專(zhuān)利名稱(chēng)：非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子設(shè)備和太陽(yáng)能電池技術(shù)，特別涉及一種在非晶硅薄膜的化學(xué)氣相沉積過(guò)程中進(jìn)行H2吹掃的裝置。
背景技術(shù)：
非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池是20多年來(lái)國(guó)際上新發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)太陽(yáng)能電池新技術(shù)。非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的硅材料厚度只有1微米左右，是單晶硅太陽(yáng)能電池硅材料厚度的1/200-1/300，與單晶硅太陽(yáng)能電池相比，制備這種薄膜所用硅原料很少，薄膜生長(zhǎng)時(shí)間較短，設(shè)備制造簡(jiǎn)單，容易大批量連續(xù)生產(chǎn)，根據(jù)國(guó)際上有關(guān)專(zhuān)家的估計(jì)，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太陽(yáng)能電池。非晶硅材料是由氣相沉積形成的，目前已被普遍采用的方法是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PECVD)法。PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。 為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD 稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。薄膜化學(xué)氣相沉積是非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的規(guī)模化生產(chǎn)的核心工藝，實(shí)現(xiàn)該工藝的核心設(shè)備是電極盒。目前在進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積時(shí)，一般需要將電極盒的進(jìn)氣口通過(guò)不同管道同時(shí)與多個(gè)的配氣箱連接，然后根據(jù)不同的鍍膜層控制配氣箱的氣體壓力和流量來(lái)完成鍍膜。目前的化學(xué)氣相沉積工藝在鍍膜過(guò)程中很容易受到雜質(zhì)的交叉污染，因此其工藝重復(fù)性較差，進(jìn)而會(huì)對(duì)非晶硅材料的光致衰減性造成一定影響。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能提高化學(xué)氣相沉積工藝重復(fù)性，抑制非晶硅薄膜光致衰減性的裝置。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案—種非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，所述電極盒的進(jìn)氣口通過(guò)一進(jìn)氣管道與一 H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過(guò)一排氣管道與一工藝泵連接， 所述進(jìn)氣管道、排氣管道上均設(shè)有氣動(dòng)閥。優(yōu)選的，所述電極盒的進(jìn)氣口、出氣口處均設(shè)有勻氣板。優(yōu)選的，所述電極盒為單腔多層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述進(jìn)氣管道上還設(shè)有調(diào)壓閥和手動(dòng)隔膜閥。上述技術(shù)方案具有如下有益效果進(jìn)行氣相沉積時(shí)采用該裝置可在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前進(jìn)行氫氣吹掃，從而減少雜質(zhì)交叉污染，提高工藝重復(fù)性；同時(shí)進(jìn)行氫氣吹掃可調(diào)節(jié)本征層與P或η層介面的硅被打斷共價(jià)鍵所產(chǎn)生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態(tài)，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置包括一電極盒1，該電極盒采用單腔多層結(jié)構(gòu)。電極盒的進(jìn)氣口 1通過(guò)一進(jìn)氣管道4與一 H2配氣箱2連接，電極盒1的出氣口通過(guò)一排氣管道5與一工藝泵3連接，電極盒1的進(jìn)氣口、出氣口處均設(shè)有勻氣板，這樣可使進(jìn)氣、排氣更加的均勻。進(jìn)氣管道4上設(shè)有氣動(dòng)閥7、調(diào)壓閥8和手動(dòng)隔膜閥9，排氣管道5上設(shè)有氣動(dòng)閥6。在進(jìn)行氣相沉積過(guò)程中在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前，可將進(jìn)氣管道4上的氣動(dòng)閥7打開(kāi)同時(shí)將排氣管道5上的氣動(dòng)閥6關(guān)閉向電極盒1內(nèi)充氣，然后再將氣動(dòng)閥7關(guān)閉、將氣動(dòng)閥6打開(kāi)進(jìn)行排氣，從而完成對(duì)電極盒1內(nèi)的氫氣吹掃。通過(guò)氫氣吹掃，可減少雜質(zhì)交叉污染，提高工藝重復(fù)性；同時(shí)進(jìn)行氫氣吹掃可調(diào)節(jié)本征層與P或η層介面的硅被打斷共價(jià)鍵所產(chǎn)生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態(tài)，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有所改變，因此本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容僅用來(lái)于對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，其特征在于所述電極盒的進(jìn)氣口通過(guò)一進(jìn)氣管道與一 H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過(guò)一排氣管道與一工藝泵連接，所述進(jìn)氣管道、排氣管道上均設(shè)有氣動(dòng)閥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述電極盒的進(jìn)氣口、出氣口處均設(shè)有勻氣板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述電極盒為單腔多層結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，其特征在于所述進(jìn)氣管道上還設(shè)有調(diào)壓閥和手動(dòng)隔膜閥。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種非晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積吹掃裝置，包括一電極盒，所述電極盒的進(jìn)氣口通過(guò)一進(jìn)氣管道與一H2配氣箱連接，所述電極盒的出氣口通過(guò)一排氣管道與一工藝泵連接，所述進(jìn)氣管道、排氣管道上均設(shè)有氣動(dòng)閥。進(jìn)行氣相沉積時(shí)采用該裝置可在非晶硅、微晶硅P和I層鍍膜前進(jìn)行氫氣吹掃，從而減少雜質(zhì)交叉污染，提高工藝重復(fù)性；同時(shí)進(jìn)行氫氣吹掃可調(diào)節(jié)本征層與p或n層介面的硅被打斷共價(jià)鍵所產(chǎn)生的空缺或多余的氫原子，改善本征層與P或N層的界面態(tài)，在一定程度上抑制非晶硅薄膜的光致衰減性。
文檔編號(hào)C23C16/24GK202201967SQ20112028492
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者郭鋒 申請(qǐng)人:上海曙海太陽(yáng)能有限公司