專利名稱：包含銅層及鉬層的多層薄膜用蝕刻液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液。特別是，本發(fā)明的蝕刻液適合地用于在鑰層上設(shè)置有銅層的多層薄膜的蝕刻。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，作為平板顯示器等顯示設(shè)備的布線材料，一般使用鋁或者鋁合金。然而，伴隨著顯示器的大型化及高分辨率化，這樣的鋁系的布線材料存在因布線電阻等特性而發(fā)生信號(hào)延遲的問(wèn)題、難以進(jìn)行均勻的畫面顯示的傾向。因此，正在進(jìn)行采用作為電阻更低的材料的銅或以銅為主要成分的布線的研究。然而，銅雖然具有電阻低這一優(yōu)點(diǎn)，但另一方面存在如下問(wèn)題在柵極布線(gate wiring)中使用的情況下，玻璃等基板與銅的密合性不充分，另外在源極/漏極布線中使用的情況 下，有時(shí)會(huì)發(fā)生向作為其基底的有機(jī)硅半導(dǎo)體膜擴(kuò)散的情況。因此，為了防止這些問(wèn)題，進(jìn)行了層疊配備與玻璃等基板的密合性高且兼具難以發(fā)生向有機(jī)硅硅半導(dǎo)體膜擴(kuò)散的阻隔性的金屬的阻隔膜的研究，鑰(Mo)作為這種金屬受到人們的注目。然而，包含銅、以銅為主要成分的銅合金的層疊膜通過(guò)濺射法等成膜工藝形成于玻璃等基板上，接著經(jīng)過(guò)以抗蝕層等為掩膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序而形成電極圖案。而且，該蝕刻工序的方式中存在有使用蝕刻液的濕式(wet)和使用等離子體等蝕刻氣體的干式(dry)。此處，對(duì)濕式(wet)中使用的蝕刻液提出了如下要求(i)加工精度高、(ii)蝕刻殘?jiān)伲?iii )蝕刻的不均勻少，(iV)對(duì)于作為蝕刻對(duì)象的包含銅的布線材料的金屬的溶解而言，蝕刻性能穩(wěn)定(鍍液壽命(bath life)的延長(zhǎng)效果)等，此外，為了應(yīng)對(duì)顯示器的大型化及高分辨率化，(V)使蝕刻后的布線剖面形狀為規(guī)定的范圍內(nèi)，在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀。更具體提出了如下要求圖I所示的、銅布線端部的蝕刻面與下層的基板形成的角度(錐角)為30飛0°的正錐形狀，從抗蝕層端部到與設(shè)置在布線之下的阻隔膜接觸的布線端部為止的距離(⑶損失)為1.2 iim以下，優(yōu)選為Iiim以下。作為包含銅、以銅為主要成分的銅合金的層疊膜的蝕刻工序中使用的蝕刻液，提出了例如包含中性鹽、無(wú)機(jī)酸和選自有機(jī)酸中的至少一個(gè)、過(guò)氧化氫、過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑的蝕刻溶液(例如專利文獻(xiàn)I)，含有規(guī)定量的過(guò)氧化氫、有機(jī)酸、磷酸鹽、兩種含氮添加劑、氟化化合物以及水的蝕刻溶液(例如專利文獻(xiàn)2)等。但是，任一種蝕刻后的布線剖面形狀都無(wú)法充分滿足，結(jié)果有時(shí)無(wú)法充分應(yīng)對(duì)顯示器的大型化及高分辨率化。另外，專利文獻(xiàn)2中公開的蝕刻溶液含有氟化化合物，從環(huán)境對(duì)策的觀點(diǎn)考慮也是無(wú)法充分滿足的?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特許第4282927號(hào)說(shuō)明書專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004-193620號(hào)公報(bào)


圖I所示為使用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行蝕刻時(shí)的、具有包含銅層及鑰層的多層薄膜的布線剖面的模式圖。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明是在這樣的狀況下進(jìn)行的，其目的在于，提供一種包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液以及使用了其的包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻方法。
_4] 用于解決問(wèn)題的方案本發(fā)明人等為了實(shí)現(xiàn)前述目的而反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過(guò)在蝕刻液中以(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)胺類化合物、(E)唑類以及(F) 過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑這一特定的組合進(jìn)行配混，并將PH設(shè)定在2. 5飛的范圍內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)其目的。本發(fā)明基于這些見(jiàn)解而完成。即，本發(fā)明的要旨如下所述。[I] 一種包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液，其pH為2. 5 5，包含(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)碳原子數(shù)2 10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為二以上的氨基和羥基的胺類化合物、(E)唑類以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑。[2]根據(jù)上述I所述的蝕刻液，其中，(B)無(wú)機(jī)酸為硫酸及/或硝酸。[3]根據(jù)上述I或2所述的蝕刻液，其中，(C)有機(jī)酸為選自琥珀酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸及蘋果酸中的至少一種。[4]根據(jù)上述廣3中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(D)胺類化合物為選自乙醇胺、
I-氨基-2-丙醇、N，N- 二乙基-1，3-丙二胺中的至少一種。[5]根據(jù)上述廣4中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(E)唑類為5-氨基-IH-四唑。[6]根據(jù)上述I飛中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑為苯基脲。[7]根據(jù)上述I飛中任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其包含(A)過(guò)氧化氫4. 5 7. 5質(zhì)量％、
(B)無(wú)機(jī)酸0. Of 3質(zhì)量％、(C)有機(jī)酸5 13質(zhì)量％、(D)胺類化合物2 7質(zhì)量％、(E)唑類
0.OOfO. 5質(zhì)量％以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑0. oro. 5質(zhì)量％。[8]根據(jù)上述f 7中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其還包含銅離子200ppm以上。[9]根據(jù)上述廣8中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的薄膜。[10] 一種包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻方法，其特征在于，使蝕刻對(duì)象物接觸上述廣8中任一項(xiàng)所述的蝕刻液。[11]根據(jù)上述10所述的蝕刻方法，其中，多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的薄膜。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可提供一種蝕刻液以及使用了其的包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻方法，其中，在包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻工序中，加工精度高，蝕刻殘?jiān)⒉痪鶆蛏?，鍍液壽命被延長(zhǎng)，且在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀，從而可應(yīng)對(duì)顯示器的大型化及高分辨率化。另外，通過(guò)該蝕刻方法，可將具有包含銅層及鑰層的多層薄膜的布線一并進(jìn)行蝕刻，因而可以以高生產(chǎn)率得到，且可使蝕刻后的布線剖面形狀為良好。
具體實(shí)施例方式[包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液]本發(fā)明的蝕刻液用于蝕刻包含銅層及鑰層的多層薄膜，其特征在于，其pH為
2.5^5,包含(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)碳原子數(shù)2 10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為二以上的氨基和羥基的胺類化合物、(E)唑類以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑?！?A)過(guò)氧化氫》本發(fā)明的蝕刻液中使用的過(guò)氧化氫作為氧化劑具 有氧化銅布線的功能，并且具有氧化溶解鑰的功能，在該蝕刻液中的含量?jī)?yōu)選為3 10質(zhì)量％，更優(yōu)選為4. 5^7. 5質(zhì)量％。如果過(guò)氧化氫的含量在上述范圍內(nèi)，則過(guò)氧化氫的管理變得容易、且可確保適度的蝕刻速度，從而使蝕刻量的控制變得容易，因此優(yōu)選。(((B)不包含氟原子的無(wú)機(jī)酸》本發(fā)明的蝕刻液中使用的不包含氟原子的無(wú)機(jī)酸有助于溶解被(A)過(guò)氧化氫氧化的銅，在本發(fā)明中，從環(huán)境對(duì)策的觀點(diǎn)考慮，采用不包含氟原子的酸。作為不包含氟原子的無(wú)機(jī)酸，可優(yōu)選地列舉出硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸、次磷酸(hypophosphoric acid)、碳酸、氨基磺酸、硼酸等，它們可單獨(dú)使用或多個(gè)混合使用。其中優(yōu)選硫酸、硝酸。蝕刻液中的(B)無(wú)機(jī)酸的含量?jī)?yōu)選為0. 0T5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0. 0T3質(zhì)量％。如果無(wú)機(jī)酸的含量在上述范圍內(nèi)，則可得到適度的蝕刻速度、且可在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀?！?C)有機(jī)酸》本發(fā)明的蝕刻液中使用的有機(jī)酸有助于去除銅及鑰的蝕刻、以及源自鑰的殘?jiān)?，該蝕刻液中的含量?jī)?yōu)選為廣15質(zhì)量％，更優(yōu)選為5 13質(zhì)量％。如果有機(jī)酸的含量為上述范圍內(nèi)，則可充分地進(jìn)行銅及鑰的蝕刻和源自鑰的殘?jiān)娜コ?，且可在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀。另外，在蝕刻后還作為所含有的銅離子的掩蔽劑發(fā)揮功能，從而可抑制由銅導(dǎo)致的過(guò)氧化氫的分解。作為有機(jī)酸，除了碳原子數(shù)f 18的脂肪族羧酸、碳原子數(shù)6 10的芳香族羧酸之夕卜，還可優(yōu)選地列舉出碳原子數(shù)廣10的氨基酸等。作為碳原子數(shù)f 18的脂肪族羧酸，可優(yōu)選地列舉出甲酸、乙酸、丙酸、乳酸、乙醇酸、二甘醇酸、丙酮酸、丙二酸、丁酸、羥基丁酸、酒石酸、琥珀酸、蘋果酸、馬來(lái)酸、富馬酸、戊酸、戊二酸、衣康酸、己二酸、己酸、己二酸、檸檬酸、丙烷三羧酸、反式烏頭酸、庚酸、辛酸、月桂酸、肉豆蘧酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞油酸、亞麻酸等。作為碳原子數(shù)6 10的芳香族羧酸，優(yōu)選列舉出苯甲酸、水楊酸、扁桃酸、鄰苯二甲
酸、間苯二甲酸、對(duì)苯二甲酸等。另外，作為碳原子數(shù)f 10的氨基酸，優(yōu)選列舉出氨基甲酸、丙氨酸、甘氨酸、門冬酰胺、天門冬氨酸、肌氨酸、絲氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、4-氨基丁酸、亞氨基二丁酸、精氨酸、亮氨酸、異亮氨酸、氨三乙酸等。作為有機(jī)酸，在上述有機(jī)酸中優(yōu)選乙酸、琥珀酸、丙氨酸、檸檬酸、蘋果酸、乳酸、乙醇酸、酒石酸、丙二酸、甘氨酸、戊二酸、馬來(lái)酸、反式烏頭酸，其中特別優(yōu)選琥珀酸、蘋果酸、乳酸、乙醇酸以及丙二酸，它們可單獨(dú)使用或組合多個(gè)而使用?！?D)胺類化合物》
本發(fā)明的蝕刻液中使用的胺類化合物有助于蝕刻后的良好的布線剖面形狀，其碳原子數(shù)為2 10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為二以上的氨基和羥基的化合物。作為這樣的胺類化合物，可優(yōu)選地列舉出乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、
I,2-丙二胺、1，3-丙二胺、N，N-二甲基-1，3-丙二胺、N，N-二乙基-1，3-丙二胺、1，3-二氨基丁烷、2，3- 二氨基丁烷、五亞甲基二胺、2，4- 二氨基戊烷、六亞甲基二胺、七亞甲基二胺、八亞甲基二胺、九亞甲基二胺、N-甲基乙二胺、N，N- 二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N, N- 二乙基乙二胺、二乙基乙二胺、1，2, 3- 二氨基丙燒、肼、二(2-氨基乙基)胺、四(氨基甲基)甲烷、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、四乙基五胺 、七亞乙基八胺、九亞乙基十胺、二氮雜雙環(huán)十一碳烯等多胺，乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-氨基乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N- 丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、I-氨基-2-丙醇、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-氨基丙烷-I-醇、N-甲基-2-氨基-丙烷-I-醇、N-乙基-2-氨基-丙烷-I-醇、I-氨基丙烷-3-醇、N-甲基-I-氨基丙烷-3-醇、N-乙基-I-氨基丙烷-3-醇、I-氨基丁烷-2-醇、N-甲基-I-氨基丁烷-2-醇、N-乙基-I-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-I-醇、N-甲基-2-氨基丁烷-I-醇、N-乙基-2-氨基丁烷-I-醇、3-氨基丁烷-I-醇、N-甲基-3-氨基丁烷-I-醇、N-乙基-3-氨基丁烷-I-醇、I-氨基丁烷-4-醇、N-甲基I-氨基丁烷-4-醇、N-乙基-I-氨基丁烷-4-醇、I-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-I-醇、I-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-I-醇、
2-氨基己燒-I-醇、3-氨基庚燒-4-醇、I-氨基辛燒-2-醇、5-氨基辛燒-4-醇、I-氨基丙燒~2, 3- 二醇、2-氨基丙燒-I, 3- 二醇、二 (輕甲基)氨基甲燒、1，2- 二氨基丙燒-3-醇、1，3-二氨基丙烷-2-醇、2- (2-氨基乙氧基)乙醇、2- (2-氨基乙氨基)乙醇、二甘醇胺等的烷醇胺，它們可單獨(dú)使用或組合多個(gè)使用。它們之中，特別優(yōu)選乙醇胺、I-氨基-2-丙醇、N，N- 二乙基-1，3-丙二胺。本發(fā)明的蝕刻液中的胺類化合物的含量?jī)?yōu)選為f 10質(zhì)量％，更優(yōu)選為2 7質(zhì)量％。如果胺類化合物的含量為上述范圍內(nèi)，則可在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀?！?E)唑類》作為本發(fā)明的蝕刻液中使用的唑類，可優(yōu)選地列舉出IH-苯并三唑、5-甲基-IH-苯并三唑、3-氨基-IH-三唑等三唑類，IH-四唑、5-甲基-IH-四唑、5-苯基-IH-四唑、5-氨基-IH-四唑等四唑類，IH-咪唑、IH-苯并咪唑等咪唑類，I, 3-噻唑、4-甲基噻唑等噻唑類等。它們之中優(yōu)選四唑類，其中優(yōu)選5-氨基-IH-四唑。蝕刻液中的唑類的含量?jī)?yōu)選為0. oori質(zhì)量％，更優(yōu)選為0. ooro. 5質(zhì)量％。如果唑類的含量為上述范圍內(nèi)，則可抑制蝕刻后的CD損失的增大，并且可在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀?！?F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑》本發(fā)明的蝕刻液含有過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑。作為過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑，只要是通常用作過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑的物質(zhì)則可無(wú)限定地使用，除了苯基脲、烯丙基脲、1，3-二甲基脲、硫脲等尿素系過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑之外，還可優(yōu)選地列舉出苯乙酰胺、苯乙二醇等，其中優(yōu)選苯基脲。從充分地得到其添加效果的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的蝕刻液中的(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑的含量?jī)?yōu)選為0. oro. 5質(zhì)量％，更優(yōu)選為0. oro. 3質(zhì)量％。
((pH))本發(fā)明的蝕刻液的pH需要為2. 5 5。pH不足2. 5時(shí)，鑰被蝕刻溶解時(shí)生成的鑰氧化物變得難以溶解，其結(jié)果，有時(shí)會(huì)在蝕刻后產(chǎn)生源自鑰氧化物的殘?jiān)?，引起漏泄而?dǎo)致電特性降低。另外，PH大于5時(shí)，(A)過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性降低，銅布線的蝕刻速度降低，鍍液壽命也減少。從這樣的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的蝕刻液的PH優(yōu)選為2. 5 5。《銅離子》出于從使用初期起就提高蝕刻性能的目的，本發(fā)明的蝕刻液優(yōu)選預(yù)先含有銅離子。通過(guò)向蝕刻液中加入銅粉末或硫酸銅、硝酸銅等銅鹽，可使銅離子含于蝕刻液中。
蝕刻液中的銅離子的濃度優(yōu)選為IOOppm以上，更優(yōu)選為200ppm以上。另外，濃度的上限只要不降低蝕刻性能就沒(méi)有限定，但是考慮鍍液壽命等時(shí)，優(yōu)選為2000ppm以下，更優(yōu)選為IOOOppm以下。《其它的成分》本發(fā)明的蝕刻液中除了上述的(A廣(F)成分之外，還可以以不損害蝕刻液的效果的范圍包含水、其它的蝕刻液中通常使用的各種添加劑。作為水，優(yōu)選為通過(guò)蒸餾、離子交換處理、過(guò)濾器處理、各種吸附處理等去除金屬離子、有機(jī)雜質(zhì)、顆粒粒子等而得到的水，特別優(yōu)選純水、超純水。[包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻方法]本發(fā)明的蝕刻方法為蝕刻包含銅層及鑰層的多層薄膜的方法，其特征在于，使用本發(fā)明的蝕刻液、即、PH為2. 5飛且包含(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)碳原子數(shù)2 10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為二以上的氨基和羥基的胺類化合物、(E)唑類以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑的包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液，其具有使蝕刻對(duì)象物與本發(fā)明的蝕刻液接觸的工序。另外，通過(guò)本發(fā)明的蝕刻方法，可將包含銅層及鑰層的多層薄膜一并進(jìn)行蝕刻，并可在蝕刻后得到良好的布線剖面形狀。在本發(fā)明的蝕刻方法中，蝕刻液例如以圖I所示那樣的物質(zhì)為蝕刻對(duì)象物，所述物質(zhì)通過(guò)在玻璃等基板上依次層疊由鑰系材料形成的阻隔膜(鑰層)和由銅或以銅為主要成分的材料形成的銅布線(銅層)而形成包含銅層及鑰層的多層薄膜，并在其上進(jìn)一步涂布抗蝕劑，曝光轉(zhuǎn)印所希望的圖案掩模，進(jìn)行顯影并形成所希望的抗蝕圖案而得到。此處，在本發(fā)明中，包含銅層及鑰層的多層薄膜以如圖I那樣在鑰層上存在銅層的方式為代表，進(jìn)一步還包括在該銅層上存在鑰層的方式。另外，這樣的包含銅層及鑰層的多層薄膜可適合地用于平板顯示器等顯示設(shè)備等的布線中。因此，在鑰層上存在銅層的蝕刻對(duì)象物從利用領(lǐng)域的觀點(diǎn)考慮也是優(yōu)選的方式。銅布線只要是由銅或以銅為主要成分的材料形成則沒(méi)有特別限定，作為形成該阻隔膜的鑰系材料，可列舉出鑰(Mo)金屬或者M(jìn)o系合金等。對(duì)使蝕刻液與蝕刻對(duì)象物接觸的方法沒(méi)有特別限定，例如可采用通過(guò)滴加(單片旋轉(zhuǎn)處理)、噴霧等的形式使蝕刻液與對(duì)象物接觸的方法，或?qū)?duì)象物浸潰于蝕刻液的方法等濕式(wet)蝕刻方法。在本發(fā)明中，可優(yōu)選地采用向?qū)ο笪锏渭?單片旋轉(zhuǎn)處理)蝕刻液而使其接觸的方法，將對(duì)象物浸潰于蝕刻液而使其接觸的方法。蝕刻液的使用溫度優(yōu)選2(T60°C的溫度，特別優(yōu)選3(T50°C。如果蝕刻液的溫度為20°C以上，則蝕刻速度不會(huì)變得過(guò)低，因而生產(chǎn)效率不會(huì)顯著降低。另一方面，如果為低于沸點(diǎn)的溫度，則可抑制液體組成變化，將蝕刻條件保持為恒定。提高蝕刻液的溫度雖可提升蝕刻速度，但在考慮將蝕刻液的組成變化抑制為小等方面的基礎(chǔ)上適當(dāng)決定最優(yōu)的處理溫度即可。在本發(fā)明的蝕刻方法中， 蝕刻液中所包含的過(guò)氧化氫如上述那樣地在銅、鑰的氧化溶解等中被消耗，另外，這些溶解出的銅、鑰會(huì)促進(jìn)過(guò)氧化氫的分解，因此有時(shí)發(fā)生蝕刻液的性能因過(guò)氧化氫濃度的降低而降低的情況。在這樣的情況下，通過(guò)同時(shí)或者分別添加適當(dāng)(A)過(guò)氧化氫和(C)掩蔽金屬的有機(jī)酸，可延長(zhǎng)鍍液壽命。實(shí)施例下面，通過(guò)實(shí)施例對(duì)本說(shuō)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，但本發(fā)明不受這些例子的任何限定。(蝕刻后的包含銅層及鑰層的多層薄膜的剖面的觀察)將由實(shí)施例和比較例得到的、進(jìn)行了蝕刻后的包含銅層及鑰層的多層薄膜試樣切斷，并使用掃描型電子顯微鏡(“S5000形(型號(hào))”，日立制作所制造)以30000倍的觀察倍率(加速電壓2kV、加速電流IOyA)進(jìn)行了觀察。根據(jù)所得到的SEM圖像，得到了圖I所示的錐角、⑶損失(ii m)。錐角、⑶損失(y m)只要在表I記載的基準(zhǔn)范圍內(nèi)則記為合格，判斷了蝕刻液的性倉(cāng)泛。(蝕刻殘?jiān)脑u(píng)價(jià))使用掃描型電子顯微鏡(“S5000形(型號(hào))”，日立制作所制造)以50000倍的觀察倍率(加速電壓2kV、加速電流IOyA)觀察由實(shí)施例和比較例得到的、進(jìn)行了蝕刻后的包含銅層及鑰層的多層薄膜試樣的表面，并按照下述的基準(zhǔn)對(duì)該試樣的殘?jiān)M(jìn)行了評(píng)價(jià)。〇完全無(wú)法確認(rèn)出殘?jiān)麬 :確認(rèn)出少許殘?jiān)?，但不?duì)布線性能造成影響，在實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題X :確認(rèn)出顯著的殘?jiān)?br> [
權(quán)利要求
1.ー種包含銅層及鑰層的多層薄膜用蝕刻液，其PH為2. 5、，包含(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)碳原子數(shù)2 10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為ニ以上的氨基和羥基的胺類化合物、(E)唑類以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蝕刻液，其中，(B)無(wú)機(jī)酸為硫酸及/或硝酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的蝕刻液，其中，(C)有機(jī)酸為選自琥珀酸、こ醇酸、乳酸、丙ニ酸及蘋果酸中的至少ー種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(D)胺類化合物為選自こ醇胺、I-氨基-2-丙醇、N，N- ニこ基-1，3-丙ニ胺中的至少ー種。
5.根據(jù)權(quán)利要求f4中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(E)唑類為5-氨基-IH-四唑。
6.根據(jù)權(quán)利要求f5中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑為苯基服。
7.根據(jù)權(quán)利要求1飛中任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其包含(A)過(guò)氧化氫4.5 7. 5質(zhì)量％、(B)無(wú)機(jī)酸0. Of 3質(zhì)量％、(C)有機(jī)酸5 13質(zhì)量％、(D)胺類化合物2 7質(zhì)量％、(E)唑類0.OOfO. 3質(zhì)量％以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑0. oro. 5質(zhì)量％。
8.根據(jù)權(quán)利要求廣7中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其還預(yù)先包含銅離子10(T2000ppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求廣8中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其中，多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的薄膜。
10.ー種包含銅層及鑰層的多層薄膜的蝕刻方法，其特征在于，使蝕刻對(duì)象物接觸權(quán)利要求r8中任一項(xiàng)所述的蝕刻液。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蝕刻方法，其中，多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供包含銅層及鉬層的多層薄膜用蝕刻液以及使用了其的包含銅層及鉬層的多層薄膜的蝕刻方法。一種包含銅層及鉬層的多層薄膜用蝕刻液以及使用了其的蝕刻方法，所述蝕刻液的pH為2.5~5，包含(A)過(guò)氧化氫、(B)不含氟原子的無(wú)機(jī)酸、(C)有機(jī)酸、(D)碳原子數(shù)2~10且具有合計(jì)基團(tuán)數(shù)為二以上的氨基和羥基的胺類化合物、(E)唑類以及(F)過(guò)氧化氫穩(wěn)定劑。
文檔編號(hào)C23F1/18GK102762770SQ201180009674
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月15日
發(fā)明者丸山岳人, 岡部哲, 安谷屋智幸, 成田和代, 松原將英 申請(qǐng)人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社