專利名稱：用于汽相淀積源的加熱系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一般領(lǐng)域涉及微電子工業(yè)中材料的汽相淀積。更尤其是，本發(fā)明致力于汽源的形成，從而能夠在不會帶來不便之處的情況下在大表面上進行可中斷的連續(xù)淀積。
背景技術(shù)：
在同一設(shè)備內(nèi)電子器件、光學(xué)器件以及它們的集成器件的數(shù)量不斷增加，引起了在基板上淀積各種材料以形成構(gòu)成這些設(shè)備的薄層的尖端技術(shù)不斷發(fā)展。汽相淀積涵蓋非常寬泛范圍的工藝，尤其是那些描述為汽相化學(xué)淀積的工藝，并且通常用“化學(xué)汽相淀積”的英語縮略詞CVPD來表示。正如名字所暗含的，這類淀積包含在操作過程中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，該化學(xué)反應(yīng)例如通過之前向淀積腔內(nèi)引入先驅(qū)氣體，或者通過與已經(jīng)淀積在基板上的材料層、甚至與基板本身進行的化學(xué)反應(yīng)來產(chǎn)生。其它類型的化學(xué)汽相淀積不包含這樣的化學(xué)反應(yīng)。這些包括通過在受控的中性氣氛和/或在或多或少的真空狀態(tài)下蒸發(fā)而實現(xiàn)的簡單物理沉積。所有汽相淀積技術(shù)都需要機械設(shè)備，以便在淀積腔中形成待淀積的蒸發(fā)材料源。為了獲得均勻厚度的淀積薄層以及對它們的物理化學(xué)特性的良好控制，這始終是要應(yīng)用的關(guān)鍵因素。由于電子設(shè)備和光學(xué)設(shè)備的大規(guī)模低成本生產(chǎn)要求在其上應(yīng)用電子設(shè)備和光學(xué)設(shè)備的基板尺寸變得越來越大，以便在同一個生產(chǎn)周期里產(chǎn)生更多數(shù)量的設(shè)備或越來越大的設(shè)備，因此形成所述源變得越來越困難。所以，不足為奇，需要一種允許在以數(shù)十厘米計、甚至一米左右計的寬度上連續(xù)汽相淀積各種材料的源。此外，這類設(shè)備的工業(yè)生產(chǎn)還意味著，淀積可以隨意中斷和重啟，而不會對所述源和蒸發(fā)材料造成損壞。雖然微電子工業(yè)長期面臨淀積諸如電介質(zhì)或金屬這樣的材料的需要，但是，諸如包含有機電致發(fā)光二極管(OLED)的顯示器和熒光屏這樣的電致發(fā)光器件的制造需要依賴于更加易碎的有機材料的淀積。從較寬寬度的線性源蒸發(fā)有機材料帶來了溫度變化這一關(guān)鍵問題，所述溫度變化必須在淀積腔中的蒸汽形成位置和蒸汽擴散位置(即安裝在源的整個寬度上的噴嘴)之間被觀測。誠然，為了避免材料凝結(jié)在輸送蒸汽的管道的壁面上以及凝結(jié)在構(gòu)成所述源的擴散器的壁面上，必須能夠保持恒正的溫度梯度，以免任何冷區(qū)域?qū)怏w溫度降低到其露點之下。這更加難以進行，因為待淀積材料的破壞溫度接近其蒸發(fā)溫度，例如對于有機材料的情況。可以假定大多數(shù)材料在高于450°C的溫度下分解。此外，蒸發(fā)溫度與破壞溫度之差能 達(dá)到10-100°C左右。這些小的差別限制了在更高溫度下進行蒸發(fā)的可能性。此外，包括多個容積的很寬的線性源比點式源更敏感，因為從蒸發(fā)坩堝直至各個噴嘴，必須在整個擴散器表面控制該漸進的溫度梯度。由蒸發(fā)溫度和破壞溫度之間的該小的差別帶來的更難以解決的其它問題也必須克服。加熱系統(tǒng)本身可以在蒸發(fā)坩堝表面上產(chǎn)生不均勻的溫度。這些不均勻?qū)е麓矸e材料的局部退化，從而減少了它的使用時間，并引起損失，該材料通常極其昂貴。不得不說，存在這樣的風(fēng)險即退化的材料可能引起淀積膜質(zhì)量不引人注意的損失。所以，存在生產(chǎn)率降低的顯著風(fēng)險。這又導(dǎo)致整個工業(yè)生產(chǎn)中其它嚴(yán)重的缺陷，例如，有限量的材料必須引入兩淀積層之間，以便降低這些損失。這與不中斷的在線生產(chǎn)過程是不容易相適應(yīng)的。線性源是非常受關(guān)心的主題，尤其是關(guān)于它們實現(xiàn)高速淀積的能力。它們也能夠確保材料有效利用，這主要是由于與點式源相比，該線性源與基板距離更小。多噴嘴的存在及其設(shè)計旨在確保在大表面上均勻淀積。這是主要的優(yōu)點，該優(yōu)點使得多噴嘴的使用對設(shè)備(例如上文提到的電致發(fā)光器件設(shè)備 )的大規(guī)模生產(chǎn)是必要的。但是，這種短距離，與高速蒸發(fā)一起，使得傳統(tǒng)熒光屏型關(guān)閉系統(tǒng)(其實現(xiàn)了在基板上淀積的工序的中斷)由于機械原因而難以應(yīng)用。傳統(tǒng)關(guān)閉系統(tǒng)的尺寸與長噴嘴型擴散器不兼容。另外，傳統(tǒng)關(guān)閉系統(tǒng)由于其在該速度下變得阻塞而不易于使用。還有一些源配備有閥，該閥使蒸汽輸送管道能夠關(guān)閉以便中斷其朝著基板的擴散而不浪費待蒸發(fā)的材料。當(dāng)閥關(guān)閉時，該閥則大大減少了連接到形成蒸汽的位置的管道的容積。所述容積的這種顯著減少使蒸汽產(chǎn)生系統(tǒng)負(fù)荷產(chǎn)生急劇變化，并且這使蒸汽形成區(qū)域中的壓力非常顯著地升高。這種強烈的壓力變化繼而導(dǎo)致溫度在蒸汽形成區(qū)域飽和前一直升高。這種溫度升高反過來導(dǎo)致待淀積的材料的熱退化。所以，本發(fā)明總的目的是為了至少部分地克服上面描述的缺陷中的至少一個，該缺陷發(fā)生在需要連續(xù)運行并能停止和重啟淀積的汽相淀積系統(tǒng)的線性源中。本發(fā)明的目的還包括描述一種能夠淀積那些其破壞溫度接近其蒸發(fā)溫度的有機材料的線性源。參閱下文說明書和附圖，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點將變得更加清楚。應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明也可能包含其他優(yōu)點。

發(fā)明內(nèi)容
為了實現(xiàn)這些目的，本發(fā)明描述了一種用于材料的汽相淀積的源。該源包括被分成兩個區(qū)域的容器。第一區(qū)域用于產(chǎn)生蒸汽。該第一區(qū)域配備有材料接收器和用于加熱放置在接收器中的材料的裝置。第二區(qū)域是包括與產(chǎn)生蒸汽的區(qū)域連通的容器的擴散區(qū)域，該第二區(qū)域配備有至少一個開口，以便使得汽相材料通過所述開口朝著容器的外部傳送。所述源的特征在于，一方面，所述源的腔部包括內(nèi)部壁和外殼，內(nèi)部壁和外殼限定了充注有傳熱液體的中間空間，另一方面，所述腔部填充有用于加熱該液體的裝置。本發(fā)明還可以包括下列選擇-用于加熱傳熱液體的裝置包括至少一個完全地或部分地接觸腔部外殼的電阻。-電阻與腔部外殼的外表面接觸。-用于加熱傳熱液體的裝置包括至少一個完全地或部分地位于所述中間空間中的電阻。-電阻與內(nèi)部壁的外表面接觸。-用于加熱傳熱液體的裝置包括位于腔部外面的用于加熱傳熱液體的設(shè)備以及用于使傳熱液體在所述位于腔部外面的用于加熱傳熱液體的設(shè)備和所述中間空間之間循環(huán)的裝置。-內(nèi)部壁的熱傳導(dǎo)率大于外殼的熱傳導(dǎo)率。-接收器具有內(nèi)部壁和外殼，接收器的所述內(nèi)部壁和外殼限定充注有傳熱液體的第二中間空間。-用于加熱接收器的裝置包括至少一個完全地或部分地接觸接收器的外殼的電阻。-用于加熱接收器的裝置包括至少一個完全地或部分地位于第二中間空間中的電阻。-用于加熱接收器的裝置包括位于接收器外面的用于加熱傳熱液體的設(shè)備以及用于使傳熱液體在所述位于接收器外面的用于加熱傳熱液體的設(shè)備和第二中間空間之間循環(huán)的裝置。-接收器壁的熱傳導(dǎo)率大于接收器外殼的熱傳導(dǎo)率。-接收器包括設(shè)置在該接收器的內(nèi)表面上的與所述材料接觸的一個或多個翅片。-至少一個孔配備有穿過所述中間空間的噴嘴。
-所述中間空間環(huán)繞腔部內(nèi)部壁的整個外表面。-蒸汽產(chǎn)生區(qū)域和腔部以直角連接。-蒸汽產(chǎn)生區(qū)域在腔部的寬度上居中設(shè)置。-在至少一個孔處布置有加熱裝置。-對于每個孔來說，所述加熱裝置包括在孔的外周壁周圍的細(xì)絲。-細(xì)絲位于所述中間空間的外面。-細(xì)絲位于所述中間空間中。


從在下面的附圖顯示的本發(fā)明實施例的詳細(xì)描述可以更好地理解本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點，其中圖IA和IB顯示了依照本發(fā)明的線性汽相淀積源，其中加熱細(xì)絲纏繞在加熱爐的外殼和裝有傳熱流體的蒸汽擴散器的外殼周圍。圖2A和2B顯示了依照本發(fā)明的線性汽相淀積源的變形，其中加熱細(xì)絲與傳熱流體直接接觸。這些附圖是作為例子給出的，是非限制性的。
具體實施例方式圖IA和IB顯示了依照本發(fā)明的線性汽相淀積源，其中加熱細(xì)絲纏繞在加熱爐的外殼和蒸汽擴散器的外殼周圍。在一優(yōu)選實施例中，本發(fā)明描述了線性汽相淀積源10如何使加熱爐或蒸汽產(chǎn)生區(qū)域20與形成了腔部50的孔30的蒸發(fā)噴嘴之間實現(xiàn)非常漸進的溫度梯度成為可能。如本發(fā)明這種類型的淀積源包括蒸汽產(chǎn)生區(qū)域，在蒸汽產(chǎn)生區(qū)域處，通過施加熱量，使材料轉(zhuǎn)變成汽相。該淀積源包括用于所述蒸汽的產(chǎn)生區(qū)域，所述產(chǎn)生區(qū)域能夠使得蒸汽經(jīng)由孔30到達(dá)該淀積源外面，以便可以淀積材料。該淀積源包括進行擴散的腔部，也就是說，該腔部分配來自產(chǎn)生區(qū)域20的蒸汽。在所示的例子中，所述產(chǎn)生區(qū)域20與腔部50之間的連接借助于管道40進行，該管道與待蒸發(fā)的材料23的接收器21相連續(xù)。有利地，管道40是所述腔部50的一體的部分而在所述淀積源的兩個區(qū)域之間形成“T”形。
形容詞“線性”是指帶有若干噴嘴(一優(yōu)選實施例)的源，噴嘴按照源的一個維度并排布置。優(yōu)選地，該并排布置包括使噴嘴沿一條直線對齊，但是這不是限制性的布置。爐的坩堝或接收器21裝有待蒸發(fā)的材料23，例如用于制造電致發(fā)光二極管類型的有機材料。所述坩堝或接收器浸在傳熱流體25中，該傳熱流體存在于坩堝周圍的中間空間中，該中間空間在下文稱為第二中間空間(相對于形成在腔部50處的另一中間空間，其描述參見下文)，并位于形成加熱爐的兩個同軸管之間，即坩堝本身和爐外殼29之間。這種管狀構(gòu)造是有利的，但不是限制性的。所述第二中間空間大體上形成在所述外殼29與接收材料23的接收器21的內(nèi)部壁之間。更進一步地說，第二中間空間覆蓋接收器21的基部的一部分和側(cè)壁，被覆蓋的該部分基部和與腔部50連接的基部相對。在圖IA和IB所示的本發(fā)明實施例的例子中，加熱裝置包括在加熱爐的外殼周圍的細(xì)絲27。因此，接收器21不與加熱細(xì)絲直接接觸。這避免了熱點的形成，該熱點具有背景技術(shù)的介紹中提到的不利之處，即待蒸發(fā)的材料的使用壽 命較短、退化，并造成昂貴材料的損失。所以，坩堝的加熱是間接的。這借助于傳熱流體實現(xiàn)，傳熱流體能夠確?；旧暇鶆虻恼舭l(fā)溫度。像接收器21 —樣，所述腔部浸在存在于整個環(huán)形空間中的傳熱液體25中，并且傳熱液體布置在一方面是管道40和擴散器的內(nèi)部壁52,另一方面是T形的管狀外殼60這兩方面之間，T形的管狀外殼的分支分別與管道40和腔部50的橫向部分同軸。傳熱液體必須能夠在與材料的蒸發(fā)溫度相適應(yīng)的溫度范圍內(nèi)傳遞熱量。在選擇待使用的液體上的主要限制條件是其與溫度有關(guān)的化學(xué)穩(wěn)定性，以便使該液體的物理-化學(xué)性能與溫度升高無關(guān)。對于在此更特別地考慮的有機材料，流體必須能夠在通常高達(dá)400°C下工作。液體可以具有不同的化學(xué)成分娃基合成芳香化合物(si I icon-based, syntheticaromat i c compounds ),或者基于合成制品的使用。此外,優(yōu)選的是，它們具有小的熱膨脹系 數(shù)，以便保證液體的等容和高的傳熱系數(shù)，從而使傳遞給所述源的內(nèi)部壁的熱量最優(yōu)。滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的流體可以從市場買到。例如-由公司SOlutia Europe SPRL/BVBA 3Rue Laid Burniat, B-1348Louvain laNeuve (Sud), Belgium 生產(chǎn)的 Therminol 75''*' -由公司‘DowChemical’生產(chǎn)的Syltherm 800_‘％其在法國的注冊辦事處和銷售處是‘Dow France S. A. S，, Avenue Jules Rimet, 93631 La Plaine St Denis。在本發(fā)明的該實施例中，加熱細(xì)絲41還環(huán)繞管狀外殼，以便通過使用傳熱液體間接地加熱擴散器，因而確保熱量極佳地分配在一方面與加熱爐中待蒸發(fā)的材料接觸、另一方面與帶有注入管道40和水平擴散器的腔部中的蒸汽接觸的整個表面上。 此外，附圖顯示了位于孔30處的可選擇的加熱裝置。在圖IA和IB所示的實施例中，該局部加熱裝置包括位于孔30的上端，即管路的噴嘴出口處的細(xì)絲31。細(xì)絲31與管路在中間空間外面的遠(yuǎn)端外周壁相結(jié)合。作為選擇，圖2A和2B顯示了在孔30的管路周圍的細(xì)絲31，該細(xì)絲在中間空間內(nèi)部。細(xì)絲31為環(huán)形，確保了溫度梯度的均勻精密的調(diào)節(jié)。該加熱裝置與接收器21及其外殼20與豎直管道40、腔部50本體及它們的外殼60的實施方式組合使用，并且采用具有良好熱傳導(dǎo)的材料(例如金屬)，保證了沿著與待蒸發(fā)的材料或其蒸汽接觸的整個壁面具有非常均勻的溫度。這消除了細(xì)絲直接接觸這些壁面的情況下可能產(chǎn)生的熱點。為了保證直至放在坩堝或接收器21中的待蒸發(fā)的材料的芯部的溫度均勻，坩堝或接收器包括徑向翅片22。這些翅片大大增加了坩堝與與裝載物之間的加熱表面，并通過傳導(dǎo)擴散全部熱能，以免其內(nèi)部存在任何溫差。這避免了與壁面接觸的材料局部炭化，而如果不是這樣，坩堝中心的材料又將處于較低溫度。一細(xì)微的、但仍然是正的溫度梯度，必須從蒸汽源到噴嘴進一步地形成，以保證淀積源運行適當(dāng)而不會超出待淀積的材料的破壞溫度，該溫度梯度可以通過執(zhí)行對加熱細(xì)絲的電氣控制及加熱絲在整個擴散器、豎直注入管道和坩堝上的分布來實現(xiàn)。傳熱液體的存在非常有效地消除了任何變化，并防止了熱點的出現(xiàn)。在一個實施例中，對細(xì)絲或電阻27和41的不同控制有利于這種調(diào)節(jié)。所以，電阻27和41可以被分成受不同控制的若干本體，以便根據(jù)源的位置調(diào)節(jié)加熱。 最后，對于用于連續(xù)工業(yè)生產(chǎn)的本發(fā)明的線性源來說，還設(shè)置有用于停止和重啟蒸發(fā)流程而不損壞待蒸發(fā)的材料的裝置。在本發(fā)明的第一實施例中，本發(fā)明的該目的是通過在擴散器中放置蒸汽止回閥來實現(xiàn)的。該止回閥采取旋轉(zhuǎn)套筒70的形式，該旋轉(zhuǎn)套筒的直徑與擴散器的內(nèi)徑相對應(yīng)，利用軸向機械控制器72可以轉(zhuǎn)動該旋轉(zhuǎn)套筒。在噴嘴所處的位置鉆有孔73，這樣在淀積作業(yè)期間，蒸汽可以流過所述孔。套筒的簡單旋轉(zhuǎn)就足以遮蓋噴嘴并中斷淀積流程。下部孔71與豎直蒸汽注入管道40相對，該下部孔設(shè)置成，當(dāng)套筒旋轉(zhuǎn)而遮蓋噴嘴時，這種旋轉(zhuǎn)不會阻塞蒸氣注入管道40。圖2A和2B顯示了依照本發(fā)明的線性汽相淀積源的變形，其中加熱細(xì)絲或電阻細(xì)絲與傳熱液體直接接觸。該附圖顯示，可以將加熱元件放置在裝有傳熱液體25的環(huán)形空間中。細(xì)絲浸于傳熱液體中，直接施加熱量，從而保證溫度至少與前面所述方案中一樣均勻。這涉及用于加熱接收器21的細(xì)絲27和用于保持溫度梯度的豎直管道40和內(nèi)部壁52周圍的細(xì)絲41。在這種情況下，外壁更冷，這限制了來自裝有淀積源的淀積腔體內(nèi)的線性源的熱輻射。在本發(fā)明的該第二實施例中，坩堝的外殼29以及擴散器60的外殼可以有利地用低導(dǎo)熱率的材料制作，以便進一步減少該輻射。作為替換，冷卻液系統(tǒng)，例如水，也可以限制該輻射。所以，應(yīng)當(dāng)指出，傳熱液體的加熱可以偏移至位于淀積腔外面的緩沖罐(未顯示)。然后使液體在所述源和/或腔部內(nèi)循環(huán)，在使用期間可以更換該液體，例如實現(xiàn)源的快速冷卻以及通常由外部設(shè)備控制溫度。在這種情況下，不必安裝加熱細(xì)絲。在本發(fā)明的該第二實施方式中，旋轉(zhuǎn)套筒70替換為滑動套筒70。該滑動套筒比形成腔部50的橫向本體的擴散器短了一點，這里噴嘴通過使用軸向控制器72進行的滑動套筒70的橫向運動而關(guān)閉。如前面所述的那樣，在噴嘴所處的位置鉆有開口 73，以便在淀積階段，允許蒸汽流過。下部孔81與豎直蒸汽注入管道40相對，該下部孔形狀和尺寸設(shè)置成，使得遮蓋噴嘴的橫向位移無論如何也不會阻塞蒸氣注入管道40。當(dāng)然，圖I和2所示的實施例選項可以方便地組合。細(xì)絲可以放置在傳熱液體中，這可以與旋轉(zhuǎn)套筒的結(jié)合使用。相反的設(shè)置也是可能的(在滑動套筒和外殼周圍設(shè)置加熱元件)。因此，上面這樣描述的加熱裝置也可以組合。
類似地，兩個中間空間中的液體25可以相同，或者可以不相同。這些空間可以相連通以使溫度均勻，或者這些空間可分隔開。閥也可以是互鎖的，用于確保流出流量的調(diào)節(jié)，從而保證流量的快速改變或流量的穩(wěn)定，但沒有溫度變化。尤其是，這種解決方案能夠很快消除取決于填充坩堝的材料高度(level)的任何流量變化。應(yīng)當(dāng)指出，中間空間還環(huán)繞擴散噴嘴。因而 直至淀積源的最后端蒸汽依然被加熱。
權(quán)利要求
1.汽相材料淀積源(10)，該汽相材料淀積源包括配備有兩個區(qū)域的容器 蒸汽產(chǎn)生區(qū)域(20)，該蒸汽產(chǎn)生區(qū)域配備有材料接收器和用于加熱放置在接收器(21)中的該材料的裝置； 與所述蒸汽產(chǎn)生區(qū)域連通的腔部(50)，該腔部配備有至少一個孔(30)，以便使得汽相材料通過所述孔(30)朝著所述容器的外部傳送； 其特征在于，一方面，所述腔部(50)包括內(nèi)部壁(52)和外殼(60)，所述內(nèi)部壁和所述外殼定義了充注有傳熱液體(25)的中間空間，另一方面，所述汽相材料淀積源配備有用于加熱傳熱液體(25)的裝置。
2.如權(quán)利要求I所述的淀積源，其中，用于加熱傳熱液體(25)的裝置包括至少一個完全地或部分地接觸所述腔部(50)的所述外殼(60)的電阻(41)。
3.如權(quán)利要求2所述的淀積源，其中，所述電阻(41)接觸所述腔部(50)的所述外殼(60)的外表面。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的淀積源，其中，用于加熱傳熱液體(25)的裝置包括至少一個完全地或部分地放置在中間空間中的電阻(41 )。
5.如前述權(quán)利要求所述的淀積源，其中，所述電阻(41)接觸所述內(nèi)部壁(52)的外表面。
6.如這些前述權(quán)利要求中的任一個所述的淀積源，其中，用于加熱傳熱液體的裝置包括位于所述腔部外面的用于加熱傳熱液體(25)的設(shè)備以及用于使傳熱液體在所述用于加熱傳熱液體的設(shè)備和所述中間空間之間循環(huán)的裝置。
7.如權(quán)利要求4-6中任一所述的淀積源，其中，所述內(nèi)部壁(52)的熱傳導(dǎo)率大于所述外殼(60)的熱傳導(dǎo)率。
8.如前述權(quán)利要求中的任一個所述的淀積源，其中，所述接收器(21)包括內(nèi)部壁和外殼(29)，所述接收器的該內(nèi)部壁和外殼(29)定義了充注有傳熱液體(25)的第二中間空間。
9.如前述權(quán)利要求所述的淀積源，其中，用于加熱所述接收器(21)的裝置包括至少一個完全地或部分地接觸所述接收器的外殼(29)的電阻(27)。
10.如權(quán)利要求8或9所述的淀積源，其中，用于加熱所述接收器(21)的裝置包括至少一個完全地或部分地位于所述第二中間空間中的電阻(27 )。
11.如權(quán)利要求8-10之一所述的淀積源，其中，用于加熱所述接收器(21)的裝置包括位于所述接收器(21)外面的用于加熱傳熱液體(25)的設(shè)備以及用于使傳熱液體(25)在所述用于加熱傳熱液體的設(shè)備和所述第二中間空間之間循環(huán)的裝置。
12.如權(quán)利要求10或11所述的淀積源，其中，所述接收器(21)的內(nèi)部壁的熱傳導(dǎo)率大于所述接收器(21)的外殼(29)的熱傳導(dǎo)率。
13.如前述權(quán)利要求之一所述的淀積源，其中，所述接收器(21)包括設(shè)置在該接收器的內(nèi)表面上的與所述材料接觸的一個或更多個翅片(22 )。
14.如前述權(quán)利要求中任一所述的淀積源，其中，所述至少一個孔(30)具有橫跨所述中間空間的噴嘴。
15.如前述權(quán)利要求中任一所述的淀積源，其中，所述中間空間環(huán)繞所述腔部(50)的所述內(nèi)部壁(52)的整個外表面。
16.如上述權(quán)利要求中任一所述的淀積源，其中，所述蒸汽產(chǎn)生區(qū)域(20)和所述腔部(50)以直角連接。
17.如前述權(quán)利要求所述的淀積源，其中，所述蒸汽產(chǎn)生區(qū)域(20)在所述腔部(50)的寬度上居中設(shè)置。
18.如前述權(quán)利要求中任一所述的淀積源，該汽相材料淀積源包括位于至少一個孔(30)處的局部加熱裝置。
19.如前述權(quán)利要求所述的淀積源，其中，所述局部加熱裝置包括對每個所述的孔(30)而言，在所述的孔(30)的外周壁周圍的細(xì)絲(31)。
20.如前述權(quán)利要求所述的淀積源，其中，細(xì)絲(31)位于所述中間空間的外面。
21.如權(quán)利要求19所述的淀積源，其中，細(xì)絲(31)位于所述中間空間中。
全文摘要
本專利描述了一種汽相淀積源，該汽相淀積源包括配備有兩個區(qū)域的容器。第一區(qū)域用于產(chǎn)生蒸汽。該第一區(qū)域配備有材料接收器和用于加熱放置在接收器中的材料的裝置。第二區(qū)域是包括與產(chǎn)生區(qū)域連通的容器的擴散區(qū)域，該第二區(qū)域配備有至少一個孔，以便使得汽相材料通過所述孔朝著容器的外部傳送。所述淀積源的特征在于，一方面，淀積源的腔部包括內(nèi)部壁和外殼，內(nèi)部壁和外殼限定填充有傳熱液體的中間空間，另一方面，其配備有用于加熱冷卻劑的裝置。
文檔編號C23C16/455GK102762766SQ201180009700
公開日2012年10月31日 申請日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月16日
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