專利名稱：殼體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種殼體及該殼體的制備方法，特別涉及一種具有疏水效果的殼體及該殼體的制備方法。
背景技術(shù)：
浸潤性是固體表面的重要性質(zhì)之一。疏水表面是指固體表面與水的接觸角大于90°的表面。近年來，疏水表面在日常生活和工業(yè)領(lǐng)域有著越來越重要的應(yīng)用價值。然而，目前采用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)制備的膜層，膜層疏水效果不佳，表面容易粘覆臟污及手印，嚴(yán)重影響PVD鍍膜產(chǎn)品的進一步應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提 供一種具有良好疏水性的殼體。另外，還有必要提供一種上述殼體的制備方法。一種殼體，其包括基體、形成于基體表面的打底層、形成于打底層表面的中間層及形成于中間層表面的疏水層，該打底層為金屬鉻層，該中間層為碳化鉻層，該疏水層為含氟碳?xì)涞母叻肿訉?。一種殼體的制備方法，其包括如下步驟:
提供一基體；
在基體表面形成打底層，該打底層為金屬鉻層；
在該打底層表面形成中間層，該中間層為碳化鉻層；
在該中間層的表面形成疏水層，該疏水層為含氟碳?xì)涞母叻肿訉?。本發(fā)明所述殼體通過在基體表面依次形成打底層、中間層及疏水層，膜層之間過渡良好，附著牢固；且所述膜層使所述殼體具有良好的耐磨性、耐腐蝕性，可有效保護基體，相應(yīng)延長殼體的使用壽命；最表面的疏水層具有良好的疏水性，可提聞殼體的抗污性能；此外，所鍍膜層還使所述殼體呈現(xiàn)銀白色外觀。


圖1為本發(fā)明一較佳實施例殼體的剖視 圖2為本發(fā)明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種殼體，其包括基體、形成于基體表面的打底層，其特征在于:該殼體還包括形成于打底層表面的中間層及形成于中間層表面的疏水層，該打底層為金屬鉻層，該中間層為碳化鉻層，該疏水層為含氟碳?xì)涞母叻肿訉印?br> 2.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于:該打底層的厚度為0.05-0.2Mm。
3.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于:該中間層的厚度為1.5-2.0Mm。
4.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于:該疏水層的厚度為0.2-0.5Mm。
5.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于:該基體的材質(zhì)為不銹鋼。
6.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于:該疏水層為透明的。
7.一種殼體的制備方法，其包括如下步驟: 提供一基體； 在基體表面形成打底層，該打底層為金屬鉻層； 在該打底層表面形成中間層，該中間層為碳化鉻層； 在該中間層的表面形成疏水層，該疏水層為含氟碳?xì)涞母叻肿訉印?br> 8.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于:所述打底層的形成采用磁控濺射法，使用鉻靶，設(shè)定鉻靶的功率為13-18kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為180-250sccm，對基體施加的偏壓為-150V，鍍膜溫度為110_180°C，鍍膜時間為8_15min。
9.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于:所述中間層的形成采用磁控濺射法，使用鉻靶，設(shè)定鉻靶的功率為14-19kw，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為180-250sccm，以乙炔為反應(yīng)氣體，乙炔流量為60_90sccm，對基體施加的偏壓為-100V，鍍膜溫度為110_180°C，鍍膜時間為80-120min。
10.如權(quán)利要求7所述的殼體的制備方法，其特征在于:所述疏水層的形成采用離子束濺射法，使用聚四氟乙烯靶，使用氬離子對聚四氟乙烯靶進行濺射，氬離子的濺射能量為.1.0-1.5keV，濺射離子流為30-40mA，其中低能離子束能量為100_300eV，中能離子束能量為500-750eV，對基體施加的偏壓為-50V。
全文摘要
本發(fā)明提供一種殼體，其包括基體、形成于基體表面打底層、形成于打底層表面的中間層及形成于中間層表面的疏水層，該打底層為金屬鉻層，該中間層為碳化鉻層，該疏水層為含氟碳?xì)涞母叻肿訉印Ｋ瞿邮顾鰵んw具有良好的耐磨性、耐腐蝕性，可有效保護基體，相應(yīng)延長殼體的使用壽命；最表面的疏水層具有良好的疏水性，可提高殼體的抗污性能；此外，所鍍膜層還使所述殼體呈現(xiàn)銀白色外觀。此外，本發(fā)明還提供一種上述殼體的制備方法。
文檔編號C23C14/12GK103158294SQ20111042033
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者曹達華 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司