 60%;第二步中采用化學(xué)鍍包覆銀后的粉體中銀的平均含量小于10%，所述含量是指重量百分比含量。
6.如權(quán)利要求I所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第一步中采用化學(xué)鍍包覆鎳后的粉體中金屬氧化物的平均含量為40% 80%，鎳的平均含量為20% 60% ;第二步中采用化學(xué)鍍包覆銀后的粉體中銀的平均含量小于10% ;第四步中將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，金屬氧化物的重量百分比含量降低至8 % 20 所述含量是指重量百分比含量。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第三步中，采用氮?dú)獗Ｗo(hù)對(duì)包覆后形成的Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的粉體進(jìn)行燒結(jié)造粒，燒結(jié)的溫度為700°C 800°C。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，第三步中，將獲得的中間體復(fù)合顆粒粉體篩分，留用粒度為-100目 +400目。
9.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料的制備方法，其特征在于，所述的金屬氧化物包括但不限于(MO, SnO2, ZnO, CuO, Ni2O, WO3,以及這些金屬氧化物的混合物。
10.一種權(quán)利要求1-9所述方法得到的銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料，其特征在于所述銀/鎳/金屬氧化物電接觸材料中金屬氧化物顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布，即纖維狀組織結(jié)構(gòu)是由金屬氧化物顆粒定向排列而成的，而該局部區(qū)域除了金屬氧化物增強(qiáng)相以夕卜，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種銀/鎳/金屬氧化物電觸頭材料的制備方法，步驟為采用化學(xué)鍍的方法使金屬氧化物顆粒包覆一層金屬鎳；采用化學(xué)鍍的方法對(duì)包覆鎳后的金屬氧化物進(jìn)一步包覆一層銀；采用氮?dú)獗Ｗo(hù)對(duì)包覆后形成的Ag-Ni-MeO核殼結(jié)構(gòu)的粉體進(jìn)行燒結(jié)造粒，獲得中間體復(fù)合顆粒粉體，然后進(jìn)行篩分；將中間體復(fù)合顆粒與純銀粉混合，降低金屬氧化物的含量至規(guī)定數(shù)值；經(jīng)粉體壓制、保護(hù)氣氛燒結(jié)、擠壓、拉拔工藝后，獲得銀/鎳/金屬氧化物材料中的金屬氧化物顆粒在局部區(qū)域呈纖維狀分布的新型銀/鎳/金屬氧化物材料，而該局部區(qū)域除了金屬氧化物增強(qiáng)相顆粒以外，主要是金屬鎳以及少量的金屬銀。
文檔編號(hào)C22C5/06GK102808097SQ201210296608
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
發(fā)明者陳樂(lè)生, 陳宇航 申請(qǐng)人:溫州宏豐電工合金股份有限公司