專利名稱：一種利用水圈進行硅片拋光方法
技術領域：
本發(fā)明涉及硅片拋光技術領域，特別是涉及一種利用水圈進行硅片拋光方法。
背景技術：
硅片尺寸的不斷增大以及特征線寬的減小，IC制造已大量使用大直徑硅片，因此對硅晶片表面平整度要求將日趨嚴格，因為這是實現(xiàn)大規(guī)模集成電路立體化結構的關鍵。而在眾多的平整化技術中，化學機械拋光是唯一能獲得全局平面化效果的平整化技術，作為目前硅片超精密平整化加工的主要手段，一方面要求加工出的硅片達到納米級表面粗糙度；另一方面為了提高硅片利用率，增加芯片產(chǎn)量，還要求整個硅片表面達到亞微米級面型精度。要達到上述這些要求，化學機械拋光頭相對于拋光盤的運動對保證硅片的加工精度具有至關重要的作用。盡管CMP技術發(fā)展的速度很快，但其需要解決的理論及技術問題很多，如拋光參數(shù)(如壓力、轉速、溫度等)對平面度的影響。根據(jù)Preston模型給出的CMP過程的切除速率式為R = KPaV其中R為各點表面的切除速率，Pa為各點壓力，V為晶片與拋光墊的相對速度，K為比例系數(shù)，可上述公式可知CMP的拋光質量與其壓力分布密切相關。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種利用水圈進行硅片拋光方法，使得硅片在拋光的過程中能夠均勻受力。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是提供一種利用水圈進行硅片拋光方法，包括以下步驟(I)制作壓制水圈；(2)利用雙面膠將制得的壓制水圈貼到拋光頭上；(3)放置硅片，對硅片進行拋光。所述步驟(I)還包括以下子步驟(11)將透明的PVC軟簾對折放置，置于代加工作業(yè)臺上進行塑封成圓環(huán)形；(12)PVC軟簾塑封呈圓環(huán)形后，向圓環(huán)中注入純水；(13)注水完畢后，待封口干燥后將封口塑封。所述步驟(11)中塑封成形的溫度控制在150-300°C。所述步驟(12)中向圓環(huán)中注入200_500ml的純水。所述步驟(13)中封口塑封的溫度控制在30_100°C。所述PVC軟簾的厚度在O. 1-0. 5mm。有益效果由于采用了上述的技術方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下的優(yōu)點和積極效果本發(fā)明采用水圈替代常規(guī)壓力圈，利用水圈內液體的流動作用，來使各點取到相同的壓力，從而提聞娃片表面幾何參數(shù)能力。


圖I是本發(fā)明的加工模擬示意圖；圖2是本發(fā)明中壓制水圈結構示意圖。
具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。本發(fā)明的實施方式涉及一種利用水圈進行硅片拋光方法，包括以下步驟(I)制作壓制水圈1，即設計壓制水圈圖紙，根據(jù)水圈所設計圖紙制作壓制水圈的模具，模具制作完成后，安裝在塑封機上進行塑封成形。該步驟中包括以下子步驟(11)將透明的PVC軟簾對折放置，置于代加工作業(yè)臺上進行塑封成形，其中，塑封成形的溫度控制在150-300°C ；(12)PVC軟簾塑封呈圓環(huán)形后，向圓環(huán)中注入200_500ml純水；(13)注水完畢后，放置少許時間，待封口干燥后將封口塑封，封口塑封的溫度控制在30-100°C，從而形成如圖2所示的結構。(2)利用雙面膠將制得的壓制水圈I貼到拋光頭2上；(3)放置硅片3，對硅片3進行拋光，即將硅片3放置于陶瓷盤4上，并采用拋光頭2對硅片3進行拋光，放置完硅片3后的加工模擬圖如圖I所示。不難發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明利用水圈內部流體的傳導作用分壓，使拋光機上的拋光壓力能更加均勻的傳導到硅片上，保持硅片在拋光過程中各點的拋光受力一致，大幅的提高了拋光表面幾何參數(shù)水平。本發(fā)明中壓制水圈采用耐壓PVC軟簾制成，形狀根據(jù)圖紙設計塑封而成，制作加工流程相當簡易；對比常規(guī)壓力圈，水圈的成本優(yōu)勢大。
權利要求
1.一種利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)制作壓制水圈； (2)利用雙面膠將制得的壓制水圈貼到拋光頭上； (3)放置硅片，對硅片進行拋光。
2.根據(jù)權利要求I所述的利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，所述步驟(I)還包括以下子步驟 (11)將透明的PVC軟簾對折放置，置于代加工作業(yè)臺上進行塑封成圓環(huán)形； (12)PVC軟簾塑封呈圓環(huán)形后，向圓環(huán)中注入純水； (13)注水完畢后，待封口干燥后將封口塑封。
3.根據(jù)權利要求2所述的利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，所述步驟(11)中塑封成形的溫度控制在150-300°C。
4.根據(jù)權利要求2所述的利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，所述步驟(12)中向圓環(huán)中注入200-500ml的純水。
5.根據(jù)權利要求2所述的利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，所述步驟(13)中封口塑封的溫度控制在30-100°C。
6.根據(jù)權利要求2所述的利用水圈進行硅片拋光方法，其特征在于，所述PVC軟簾的厚度在 0. 1-0. 5mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用水圈進行硅片拋光方法，包括以下步驟制作壓制水圈；利用雙面膠將制得的壓制水圈貼到拋光頭上；放置硅片，對硅片進行拋光。本發(fā)明利用水圈內部流體的傳導作用分壓，使拋光機上的拋光壓力能更加均勻的傳導到硅片上，保持硅片在拋光過程中各點的拋光受力一致，大幅的提高了拋光表面幾何參數(shù)水平。
文檔編號B24B37/34GK102632452SQ20121012250
公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月24日 優(yōu)先權日2012年4月24日
發(fā)明者劉建剛, 盧峰, 周明飛, 張世波, 張海英, 徐國科, 林曉華, 胡孟君 申請人:浙江金瑞泓科技股份有限公司