專利名稱：藍光led蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法。
背景技術(shù)：
銦錫氧化物透明導電材料由于具有高導電性和高透過率的特征，除應(yīng)用于IXD面板外，也廣泛用于藍光LED芯片的p-GaN上?，F(xiàn)用于藍光LED上獲得銦錫氧化物膜的銦錫氧化物靶都是采用LCD行業(yè)常規(guī)的銦錫氧化物濺射靶，其本體電阻一般為I. 4X IO-4 Ω ·_，用其通過濺射獲得的藍光LED銦錫氧化物膜方塊電阻約為20 30Ω / □，藍光(450納米左右)透過率為93%。偏低的導電性和藍光透過率影響了藍光LED的節(jié)能效果。冷等靜壓一燒結(jié)技術(shù)是用于生產(chǎn)銦錫氧化物靶的先進技術(shù)，一般是將銦錫氧化物復合粉末，經(jīng)制粒、模壓、冷等靜壓，再在1480 1600°C的高溫燒結(jié)后冷卻得到，采用冷等靜壓 燒結(jié)法降低了銦錫氧化物靶生產(chǎn)成本，但本體電阻并未降低，由此獲得的藍光LED銦錫氧化物膜的導電性和藍光透過率并未得到改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對上述不足，提供一種藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，該法制備的銦錫氧化物靶具有更高的導電性，用其通過蒸鍍獲得的銦錫氧化物膜具有更高的導電性和藍光透過率。本發(fā)明提供的藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，是在目前一般銦錫氧化物靶的常壓燒結(jié)工藝的基礎(chǔ)上，在燒結(jié)后期或燒結(jié)完畢后，再在一定的溫度和氧分壓下進行處理，以獲得合理的組織結(jié)構(gòu)，從而提高用該銦錫氧化物靶獲得的銦錫氧化物膜的導電性和透過率。處理方法是將經(jīng)過一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進行二次燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，燒結(jié)時間為2 3小時。上述二次燒結(jié)，可以是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，保溫2 3小時，進行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶；也可以是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C以下，再升溫到1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，保溫2 3小時，進行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。作為本發(fā)明的進一步改進，二次燒結(jié)可以在溫度為1480 °C，氧分壓-O. 05Mpa -O. 095Mpa下進行，燒結(jié)時間為3小時。作為本發(fā)明的更進一步改進，第二次燒結(jié)時氧分壓為-O. 095Mpa。本發(fā)明通過在常規(guī)常壓燒結(jié)后進行第二次燒結(jié)，第二次燒結(jié)時通過采用合適的溫度以及控制燒結(jié)過程中的氧分壓來調(diào)節(jié)銦錫氧化物材料的組織結(jié)構(gòu)，從而獲得更好的導電性和透過率。本發(fā)明基于銦錫氧化物材料中氧化錫在氧化銦中的固溶度越高，則材料導電 性越好；用其獲得的銦錫氧化物膜導電性越好、透光率越高的原理。由于氧化錫在氧化銦中的固溶反應(yīng)產(chǎn)生氧氣，降低氧分壓有利于提高氧化錫在氧化銦中的固溶度。故在燒結(jié)致密后在一定的溫度下進行真空處理可以提高氧化錫在氧化銦中的固溶度，使得銦錫氧化物靶材料導電性更好，用其獲得的銦錫氧化物膜導電性更好、透過率更高。因此采用該方法制作的銦錫氧化物靶用在藍光LED芯片的p-GaN上蒸鍍銦錫氧化物膜，該銦錫氧化物膜具有更高的導電性和更高的藍光透過率。
具體實施例方式實施例I
選取粒度為O. 2 μ m的氧化銦/氧化錫重量比例為95/5的銦錫氧化物復合粉末，將銦錫氧化物復合粉末重量3%的分析純聚乙烯醇加入到去離子水中，加熱溶解后與粉末混合，噴霧制粒、模壓、在大于150MPa下冷等靜壓，再在400°C保溫3小時脫脂，在1550°C氧氣中常壓燒結(jié)6小時后，降溫到1480°C，氧分壓-O. 095Mpa下燒結(jié)3小時，冷卻得到密度為7. 11 7. 13g/cm3的銦錫氧化物靶(以下實施例中銦錫氧化物靶密度相同)，本體電阻為8. 02X IO-5 Ω -Cm0該銦錫氧化物靶采用電子束蒸發(fā)技術(shù)用于真空蒸鍍銦錫氧化物膜，在電 子束功率為11%的情況下，經(jīng)退火后制得的銦錫氧化物膜(以下銦錫氧化物膜制備方法同此例)方塊電阻8-9Ω/ □，藍光透過率99. 2%。相對現(xiàn)有銦錫氧化物靶及用現(xiàn)有銦錫氧化物靶獲得的藍光LED的銦錫氧化物膜，實施例I獲得的銦錫氧化物靶有更高的導電性，用其蒸鍍的藍光LED的銦錫氧化物膜有更高的導電性和更高的藍光透過率。發(fā)明人還進行了以下不同條件實驗(實驗組I 6)，實驗參數(shù)和產(chǎn)品性能列表如下
權(quán)利要求
1.一種藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，其特征是將經(jīng)過一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進行二次燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，燒結(jié)時間為2 3小時。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，其特征是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，保溫2 3小時，進行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，其特征是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C以下，再升溫到1450 1480°C，調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa，保溫2 3小時，進行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3之一所述藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，其特征在于二次燒結(jié)溫度為1480°C，氧分壓-O. 05Mpa -O. 095Mpa，燒結(jié)時間3小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法，其特征在于第二次燒結(jié)氧分壓為-O. 095Mpa。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種藍光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法。該方法包括如下步驟將經(jīng)過一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進行二次燒結(jié)，控制二次燒結(jié)時的溫度為1450～1480℃，氧分壓-0.01Mpa～-0.095Mpa，燒結(jié)時間為2～3小時。本發(fā)明能提高氧化錫在氧化銦中的固溶度，使銦錫氧化物靶導電性更好，將此銦錫氧化物靶用于蒸鍍藍光LED，獲得的銦錫氧化物膜具有更高的導電性和更高的藍光透過率。
文檔編號C23C14/34GK102650042SQ20121013763
公開日2012年8月29日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者陳明飛 申請人:長沙壹納光電材料有限公司