專利名稱：可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種制程腔體，尤其指一種適用于反應(yīng)性濺鍍的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，以控制制程腔體內(nèi)的氣體，防止氣體相互污染，并可依制程上的需要調(diào)整子制程腔體與被鍍物的相對(duì)位置。
背景技術(shù)：
公知的反應(yīng)性濺鍍?cè)?，通常在進(jìn)行反應(yīng)性濺鍍的過程時(shí)，通入與被濺射出物質(zhì)反應(yīng)的氣體，在基板上相互反應(yīng)生成所需的化合物薄膜，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。而因?yàn)榉磻?yīng)性濺鍍需使用到不同氣體，因此，控制制程腔體內(nèi)的氣體不相互污染即顯得格外重要。例如，于某一制程腔體內(nèi)用以進(jìn)行一特定化學(xué)反應(yīng)的氣體，可能因制程腔體間過于靠近等的因素，而泄露至其它制程腔體內(nèi)。然而，公知的用于進(jìn)行反應(yīng)性濺鍍的裝置并未針對(duì)上述的缺失加以改善，因此，當(dāng)發(fā)生上述的氣體外泄至其它制程腔體時(shí)，會(huì)造成其它制程腔體所產(chǎn)生的化合物薄膜受到污染或摻有他種雜質(zhì)。因此，業(yè)界需要一種可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，以能調(diào)整各個(gè)制程腔體之間的相對(duì)位置，達(dá)到控制各個(gè)制程腔體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)氣體的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種制程腔體結(jié)構(gòu)，可由設(shè)置于制程腔體內(nèi)、并用以承載一子制程腔體的可調(diào)式支撐裝置，對(duì)子制程腔體做調(diào)整的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，以控制制程腔體內(nèi)的氣體，防止氣體相互污染。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，包括—主制程腔體，具有一內(nèi)側(cè)表面；一固定裝置，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)部，以架設(shè)一被鍍物；復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)部；以及復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)側(cè)表面，用以承載子制程腔體。而每一可調(diào)式支撐裝置包含滑軌裝置；柱體；支撐架；及平移裝置；其中，每一可調(diào)式支撐裝置用以調(diào)整其所承載的子制程腔體與被鍍物的相對(duì)位置，每一子制程腔體是以反應(yīng)性濺鍍的方式于被鍍物的表面上形成鍍膜。于本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的主制程腔體中，可調(diào)式支撐裝置的數(shù)目與子制程腔體的數(shù)目并無限制，但可調(diào)式支撐裝置的數(shù)目大于或等于子制程腔體的數(shù)目，亦即，可調(diào)式支撐裝置上不一定要承載一子制程腔體，可視濺鍍的需求而架設(shè)所需使用的子制程腔體于可調(diào)式支撐裝置上。再者，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的柱體為一高度調(diào)整裝置，其可使用螺帽、或墊片將子制程腔體墊高，例如增加螺帽或墊片的數(shù)目以增加子制程腔體的高度，或減少螺帽、或墊片的數(shù)目以降低子制程腔體的高度。亦可使用升降管的方式，調(diào)整子制程腔體的高度，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的高度調(diào)整裝置并不限于上述三種實(shí)例，任何可以達(dá)度高度調(diào)整的功能的裝置皆可適用于明本實(shí)用新型。[0010]此外，高度調(diào)整裝置結(jié)合滑軌裝置可更進(jìn)一步調(diào)整子制程腔體傾斜為一角度，傾斜角度可為正5度至負(fù)5度度之間，傾斜角度視濺鍍的需求而調(diào)整。再者，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的可調(diào)式支撐裝置的材料為不銹鋼，亦可為其它金屬。子制程腔體的大小是根據(jù)濺鍍的面積調(diào)整。此外，如前所述，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)適用于反應(yīng)性濺鍍上，子制程腔體是以反應(yīng)性濺鍍的方式于被鍍物的表面上形成鍍膜，而其中，被鍍物為圓筒狀，而此圓筒狀的被鍍物的材料為一可撓式基板材料，其可為一塑料基板、一超薄玻璃或一超薄金屬箔板材料。再者，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的平移裝置為一于支撐架上所形成的孔洞結(jié)構(gòu)，以調(diào)整子制程腔體的位置，亦即可調(diào)整子制程腔體與被鍍物的間距。如此一來，若被鍍物的尺寸有所改變(例如被鍍物的厚度)，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)可因應(yīng)鍍物的尺寸的改變而有所調(diào)整，大幅提高本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的便利性。

圖1是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的立體示意圖。圖2是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的可調(diào)式支撐裝置承載示意圖。圖3是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的滑軌裝置運(yùn)作示意圖。圖4是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的高度調(diào)整示意圖。圖5是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的平移裝置的運(yùn)作示意圖。圖6是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的子制程腔體的角度調(diào)整示意圖。附圖中主要組件符號(hào)說明11主制程腔體；12固定裝置；13被鍍物；14子制程腔體；15可調(diào)式支撐裝置；111 內(nèi)側(cè)表面；151滑軌裝置；152柱體；153支撐架；巧4平移裝置。
具體實(shí)施方式
有關(guān)本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參閱圖1，圖1是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的立體示意圖。如圖所示，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)包括一主制程腔體11、一固定裝置12、復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體14、以及復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置15。其中，主制程腔體11具有一內(nèi)側(cè)表面111 ；固定裝置12設(shè)置于主制程腔體11的內(nèi)部，以架設(shè)一被鍍物 13 ；復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體14設(shè)置于主制程腔體11的內(nèi)部；復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置15設(shè)置于主制程腔體11的內(nèi)側(cè)表面111，一個(gè)可調(diào)式支撐裝置15可承載一個(gè)子制程腔體14。其中， 每一可調(diào)式支撐裝置15是用以調(diào)整其所承載的子制程腔體14與被鍍物13的相對(duì)位置，每一子制程腔體14是以反應(yīng)性濺鍍的方式于被鍍物13的表面上形成鍍膜。請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參閱圖2，圖2是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的可調(diào)式支撐裝置承載示意圖。如圖所示，可調(diào)式支撐裝置15是承載一子制程腔體14于其上。其中，每一可調(diào)式支撐裝置15包含滑軌裝置151、柱體152、支撐架153、及平移裝置154。其中，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)中，可調(diào)式支撐裝置的數(shù)目與子制程腔體的數(shù)目并無限制，但可調(diào)式支撐裝置的數(shù)目大于或等于子制程腔體的數(shù)目，亦即，可調(diào)式支撐裝置上不一定要承載一子制程腔體，可視濺鍍的需求而架設(shè)所需使用的子制程腔體于可調(diào)式支撐裝置上。[0024]例如，于主制程腔體的內(nèi)設(shè)置有4座可調(diào)式支撐裝置，但因?yàn)R鍍的需求不需用到4 個(gè)子制程腔體，則當(dāng)進(jìn)行反應(yīng)性濺鍍的過程時(shí)，將會(huì)有可調(diào)式支撐裝置并無承載子制程腔體的情形，但此現(xiàn)象并不影響反應(yīng)性濺鍍的進(jìn)行。再者，可調(diào)式支撐裝置的材質(zhì)可為金屬、或可為不銹鋼，可調(diào)式支撐裝置可鍍上一層保護(hù)膜，因可調(diào)式支撐裝置長(zhǎng)期處于充滿化學(xué)反應(yīng)氣體的環(huán)境下，故其可能因此而發(fā)生銹蝕，在其表面鍍上一層保護(hù)膜(例如鉻)，以延長(zhǎng)可調(diào)式支撐裝置的使用壽命。而上述反應(yīng)性濺鍍的方式于被鍍物的表面上形成鍍膜，被鍍物為一可撓式材料基板，并卷繞于一圓筒狀的卷筒上?？蓳鲜讲牧匣蹇蔀橐凰芰匣濉⒁怀〔Ａ?，或一超薄金屬箔板材料，是根據(jù)濺鍍的需求而選擇不同的被鍍物。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3，圖3本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的滑軌裝置運(yùn)作示意圖。圖 3是由圖2中子制程腔體14的長(zhǎng)邊所視的一側(cè)示圖，由圖3可看出，滑軌裝置151是調(diào)整子制程腔體14的于圖3中的左右的移動(dòng)，對(duì)應(yīng)于調(diào)整子制程腔體14于圖1中的前后移動(dòng)，其調(diào)整的幅度可根據(jù)濺鍍的需求而做不同的調(diào)整。請(qǐng)參考圖4，圖4是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的高度調(diào)整示意圖。本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的柱體152為一具有調(diào)整高度的功能的高度調(diào)整裝置，可使用螺帽、墊片、或升降管的方式來實(shí)現(xiàn)高度調(diào)整的功能。例如，若欲加高子制程腔體的高度，則可增加螺帽、或墊片的數(shù)目將子制程腔體墊高，或以升降管的方式，將子制程腔體升高。而若欲降低子制程腔體的高度，則可減少螺帽、或墊片的數(shù)目將子制程腔體調(diào)低，或以升降管的方式，將子制程腔體降低。另外，高度調(diào)整裝置并不僅限于上述的方式，任何具有可調(diào)整高度的功能的高度調(diào)整裝置皆可適用于本發(fā)明中。而且，其調(diào)整的幅度可根據(jù)濺鍍的需求而做不同的調(diào)整。請(qǐng)參閱圖5，圖5是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的平移裝置的運(yùn)作示意圖。 請(qǐng)一并參閱圖2，如圖2所示，平移裝置巧4為一于支撐架153上所形成的孔洞結(jié)構(gòu)。而如圖5所示，平移裝置IM是用以調(diào)整子制程腔體14于圖5中的左右移動(dòng)，其調(diào)整的幅度可根據(jù)濺鍍的需求而做不同的調(diào)整。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D6，圖6是本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的子制程腔體的角度調(diào)整示意圖。如圖6所示，子制程腔體14的角度調(diào)整是結(jié)合高度調(diào)整裝置152與滑軌裝置 151來實(shí)現(xiàn)。例如，于圖6中，調(diào)整左側(cè)高度調(diào)整裝置的高度高于右側(cè)高度調(diào)整裝置的高度、 或調(diào)整右側(cè)高度調(diào)整裝置的高度高于左側(cè)高度調(diào)整裝置的高度即可調(diào)整子制程腔體14傾斜為一預(yù)設(shè)的角度，而傾斜的角度可為正5度至負(fù)5度之間，再者，傾斜的幅度可根據(jù)濺鍍的需求而做調(diào)整。綜上所述，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)中，系可藉由用以承載子制程腔體的可調(diào)式支撐裝置，調(diào)整各個(gè)子制程腔體于主制程腔體內(nèi)的相對(duì)距離，以此方式達(dá)到控制子制程腔體的反應(yīng)氣體不會(huì)相互污染，提高濺鍍的效能。另外，亦可依據(jù)濺鍍的需求，調(diào)整各個(gè)子制程腔體與被鍍物的相對(duì)位置，更增加濺鍍的功效。除此之外，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的平移裝置系可調(diào)整子制程腔體與被鍍物之間距，如此一來，若被鍍物的尺寸有所改變(例如被鍍物的厚度)，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)系可因應(yīng)鍍物的尺寸的改變而有所調(diào)整，大幅提高本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)的便利性。上述實(shí)施例僅為了方便說明而舉例而已，本實(shí)用新型所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一主制程腔體，具有一內(nèi)側(cè)表面；一固定裝置，設(shè)置于該主制程腔體的內(nèi)部，以架設(shè)一被鍍物；復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體，設(shè)置于該主制程腔體的內(nèi)部；以及復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置，設(shè)置于該主制程腔體的該內(nèi)側(cè)表面，以承載該子制程腔體，每一可調(diào)式支撐裝置包含滑軌裝置；柱體；支撐架；及平移裝置；其中，該每一可調(diào)式支撐裝置用以調(diào)整其所承載的該子制程腔體與該被鍍物的相對(duì)位置，該每一子制程腔體是以反應(yīng)性濺鍍的方式于該被鍍物的表面上形成鍍膜。
2.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置的數(shù)目大于或等于該復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體的數(shù)目。
3.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柱體為一高度調(diào)整直ο
4.如權(quán)利要求3所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該高度調(diào)整裝置是以螺帽、墊片或升降管調(diào)整其高度。
5.如權(quán)利要求3所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該高度調(diào)整裝置是結(jié)合該滑軌裝置以調(diào)整該復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體傾斜為一角度。
6.如權(quán)利要求5所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該角度介于正5度至負(fù) 5度之間。
7.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置的材質(zhì)為不銹鋼。
8.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體的大小是根據(jù)濺鍍的面積調(diào)整。
9.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該被鍍物為圓筒狀。
10.如權(quán)利要求9所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該圓筒狀被鍍物為可撓式材料。
11.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該平移裝置為一于該支撐架上所形成的孔洞結(jié)構(gòu)，調(diào)整該子置程腔體的位置。
專利摘要一種可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)包括一主制程腔體，具有一內(nèi)側(cè)表面；一固定裝置，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)部，以架設(shè)一被鍍物；復(fù)數(shù)個(gè)子制程腔體，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)部；以及復(fù)數(shù)個(gè)可調(diào)式支撐裝置，設(shè)置于主制程腔體的內(nèi)側(cè)表面，承載子制程腔體。而每一可調(diào)式支撐裝置包含滑軌裝置；柱體；支撐架及平移裝置；其中，每一可調(diào)式支撐裝置用以調(diào)整其所承載的子制程腔體與被鍍物的相對(duì)位置。因此，本實(shí)用新型的可調(diào)式制程腔體結(jié)構(gòu)，可控制制程腔體內(nèi)的氣體，防止氣體相互污染，并可依制程上的需要調(diào)整子制程腔體與被鍍物的相對(duì)位置。
文檔編號(hào)C23C14/34GK202022973SQ20112004666
公開日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者張侖峰, 游中志 申請(qǐng)人:富臨科技工程股份有限公司