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一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán)的制作方法

文檔序號(hào):3382636閱讀:170來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能硅片加工工具,具體涉及一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán)。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能硅片單面拋光機(jī)拋光盤(pán)的平坦度控制是影響到晶片拋光精度的關(guān)鍵技術(shù), 目前國(guó)際上通用的做法是將金屬材質(zhì)的拋光盤(pán)安裝于帶有冷卻水槽的基座上,通過(guò)冷卻水的流動(dòng)及時(shí)散發(fā)拋光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量以緩解拋光盤(pán)受熱變形,維持硅片拋光的幾何精度。帶有水冷基座的拋光盤(pán)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)有如下問(wèn)題和缺陷1、金屬拋光盤(pán)受熱變形具有不可逆性,在特定的溫度下(通常是硅片拋光的工藝溫度)將拋光盤(pán)研磨平整后,在拋光盤(pán)的溫度經(jīng)過(guò)變化后(如設(shè)備停機(jī))再回歸到工藝溫度時(shí),拋光盤(pán)并不能恢復(fù)到原先的平坦度狀態(tài);2、金屬拋光盤(pán)的材質(zhì)(通常為不銹鋼有部分廠家使用鑄鐵)和水冷基座因材質(zhì)不同而導(dǎo)致拋光盤(pán)和水冷基座的受熱變形不同從而導(dǎo)致有溫度變化時(shí),拋光盤(pán)和水冷基座之間產(chǎn)生張力導(dǎo)致變形;3、金屬材質(zhì)的拋光盤(pán)和水冷基座因在生產(chǎn)及加工過(guò)程中產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力,這種應(yīng)力緩慢釋放導(dǎo)致拋光盤(pán)的平坦度發(fā)生變化;4、水冷基座的冷卻水槽在使用過(guò)程中水冷槽內(nèi)壁水垢凝結(jié)導(dǎo)致冷卻效果下降,并且對(duì)拋光盤(pán)的冷卻溫度不均勻,導(dǎo)致拋光盤(pán)平坦度變差。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種太陽(yáng)能硅片單面拋光機(jī)用拋光盤(pán),采大理石盤(pán)作為太陽(yáng)能硅片單面拋光機(jī)的拋光盤(pán)。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是設(shè)計(jì)一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán),所述拋光盤(pán)包括用于安裝拋光盤(pán)的拋光機(jī)主軸承基座,其特征在于,所述的拋光盤(pán)為大理石材質(zhì)的拋光盤(pán),在所述拋光盤(pán)的表面附著有一層聚四氟乙烯膜,拋光盤(pán)直接安裝在拋光機(jī)主軸承基座上。作為優(yōu)選的技術(shù)方案,所述的拋光盤(pán)拋光盤(pán)表面研磨平整,采用螺栓固定在拋光機(jī)主軸承基座上。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于1、可以省卻冷卻水的使用由于太陽(yáng)能硅片的單面拋光是在機(jī)械作用和化學(xué)作用的雙重作用下進(jìn)行,使用金屬拋光盤(pán),很難在合適的化學(xué)反應(yīng)溫度和拋光盤(pán)的平坦度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。而使用大理石拋光盤(pán),不管拋光溫度如何變化,拋光盤(pán)的平坦度始終維持在比較理想的范圍內(nèi)。同時(shí),不使用冷卻水可以降低生產(chǎn)成本。2、由于大理石熱變形系數(shù)極小且無(wú)應(yīng)力變形的問(wèn)題,長(zhǎng)時(shí)間使用也無(wú)需對(duì)拋光盤(pán)進(jìn)行修整,降低了設(shè)備的維護(hù)成本。3、使用大理石材質(zhì)的拋光盤(pán)比現(xiàn)有的金屬拋光盤(pán)降低了設(shè)備的制造成本。4、由于在大理石材質(zhì)的拋光表面附著了一層聚四氟乙烯膜,可提高其耐磨性能, 延長(zhǎng)期使用壽命。

圖1是本實(shí)用新型太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,而不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)用新型采用大理石材質(zhì)作為拋光盤(pán)1,其粘貼太陽(yáng)能硅片拋光布的表面需要被研磨平整。研磨表面可以在拋光盤(pán)1安裝到拋光機(jī)上之前完成,也可在拋光盤(pán)1安裝到拋光機(jī)后再進(jìn)行研磨。大理石的拋光盤(pán)1采用螺栓固定,直接安裝于拋光機(jī)主軸承基座2 上,在所述拋光盤(pán)的表面附著有一層聚四氟乙烯膜3。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán),所述拋光盤(pán)包括用于安裝拋光盤(pán)的拋光機(jī)主軸承基座,其特征在于,所述的拋光盤(pán)為大理石材質(zhì)的拋光盤(pán),在所述拋光盤(pán)的表面附著有一層聚四氟乙烯膜,拋光盤(pán)直接安裝在拋光機(jī)主軸承基座上。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán),其特征在于,所述的拋光盤(pán)拋光盤(pán)表面研磨平整,采用螺栓固定在拋光機(jī)主軸承基座上。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)能硅片單面拋光設(shè)備上的拋光盤(pán),所述拋光盤(pán)包括用于安裝拋光盤(pán)的拋光機(jī)主軸承基座,所述的拋光盤(pán)為大理石材質(zhì)的拋光盤(pán),在所述拋光盤(pán)的表面附著有一層聚四氟乙烯膜,拋光盤(pán)直接安裝在拋光機(jī)主軸承基座上;所述的拋光盤(pán)拋光盤(pán)表面研磨平整,采用螺栓固定在拋光機(jī)主軸承基座上。由于太陽(yáng)能硅片的單面拋光是在機(jī)械作用和化學(xué)作用的雙重作用下進(jìn)行,使用金屬拋光盤(pán),很難在合適的化學(xué)反應(yīng)溫度和拋光盤(pán)的平坦度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。而使用大理石拋光盤(pán),不管拋光溫度如何變化,拋光盤(pán)的平坦度始終維持在比較理想的范圍內(nèi)。同時(shí),不使用冷卻水可以降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)B24D5/00GK202185841SQ20112026317
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者李向清, 沈彪, 胡德良 申請(qǐng)人:江陰市愛(ài)多光伏科技有限公司
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