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原位X射線衍射表征Fe-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法

文檔序號(hào):3375390閱讀:605來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:原位X射線衍射表征Fe-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法。
背景技術(shù)
Fe-Mn-Si基記憶合金是上世紀(jì)80年代以來(lái)發(fā)展的具有價(jià)格低廉、材料易加工等優(yōu)點(diǎn)的記憶合金材料。 ^-Μη-Si基記憶合金的形狀記憶效應(yīng)是由形變時(shí)發(fā)生應(yīng)力誘發(fā) Y (fee) — ε (hep)轉(zhuǎn)變以及加熱過(guò)程中發(fā)生ε (hep) — γ (fee)逆相變實(shí)現(xiàn)的。現(xiàn)有的關(guān)于!^e-Mn-Si基記憶合金組織和相變研究大多使用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡來(lái)進(jìn)行微觀組織觀察,這樣分析已經(jīng)很成熟,但是它的局限在于僅僅在微米級(jí)和納米級(jí)的微觀角度揭示了記憶合金在變形以及形變恢復(fù)過(guò)程中的微觀組織形貌變化,樣品制備復(fù)雜,同時(shí)很難做到動(dòng)態(tài)分析。后來(lái)又有報(bào)道通過(guò)原子力顯微鏡對(duì)形狀記憶合金的恢復(fù)過(guò)程做表征,尺度范圍也同樣在微米級(jí),這些手段都不能做到在宏觀上的表征,難以準(zhǔn)確的在宏觀角度呈現(xiàn) ^-Μη-Si基記憶合金的相變特性,對(duì)于層錯(cuò)等微觀結(jié)構(gòu)的分析也難以從材料整體的角度作出結(jié)論,涉及定量分析更加顯示出電鏡分析的局限性。X射線衍射分析(X-ray diffraction,簡(jiǎn)稱XRD),是利用晶體形成的X射線衍射, 對(duì)物質(zhì)進(jìn)行內(nèi)部原子在空間分布狀況的結(jié)構(gòu)分析方法。將具有一定波長(zhǎng)的X射線照射到結(jié)晶性物質(zhì)上時(shí),X射線因在結(jié)晶內(nèi)遇到規(guī)則排列的原子或離子而發(fā)生散射,散射的X射線在某些方向上相位得到加強(qiáng),從而顯示與結(jié)晶結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的特有的衍射現(xiàn)象。X射線衍射方法具有不損傷樣品、無(wú)污染、快捷、測(cè)量精度高、能得到有關(guān)晶體完整性的大量信息等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用X射線衍射在樣品表面一定廣度和深度范圍內(nèi)收集晶格結(jié)構(gòu)信息,通過(guò)對(duì)衍射圖譜的分析,揭示形式樣品組成成分,同時(shí)還具有樣品制備簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供一種原位X射線衍射表征!^-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法。本發(fā)明將原位X射線衍射分析引入到 ^-Μη-Si基記憶合金的逆相變過(guò)程中即形變恢復(fù)過(guò)程中,通過(guò)高溫原位X射線衍射實(shí)時(shí)同步表征!^-Mn-Si記憶合金在加熱形狀恢復(fù)過(guò)程中的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向奧氏體轉(zhuǎn)變的相變特性,通過(guò)衍射圖譜分析直觀的研究恢復(fù)過(guò)程中組織結(jié)構(gòu)的變化。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明一種原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法予以實(shí)現(xiàn)的技術(shù)方案是將原位X射線衍射分析引入到i^e-Mn-Si基記憶合金的逆相變過(guò)程中,通過(guò)高溫原位X射線衍射實(shí)時(shí)同步表征 ^-Μη-Si基記憶合金在加熱形狀恢復(fù)過(guò)程中的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向奧氏體轉(zhuǎn)變的相變特性。進(jìn)一步講,本發(fā)明原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法,由以下步驟構(gòu)成步驟一、對(duì)!^e-Mn-Si基記憶合金樣品進(jìn)行預(yù)處理
(1)通過(guò)熔煉和固溶處理得到成分和組織均一的!^e-Mn-Si基記憶合金樣品;(2)通過(guò)線切割得到8mmX50mmX0. 7mm的樣品,然后對(duì)樣品進(jìn)行時(shí)效處理;(3)對(duì)樣品進(jìn)行表面拋光處理先進(jìn)行機(jī)械拋光,然后進(jìn)行電解拋光以消除樣品上由機(jī)械拋光產(chǎn)生的表面變形層;(4)在試樣拉伸機(jī)上對(duì)樣品做10%拉伸變形以誘發(fā)一定量的ε馬氏體;步驟二、對(duì)樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征利用Bruker公司D8 Advance衍射儀匹配的TC-widerange高溫原位樣品臺(tái)對(duì)上述預(yù)處理后的樣品進(jìn)行X射線衍射,從而得出表征 Fe-Mn-Si基記憶合金的形狀記憶回復(fù)特性的原位X射線衍射圖譜。上述對(duì)預(yù)處理后的樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征的工藝條件是以99. 95%氬氣作為保護(hù)性氣氛,對(duì)樣品進(jìn)行升溫和降溫處理,以消除樣品及樣品臺(tái)熱膨脹導(dǎo)致的對(duì)衍射峰位置以及強(qiáng)度的影響,首先,需要確定原位X射線分析的溫度范圍,溫度下限選定為室溫,上限的選擇原則為高于樣品的Af點(diǎn),以使測(cè)試完成后樣品發(fā)生了完全的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體到奧氏體的轉(zhuǎn)變,在測(cè)定溫度上限和下限之間選定若干個(gè)待測(cè)溫度;測(cè)定過(guò)程中樣品以升溫速率為30°C /min,從室溫升至到待測(cè)溫度,當(dāng)溫度升高至待測(cè)溫度并進(jìn)行IOmin保溫后,樣品以降溫速率為30°C /min從當(dāng)前的待測(cè)溫度降至室溫,此時(shí)應(yīng)用衍射儀進(jìn)行X射線衍射分析;按照若干個(gè)待測(cè)溫度依次重復(fù)上述的升溫-保溫-降溫-衍射分析的過(guò)程,最終得到樣品的原位X射線衍射圖譜。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是(1)本發(fā)明準(zhǔn)確的在宏觀角度呈現(xiàn)!^e-Mn-Si基記憶合金的相變特性,在對(duì)于層錯(cuò)等微觀結(jié)構(gòu)的分析可以從材料整體的角度作出結(jié)論。(2)本發(fā)明衍射圖譜原位分析可以直觀的研究!^e-Mn-Si基記憶合金恢復(fù)過(guò)程中組織結(jié)構(gòu)的變化。(3)本發(fā)明依據(jù)!^e-Mn-Si基記憶合金的相變特性,在對(duì)預(yù)處理后的樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征的工藝條件中采用的“升溫-保溫-降溫后再進(jìn)行測(cè)試”的方式不但不會(huì)對(duì)表征結(jié)果造成不利影響,而且采用此工藝條件是為了降低測(cè)量誤差。


圖1是使用普通樣品臺(tái)對(duì)!^e-Mn-Si基記憶合金掃描得到的X射線衍射圖譜;圖2是本發(fā)明原位X射線衍射對(duì)一種!^e-Mn-Si基記憶合金分析得到的X射線衍射圖譜;圖3是本發(fā)明原位X射線衍射對(duì)另一種!^e-Mn-Si基記憶合金分析得到的X射線衍射圖譜。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)地描述。對(duì)比例圖1所示為使用普通樣品臺(tái)對(duì)!^e-Mn-Si記憶合金掃描得到的X射線衍射圖譜,記憶合金樣品在管式爐中加熱到一定溫度后冷卻,用普通樣品臺(tái)得到的XRD圖譜;由于加熱恢復(fù)過(guò)程不能在普通樣品臺(tái)上進(jìn)行,因此不能實(shí)現(xiàn)原位分析,從圖1所示的衍射圖中可以發(fā)現(xiàn),由于放置位置的差異造成分析區(qū)域的微小差別,表現(xiàn)在該衍射圖譜上的卻是峰形的
巨大差異。本發(fā)明原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法采用的高溫原位分析,直接避免了由于樣品放置以及樣品臺(tái)移位等造成的衍射峰對(duì)比不便的問(wèn)題。以下通過(guò)實(shí)施例講述本發(fā)明的詳細(xì)過(guò)程,提供實(shí)施例是為了理解的方便,絕不是限制本發(fā)明。實(shí)施例一以成分為Fe-15Mn-6Si-9Cr-4Ni-0. 5V-0. 16N基記憶合金為例,即該 Fe-Mn-Si基記憶合金含有重量比為15 %的Mn,6 %的Si,9 %的Cr,4 %的Ni,0. 5 %的V, 0. 16 %的N,其余為佝。首先進(jìn)行預(yù)處理(1)熔煉和固溶處理合金鑄錠由真空感應(yīng)爐冶煉,在1200°C均勻化處理5小時(shí)后進(jìn)行鍛造,隨后在1000°c將其熱軋為20mm厚的板材。熱軋的板材經(jīng)1150°C固溶處理證,以便第二相形成元素充分回溶,得到成分和組織均一的樣品。(2)線切割和時(shí)效處理將固溶處理后樣品經(jīng)過(guò)線切割處理得到尺寸 8mmX50mmX0. 7mm的樣品,經(jīng)過(guò)化學(xué)除油去除試樣表面存留的線切割乳化油。將清洗后的試樣用0. 05m厚的不銹鋼卷帶包覆多層,盡可能的降低時(shí)效過(guò)程中樣品表面的氧化程度, 經(jīng)過(guò)以上處理的樣品讓在電阻爐中在800°C下保溫他,水淬后得到時(shí)效后樣品。其中,除油液為(Na0H(10 15g/L)、Na2CO3(30 40g/L)、Na3PO4(25 35g/L)、 十二烷基硫酸鈉(0. 4 0. 6g/L)。(3)表面處理對(duì)由上述( 步驟得到的樣品表面的氧化皮經(jīng)過(guò)酸洗處理,酸洗后經(jīng)過(guò)砂紙細(xì)磨和機(jī)械拋光,得到的樣品還需要進(jìn)行電解拋光去由機(jī)械拋光產(chǎn)生的表面變形層,所用電解拋光液成分為92. 5%酒精和7. 5%高氯酸混合液,拋光溫度-15°C,電流密度為 09A/cm2o其中酸洗液為HC1QOml)、H2SO4 (5ml)、HNO3 (5ml 也可以不加)、H2O (70ml)。(4)拉伸處理將上述(3)步驟得到拋光后樣品在試樣拉伸機(jī)上做10%拉伸變形以誘發(fā)一定量的ε馬氏體。(5)通過(guò)Bruker公司D8 Advance衍射儀匹配的TC-widerange高溫原位樣品臺(tái) (溫度范圍室溫至1600°C )對(duì)10%拉伸處理的i^e-20Mn-5Si-8Cr-5Ni-0. 5V-0. 16N樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征,經(jīng)電阻法測(cè)試該合金樣品的Af點(diǎn)為193°C,為了消除樣品及樣品臺(tái)熱膨脹導(dǎo)致的對(duì)衍射峰位置以及強(qiáng)度的影響,確定原位X射線分析的溫度范圍,溫度下限選定為室溫25°C,上限選定為225°C)在下限溫度(室溫25°C)至上限溫度225°C范圍內(nèi)取 50 "C >75 "C、100 "C、125 V、140 V、150 V、160 V、170 V、180 V、190 "C >200 °C 及上限溫度 225°C作為待測(cè)溫度。測(cè)試開始時(shí),首先將樣品臺(tái)的溫度從25°C升至到50°C,進(jìn)行IOmin保溫,隨后降溫至25°C,升溫和降溫速率均設(shè)定為30°C /min,按照上述12個(gè)待測(cè)溫度依次重復(fù)上述的升溫-保溫-降溫的過(guò)程。每經(jīng)歷一次“升溫-保溫-降溫”的過(guò)程后,使用衍射儀進(jìn)行X射線衍射分析,每一個(gè)待測(cè)溫度對(duì)應(yīng)的結(jié)果形成了樣品的原位X射線衍射圖譜,如圖2所示, 圖2中均以待測(cè)溫度為標(biāo)記。為了避免在上述加熱過(guò)程中樣品表面氧化而造成峰形失真以及雜質(zhì)峰的引入,使用99. 95%氬氣作為保護(hù)性氣氛。圖2示出了由本發(fā)明原位分析得到的實(shí)施例一 Fe-20Mn-5Si-8Cr-5Ni-0. 5V-0. 16N基記憶合金X射線衍射圖譜,從圖2中可以看出隨著溫度的上升馬氏體的(100)峰位和(101)峰的強(qiáng)度逐漸減小,而奧氏體基體的(111)峰位和 (200)峰位逐漸增強(qiáng),顯示發(fā)生了馬氏體到奧氏體的轉(zhuǎn)變,并且范圍集中在125°C 200°C 之間,直至200°C轉(zhuǎn)變完成,圖譜中再無(wú)馬氏體特征峰存在,加熱至225°C峰形與200°C得到的圖譜差別不大,顯示樣品經(jīng)過(guò)原位高溫分析后,內(nèi)部組織已全部轉(zhuǎn)變?yōu)閵W氏體組織,完成了應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向馬氏體的相變過(guò)程。通過(guò)圖2可知應(yīng)用X射線原位分析方法可以直觀形象表征了記憶合金形狀記憶性能的原理(應(yīng)力誘發(fā)馬氏體到奧氏體的轉(zhuǎn)變)。實(shí)施例二 以成分為Fe-15Mn-6Si-9Cr-4Ni-0. 7V-0. 2C基記憶合金為例,即該 Fe-Mn-Si基記憶合金含有重量比為15 %的Mn,6 %的Si,9 %的Cr,4 %的Ni,0. 7 %的V, 0. 2%的C,其余為佝。首先進(jìn)行預(yù)處理(1)熔煉和固溶處理該過(guò)程與上述同實(shí)施例一中的該過(guò)程相同。(2)線切割和時(shí)效處理該過(guò)程與上述實(shí)施例一的區(qū)別僅在最后的保溫溫度和時(shí)間不同,即最后讓樣品在電阻爐中,在750°C下保溫池,水淬后得到時(shí)效后樣品。(3)表面處理該過(guò)程與上述同實(shí)施例一中的該過(guò)程相同。(4)拉伸處理該過(guò)程與上述同實(shí)施例一中的該過(guò)程相同。(5)通過(guò)Bruker公司D8 Advance衍射儀匹配的TC-widerange高溫原位樣品臺(tái) (溫度范圍室溫至1600°C )對(duì)10%拉伸處理的i^e-17Mn-5Si-10Cr-5Ni-0. 7V-0. 2C樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征,經(jīng)電阻法測(cè)試該合金樣品的Af點(diǎn)為169°C,因此,在下限溫度(室溫 25 V )至上限溫度175°C范圍內(nèi)取在室溫(25°C )至175°C范圍內(nèi)取50°C、75°C、100°C、 115°C、130°C、145°C、160°C及上限溫度175°C作為待測(cè)溫度。測(cè)試過(guò)程同上述實(shí)施例一,最終得到了樣品的原位X射線衍射圖譜,如圖3所示。圖3示出了由本發(fā)明原位分析得到的實(shí)施例二 Fe-17Mn-5Si-10Cr-5Ni-0. 7V-0. 2C基記憶合金的原位XRD衍射圖譜,從圖3中可以看出隨著溫度的上升馬氏體的(100)峰位和(101)峰的強(qiáng)度逐漸減小,而奧氏體基體的(111) 峰位和O00)峰位逐漸增強(qiáng),顯示發(fā)生了馬氏體到奧氏體的轉(zhuǎn)變,并且范圍集中在75°C 175°C之間,加熱至175°C衍射圖譜只存在奧氏體峰,顯示樣品經(jīng)過(guò)原位高溫分析后,內(nèi)部組織已全部轉(zhuǎn)變?yōu)閵W氏體組織,完成了應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向馬氏體的相變過(guò)程。盡管上面結(jié)合圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述,但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
,上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的,而不是限制性的,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下,在不脫離本發(fā)明宗旨的情況下,還可以作出很多變形,這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種原位X射線衍射表征 ^-Μη-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法,其特征在于,將原位X射線衍射分析弓I入到 ^-Μη-Si基記憶合金的逆相變過(guò)程中,通過(guò)高溫原位X射線衍射實(shí)時(shí)同步表征i^e-Mn-Si基記憶合金在加熱形狀恢復(fù)過(guò)程中的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向奧氏體轉(zhuǎn)變的相變特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位X射線衍射表征 ^-Μη-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其特征在于,由以下步驟構(gòu)成步驟一、對(duì)!^e-Mn-Si基記憶合金樣品進(jìn)行預(yù)處理(1)通過(guò)熔煉和固溶處理得到成分和組織均一的i^e-Mn-Si基記憶合金樣品;(2)通過(guò)線切割得到8mmX50mmX0.7mm的樣品,然后對(duì)樣品進(jìn)行時(shí)效處理;(3)對(duì)樣品進(jìn)行表面拋光處理先進(jìn)行機(jī)械拋光,然后進(jìn)行電解拋光以消除樣品上由機(jī)械拋光產(chǎn)生的表面變形層;(4)在試樣拉伸機(jī)上對(duì)樣品做10%拉伸變形以誘發(fā)一定量的ε馬氏體;步驟二、對(duì)樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征利用Bruker公司D8 Advance衍射儀匹配的TC-widerange高溫原位樣品臺(tái)對(duì)上述預(yù)處理后的樣品進(jìn)行X射線衍射,從而得出表征 ^-Μη-Si基記憶合金的形狀記憶回復(fù)特性的原位X射線衍射圖譜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法,其中對(duì)預(yù)處理后的樣品進(jìn)行形變恢復(fù)表征的工藝條件是以99. 95%氬氣作為保護(hù)性氣氛,對(duì)樣品進(jìn)行升溫和降溫處理,以消除樣品及樣品臺(tái)熱膨脹導(dǎo)致的對(duì)衍射峰位置以及強(qiáng)度的影響;首先,需要確定原位X射線分析的溫度范圍,溫度下限選定為室溫,上限的選擇原則為高于樣品的Af點(diǎn),以使測(cè)試完成后樣品發(fā)生了完全的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體到奧氏體的轉(zhuǎn)變,在測(cè)定溫度上限和下限之間選定若干個(gè)待測(cè)溫度;測(cè)定過(guò)程中樣品以升溫速率為 300C /min,從室溫升至到待測(cè)溫度,當(dāng)溫度升高至待測(cè)溫度并進(jìn)行IOmin保溫后,樣品以降溫速率為30°C /min從當(dāng)前的待測(cè)溫度降至室溫,此時(shí)應(yīng)用衍射儀進(jìn)行X射線衍射分析;按照若干個(gè)待測(cè)溫度依次重復(fù)上述的升溫-保溫-降溫-衍射分析的過(guò)程,最終得到樣品的原位X射線衍射圖譜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位X射線衍射表征 ^-Μη-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,通過(guò)熔煉和固溶處理得到成分和組織均一的 ^-Μη-Si基記憶合金樣品的過(guò)程是 Fe-Mn-Si基記憶合金鑄錠由真空感應(yīng)爐冶煉,在1200°C均勻化處理5小時(shí)后進(jìn)行鍛造,隨后在1000°C將其熱軋為20mm厚的板材,熱軋的板材經(jīng)1150°C固溶處理5h,以便第二相形成元素充分回溶,得到成分和組織均一的 ^-Μη-Si基記憶合金樣品。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位X射線衍射表征 ^-Μη-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,!^e-Mn-Si基記憶合金含有重量比為15 20%的Mn,1 6%的Si,5 12%的Cr, 4 9%的 Ni,0. 2 1. 5%的 V,0. 05 0. 2%的 N,其余為 Fe。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,F(xiàn)e-Mn-Si基記憶合金含有重量比為15%的Mn,6%的Si,9 %的Cr,4%的Ni,0. 5%的 V,0. 16%的N,其余為Fe。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位X射線衍射表征 ^-Μη-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,F(xiàn)e-Mn-Si基記憶合金含有重量比為15%的Mn,6%的Si,9%的Cr,4%的Ni,0. 7%的V,0.2%的C,其余為Fe。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,通過(guò)線切割得到8mmX50mmX0. 7mm的樣品,然后對(duì)樣品進(jìn)行時(shí)效處理的過(guò)程是;將固溶處理后樣品經(jīng)過(guò)線切割處理得到尺寸8mmX50mmX0. 7mm的樣品,經(jīng)過(guò)化學(xué)除油去除樣品表面存留的線切割乳化油;將清洗后的樣品用0. 05m厚的不銹鋼卷帶包覆多層,盡可能的降低時(shí)效過(guò)程中樣品表面的氧化程度,經(jīng)過(guò)以上處理的樣品讓在電阻爐中在800°C下保溫他,水淬后得到時(shí)效后樣品。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的原位X射線衍射表征!^e-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法, 其中,通過(guò)線切割得到8mmX50mmX0. 7mm的樣品,然后對(duì)樣品進(jìn)行時(shí)效處理的過(guò)程是;將固溶處理后樣品經(jīng)過(guò)線切割處理得到尺寸8mmX50mmX0. 7mm的樣品,經(jīng)過(guò)化學(xué)除油去除樣品表面存留的線切割乳化油;將清洗后的樣品用0. 05m厚的不銹鋼卷帶包覆多層,盡可能的降低時(shí)效過(guò)程中樣品表面的氧化程度,經(jīng)過(guò)以上處理的樣品讓在電阻爐中在750°C下保溫池,水淬后得到時(shí)效后樣品。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種原位X射線衍射表征Fe-Mn-Si基記憶合金回復(fù)特性的方法,將原位X射線衍射分析引入到Fe-Mn-Si基記憶合金的逆相變過(guò)程中,通過(guò)高溫原位X射線衍射實(shí)時(shí)同步表征Fe-Mn-Si基記憶合金在加熱形狀恢復(fù)過(guò)程中的應(yīng)力誘發(fā)馬氏體向奧氏體轉(zhuǎn)變的相變特性。主要包括對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)處理和利用高溫原位樣品臺(tái)對(duì)上述預(yù)處理后的樣品進(jìn)行X射線衍射從而得出表征Fe-Mn-Si基記憶合金的形狀記憶回復(fù)特性的原位X射線衍射圖譜。本發(fā)明準(zhǔn)確的在宏觀角度呈現(xiàn)Fe-Mn-Si基記憶合金的相變特性,通過(guò)衍射圖譜分析同步原位的直觀的研究恢復(fù)過(guò)程中組織結(jié)構(gòu)的變化。
文檔編號(hào)C22C38/58GK102435624SQ20111037594
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月23日
發(fā)明者劉志超, 劉永長(zhǎng), 張 林, 董治中 申請(qǐng)人:天津大學(xué)
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