技術(shù)編號(hào)：3336208
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法。背景技術(shù)銦錫氧化物透明導(dǎo)電材料由于具有高導(dǎo)電性和高透過(guò)率的特征，除應(yīng)用于IXD面板外，也廣泛用于藍(lán)光LED芯片的p-GaN上?，F(xiàn)用于藍(lán)光LED上獲得銦錫氧化物膜的銦錫氧化物靶都是采用LCD行業(yè)常規(guī)的銦錫氧化物濺射靶，其本體電阻一般為I. 4X IO-4 Ω ·_，用其通過(guò)濺射獲得的藍(lán)光LED銦錫氧化物膜方塊電阻約為20 30Ω / □，藍(lán)光(450納米左右)透過(guò)率為93%。偏低的導(dǎo)電性和藍(lán)光透過(guò)率影響了...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。